JPWO2005002096A1 - 電界検出光学装置、トランシーバ、位置情報取得システム、及び情報入力システム - Google Patents
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Abstract
Description
[図2]従来のトランシーバ本体の全体構成図である。
[図3]従来の他のトランシーバ本体の全体構成図である。
[図4]従来の(偏光変調型)トランシーバ本体の電界検出光学部及び受光回路の詳細構成図である。
[図5]図4に示す差動アンプの入力信号の波形を示した図である。
[図6]従来の(光強度変調型)トランシーバ本体の電界検出光学部及び受光回路の詳細構成図である。
[図7]従来の(光強度変調型)トランシーバ本体の電界検出光学部で使用する光強度変調器が電界吸収型の場合の原理図である。
[図8]従来の(光強度変調型)トランシーバ本体の電界検出光学部で使用する光強度変調器がマッハツェンダ型の場合の原理図である。
[図9]人間の手でトランシーバとウェアラブルコンピュータとの組みを持つ場合のそれらの使用状態を示したイメージ図である。
[図10]本発明の第1の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの使用状態を示した正面のイメージ図である。
[図11]本発明の第1の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの使用状態を示した平面のイメージ図である。
[図12]情報通信、発信器A用、発信器B用の周波数帯域を示した図である。
[図13]第1の実施形態に係るトランシーバ内のトランシーバ本体の全体構成図である。
[図14]第2の実施形態に係るトランシーバ内のトランシーバ本体の全体構成図である。
[図15]第1及び第2の実施形態に係る電界伝達シートの具体例を示した図である。
[図16]第1及び第2の実施形態に係る電界伝達シートの具体例を示した図である。
[図17]第1及び第2の実施形態に係る電界伝達シートの具体例を示した図である。
[図18]本発明の第3〜第7の実施形態に係るトランシーバ本体の全体構成図である。
[図19]第3の実施形態に係るトランシーバ本体の電界検出光学部、受光回路の詳細構成図である。
[図20]第4の実施形態に係るトランシーバ本体の電界検出光学部、受光回路の詳細構成図である。
[図21]第5の実施形態に係るトランシーバ本体の電界検出光学部、受光回路の詳細構成図である。
[図22]第6の実施形態に係るトランシーバ本体の電界検出光学部、受光回路の詳細構成図である。
[図23]第7の実施形態に係るトランシーバ本体の電界検出光学部、受光回路の詳細構成図である。
[図24]本発明の第8の実施形態に係るトランシーバ本体の全体構成図である。
[図25]生体、送受信電極、及びトランシーバ本体間の等価回路を示す図である。
[図26]生体、トランシーバ本体、及びバッテリ間の等価回路を示す図である。
[図27]本発明の第9の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの全体構成図である。
[図28]主にトランシーバ本体の機能を示した機能ブロック図である。
[図29]電界検出光学装置の詳細構成図である。
[図30]図27に示すトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの使用状態を示した使用イメージ図である。
[図31]本発明の第10の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの全体構成図である。
[図32]本発明の第11の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの全体構成図である。
[図33]本発明の第12の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの全体構成図である。
[図34]本発明の第13の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの全体構成図である。
[図35]本発明の第14の実施形態に係るトランシーバ及びウェアラブルコンピュータの全体構成図である。
[図36]本発明のその他の実施形態を示した図である。
[図37]本発明のその他の実施形態を示した図である。
以下、図面を用いて、第1の実施形態を説明する。
続いて、図面を用いて、第2の実施形態を説明する。
図15及び図16では、上記各実施形態を電界伝達シート302a、パソコン用のキーボードに用いた例を示している。図15に示すように、電界伝達シート302a上にキーボードの絵を印字することで、例えば、人間が特定位置α1に触れると、発信器A,Bからのそれぞれの距離x1,y1から、触れたキーを特定することができる。
図17では、上記各実施形態を、タッチパネル、タッチスクリーン、又はショーケース等の電界伝達シート302bに用いた例を示している。この場合も同様に、例えば、人間が特定位置α2に触れると、発信器A,Bからのそれぞれの距離x2,y2から、触れた位置を特定することができる。
以下、図18及び図19を用いて、本発明の第3の実施形態に係る電界検出光学装置115a及び、この電界検出光学装置115aを備えた光強度変調型トランシーバ(以下、単に「トランシーバ」という)3について説明する。
以下、図20を用いて、本発明の第4の実施形態に係る電界検出光学装置115b及び、この電界検出光学装置115bを備えた光強度変調型トランシーバ3について説明する。
以下、図21を用いて、本発明の第5の実施形態に係る電界検出光学装置115c及び、この電界検出光学装置115cを備えた光強度変調型トランシーバ3について説明する。
以下、図22を用いて、本発明の第6の実施形態に係る電界検出光学装置115d及び、この電界検出光学装置115dを備えた光強度変調型トランシーバ3について説明する。
以下、図23を用いて、本発明の第7の実施形態に係る電界検出光学装置115e及び、この電界検出光学装置115eを備えた光強度変調型トランシーバ3について説明する。
以下、図24を用いて、本発明の第8の実施形態に係るトランシーバのトランシーバ本体30dについて説明する。
以下、図27乃至図30を用いて、第9の実施形態を説明する。
以下、図31を用いて、第10の実施形態を説明する。
以下、図32を用いて、第11の実施形態を説明する。
以下、図33を用いて、第12の実施形態を説明する。
以下、図34を用いて、第13の実施形態を説明する。
上記第11及び第12の実施形態では、片方のグランド電極をウェアラブルコンピュータ1の絶縁ケース11の側面に取り付けたが、これに限るものではなく、第1グランド電極131、及び第2,第3グランド電極161,163の両方を接触させずに、それぞれウェアラブルコンピュータ1の絶縁ケース11の側面に取り付けてもよい。
Claims (32)
- 電界を電界伝達媒体(100)に誘起させると共に、前記電界伝達媒体(100)に誘起されている電界を受信する送受信用電極(105)と、
送信すべき情報に基づいた前記電界を前記送受信用電極(105)に生じさせると共に、前記送受信用電極(105)に生じた前記電界を受信情報に変換することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の送受信が可能なトランシーバ本体(30)と、
前記送受信電極(105)と前記電界伝達媒体(100)との間に介在する第1の構造物(107)と、
前記トランシーバ本体(30)と前記電界伝達媒体(100)との間に介在する第2の構造物(7a,99a)と、
前記トランシーバ本体(30)を駆動させるバッテリ(6)と、
前記トランシーバ本体(30)と前記バッテリ(6)との間に介在する第3の構造物(7b,99b)と、
を備えたトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)であって、
前記第1、第2、及び第3の構造物は、金属、半導体、及び絶縁体のうちの少なくとも1つで構成され、抵抗と容量の並列回路として等価される構造物であることを特徴とするトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。 - 前記第2の構造物(7a,99a)及び第3の構造物(7b,99b)のインピーダンスは、前記第1の構造物(107)のインピーダンスよりも大きいことを特徴とする請求の範囲第1項に記載のトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。
- 前記第1の構造物(107)は、前記電界伝達媒体(100)に対して前記送受信電極(105)を覆う絶縁膜であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載のトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。
- 前記第2の構造物(7a,99a)及び第3の構造物(7b,99b)は、絶縁性部材であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載のトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。
- 送信すべき情報に基づいた電界を送信用電極(105,105a)から電界伝達媒体(100)に誘起させることにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の送信が可能なトランシーバ本体(30)と、
このトランシーバ本体(30)を駆動させるバッテリ(6)と、
前記トランシーバ本体(30)が内蔵された絶縁ケース(33)と、
を備えたトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)であって、
前記送信用電極(105,105a)は、前記絶縁ケース(33)の外壁面のうち、前記電界伝達媒体(100)が近接すべき部分の全面に渡って設けられていると共に、前記電界伝達媒体(100)に直接接触しないように絶縁膜(107,107a)で覆われていることを特徴とするトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。 - 前記バッテリ(6)と前記トランシーバ本体(30)の間に絶縁性部材(7b,99b)を更に備えることを特徴とする請求の範囲第5項に記載のトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。
- 前記絶縁性部材は、空気が含まれる発泡材(7b)であることを特徴とする請求の範囲第6項に記載のトランシーバ(3a,3c,3d,3e)。
- 前記絶縁性部材は、複数の木材支柱(99b)であることを特徴とする請求の範囲第6項に記載のトランシーバ(3b)。
- 前記絶縁性部材は、所定の気体を閉じこめたクッション材であることを特徴とする請求の範囲第6項に記載のトランシーバ。
- 前記トランシーバ本体(30)が駆動する際に必要とする基準電圧を画定するものであって、前記絶縁ケース(33)の内壁面に取り付けられたグランド電極(131,161,163)を更に備えることを特徴とする請求の範囲第5項に記載のトランシーバ(3a,3b,3c,3d,3e)。
- 前記トランシーバ本体(30)が駆動する際に必要とする基準電圧を画定するものであって、前記絶縁ケース(33)外の外部装置に取り付けられたグランド電極(131,161,163)を更に備えることを特徴とする請求の範囲第5項に記載のトランシーバ(3c,3d)。
- 送信すべき情報に基づいた電界を送信用電極(105a)から電界伝達媒体(100)に誘起させると共に、前記電界伝達媒体(100)に誘起されている電界に基づいた情報を受信用電極(105b)で受信することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の送受信が可能なトランシーバ本体(30)と、
このトランシーバ本体(30)を駆動させるバッテリ(6)と、
前記トランシーバ本体(30)が内蔵された絶縁ケース(33)と、
を備えたトランシーバ(3e)であって、
前記送信用電極(105a)は、前記絶縁ケース(33)の外壁面のうち、前記電界伝達媒体(100)が近接すべき部分の全面に渡って設けられていると共に、前記電界伝達媒体(100)に直接接触しないように第1の絶縁膜(107a)で覆われ、
前記受信用電極(105b)は、前記第1の絶縁膜(107a)の外壁面に設けられると共に、前記電界伝達媒体(100)に直接接触しないように第2の絶縁膜(107b)で覆われていることを特徴とするトランシーバ(3e)。 - 送信すべき情報に基づいた電界を送信用電極(105a)から電界伝達媒体(100)に誘起させると共に、前記電界伝達媒体(100)に誘起されている電界に基づいた情報を受信用電極(105b)で受信することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の送受信が可能なトランシーバ本体(30)と、
このトランシーバ本体(30)を駆動させるバッテリ(6)と、
前記トランシーバ本体(30)が内蔵された絶縁ケース(33)と、
を備えたトランシーバ(3f)であって、
前記受信用電極(105b)は、前記絶縁ケース(33)の外壁面のうち、前記電界伝達媒体(100)が近接すべき部分の全面に渡って設けられていると共に、前記電界伝達媒体(100)に直接接触しないように第1の絶縁膜(107a)で覆われ、
前記送信用電極(105a)は、前記第1の絶縁膜(107a)の外壁面に設けられると共に、前記電界伝達媒体(100)に直接接触しないように第2の絶縁膜(107b)で覆われていることを特徴とするトランシーバ(3f)。 - 電界伝達媒体(100)に誘起されている電界に基づいた情報を受信することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の受信が可能なトランシーバ(3)であって、
2つの電気信号に基づく情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶する記憶手段(17)と、
前記電界伝達媒体(100)に誘起して伝達されてくる電界を検出し、当該電界の変化を電気信号に変換する電界検出手段(115)と、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、前記2つの電気信号が含まれる所定の帯域を有する信号成分のみを通過させるバンドパスフィルタ(11a,11b)と、
前記記憶手段(17)を参照して、前記バンドパスフィルタを通過した前記2つの電気信号に基づく情報に対応する位置情報を得る位置換算処理手段(15)と、
を備えることを特徴とするトランシーバ(3)。 - 前記記憶手段(17)は、2つの電気信号の信号強度に基づく情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶し、
前記バンドパスフィルタ(11a,11b)は、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、一方の電気信号が含まれる第1の帯域を有する信号成分のみを通過させる第1のバンドパスフィルタ(11a)と、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、他方の電気信号が含まれる前記第1の帯域とは異なる第2の帯域を有する信号成分のみを通過させる第2のバンドパスフィルタ(11b)とを含み、
前記第1のバンドパスフィルタ(11a)を通過した信号成分及び前記第2のバンドパスフィルタ(11b)を通過した信号成分の信号強度を測定する信号強度測定手段(13a,13b)を更に有し、
位置換算処理手段(15)は、前記記憶手段(17)を参照して、前記信号強度測定手段(13a,13b)により測定された、前記第1のバンドパスフィルタを通過した信号成分及び前記第2のバンドパスフィルタを通過した信号成分のそれぞれの信号強度に基づく情報に対応する位置情報を得ることを特徴とする請求の範囲第14項に記載のトランシーバ(3)。 - 前記記憶手段(17)は、電気信号の強度差の情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶し、
前記位置換算処理手段(15)は、前記信号強度測定手段(13a,13b)により測定された、前記第1のバンドパスフィルタを通過した信号成分及び前記第2のバンドパスフィルタを通過した信号成分の強度差を算出し、前記記憶手段(17)を参照し、その強度差に対応する位置情報を得ることを特徴とする請求の範囲第15項に記載のトランシーバ(3)。 - 前記記憶手段(17)に記憶されている強度差の情報と位置情報の関連付けは、外部装置から書き換えが可能であることを特徴とする請求の範囲第16項に記載のトランシーバ(3)。
- 前記記憶手段(17)は、電気信号の強度比の情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶し、
前記位置換算処理手段(15)は、前記信号強度測定手段(13a,13b)により測定された、前記第1のバンドパスフィルタを通過した信号成分及び前記第2のバンドパスフィルタを通過した信号成分の強度比を算出し、前記記憶手段(17)を参照し、その強度比に対応する位置情報を得ることを特徴とする請求の範囲第15項に記載のトランシーバ(3)。 - 前記記憶手段(17)に記憶されている強度比の情報と位置情報の関連付けは、外部装置から書き換えが可能であることを特徴とする請求の範囲第18項に記載のトランシーバ(3)。
- 前記記憶手段(17)は、2つの電気信号の位相差に基づく情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶し、
前記バンドパスフィルタ(11a,11b)は、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、一方の電気信号が含まれる第1の帯域を有する信号成分のみを通過させる第1のバンドパスフィルタ(11a)と、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、他方の電気信号が含まれる前記第1の帯域とは異なる第2の帯域を有する信号成分のみを通過させる第2のバンドパスフィルタ(11b)とを含み、
前記第1のバンドパスフィルタ(11a)を通過した信号成分及び前記第2のバンドパスフィルタ(11b)を通過した信号成分の位相を検波する位相検波手段(23a,23b)を更に備え、
位置換算処理手段(25)は、前記位相検波手段(23a,23b)により検波された、前記第1のバンドパスフィルタを通過した信号成分及び前記第2のバンドパスフィルタを通過した信号成分の位相差を算出し、前記記憶手段(17)を参照し、その位相差に対応する位置情報を得ることを特徴とする請求の範囲第14項に記載のトランシーバ(3)。 - 前記記憶手段(17)に記憶されている位相差の情報と位置情報の関連付けは、外部装置から書き換えが可能であることを特徴とする請求の範囲第20項に記載のトランシーバ(3)。
- 電荷を伝達可能であると共に電界伝達媒体(100)がその上の任意の一点と接触可能な電界伝達シート(302a)と、
その電界伝達シート(302a)上の異なる位置にそれぞれ配置され、それぞれ第1の帯域及び第2の帯域を有する電気信号に基づいた電界を前記電界伝達シート(302a)に誘起させる第1及び第2の発信器(A,B)と、
前記電界伝達媒体(100)に誘起されている電界に基づいた情報を受信することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の受信が可能なトランシーバ(3)と、
を備えた位置情報取得システムであって、
前記トランシーバ(3)は、
2つの電気信号に基づく情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶する記憶手段(17)と、
前記電界伝達媒体(100)に誘起して伝達されてくる電界を検出し、当該電界の変化を電気信号に変換する電界検出手段(115)と、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、前記2つの電気信号が含まれる所定の帯域を有する信号成分のみを通過させるバンドパスフィルタ(11a,11b)と、
前記記憶手段(17)を参照して、前記バンドパスフィルタを通過した前記2つの電気信号に基づく情報に対応する位置情報を得る位置換算処理手段(15)と、
を備えることを特徴とする位置情報取得システム。 - 電荷を伝達可能であると共に電界伝達媒体(100)がその上の任意の一点と接触可能な電界伝達シート(302a)と、
その電界伝達シート(302a)上の異なる位置にそれぞれ配置され、それぞれ第1の帯域及び第2の帯域を有する電気信号に基づいた電界を前記電界伝達シート(302a)に誘起させる第1及び第2の発信器(A,B)と、
前記電界伝達媒体(100)に誘起されている電界に基づいた情報を受信することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の受信が可能なトランシーバ(3)であって、
2つの電気信号に基づく情報と、その情報に対応して決まる位置情報と、を関連付けて記憶する記憶手段(17)と、
前記電界伝達媒体(100)に誘起して伝達されてくる電界を検出し、当該電界の変化を電気信号に変換する電界検出手段(115)と、
前記電界検出手段(115)により得られた前記電気信号のうち、前記2つの電気信号が含まれる所定の帯域を有する信号成分のみを通過させるバンドパスフィルタ(11a,11b)と、
前記記憶手段(17)を参照して、前記バンドパスフィルタを通過した前記2つの電気信号に基づく情報に対応する位置情報を得る位置換算処理手段(15)と、
を有するトランシーバ(3)と、
位置情報とそれに対応した入力情報と、を関連付けて記憶するコンピュータ記憶手段を有し、前記トランシーバ(3)から入力される位置情報に基づいて、前記コンピュータ記憶手段を参照して入力情報を獲得するウェアラブルコンピュータ(1)と、
を備えることを特徴とする情報入力システム。 - 電界伝達媒体(100)により接触又は操作が可能であり、その接触又は操作に基づく物理量に応じて、前記電界伝達媒体(100)に電界を誘起させる電界誘起手段と、
前記電界伝達媒体(100)に誘起されている電界を受信し、その電界を偏光変調器又は光強度変調器に印加し、その電界に応じてレーザ光を偏光変調又は光強度変調させ、偏光変調又は光強度変調されたレーザ光を電気信号に変換し、変換された電気信号のうち、前記接触又は操作に基づく物理量に係る周波数成分を有する電気信号を抽出し、前記接触又は操作に基づく物理量に係る電気信号を出力するトランシーバと、
前記トランシーバから前記接触又は操作に基づく物理量に係る電気信号を入力し、前記電界伝達媒体(100)による前記接触又は操作に基づく物理量に対応した情報を取得する情報処理手段と、
を備えたことを特徴とする情報入力システム。 - レーザ光の光強度を検出対象の電界に基づいて変調させることで、前記電界を検出する電界検出光学装置(115a,115b,115c,115d,115e)であって、
電界検出光学部(110a,110b)と受光回路(152a,152b,152c,152d)とを有し、
前記電界検出光学部(115a,115b,115c,115d,115e)は、
レーザ光出射手段(121)と、
前記レーザ光出射手段(121)から出射されたレーザ光を異なる第1及び第2のレーザ光に分岐する分岐手段(139)と、
前記検出対象の電界が結合され、該結合された電界に基づいて、前記第1のレーザ光の光強度を変調する光強度変調手段(124)と、を有し、
前記受光回路(152a,152b,152c,152d)は、
前記光強度変調手段(124)によって変調された第1のレーザ光の光強度を電圧信号に変換する第1の光/電圧変換手段(143a,147a,147A,145a,145A)と、
前記分岐手段(139)によって分岐された第2のレーザ光の強度を電圧信号に変換する第2の光/電圧変換手段(143b,147b,147B,145b,145B)と、
前記第1の光/電圧変換手段(143a,147a,147A,145a,145A)によって変換された電圧信号と前記第2の光/電圧変換手段(143b,147b,147B,145b,145B)によって変換された電圧信号とを差動増幅する差動増幅手段(112)と、を有することを特徴とする電界検出光学装置(115a,115b,115c,115d,115e)。 - 前記電界検出光学部(110b)は、前記分岐手段(139)によって分岐された第2のレーザ光の光強度を減衰させる光可変アッテネータ(134B)を更に備え、前記第2の光電気変換手段(143b)は、前記光可変アッテネータ(134B)によって減衰された第2のレーザ光を入力することを特徴とする請求の範囲第25項に記載の電界検出光学装置(115b)。
- 前記電界検出光学部(110b)は、前記分岐手段(139)によって分岐された第1のレーザ光の光強度を所定割合減衰させる第1の光可変アッテネータ(134A)と、前記分岐手段(139)によって分岐された第2のレーザ光の光強度を、前記第1の光可変アッテネータにおける減衰割合よりも大きい割合で減衰させる第2の光可変アッテネータ(134B)と、を更に備え、前記光強度変調手段(124)は、前記第1の光可変アッテネータ(134A)によって減衰された第1のレーザ光を入力し、前記第2の光電気変換手段(143b)は、前記第2の光可変アッテネータ(134B)によって減衰された第2のレーザ光を入力することを特徴とする請求の範囲第25項に記載の電界検出光学装置(115b)。
- 前記第1の光/電圧変換手段(143a,147a,147A,145a,145A)は、
前記光強度変調手段(124)によって変調された第1のレーザ光の光強度を電流信号に変換する第1の光/電流変換手段(143a)と、
前記第1の光/電流変換手段(143a)に対して、逆バイアス電圧を与える第1の電圧源(147a,147A)と、
前記第1の光/電流変換手段(143a)によって変換された電流信号を電圧信号に変換する第1の負荷抵抗(145a,145A)と、を有し、
前記第2の光/電圧変換手段(143b,147b,147B,145b,145B)は、
前記分岐手段(139)によって分岐された第2のレーザ光の強度を電流信号に変換する第2の光/電流変換手段(143b)と、
前記第2の光/電流変換手段(143b)に対して、逆バイアス電圧を与える第2の電圧源(147b,147B)と、
前記第2の光/電流変換手段(143b)によって変換された電流信号を電圧信号に変換する第2の負荷抵抗(145b,145B)と、を有することを特徴とする請求の範囲第25項に記載の電界検出光学装置(115a,115b,115c,115d,115e)。 - 前記第1の負荷抵抗及び前記第2の負荷抵抗のうち少なくとも一方は、可変抵抗(145A,145B)であることを特徴とする請求の範囲第28項に記載の電界検出光学装置(115c)。
- 前記第1の電圧源及び前記第2の電圧源のうち少なくとも一方は、可変電圧源(147A,147B)であることを特徴とする請求の範囲第28項に記載の電界検出光学装置(115d)。
- 前記受光回路(152d)は、前記第1の光/電圧変換手段(143a,147a,147A,145a,145A)によって変換された電圧信号及び前記第2の光/電圧変換手段(143b,147b,147B,145b,145B)によって変換された電圧信号のうち少なくとも一方を増幅する増幅手段(149A,149B)を更に有することを特徴とする請求の範囲第25項に記載の電界検出光学装置(115e)。
- 電界伝達媒体(100)に誘起されている電界に基づいた情報を受信することにより、前記電界伝達媒体(100)を介した情報の受信が可能なトランシーバであって、
請求の範囲第25項に記載の電界検出光学装置(115,215)と、
前記電界検出光学装置(115,215)から出力された電圧信号に対して、少なくとも雑音の除去を行う信号処理回路(116)と、
前記信号処理回路(116)から出力された電圧信号のノイズ成分の大きさを検出するノイズ検出手段(218)と、
前記ノイズ検出手段(218)から出力された検出データに基づいて、前記電界検出光学部(110)又は受光回路(152)における可変値を可変制御するための制御信号を発生させる制御信号発生器(219)と、
を備えたことを特徴とするトランシーバ。
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