JP3726079B2 - 電界検出光学装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばウェアラブルコンピュータ(身体につけるコンピュータ)間のデータ通信のために使用されるトランシーバにおいて送信情報に基づいて生体である電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯端末の小型化および高性能化によりウェアラブルコンピュータが注目されてきているが、図7はこのようなウェアラブルコンピュータを人間に装着して使用する場合の例を示している。同図に示すように、ウェアラブルコンピュータ1はそれぞれトランシーバ3を介して人間の腕、肩、胴体などに装着されて互いにデータの送受信を行うとともに、更に、壁や床などに設けられて手足の先端で触れられるトランシーバ3a,3bやケーブルを介して外部に設けられたパソコン(PC)5と通信を行うようになっている。
【0003】
このようにウェアラブルコンピュータ1はトランシーバ3を介して生体である人間に装着してデータ通信を行うが、このトランシーバ3ではウェアラブルコンピュータ1からの送信データを電界として電界伝達媒体である生体に誘起し、電界として生体の他の部位に伝達し、また生体に誘起され伝達されてくる電界を受信データとしてトランシーバ3で受信してウェアラブルコンピュータ1に送るようになっている。
【0004】
トランシーバ3は、図8に示すように構成され、ウェアラブルコンピュータ1からの送信データを入出力(I/O)回路101を介して受け取ると、この送信データを送信部103を介して送信電極105に供給し、該送信電極105から電界伝達媒体である生体100に電界を誘起させ、この電界を生体100を介して生体100の他の部位に伝達させる。
【0005】
また、トランシーバ3は、生体100の他の部位に装着された別のトランシーバから生体100に誘起させられて伝達されてくる電界を受信電極111で受信し、この受信した電界を電界検出光学部110に結合して電気信号に変換する。この電気信号は、信号処理回路115で増幅、雑音除去、波形整形などの信号処理を施されてから、入出力回路101を介してウェアラブルコンピュータ1に供給されるようになっている。
【0006】
上記トランシーバ3の電界検出光学部110は、生体100に誘起されて伝達され、受信電極111を介して結合される電界を検出し、電気信号に変換して信号処理回路115に出力するように機能するものであるが、検出感度をアップさせるために様々な工夫がされている。
【0007】
電界検出光学部110は、レーザ光と電気光学結晶を用いた電気光学的手法により電界を検出するものであり、レーザ光源を構成するレーザダイオードおよび電気光学結晶からなる電気光学素子を有する。なお、電気光学素子は、レーザダイオードからのレーザ光の光路に対して直角方向に結合される電界にのみ感度を有し、この電界強度によって光学特性、すなわち複屈折率が変化し、この複屈折率の変化によりレーザ光の偏光が変化するようになっている。
【0008】
電界検出光学部110を構成するための、図9に示す従来の電界検出光学装置17では、レーザダイオード21から出力されるレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子281に入射する。電気光学素子281から出射されたレーザ光は、プリズム34で折り返されて、電気光学素子281に入射する。
【0009】
受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39に接続された第2電極41により電界が結合されるので、電気光学素子281のレーザ光の偏光が変化する。
【0010】
このように偏光変化を受けて電気光学素子281から出射されたレーザ光は、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0011】
また、電界検出光学部110を構成するための、図10に示す従来の他の電界検出光学装置17では、レーザダイオード21から出力されるレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子282に入射する。
【0012】
電気光学素子282に入射したレーザ光は、両側の第1反射板36aと第2反射板36bで反射されて出射される。
【0013】
受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39に接続された第2電極41により電界が結合されるので、電気光学素子282のレーザ光の偏光が変化する。
【0014】
このように偏光変化を受けて電気光学素子282から出射されたレーザ光は、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0015】
このように、従来の電界検出光学装置は、レーザ光をプリズムまたは反射板により折り返すまたは反射させることにより、電気光学素子内でのレーザ光の光路を長くし、電界の検出感度をアップさせている。
【0016】
なお、類似の技術が下記文献に記載されている。
【0017】
【特許文献1】
特開2001−352298号公報
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電界検出光学装置は、プリズムまたは反射板を用いているので、電界検出光学装置の簡素化が困難である。また、レーザ光が異なる物質間界面を通過する際の反射損失があるので省電力化も難かしい。
【0019】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
上記従来の課題を解決するために、請求項1の本発明は、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、前記電気光学素子の一方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる一方の電極と、当該電気光学素子の他方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる他方の電極と、当該電気光学素子へ光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、前記電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ互いに約45度をなす入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されていることを特徴とする電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0021】
請求項1の電界検出光学装置によれば、電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ互いに約45度をなす入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
【0022】
請求項2の本発明は、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、前記電気光学素子の一方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる一方の電極と、当該電気光学素子の他方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる他方の電極と、当該電気光学素子へ光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、前記電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ同一方向を向く入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されていることを特徴とする電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0023】
請求項2の電界検出光学装置によれば、電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ同一方向を向く入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
【0028】
請求項3の本発明は、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、角柱状に形成されかつ互いに側面を接して平行に並べられた複数個の電気光学素子と、該複数個の電気光学素子の一方の側に設けられて前記電界を当該複数個の電気光学素子に結合させる一方の電極と、当該複数個の電気光学素子の他方の側に設けられて当該複数個の電気光学素子に結合させる他方の電極と、当該複数個の電気光学素子のうちの一方の端の電気光学素子に光を入射させる手段と、当該複数個の電気光学素子のうちの他方の端の電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、前記一方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な入射面が形成され、他方の端面には、前記入射面から入射して当該電気光学素子中を進行した光が全反射して隣の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、前記他方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な出射面が形成され、他方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行し前記出射面から出射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、前記一方の端および他方の端以外の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、他の端面には、当該進行する光が全反射して反対側の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成されていることを特徴とする電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0029】
請求項3の電界検出光学装置によれば、一方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な入射面が形成され、他方の端面には、入射面から入射して当該電気光学素子中を進行した光が全反射して隣の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、他方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な出射面が形成され、他方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行し出射面から出射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、一方の端および他方の端以外の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、他の端面には、当該進行する光が全反射して反対側の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
【0030】
請求項4の本発明は、前記一方の電極及び他方の電極が、前記各電気光学素子内の光路のそれぞれについて設けられていることを特徴とする請求項3記載の電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0031】
請求項4の電界検出光学装置によれば、一方の電極及び他方の電極が、複数個の電気光学素子のそれぞれについて設けられているので、電気光学素子内の光の向きに応じた極性で電界を結合させることができる。これにより、光の往復により偏光変化が打ち消し合う不都合のない電界検出光学装置を構成することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の参考例に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
同図に示す電界検出光学装置11は、図7に示すようにウェアラブルコンピュータ1を電界伝達媒体である生体100に装着して、他のウェアラブルコンピュータやデータ通信装置とデータ通信を可能とするために使用されるトランシーバ3における電界検出光学部110として使用されるものである。
【0033】
具体的には、図8に示すトランシーバ3は、ウェアラブルコンピュータ1から入力される送信データに基づく電界を生体100に誘起し、この誘起した電界を用いてデータの送受信を行うものであり、ウェアラブルコンピュータ1からの送信データを入出力(I/O)回路101を介して受け取ると、この送信データを送信部103を介して送信電極105に供給し、該送信電極105を介して生体100に電界を誘起させ、この電界を生体100を介して生体100の他の部位に伝達させるものである。
【0034】
また、図8に示すトランシーバ3は、生体100の他の部位に装着された別のトランシーバから生体100に誘起させられて伝達されてくる電界を受信電極111で検出し、この電界を電界検出光学部110に結合して電気信号に変換する。この電気信号は、信号処理回路115で増幅、雑音除去、波形整形などの信号処理を施され、入出力回路101を介してウェアラブルコンピュータ1に出力されるようになっている。
【0035】
なお、図示してないが、送信電極105及び受信電極111における生体への接触面には絶縁膜が設けられて、生体における金属アレルギー等の発生を防止している。
【0036】
上述したトランシーバ3においては、図1に示す本発明の参考例の電界検出光学装置11から構成される電界検出光学部110は、生体100に誘起されて伝達され、受信電極111を介して結合される電界を検出し、電気信号に変換して信号処理回路115に出力するように機能するものである。
【0037】
この電界検出光学部110を有するトランシーバ3を用いて、生体100にウェアラブルコンピュータ1を取り付けた場合には、トランシーバ3はウェアラブルコンピュータ1からの送信情報に基づいて生体に電界を誘起し、相手のトランシーバ3に伝達し、これにより各ウェアラブルコンピュータ1はトランシーバ3を介してデータ通信を行なうようになっている。また、手先や足先に接触されるトランシーバ3a,3bは、他のトランシーバ3を介してウェアラブルコンピュータ1から伝達されてくる電界を検出すると、この電界を電気信号に変換し、ケーブルを介してパソコン(PC)5に送信し、またパソコン5からケーブルを介して受信した送信情報を電界として生体に誘起して他のトランシーバ3に伝達するようになっている。
【0038】
[参考例]
次に、図1及び2を参照して、トランシーバ3に使用される電界検出光学部110を構成する参考例の電界検出光学装置11について詳細に説明する。
【0039】
図1(a)は、図1(b)に示した電界検出光学装置11のA−A線断面図、図1(b)は、図1(a)に示した電界検出光学装置11のB−B線断面図である。
【0040】
電界検出光学装置11は、レーザダイオード21と、レーザダイオード21からのレーザ光の光路上に順次に並べられたコリメートレンズ23、第1波長板25及び電気光学素子271を備える。
【0041】
なお、本参考例では、レーザダイオード21から出力されるレーザ光を用いているが、本発明はレーザ光に限られるものでなく、単一波長光を発生するものであればよく、例えば発光ダイオード(LED)でもよいものであり、このことは後述する実施形態のすべてに適用し得ることである。
【0042】
電界検出光学装置11は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における、隣り合う2頂点付近に、この長方形(以下、単に長方形という)の各辺に対して約45度をなしかつ互いに45度をなす全反射面271a及び271bを形成した電気光学素子271を備える。
【0043】
電気光学素子271は、レーザダイオード21からのレーザ光の光路に対して直角方向に結合される電界にのみ感度を有し、この電界強度によって光学特性、すなわち複屈折率が変化し、この複屈折率の変化によりレーザ光の偏光が変化するようになっている。
このことは全実施形態の電気光学素子に共通である。また、電気光学素子271を構成する電気光学結晶は、屈折率が3.0前後であり入射角q>20度で全反射が起こるものであり、このことは本参考例および全実施形態の電気光学素子に共通である。
【0044】
電界検出光学装置11は、電気光学素子271から出射されたレーザ光の光路上に順次に並べられた第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33を備える。
【0045】
また、電界検出光学装置11は、受信電極111をなす信号電極35と、電気光学素子271内の光路に平行な一方の側に設けられ、信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39と、電気光学素子271の光路に平行な他方の側に設けられ、グランド電極39に接続された第2電極41とを備える。
【0046】
次に、参考例の電界検出光学装置11の動作を説明する。
【0047】
レーザダイオード21から出力されたレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子271に入射する。
【0048】
全反射面271aは、該電気光学素子271に入射されたレーザ光が約45度の入射角で当該全反射面271aに入射するように形成されている。これにより、全反射面271aでレーザ光が全反射する。
【0049】
なお、全反射は、参考例と全実施形態において、第1電極及び第2電極に対してレーザ光が平行を保つようになされる。
【0050】
全反射面271bは、全反射面271aで全反射されたレーザ光が約45度の入射角で当該全反射面271bに入射するように形成されている。これにより、全反射面271bでレーザ光が全反射する。なお、全反射面271bは、ここで全反射されたレーザ光が、電気光学素子271に入射されたレーザ光の進行方向の反対方向に進行するように形成されている。そして、全反射面271bで全反射されたレーザ光は電気光学素子271から出射されることになる。
【0051】
受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39に接続された第2電極41により、電気光学素子271には電界が結合されるので、電気光学素子271内のレーザ光の偏光が変化する。このように偏光変化を受けて電気光学素子271から出射されたレーザ光は、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0052】
以上説明したように、参考例の電界検出光学装置11によれば、結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、電気光学素子の一方の側に設けられて電界を当該電気光学素子に結合させる電極と、当該電気光学素子の他方の側に設けられて電界を当該電気光学素子に結合させる電極と、当該電気光学素子へ光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、電気光学素子には、該電気光学素子へ入射された光を全反射させる全反射面が形成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
【0053】
なお、第1電極37及び第2電極41に相当する各電極を、図2に示すように光路のそれぞれについて設けるようにすれば、電気光学素子内のレーザ光の向きに応じた極性で電界を結合させることができる。これにより、光の往復により偏光変化が打ち消し合うことのない電界検出光学装置を構成することができる。また、図2に示すように、電極と電気光学素子との接触面積を小さくすれば、温度ひずみが小さくなり好適である。
【0054】
[第1の実施形態]
次に、図3を参照して、トランシーバ3に使用される電界検出光学部110を構成する第1の実施形態の電界検出光学装置12について詳細に説明する。
【0055】
電界検出光学装置12は、レーザダイオード21と、レーザダイオード21からのレーザ光の光路上に順次に並べられたコリメートレンズ23、第1波長板25を備える。
【0056】
また、電界検出光学装置12は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における、隣り合う2頂点付近に、この長方形(以下、単に長方形という)の各辺に対して約45度をなしかつ互いに45度をなす入射面272a及び出射面272bを形成した電気光学素子272を備える。なお、電気光学素子272は、入射面272aが第1波長板25の方向を向くように配置されている。
【0057】
また、電界検出光学装置12にあっては、電気光学素子272の出射面272bから垂直にレーザ光が出射されるので、このレーザ光の光路上に順次に第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33が設けられている。
【0058】
なお、電界検出光学装置12は、図示していないが、既出の図1(b)に示すものと同様に、受信電極111をなす信号電極35と、電気光学素子272内の光路に平行な一方の側に設けられ、信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39と、電気光学素子272の光路に平行な他方の側に設けられ、グランド電極39に接続された第2電極41とを有している。
【0059】
次に、第1の実施形態の電界検出光学装置12の動作を説明する。
【0060】
レーザダイオード21から出力されるレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子272に入射する。
【0061】
レーザ光は、入射面272aに垂直に入射されるので無反射で内部に入射する。内部では、長方形の辺に相当する面に入射角45度で入射するので全反射が起こる。さらに、全反射されたレーザ光は、隣の辺に相当する面に入射角45度で入射するので全反射が起こる。さらにもう一回同様の全反射が起こり、レーザ光が出射面272bに対し垂直に入射されるので、このレーザ光は無反射で外部へ出射される。
【0062】
なお、受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39に接続された第2電極41により、電気光学素子272には電界が結合されるので、電気光学素子272内のレーザ光の偏光が変化する。
【0063】
このように偏光変化を受けて電気光学素子272から出射されたレーザ光は、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0064】
[第2の実施形態]次に、図4を参照して、トランシーバ3に使用される電界検出光学部110を構成する第2の実施形態の電界検出光学装置13について詳細に説明する。
【0065】
電界検出光学装置13は、レーザダイオード21と、レーザダイオード21からのレーザ光の光路上に順次に並べられたコリメートレンズ23、第1波長板25を備える。
【0066】
また、電界検出光学装置13は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における、隣り合う2頂点付近に、この長方形(以下、単に長方形という)の各辺に対して約45度をなしかつ同一方向を向く入射面273a及び出射面273bを形成した電気光学素子273を備える。なお、電気光学素子273は、入射面273aが第1波長板25の方向を向くように配置されている。
【0067】
また、電界検出光学装置13にあっては、電気光学素子273の出射面273bから垂直にレーザ光が出射されるので、このレーザ光の光路上に順次に第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33が設けられている。
【0068】
なお、電界検出光学装置13は、図示していないが、既出の図1(b)に示すものと同様に、受信電極111をなす信号電極35と、電気光学素子273内の光路に平行な一方の側に設けられ、信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39と、電気光学素子273の光路に平行な他方の側に設けられ、グランド電極39に接続された第2電極41とを有している。
【0069】
次に、第2の実施形態の電界検出光学装置13の動作を説明する。
【0070】
レーザダイオード21から出力されるレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子273に入射する。
【0071】
レーザ光は、入射面273aに垂直に入射されるので無反射で内部に入射する。内部では、長方形の辺に相当する面に入射角45度で入射するので全反射が起こる。さらに、全反射されたレーザ光は、隣の辺に相当する面に入射角45度で入射するので全反射が起こる。このような動作が継続すると、その課程での各面において、当該面での複数回の全反射がなされる。つまり、当該面での全反射により生じたレーザ光が当該面に戻ったときに該レーザ光を再び全反射させるようになっている。また、電気光学素子内ではレーザ光の交差がなされる。そして最終的にレーザ光が内部から垂直に出射面273bに入射されるので当該レーザ光は無反射で出射される。
【0072】
なお、受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39に接続された第2電極41により、電気光学素子273には電界が結合されるので、電気光学素子273内のレーザ光の偏光が変化する。このように偏光変化を受けて電気光学素子273から出射されたレーザ光は、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0073】
[第3の実施形態]
次に、図5を参照して、トランシーバ3に使用される電界検出光学部110を構成する第3の実施形態の電界検出光学装置14について詳細に説明する。
【0074】
図5(a)は、図5(b)に示した電界検出光学装置14のA−A線断面図、図5(b)は、図5(a)に示した電界検出光学装置14のB−B線断面図である。
【0075】
電界検出光学装置14は、レーザダイオード21と、レーザダイオード21からのレーザ光の光路上に順次に並べられたコリメートレンズ23、第1波長板25を備える。
【0076】
また、電界検出光学装置14は、平行に並べられた4個の角柱状の電気光学素子274〜277を備える。一方の端の電気光学素子274はに全反射面274aが、電気光学素子275には全反射面275a及び275bが、電気光学素子276には全反射面276a及び276cが、それぞれ形成されている。また他方の端の電気光学素子277には全反射面277aが形成されている。
【0077】
また、電界検出光学装置14にあっては、電気光学素子277からのレーザ光の光路上に順次に第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33が設けられている。
【0078】
また、電界検出光学装置14は、受信電極111をなす信号電極35と、電気光学素子274〜277内の光路に平行な一方の側に設けられ、信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39と、電気光学素子274〜277の光路に平行な他方の側に設けられ、グランド電極39に接続された第2電極41とを備える。
【0079】
次に、第3の実施形態の電界検出光学装置14の動作を説明する。
【0080】
レーザダイオード21から出力されるレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子274に入射する。
【0081】
電気光学素子274には、入射されたレーザ光が、約45度で外界との界面に入射するように全反射面274aが形成されている。これにより、レーザ光が全反射面274aにおいて隣の電気光学素子275の方向へと全反射する。
【0082】
電気光学素子275には、この入射されたレーザ光が、約45度で外界との界面に入射するように全反射面275aが形成されている。これにより、レーザ光が全反射面275aにおいて全反射する。さらに、電気光学素子275には、この全反射したレーザ光が、約45度で外界との界面に入射するように全反射面275bが形成されている。これにより、レーザ光が全反射面275bにおいて隣の電気光学素子276の方向へと全反射する。
【0083】
電気光学素子276には、この入射されたレーザ光が、約45度で外界との界面に入射するように全反射面276aが形成されている。これにより、レーザ光が全反射面276aにおいて全反射する。さらに、電気光学素子276には、この全反射したレーザ光が、約45度で外界との界面に入射するように全反射面276bが形成されている。これにより、レーザ光が全反射面276bにおいて隣の電気光学素子277の方向へと全反射する。
【0084】
電気光学素子277には、この入射されたレーザ光が、約45度で外界との界面に入射するように全反射面277aが形成されている。これにより、レーザ光が全反射面277aにおいて第2波長板29の方向へと全反射する。
【0085】
なお、受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37と、グランド電極39に接続された第2電極41により、電気光学素子274〜277には電界が結合されるので、電気光学素子274〜277内のレーザ光の偏光が変化する。このように偏光変化を受けて電気光学素子277から出射されたレーザ光は、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0086】
以上説明したように、第3の実施形態の電界検出光学装置14によれば、電気光学素子277以外の電気光学素子のそれぞれには、入射された光を全反射させて隣の電気光学素子へと入射させる全反射面が形成されており、電気光学素子277には、入射された光を全反射させて、第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33の方向へ出射させる全反射面が形成されているので、複数個の電気光学素子を平行に並べて構成される電界検出光学装置において、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高い感度を得ることができる。
【0087】
なお、第1電極37及び第2電極41に相当する各電極を、図6に示すように、各電気光学素子内の光路のそれぞれについて設けるようにすれば、電気光学素子内の光の向きに応じた極性で電界を結合させることができる。これにより、光の往復により偏光変化打ち消し合うことのない電界検出光学装置を構成することができる。また、図6に示すように、電極と電気光学素子との接触面積を小さくすれば、温度ひずみが小さくなり好適である。
【0088】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ互いに約45度をなす入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
【0089】
また、本発明によれば、電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ同一方向を向く入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
また、本発明によれば、一方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な入射面が形成され、他方の端面には、入射面から入射して当該電気光学素子中を進行した光が全反射して隣の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、他方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な出射面が形成され、他方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行し出射面から出射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、一方の端および他方の端以外の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、他の端面には、当該進行する光が全反射して反対側の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成されているので、簡素化及び省電力化を困難にする光学素子等を用いずに高感度な電界検出光学装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の参考例に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図2】 本発明の参考例に適用可能な電極の構成を示す図である。
【図3】 本発明の第1の実施形態に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図4】 本発明の第2の実施形態に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図5】 本発明の第3の実施形態に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図6】 本発明の第3の実施形態に適用可能な電極の構成を示す図である。
【図7】 本発明の電界検出光学装置を含むトランシーバの利用形態を示す図である。
【図8】 本発明の電界検出光学装置を含むトランシーバの構成を示す図である。
【図9】 従来の電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図10】 従来の他の電界検出光学装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 ウェアラブルコンピュータ
3 トランシーバ
11,12,13,14 電界検出光学装置
21 レーザダイオード
23 コリメートレンズ
25 第1波長板
29 第2波長板
30 偏光ビームスプリッタ
31 集光レンズ
33 フォトダイオード
35 信号電極
37 第1電極
39 グランド電極
41 第2電極
271〜277 電気光学素子
Claims (4)
- 電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、
結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、前記電気光学素子の一方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる一方の電極と、当該電気光学素子の他方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる他方の電極と、当該電気光学素子へ光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、
前記電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ互いに約45度をなす入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されていることを特徴とする電界検出光学装置。 - 電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、
結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、前記電気光学素子の一方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる一方の電極と、当該電気光学素子の他方の側に設けられて前記電界を当該電気光学素子に結合させる他方の電極と、当該電気光学素子へ光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、
前記電気光学素子は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学結晶における隣り合う2頂点付近に当該長方形の各辺に対して約45度をなしかつ同一方向を向く入射面および出射面を形成した電気光学素子であり、当該入射面に垂直に入射した光が当該長方形の辺の位置に形成された面で全反射して当該出射面から垂直に出射するように構成されていることを特徴とする電界検出光学装置。 - 電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、
角柱状に形成されかつ互いに側面を接して平行に並べられた複数個の電気光学素子と、該複数個の電気光学素子の一方の側に設けられて前記電界を当該複数個の電気光学素子に結合させる一方の電極と、当該複数個の電気光学素子の他方の側に設けられて当該複数個の電気光学素子に結合させる他方の電極と、当該複数個の電気光学素子のうちの一方の端の電気光学素子に光を入射させる手段と、当該複数個の電気光学素子のうちの他方の端の電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段とを有し、
前記一方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な入射面が形成され、他方の端面には、前記入射面から入射して当該電気光学素子中を進行した光が全反射して隣の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、
前記他方の端の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、側面に対し垂直な出射面が形成され、他方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行し前記出射面から出射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、
前記一方の端および他方の端以外の電気光学素子における長手方向の一方の端面には、隣の電気光学素子から入射した光が全反射して自身の中を進行するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成され、他の端面には、当該進行する光が全反射して反対側の電気光学素子へ入射するように、側面に対し約45度をなす全反射面が形成されていることを特徴とする電界検出光学装置。 - 前記一方の電極及び他方の電極が、前記各電気光学素子内の光路のそれぞれについて設けられていることを特徴とする請求項3記載の電界検出光学装置。
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