JPWO2004025199A1 - 処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法 - Google Patents

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Abstract

設置面積の縮小を図るとともに,省エネルギ化を図ること,冷凍回路の冷媒にPFCを用いず,地球温暖化の防止を図ることの可能な処理装置の電極用温調装置を提供する。処理装置100の電極用温調装置として,圧縮機148と凝縮器142と膨張弁150と蒸発器108とから成る冷凍回路110を備え,蒸発器を下部電極106内に配したことを特徴とする。冷媒を貯蔵しておく冷媒タンクや,冷媒を処理装置に送出するためのポンプ,冷媒を温調するためのヒータ,あるいは,一次冷媒と二次冷媒との間で熱交換を行うための熱交換器などの構成部品を備える必要がない。このため,コストの削減、装置の小型化による設置面積の縮小,さらには,省エネルギ化を図ることが可能である。また,冷媒をCO2とすることにより,GWPをフロンの1/8000〜1/7000程度にすることができる。

Description

本発明は,処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法に関する。
従来,半導体装置やLCD基板などの製造工程においては,プラズマエッチング装置などの各種処理装置が使用されている。例えば,プラズマエッチング装置は,真空処理室内において所定の処理ガスをプラズマ化し,電極(下部電極)上に載置された半導体ウェハやガラス基板などの被処理体に対してエッチング処理を施すものである。そして,処理にあたっては,プラズマによる被処理体の温度上昇を抑えたり,あるいは,エッチングのアスペクト比を高めたり,エッチング形状を整えたりするために,被処理体を所定温度に維持している。
被処理体の温度管理は,一般に,電極に設けられた冷却機構により行われている。かかる冷却機構は,一次冷媒(例えば,ブライン)を載置台内に巡らされた冷媒循環路に送り込み,その一次冷媒が熱を吸収することにより被処理体を冷却する構成を採用している。一次冷媒は,二次冷媒(例えば,フロン)が循環する冷凍回路により温調される。そして,冷凍回路により温調された冷媒タンク内の一次冷媒はポンプにより冷媒循環路に送りこまれ,冷媒循環路から戻された一次冷媒は冷凍回路により温調され冷媒タンクに送り込まれる。そして,冷媒タンク内あるいは冷媒タンクから冷媒循環路に送り込まれる一次冷媒の温度を監視して,その温度が所定温度になるように冷凍回路の駆動制御を行っている。
このような,一次冷媒の循環回路と二次冷媒の循環回路とを組み合わせてなる多元冷凍サイクルの一例として,例えば,日本国特許公開公報,特開平8−203866に開示されたものがある。
ところで,上記構成からなる処理装置の冷却機構では,冷媒タンクやポンプ等から成る一次冷媒の循環回路と,圧縮機と凝縮器と膨張弁と蒸発器とから成る冷凍回路(二次冷媒の循環回路)の2つの回路が必要とされるため,装置の設置面積が増大するという問題点があった。また,2つの回路から成る構成では,被処理体と一次冷媒との間,一次冷媒と二次冷媒との間,二次冷媒と外界との間,と熱交換の回数が多くなり,エネルギロスに繋がるという問題点もあった。
また,上記構成からなる処理装置の冷却機構でば,例えば,一次冷媒としてブラインを用い,二次冷媒としてフロンを用いている。これらガスはPFC(Per−Fluorocarbon)と呼ばれ,GWP(Global Warming Potential:地球温暖化係数)が大きく,地球温暖化に大きな影響を与えるガスである。地球環境の保全が求められる中,かかるPFCの使用削減が急務になっている。
本発明は,従来の処理装置の冷却機構が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,処理装置の電極用温調装置の小型化を図り,設置面積の縮小を図るとともに,省エネルギ化を図ることの可能な,新規かつ改良された処理装置の電極用温調装置を提供することである。
さらに,本発明の別の目的は,冷凍回路の冷媒にPFCを用いず,地球温暖化の防止を図ることの可能な,新規かつ改良された処理装置を提供することである。
さらにまた,本発明の別の目的は,上述の優れた効果を奏する処理装置の好適なメンテナンス方法を提供することである。
上記課題を解決するため,本発明によれば,処理室内に被処理体を載置可能な電極と,圧縮機と凝縮器と膨張弁と蒸発器とから成り,COを冷媒として電極を冷却する冷凍回路と,を備え,蒸発器は電極内に配された螺旋状の伝熱性壁体により構成される冷媒流路であるとともに,冷凍回路の膨張弁から蒸発器に至る経路には,膨張弁側経路,冷媒回収経路,蒸発器側経路のうち任意の2つの経路を選択的に連通可能な三方弁が配されており,冷凍回路の蒸発器から圧縮機に至る経路には開閉弁が配されていることを特徴とする処理装置が提供される。
かかる構成によれば,冷凍回路の構成部品を少なくすることができる。具体的には,上述のように,冷媒を貯蔵しておく冷媒タンクや,冷媒を処理装置に送出するためのポンプ,冷媒を温調するためのヒータ,あるいは,一次冷媒と二次冷媒との間で熱交換を行うための熱交換器などの構成部品を備える必要がない。このため,コストの削減,装置の小型化による設置面積の縮小,さらには,省エネルギ化を図ることが可能である。
また,冷凍回路の膨張弁から蒸発器に至る経路には,膨張弁側経路,冷媒回収経路,蒸発器側経路のうち任意の2つの経路を選択的に連通可能な三方弁が配されており,冷凍回路の蒸発器から圧縮機に至る経路には開閉弁が配されているので,冷媒を冷媒回収経路に連通し回収することにより,電極のメンテナンスを容易に行うことができる。
また,冷凍回路の冷媒として,COを用いることにより,GWPをフロンの1/8000〜1/7000程度にすることができる。さらに,蒸発器は,電極内に配された螺旋状の伝熱性壁体により構成される冷媒流路として構成することができる。冷媒流路が電極内に螺旋状に配されることにより,被処理体の温度の均一化を図り,被処理体の温度制御を容易に行うことができる。
また,冷媒流路を,下流に向かうにつれ流路が狭くなるように構成することにより,冷媒流路に冷媒の乱流を形成することができ,被処理体に効率的に熱を吸収させることができる。
処理装置のメンテナンスの際の電極の取り外し時の動作は,以下のように行うことが好ましい。すなわち,三方弁を膨張弁側経路と冷媒回収経路とが連通するように開放し,圧縮機を駆動して,冷媒を冷媒回収経路に回収し,冷媒回収後に開閉弁を閉止するとともに三方弁を閉止し,圧縮機を停止して,電極を取り外すことにより,処理装置のメンテナンスを行うことができる。
また,冷凍回路の運転再開時の動作は,以下のように行うことが好ましい。すなわち,取り外した電極を接続後,三方弁を冷媒回収経路と蒸発器側経路とが連通するように開放し,冷媒回収経路を介して三方弁から開閉弁に至る経路内を排気し,その後,三方弁を膨張弁側経路と蒸発器側経路とが連通するように開放し,開閉弁を開放し,圧縮機を駆動することにより,冷凍回路の運転を再開することができる。
図1は,エッチング装置および冷凍回路を示す概略的な断面図である。
図2は,下部電極を示す概略的な断面図である。
図3は,図2のA−A断面図である。
図4は,下部電極の取り外し作業の流れを示すフローチャートである。
図5は,冷凍回路の駆動時の流れを示すフローチャートである。
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかる処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する
本実施の形態では,下部電極に内装された冷媒循環路を伝熱性壁体により構成し,この冷媒循環路を冷凍回路の一構成要素たる蒸発器として機能させる点を第1の特徴としている。また,冷媒としてCOを使用している点を第2の特徴としている。
(1)処理装置の電極用温調装置
まず,処理装置の一例としてプラズマエッチング装置100を,図1を参照しながら説明する。
気密な処理容器102内に形成された処理室104内には,半導体ウェハ(以下,単にウェハという。)Wを載置可能な下部電極106が配置されている。下部電極106には,下部電極106を介してウェハWを冷却して所定温度に維持するための冷媒循環路108が内装されている。下部電極106の上面(ウェハWの載置面)には,冷却ガス通路107が形成されている。冷却ガス通路107には,ウェハWと冷媒循環路108との間の伝熱効率を高めるための冷却ガスCGが導入されている。後述の冷凍回路110は,温調された冷媒としてのCOを冷媒循環路108内に供給するとともに,冷媒循環路108内を循環した冷媒CWを回収して再び温調する。
また,処理室104内には,下部電極106の載置面に対向して,上部電極112が配置されている。かかる構成により,高周波電源114から出力された高周波電力を整合器116を介して下部電極106に印加すると,処理ガス供給源G118から流量調整バルブMFC120と上部電極112に形成された多数のガス吐出孔112aとを介して処理室104内に導入された処理ガスがプラズマ化する。かかるプラズマにより,下部電極106上で所定温度に維持されたウェハWにエッチング処理が施される。処理室104内のガスは,排気系122から排気される。
上述のような,プラズマエッチング装置100において,ウェハWの温度制御を適切に行うためには,冷媒CWの温度制御を厳密に行うとともに,冷媒CWの温度をウェハWに厳密に反映させる必要がある。ウェハWの冷却効率(あるいは下部電極106の冷却効率)は,冷媒CWの流量・圧力・流路に大きく影響される。このため,ウェハWの冷却効率を向上させるためには,冷媒循環路108の形状等を工夫する必要がある。
冷媒循環路108について,図2,図3を参照しながら説明する。
図2は,下部電極106を示す概略的な断面図である。冷媒循環路108は,図2に示したように,下部電極106内に,アルミニウム等の伝熱性材料よりなるフィン(伝熱性壁体)108aにより構成されている。かかる冷媒循環路108は,下部電極106上に載置されるウェハWを冷却する機能を有するとともに,冷凍回路110の一構成要素たる蒸発器として機能する。
図3は,図2のA−A断面図であり,冷媒循環路108の形状の概略を示したものである。冷媒循環路108は,図3に示したように,下部電極106内に螺旋状に配されている。図3中の矢印は,冷媒CWの流れを示したものである。本実施の形態の蒸発器は,図3に示したように,流路の幅が一定でないことを特徴としている。図3では,冷媒循環路の形状の一例として,下流に向かうにつれ,すなわち,冷媒CWが冷媒導入路132側から冷媒排出路136側へ向かうにつれ流路が狭くなる場合(a>b>c>d)を示したものである。
一般に,弾性体(圧力とともに比容積が変化する圧縮性流体)の流動は,各流体片が流路内に平行して流動する層流(laminer flow)と流路の軸に直角方向にも不規則な運動をして流動する乱流(turbulent flow)とに区別される。そして,冷媒CWが効率的にウェハWの熱を吸収するためには,冷媒CWの乱流が形成される方が好ましいことが知られている。
そこで,本実施の形態では,図3に示したように,蒸発器の流路の幅を一定にせず,冷媒CWに適当な圧力を掛けることにより,冷媒CWの乱流を形成するようにしている。なお,図3は冷媒循環路の形状の一例を示したにすぎず,実際には,冷媒CWの乱流を形成するための最適な形状(流路の幅等)は,シミュレーション等により求めることができる。冷媒循環路108を上述のように構成し,冷媒CWの乱流が形成されることで,熱吸収を効率的に行うことでき,ウェハWの温度制御を容易に行うことができる。
次いで,冷凍回路110について説明する。
冷凍回路110は,冷媒CWがウェハWとの間で熱交換を行うための上述の冷媒循環路(蒸発器)108と,冷媒CWが冷却水との間で熱交換を行うための熱交換器(凝縮器)142と,冷媒循環路108,熱交換器142を通って冷媒循環路108,熱交換器142間で熱の受け渡しを行う冷媒CWを循環させる熱交換路144から構成されている。また,熱交換路144には,ポンプ(圧縮機)148と,開閉バルブ(膨張弁)150が介装されている。ポンプ148には,冷凍回路110の駆動制御を行うためのインバータ152が接続されている。
開閉バルブ150から冷媒循環路108へ至る経路には,三方弁134と,冷媒CWの温度を検出する温度検知器Thが配されている。三方弁134は,冷媒循環路108へ至る経路(冷媒供給路132),熱交換器142へ至る経路(熱交換路144),真空ポンプ135へ至る経路(冷媒回収路146)のうち任意の2つの経路を選択的に連通可能である。また,温度検知器Thで検出された温度検出値は,図示しない制御系に伝達される。制御系は,温度検出器Thによる温度検出値に応じて,冷媒CWの温調を行うための冷凍回路110の駆動制御を行う。このように,目標温調温度に追従するようにフィードバックをかけながら冷媒の熱量あるいは流量制御を行うことができるので,ウェハWの温度管理をより厳密に行うことができる。
また,冷媒循環路108からポンプ148へ至る経路(以下,冷媒排出路と称する。)136には,冷媒排出路136における冷媒CWの排出を許可する開閉弁138が配されている。なお,冷媒排出路136にも温度検出器を配し,この温度検出器による温度検出値に応じて,冷凍回路110の駆動制御を行ってもよい。
かかる構成の冷凍回路110では,冷媒循環路108において,冷媒CWによりウェハWを温調する。すなわち,熱交換器142内で冷却された所定流量の冷媒CWを冷媒供給路132を通じて冷媒循環路108内で循環させることにより,冷媒CWが蒸発し,これによる気化熱としてウェハWの熱が冷媒CWに吸収されて,ウェハWが所定温度に温調される。ウェハWの温度は,ポンプ148の揚水量を調整すれば適宜変更可能であり,冷媒CWの流量を増やせばウェハWの温度が下がり,逆に冷媒CWの流量を減らせばウェハWの温度が上がる。
以上説明したように,本実施の形態によれば,冷媒を貯蔵しておく冷媒タンクや,冷媒を処理装置に送出するためのポンプ,冷媒を温調するためのヒータ,あるいは,一次冷媒と二次冷媒との間で熱交換を行うための熱交換器などの構成部品を備える必要がない。このため,コストの削減,装置の小型化による設置面積の縮小,さらには,省エネルギ化を図ることが可能である。
また,冷凍回路110の冷媒CWとしてCOを使用することにより,地球温暖化係数(GWP)をPFCの1/8000〜1/7000程度にすることができる。また,下部電極106は定期的にメンテナンス(あるいは交換)を行う必要があるが,メンテナンス時においても,リークの影響を少なくすることができる。なお,下部電極106のメンテナンスについては,さらに後述する。
さらに,蒸発器108を,下部電極106内に伝熱性壁体により構成される冷媒流路として構成し,冷媒流路を,下部電極内に螺旋状に配したので,ウェハWの温度の均一化を図り,ウェハWの温度制御を容易に行うことができる。また,蒸発器を冷媒CWの乱流が形成される形状としたので,ウェハWの熱吸収を効率的に行うことができ,ウェハWの温度制御を容易に行うことができる。
さらに,冷凍回路の膨張弁150から蒸発器108に至る冷媒供給路132には真空ポンプ135に連通する三方弁134が配されており,冷凍回路の蒸発器108から圧縮機148に至る冷媒排出路136には開閉弁138が配されているので,冷媒CWを真空ポンプ135に連通し回収することにより,下部電極106のメンテナンスを容易に行うことができる。
次いで,上述のプラズマエッチング装置100のメンテナンス方法および駆動方法について,図4,図5を参照しながら説明する。
(2)処理装置のメンテナンス方法
プラズマエッチング装置100に必要なメンテナンスの一つとして,下部電極106のメンテナンスあるいは交換作業がある。かかる作業の作業の流れを,図4を参照しながら説明する。
下部電極106の取り外し時には,開閉弁138を閉止するとともに三方弁134を,冷媒供給路132と熱交換路144(膨張弁側経路)とが連通するように開放する(ステップS1)。次いで,圧縮機148を駆動して,冷媒CWを真空ポンプ135に回収する(ステップS2)。冷媒CWの回収後に,三方弁134を閉止して,下部電極106を取り外す(ステップS3)。
本実施の形態では,冷媒CWとしてCOを使用しているため,ステップS2における冷媒CWの回収工程を省略し,COを大気中に放出することも可能である。しかしながら,冷媒供給路132,冷媒循環路108,冷媒排出路136内に残留しているCOは多量(10dm程度)であるため,回収して再度利用することが好ましい。
(3)処理装置の運転方法
下部電極106のメンテナンスを行った後,あるいは,初期動作時におけるプラズマエッチング装置100の運転方法を,図5を参照しながら説明する。
まず,メンテナンスを行った(あるいは交換した)下部電極106を取り付ける(ステップS4)。三方弁134を開放して,冷媒供給路132,冷媒循環路108,冷媒排出路136内を真空引きする(ステップS5)。リークがないことが確認(ステップS6)できた後,開閉弁138を開放するとともに三方弁134を冷媒供給路132と熱交換路144(膨張弁側経路)とが連通するように開放する(ステップS7)。その後圧縮機148を駆動する(ステップS8)。
以上,添付図面を参照しながら本発明にかかる処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば,上記実施の形態において,冷媒供給路132に温度センサThを備え,冷凍回路110の膨張弁150から蒸発器108に至る経路を循環する冷媒CWの温度を基準に温度制御を行う構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。例えば,冷媒排出路136に温度センサThを備え,冷凍回路110の蒸発器108から圧縮機148に至る経路を循環する冷媒CWの温度を基準に温度制御を行うようにしてもよい。
また,上記実施の形態において,被処理体(ウェハW)の温度を基準にして冷媒の温度制御を行う構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。例えば,電極(下部電極106)の温度を基準にして冷媒の温度制御を行うようにしてもよい。
以上説明したように,本発明によれば,処理装置の電極用温調装置の小型化を図り,設置面積の縮小を図るとともに,省エネルギ化を図ることが可能である。また,冷凍回路の冷媒にCOを用いることで,地球温暖化の防止を図ることが可能である。
産業上の利用の可能性
本発明は,半導体装置やLCD基板などの製造工程に使用される,プラズマエッチング装置などの処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法に利用可能である。
符号の説明
100 プラズマエッチング装置
102 処理容器
104 処理室
106 下部電極
107 冷却ガス通路
108 冷媒循環路(蒸発器)
110 冷凍回路
112 上部電極
114 高周波電源
116 整合器
118 処理ガス供給源
124 冷媒タンク
126 ヒータ
130 ポンプ
132 冷媒供給管
134 三方弁
135 真空ポンプ
136 冷媒排出路
138 開閉弁
142 熱交換器(凝縮器)
144 熱交換路(膨張弁側経路)
146 冷媒回収路
148 ポンプ(圧縮機)
150 開閉バルブ(膨張弁)
152 インバータ
Th 温度センサ
CW 冷媒(CO
CG 冷却ガス
W ウェハ

Claims (4)

  1. 処理室内に被処理体を載置可能な電極と,
    圧縮機と凝縮器と膨張弁と蒸発器とから成り,COを冷媒として前記電極を冷却する冷凍回路と,を備え,
    前記蒸発器は前記電極内に配された螺旋状の伝熱性壁体により構成される冷媒流路であるとともに,
    前記冷凍回路の膨張弁から蒸発器に至る経路には,
    膨張弁側経路,冷媒回収経路,蒸発器側経路のうち任意の2つの経路を選択的に連通可能な三方弁が配されており,
    前記冷凍回路の蒸発器から圧縮機に至る経路には開閉弁が配されていることを特徴とする,処理装置。
  2. 前記冷媒流路は,下流に向かうにつれ流路が狭くなることを特徴とする,請求項1に記載の処理装置。
  3. 処理装置のメンテナンス方法であって,
    前記処理装置は,
    処理室内に被処理体を載置可能な電極と,
    圧縮機と凝縮器と膨張弁と蒸発器とから成り,COを冷媒として前記電極を冷却する冷凍回路と,を備え,
    前記蒸発器は前記電極内に配された螺旋状の伝熱性壁体により構成される冷媒流路であるとともに,
    前記冷凍回路の膨張弁から蒸発器に至る経路には,
    膨張弁側経路,冷媒回収経路,蒸発器側経路のうち任意の2つの経路を選択的に連通可能な三方弁が配されており,
    前記冷凍回路の蒸発器から圧縮機に至る経路には開閉弁が配されているものであり;
    前記電極の取り外し時には,
    前記三方弁を前記膨張弁側経路と前記冷媒回収経路とが連通するように開放し,
    前記圧縮機を駆動して,前記冷媒を前記冷媒回収経路に回収し,
    冷媒回収後に前記開閉弁を閉止するとともに前記三方弁を閉止し,
    前記圧縮機を停止して,
    前記電極を取り外すことを特徴とする,処理装置のメンテナンス方法。
  4. 前記冷凍回路の運転再開時には,
    取り外した前記電極を接続後,
    前記三方弁を前記冷媒回収経路と前記蒸発器側経路とが連通するように開放し,
    前記冷媒回収経路を介して前記三方弁から前記開閉弁に至る経路内を排気し,
    その後,前記三方弁を前記膨張弁側経路と前記蒸発器側経路とが連通するように開放し,
    前記開閉弁を開放し,
    前記圧縮機を駆動することを特徴とする,請求項3に記載の処理装置のメンテナンス方法。
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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8764978B2 (en) 2001-07-16 2014-07-01 Foret Plasma Labs, Llc System for treating a substance with wave energy from an electrical arc and a second source
JP2005079539A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP4615335B2 (ja) * 2005-03-11 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム及び基板処理装置
US7870751B2 (en) * 2005-03-11 2011-01-18 Tokyo Electron Limited Temperature control system and substrate processing apparatus
KR100684902B1 (ko) * 2005-05-30 2007-02-20 삼성전자주식회사 온도 조절 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고상기 장치의 온도를 제어하는 방법
US8157951B2 (en) 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US8092638B2 (en) 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
US7988872B2 (en) 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8034180B2 (en) * 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US20070091541A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using feed forward thermal control
EP1780804A1 (en) * 2005-10-25 2007-05-02 L&C Lighting Technology Corp. LED device with an active heat-dissipation device
JP4906425B2 (ja) * 2006-07-26 2012-03-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4564973B2 (ja) 2007-01-26 2010-10-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4969259B2 (ja) * 2007-01-31 2012-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4898556B2 (ja) * 2007-05-23 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9445488B2 (en) 2007-10-16 2016-09-13 Foret Plasma Labs, Llc Plasma whirl reactor apparatus and methods of use
US9185787B2 (en) 2007-10-16 2015-11-10 Foret Plasma Labs, Llc High temperature electrolysis glow discharge device
US9560731B2 (en) 2007-10-16 2017-01-31 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for an inductively coupled plasma Arc Whirl filter press
US11806686B2 (en) 2007-10-16 2023-11-07 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for creating an electrical glow discharge
US9051820B2 (en) 2007-10-16 2015-06-09 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for creating an electrical glow discharge
US9516736B2 (en) 2007-10-16 2016-12-06 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for recovering mining fluids from mining byproducts
US8278810B2 (en) 2007-10-16 2012-10-02 Foret Plasma Labs, Llc Solid oxide high temperature electrolysis glow discharge cell
US8810122B2 (en) * 2007-10-16 2014-08-19 Foret Plasma Labs, Llc Plasma arc torch having multiple operating modes
US9761413B2 (en) 2007-10-16 2017-09-12 Foret Plasma Labs, Llc High temperature electrolysis glow discharge device
US9230777B2 (en) 2007-10-16 2016-01-05 Foret Plasma Labs, Llc Water/wastewater recycle and reuse with plasma, activated carbon and energy system
US10267106B2 (en) 2007-10-16 2019-04-23 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for treating mining byproducts
US8904749B2 (en) 2008-02-12 2014-12-09 Foret Plasma Labs, Llc Inductively coupled plasma arc device
WO2009102907A2 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for lean combustion with plasma from an electrical arc
US10244614B2 (en) 2008-02-12 2019-03-26 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for plasma arc welding ceramics and sapphire
TWI349092B (en) * 2008-09-22 2011-09-21 Ind Tech Res Inst Cooling system and evaporator thereof
JP5250490B2 (ja) * 2009-06-24 2013-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法
US8410393B2 (en) 2010-05-24 2013-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support
DE102011017433C5 (de) * 2011-04-18 2018-02-15 Compair Drucklufttechnik Zweigniederlassung Der Gardner Denver Deutschland Gmbh Verfahren zur intelligenten Regelung einer Kompressoranlage mit einer Wärmerückgewinnung
JP5416748B2 (ja) * 2011-10-11 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5947023B2 (ja) * 2011-11-14 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、プラズマ処理装置、処理装置及び温度制御方法
WO2013076966A1 (ja) * 2011-11-22 2013-05-30 株式会社神戸製鋼所 プラズマ発生源及びこれを備えた真空プラズマ処理装置
CA2887851C (en) * 2012-10-01 2017-11-28 Foret Plasma Labs, Llc Plasma arc torch having multiple operation modes
US9499443B2 (en) 2012-12-11 2016-11-22 Foret Plasma Labs, Llc Apparatus and method for sintering proppants
US8970114B2 (en) 2013-02-01 2015-03-03 Lam Research Corporation Temperature controlled window of a plasma processing chamber component
EP2971488B1 (en) 2013-03-12 2018-09-26 Foret Plasma Labs, Llc Apparatus and method for sintering proppants
CN103345150B (zh) * 2013-07-19 2016-01-20 杭州电子科技大学 预测函数控制优化的废塑料炼油裂解炉炉膛温度控制方法
US10546733B2 (en) * 2014-12-31 2020-01-28 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield
CN106705507A (zh) * 2015-11-17 2017-05-24 谢德音 冷媒配管装置
US11837479B2 (en) 2016-05-05 2023-12-05 Applied Materials, Inc. Advanced temperature control for wafer carrier in plasma processing chamber
CN108716818A (zh) * 2018-06-20 2018-10-30 南京肽业生物科技有限公司 一种用于多肽的高效冻干装置
WO2021242214A1 (en) * 2020-05-27 2021-12-02 KRYVORUCHENKO, Kostiantyn Georgiyovych Multicontour multifunctional spiral heat exchanger

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760600A (en) * 1969-11-28 1973-09-25 Hitachi Ltd Ice-making apparatus
US4585920A (en) * 1982-05-21 1986-04-29 Tegal Corporation Plasma reactor removable insert
US4703628A (en) * 1984-08-10 1987-11-03 Sanyo Electric Co. Apparatus for preparing frozen products
JPH05164437A (ja) * 1991-12-12 1993-06-29 Hitachi Ltd 空気調和機
US5380421A (en) * 1992-11-04 1995-01-10 Gorokhovsky; Vladimir I. Vacuum-arc plasma source
JPH07335630A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 真空処理装置
JPH08203866A (ja) 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp 低温処理装置およびこれを用いた低温処理方法
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW323387B (ja) * 1995-06-07 1997-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP3397021B2 (ja) * 1995-10-11 2003-04-14 株式会社デンソー 熱交換器
JPH10172792A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3582287B2 (ja) * 1997-03-26 2004-10-27 株式会社日立製作所 エッチング装置
JP3343200B2 (ja) * 1997-05-20 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE19725930C2 (de) * 1997-06-16 2002-07-18 Eberhard Moll Gmbh Dr Verfahren und Anlage zum Behandeln von Substraten mittels Ionen aus einer Niedervoltbogenentladung
JPH1163686A (ja) * 1997-08-12 1999-03-05 Zexel Corp 冷却サイクル
KR100596822B1 (ko) * 1999-03-30 2006-07-03 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치, 그 보수 방법 및 그 시공 방법
US6332331B1 (en) * 2000-11-27 2001-12-25 Industrial Technology Research Institute Water removal enhancement device for refrigeration system
JP2002168551A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置の電極用冷却装置
JP2002198356A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

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AU2003261887A1 (en) 2004-04-30

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