JP2003174016A - 真空処理装置 - Google Patents
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- JP2003174016A JP2003174016A JP2001374045A JP2001374045A JP2003174016A JP 2003174016 A JP2003174016 A JP 2003174016A JP 2001374045 A JP2001374045 A JP 2001374045A JP 2001374045 A JP2001374045 A JP 2001374045A JP 2003174016 A JP2003174016 A JP 2003174016A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 必要な冷媒の容量・種類を削減することがで
きる処理装置を提供する。 【解決手段】 真空処理装置１００は、被処理体Ｗを載
置するアルミニウム製のサセプタ１０４、及び被処理体
Ｗの直下近傍に配設され、且つサセプタ１０４の熱を吸
収する冷媒が流れる冷媒用通路１１１を有する真空容器
室１０１と、一端が冷媒用通路１１１の入口に接続さ
れ、他端が冷媒用通路１１１の出口に接続されるＵ字状
の冷媒回路１１４、冷媒回路１１４に封入されたプロパ
ンガス、及び冷媒回路１１４中の熱を吸収したプロパン
ガスを膨張冷却するコンプレッサ１１５を有するチラー
１０２とを備え、プロパンガスを冷媒回路１１４内で循
環させる。
きる処理装置を提供する。 【解決手段】 真空処理装置１００は、被処理体Ｗを載
置するアルミニウム製のサセプタ１０４、及び被処理体
Ｗの直下近傍に配設され、且つサセプタ１０４の熱を吸
収する冷媒が流れる冷媒用通路１１１を有する真空容器
室１０１と、一端が冷媒用通路１１１の入口に接続さ
れ、他端が冷媒用通路１１１の出口に接続されるＵ字状
の冷媒回路１１４、冷媒回路１１４に封入されたプロパ
ンガス、及び冷媒回路１１４中の熱を吸収したプロパン
ガスを膨張冷却するコンプレッサ１１５を有するチラー
１０２とを備え、プロパンガスを冷媒回路１１４内で循
環させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置に関
し、特に被処理体にプラズマエッチング処理を施す際
に、当該被処理体の温度制御を行う真空処理装置に関す
る。
し、特に被処理体にプラズマエッチング処理を施す際
に、当該被処理体の温度制御を行う真空処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置やＬＣＤ基板等の製造
工程においては、プラズマエッチング処理装置等の各種
真空処理装置が用いられている。例えば、図３に示す真
空処理装置３００は、半導体ウェハやガラス基板等の被
処理体Ｗをその内部において処理する真空容器室３０１
と、該真空容器室３０１と別の場所に配設され、後述す
る冷媒を冷却する冷却装置（以下、「チラー」とい
う。）３０２とを備える。
工程においては、プラズマエッチング処理装置等の各種
真空処理装置が用いられている。例えば、図３に示す真
空処理装置３００は、半導体ウェハやガラス基板等の被
処理体Ｗをその内部において処理する真空容器室３０１
と、該真空容器室３０１と別の場所に配設され、後述す
る冷媒を冷却する冷却装置（以下、「チラー」とい
う。）３０２とを備える。
【０００３】真空容器室３０１は、被処理体Ｗを載置す
る載置台（以下、「サセプタ」という。）３０３と、サ
セプタ３０３の内部であって、被処理体Ｗの直下近傍に
配設される冷媒用通路３０４と、不図示の処理ガス供給
装置から処理ガスを導入する処理ガス導入路３０５と、
該処理ガス導入路３０５から導入された処理ガスを内部
に拡散するガス噴出口３０６と、該拡散した処理ガス等
を外部へ排出する排出口３０７とを備える。
る載置台（以下、「サセプタ」という。）３０３と、サ
セプタ３０３の内部であって、被処理体Ｗの直下近傍に
配設される冷媒用通路３０４と、不図示の処理ガス供給
装置から処理ガスを導入する処理ガス導入路３０５と、
該処理ガス導入路３０５から導入された処理ガスを内部
に拡散するガス噴出口３０６と、該拡散した処理ガス等
を外部へ排出する排出口３０７とを備える。
【０００４】被処理体Ｗの処理工程において、サセプタ
３０３に高周波電力が印加されると、内部に拡散された
処理ガスがプラズマ化し、かかるプラズマによって被処
理体Ｗの表面にエッチング処理が施される。エッチング
後のプラズマ化された処理ガス等は不図示のターボ分子
ポンプ（以下、「ＴＭＰ」という。）が与える負圧によ
り排出口３０７から排出される。
３０３に高周波電力が印加されると、内部に拡散された
処理ガスがプラズマ化し、かかるプラズマによって被処
理体Ｗの表面にエッチング処理が施される。エッチング
後のプラズマ化された処理ガス等は不図示のターボ分子
ポンプ（以下、「ＴＭＰ」という。）が与える負圧によ
り排出口３０７から排出される。
【０００５】チラー３０２は、熱交換器３０８と、熱交
換器３０８を貫通し、一端が冷媒流入口３０９と接続さ
れ、他端が冷媒排出口３１０と接続される１次冷却回路
３１１と、熱交換器３０８を貫通し、熱交換器３０８の
下流に圧縮機（コンプレッサ）３１２と、を有し、且つ
熱交換器３０８の上流に調整弁（メンテ弁）３１３を有
する２次冷却回路３１４とを備える。冷媒流入口３０９
及び冷媒排出口３１０は冷媒用通路３０４と連結する。
換器３０８を貫通し、一端が冷媒流入口３０９と接続さ
れ、他端が冷媒排出口３１０と接続される１次冷却回路
３１１と、熱交換器３０８を貫通し、熱交換器３０８の
下流に圧縮機（コンプレッサ）３１２と、を有し、且つ
熱交換器３０８の上流に調整弁（メンテ弁）３１３を有
する２次冷却回路３１４とを備える。冷媒流入口３０９
及び冷媒排出口３１０は冷媒用通路３０４と連結する。
【０００６】被処理体Ｗの処理工程において、被処理体
Ｗの温度を制御する必要があるため、１次冷却回路３１
１中に封入された冷媒としてのＰＦＣ（例えば、ガルデ
ンやフロリナート：商品名）が熱交換器３０８から冷媒
用通路３０４へ圧送され、圧送されたＰＦＣはサセプタ
３０３の熱を吸収し、該熱を吸収したＰＦＣは熱交換器
３０８へと循環する。熱交換器３０８において、熱を吸
収したＰＦＣの熱は、２次冷却回路３１４に封入された
吸熱ガス（例えば、フロン等）が吸収する。該熱を吸収
した吸熱ガスは、コンプレッサ３１２へ圧送され、該コ
ンプレッサ３１２において膨張冷却され、冷却された吸
熱ガスはメンテ弁３１３を介して熱交換器３０８へと循
環する。
Ｗの温度を制御する必要があるため、１次冷却回路３１
１中に封入された冷媒としてのＰＦＣ（例えば、ガルデ
ンやフロリナート：商品名）が熱交換器３０８から冷媒
用通路３０４へ圧送され、圧送されたＰＦＣはサセプタ
３０３の熱を吸収し、該熱を吸収したＰＦＣは熱交換器
３０８へと循環する。熱交換器３０８において、熱を吸
収したＰＦＣの熱は、２次冷却回路３１４に封入された
吸熱ガス（例えば、フロン等）が吸収する。該熱を吸収
した吸熱ガスは、コンプレッサ３１２へ圧送され、該コ
ンプレッサ３１２において膨張冷却され、冷却された吸
熱ガスはメンテ弁３１３を介して熱交換器３０８へと循
環する。
【０００７】従って、真空処理装置３００において、被
処理体Ｗの処理工程における被処理体Ｗの温度制御には
ＰＦＣと吸熱ガスの２種類の冷媒を必要とする。
処理体Ｗの処理工程における被処理体Ｗの温度制御には
ＰＦＣと吸熱ガスの２種類の冷媒を必要とする。
【０００８】また、サセプタ３０３には１次冷却回路３
１１内の冷媒の温度を測温する温度センサ（以下、「Ｐ
ｔセンサ」という。）３１５が埋め込まれ、１次冷却回
路３１１におけるチラー３０２の出口近傍にはＰＦＣの
温度を測温するＰｔセンサ３１６が配設される。
１１内の冷媒の温度を測温する温度センサ（以下、「Ｐ
ｔセンサ」という。）３１５が埋め込まれ、１次冷却回
路３１１におけるチラー３０２の出口近傍にはＰＦＣの
温度を測温するＰｔセンサ３１６が配設される。
【０００９】被処理体Ｗの処理工程において、チラー３
０２はＰｔセンサ３１５が測定した温度を被処理体Ｗに
関連ある温度として参照し、Ｐｔセンサ３１６が測定し
たチラー３０２の出口近傍のＰＦＣの温度を細かくフィ
ードバックすることによってＰＦＣの温度を制御する。
０２はＰｔセンサ３１５が測定した温度を被処理体Ｗに
関連ある温度として参照し、Ｐｔセンサ３１６が測定し
たチラー３０２の出口近傍のＰＦＣの温度を細かくフィ
ードバックすることによってＰＦＣの温度を制御する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たチラー３０２は１次冷却回路３１１と２次冷却回路３
１４との２系統の冷却回路を必要とするので、チラー３
０２のサイズは大きなものとなり、例えば１フロアの面
積が限られた工場等に真空処理装置３００を設置する際
には、真空容器室３０１とチラー３０２とを同じフロア
に設置することができず、真空容器室３０１とチラー３
０２との各々を別のフロアに設置する必要があり、これ
により、真空容器室３０１とチラー３０２との間をＰＦ
Ｃ循環用のホース等で接続する必要が生じる。その結
果、ＰＦＣはホースの容量だけ余分に必要となり、必要
なＰＦＣの容量の増大を招くという問題がある。
たチラー３０２は１次冷却回路３１１と２次冷却回路３
１４との２系統の冷却回路を必要とするので、チラー３
０２のサイズは大きなものとなり、例えば１フロアの面
積が限られた工場等に真空処理装置３００を設置する際
には、真空容器室３０１とチラー３０２とを同じフロア
に設置することができず、真空容器室３０１とチラー３
０２との各々を別のフロアに設置する必要があり、これ
により、真空容器室３０１とチラー３０２との間をＰＦ
Ｃ循環用のホース等で接続する必要が生じる。その結
果、ＰＦＣはホースの容量だけ余分に必要となり、必要
なＰＦＣの容量の増大を招くという問題がある。
【００１１】この必要なＰＦＣの容量の増大は、ＰＦＣ
のコストが高い故、真空処理装置３００全体のコストア
ップを招くという問題もあり、ＰＦＣの必要冷却量が増
大するため、ＰＦＣの温度制御のレスポンスが悪くなる
という問題もある。
のコストが高い故、真空処理装置３００全体のコストア
ップを招くという問題もあり、ＰＦＣの必要冷却量が増
大するため、ＰＦＣの温度制御のレスポンスが悪くなる
という問題もある。
【００１２】また、冷却されたＰＦＣは外気に暴露され
たホースを介して外気の熱を吸収するため、チラー３０
２はＰＦＣを必要以上に冷却する必要があり、その結
果、真空処理装置３００の必要エネルギが多くなり、ラ
ンニングコストがアップするという問題もある。
たホースを介して外気の熱を吸収するため、チラー３０
２はＰＦＣを必要以上に冷却する必要があり、その結
果、真空処理装置３００の必要エネルギが多くなり、ラ
ンニングコストがアップするという問題もある。
【００１３】さらに、真空処理装置３００は、被処理体
Ｗの処理工程における被処理体Ｗの温度制御にＰＦＣと
吸熱ガスの２種類の冷媒を必要とするため、冷媒の種類
増により真空処理装置３００全体のコストアップを招く
という問題もある。
Ｗの処理工程における被処理体Ｗの温度制御にＰＦＣと
吸熱ガスの２種類の冷媒を必要とするため、冷媒の種類
増により真空処理装置３００全体のコストアップを招く
という問題もある。
【００１４】本発明の目的は、必要な冷媒の容量・種類
を削減することができる真空処理装置を提供することに
ある。
を削減することができる真空処理装置を提供することに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の真空処理装置は、被処理体を載置す
る載置台、及び該載置台に内蔵され、且つ前記被処理体
を冷却する冷媒を流す冷却通路を有する真空容器室と、
前記冷媒を冷却する冷却手段を有する冷却装置とを備え
る真空処理装置において、前記冷却通路と前記冷却手段
とを直接連結し、前記冷却通路と前記冷却手段との間で
前記冷媒を循環する循環手段を備えることを特徴とす
る。
に、請求項１記載の真空処理装置は、被処理体を載置す
る載置台、及び該載置台に内蔵され、且つ前記被処理体
を冷却する冷媒を流す冷却通路を有する真空容器室と、
前記冷媒を冷却する冷却手段を有する冷却装置とを備え
る真空処理装置において、前記冷却通路と前記冷却手段
とを直接連結し、前記冷却通路と前記冷却手段との間で
前記冷媒を循環する循環手段を備えることを特徴とす
る。
【００１６】請求項１記載の真空処理装置によれば、冷
却通路と冷却手段とを直接連結し、冷却通路と冷却手段
との間で冷媒を循環する循環手段を備えるので、冷却装
置は循環手段が１つで済み、冷媒を１種類にすることが
できると共に、冷却装置のサイズを小さくすることがで
き、真空容器室の直下又は真横等の近傍に冷却装置を配
設することができる。これにより、真空容器室及び冷却
装置間の冷媒循環用のホースを廃止することができる。
その結果、必要な冷媒の容量を削減することができる。
却通路と冷却手段とを直接連結し、冷却通路と冷却手段
との間で冷媒を循環する循環手段を備えるので、冷却装
置は循環手段が１つで済み、冷媒を１種類にすることが
できると共に、冷却装置のサイズを小さくすることがで
き、真空容器室の直下又は真横等の近傍に冷却装置を配
設することができる。これにより、真空容器室及び冷却
装置間の冷媒循環用のホースを廃止することができる。
その結果、必要な冷媒の容量を削減することができる。
【００１７】請求項２記載の真空処理装置は、請求項１
記載の真空処理装置において、前記循環手段と接続さ
れ、前記真空容器室の内部を真空引きする真空引き手段
を有することを特徴とする。
記載の真空処理装置において、前記循環手段と接続さ
れ、前記真空容器室の内部を真空引きする真空引き手段
を有することを特徴とする。
【００１８】請求項２記載の真空処理装置によれば、真
空処理装置は循環手段と接続され、真空容器室の内部を
真空引きする真空引き手段を有するので、循環手段の定
期整備の際に、循環手段に封入された冷媒を除去するた
めの新たな吸引手段を付加する必要を無くすことができ
る。これにより、真空処理装置の大きさを小さくするこ
とができることに加え、循環手段に封入された冷媒の除
去を簡便に行うことができる。
空処理装置は循環手段と接続され、真空容器室の内部を
真空引きする真空引き手段を有するので、循環手段の定
期整備の際に、循環手段に封入された冷媒を除去するた
めの新たな吸引手段を付加する必要を無くすことができ
る。これにより、真空処理装置の大きさを小さくするこ
とができることに加え、循環手段に封入された冷媒の除
去を簡便に行うことができる。
【００１９】請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
又は２記載の真空処理装置において、前記冷媒は地球温
暖化係数が低い気体であることを特徴とする。
又は２記載の真空処理装置において、前記冷媒は地球温
暖化係数が低い気体であることを特徴とする。
【００２０】請求項３記載の真空処理装置によれば、冷
媒は地球温暖化係数（Global Warming Potential：以
下、「ＧＷＰ」という。）が低い気体であるので、使用
後の処理も簡便であり、リークが発生してもクリーンル
ームを汚す虞を少なくすることができ、地球環境に悪影
響を与えることを避けることができる。
媒は地球温暖化係数（Global Warming Potential：以
下、「ＧＷＰ」という。）が低い気体であるので、使用
後の処理も簡便であり、リークが発生してもクリーンル
ームを汚す虞を少なくすることができ、地球環境に悪影
響を与えることを避けることができる。
【００２１】請求項４記載の真空処理装置は、請求項３
記載の真空処理装置において、前記気体はプロパンガ
ス、アンモニアガスからなる群から選択された１つの気
体であることを特徴とする。
記載の真空処理装置において、前記気体はプロパンガ
ス、アンモニアガスからなる群から選択された１つの気
体であることを特徴とする。
【００２２】請求項４記載の真空処理装置によれば、気
体はＧＷＰが１桁のオーダであるプロパンガス、アンモ
ニアガスからなる群から選択された１つの気体であるの
で、簡便に入手することができ、コストが安く、もって
真空処理装置の全体のコストアップを抑制することがで
きる。
体はＧＷＰが１桁のオーダであるプロパンガス、アンモ
ニアガスからなる群から選択された１つの気体であるの
で、簡便に入手することができ、コストが安く、もって
真空処理装置の全体のコストアップを抑制することがで
きる。
【００２３】請求項５記載の真空処理装置は、請求項１
乃至４のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
前記載置台は、前記冷却通路近傍に配設され、且つ前記
冷却通路内の冷媒の温度を測定する測温手段を有し、前
記冷却装置は、前記測定された冷媒の温度に基づいて前
記冷媒の温度を制御する制御手段を有することを特徴と
する。
乃至４のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
前記載置台は、前記冷却通路近傍に配設され、且つ前記
冷却通路内の冷媒の温度を測定する測温手段を有し、前
記冷却装置は、前記測定された冷媒の温度に基づいて前
記冷媒の温度を制御する制御手段を有することを特徴と
する。
【００２４】請求項５記載の真空処理装置によれば、冷
却装置は測定された冷却通路内の冷媒の温度に基づい
て、冷媒の温度を制御する制御手段を有するので、冷媒
の温度制御は、載置台が有する冷却通路内の冷媒の温度
に直接基づくことができ、冷媒の温度制御のレスポンス
を向上させることもできる。
却装置は測定された冷却通路内の冷媒の温度に基づい
て、冷媒の温度を制御する制御手段を有するので、冷媒
の温度制御は、載置台が有する冷却通路内の冷媒の温度
に直接基づくことができ、冷媒の温度制御のレスポンス
を向上させることもできる。
【００２５】請求項６記載の真空処理装置は、請求項５
記載の真空処理装置において、前記測温手段は、前記被
処理体の温度を測定し、前記制御手段は、前記測定され
た被処理体の温度に基づいて前記冷媒の温度を制御する
ことを特徴とする。
記載の真空処理装置において、前記測温手段は、前記被
処理体の温度を測定し、前記制御手段は、前記測定され
た被処理体の温度に基づいて前記冷媒の温度を制御する
ことを特徴とする。
【００２６】請求項６記載の真空処理装置によれば、測
温手段は、被処理体の温度を測定し、制御手段は、測定
された被処理体の温度に基づいて冷媒の温度を制御する
ので、被処理体の温度制御のレスポンスを向上させるこ
とができる。
温手段は、被処理体の温度を測定し、制御手段は、測定
された被処理体の温度に基づいて冷媒の温度を制御する
ので、被処理体の温度制御のレスポンスを向上させるこ
とができる。
【００２７】請求項７記載の真空処理装置は、請求項５
又は６記載の真空処理装置において、前記制御手段は冷
媒の流量を制御することを特徴とする。
又は６記載の真空処理装置において、前記制御手段は冷
媒の流量を制御することを特徴とする。
【００２８】請求項７記載の真空処理装置によれば、制
御手段は冷媒の流量を制御することによって冷媒の温度
を制御するので、制御因子を少なくすることができ、も
って冷媒の温度制御を正確に行うことができる。
御手段は冷媒の流量を制御することによって冷媒の温度
を制御するので、制御因子を少なくすることができ、も
って冷媒の温度制御を正確に行うことができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
処理を図面を参照して詳述する。
処理を図面を参照して詳述する。
【００３０】図１は、本発明の実施の形態に係る真空処
理装置の概略構成を示す図である。
理装置の概略構成を示す図である。
【００３１】図１において、真空処理装置１００は、被
処理体Ｗをその内部において処理する真空容器室１０１
と、該真空容器室１０１の近傍（例えば、真空容器室１
０１の直下や真横、またはフロアの床下等）に配設さ
れ、後述するプロパンガスを冷却するチラー１０２とを
備える。
処理体Ｗをその内部において処理する真空容器室１０１
と、該真空容器室１０１の近傍（例えば、真空容器室１
０１の直下や真横、またはフロアの床下等）に配設さ
れ、後述するプロパンガスを冷却するチラー１０２とを
備える。
【００３２】真空容器室１０１は、該真空容器室１０１
内に形成された真空室１０３と、該真空室１０３の下部
に配設され、且つ被処理体Ｗを載置するアルミニウム
（例えば、Ａ６０６１等）製のサセプタ１０４と、該サ
セプタ１０４と対向するように真空室１０３の上部に配
設される上部電極１０５と、真空容器室１０１の近傍に
配設された処理ガスである、例えばＣＦ系ガスの不図示
の処理ガス供給装置と、真空処置装置のメンテナンスの
際に真空室１０３へ内部雰囲気希釈用のＮ2ガスを供給
するＮ2ガス供給装置１０６と、処理ガス供給装置から
真空室１０３に処理ガスを導入する処理ガス導入路１０
７と、該処理ガス導入路１０７から導入された処理ガス
を内部に拡散するガス噴出口１０８と、後述するプラズ
マ化された処理ガス等を外部へ排出する排出口１０９と
を備える。
内に形成された真空室１０３と、該真空室１０３の下部
に配設され、且つ被処理体Ｗを載置するアルミニウム
（例えば、Ａ６０６１等）製のサセプタ１０４と、該サ
セプタ１０４と対向するように真空室１０３の上部に配
設される上部電極１０５と、真空容器室１０１の近傍に
配設された処理ガスである、例えばＣＦ系ガスの不図示
の処理ガス供給装置と、真空処置装置のメンテナンスの
際に真空室１０３へ内部雰囲気希釈用のＮ2ガスを供給
するＮ2ガス供給装置１０６と、処理ガス供給装置から
真空室１０３に処理ガスを導入する処理ガス導入路１０
７と、該処理ガス導入路１０７から導入された処理ガス
を内部に拡散するガス噴出口１０８と、後述するプラズ
マ化された処理ガス等を外部へ排出する排出口１０９と
を備える。
【００３３】被処理体Ｗの処理工程において、まず、処
理ガスが処理ガス供給装置から処理ガス導入路１０７及
びガス噴出口１０８を介して真空室１０３内に拡散して
供給される。
理ガスが処理ガス供給装置から処理ガス導入路１０７及
びガス噴出口１０８を介して真空室１０３内に拡散して
供給される。
【００３４】次いで、サセプタ１０４及び上部電極１０
５に高周波電力が印加されると、拡散された処理ガスが
プラズマ化し、かかるプラズマによって被処理体Ｗの表
面にエッチング処理が施される。そして、エッチング処
理後のプラズマ化された処理ガス等は、排出口１０９に
接続されたＴＭＰ１１０が与える負圧によって排出口１
０９から吸引されて除去される。
５に高周波電力が印加されると、拡散された処理ガスが
プラズマ化し、かかるプラズマによって被処理体Ｗの表
面にエッチング処理が施される。そして、エッチング処
理後のプラズマ化された処理ガス等は、排出口１０９に
接続されたＴＭＰ１１０が与える負圧によって排出口１
０９から吸引されて除去される。
【００３５】真空処理装置１００において、大量の被処
理体Ｗがエッチング処理される際には、上述した被処理
体Ｗの処理工程が繰り返し実行される。
理体Ｗがエッチング処理される際には、上述した被処理
体Ｗの処理工程が繰り返し実行される。
【００３６】このとき、サセプタ１０４はアルミニウム
製のため、高周波電力の印加の繰り返しやイオン照射に
より、容易に加熱する。そして、サセプタ１０４の熱は
被処理体Ｗに伝熱し、被処理体Ｗの温度は上昇する。
製のため、高周波電力の印加の繰り返しやイオン照射に
より、容易に加熱する。そして、サセプタ１０４の熱は
被処理体Ｗに伝熱し、被処理体Ｗの温度は上昇する。
【００３７】しかし、エッチング処理中は被処理体Ｗの
温度を所定の温度（例えば、−３０℃〜１００℃）に保
つ必要があるため、サセプタ１０４の熱を除去する必要
があり、この熱の除去は、サセプタ１０４の内部であっ
て、被処理体Ｗの直下近傍に配設される冷媒用通路１１
１中を流れる冷媒としてのプロパンガスの熱吸収によっ
て行われる。この熱を吸収したプロパンガスの冷却は後
述のチラー１０２によって行われる。
温度を所定の温度（例えば、−３０℃〜１００℃）に保
つ必要があるため、サセプタ１０４の熱を除去する必要
があり、この熱の除去は、サセプタ１０４の内部であっ
て、被処理体Ｗの直下近傍に配設される冷媒用通路１１
１中を流れる冷媒としてのプロパンガスの熱吸収によっ
て行われる。この熱を吸収したプロパンガスの冷却は後
述のチラー１０２によって行われる。
【００３８】また、冷媒用通路１１１は、その上流にお
いて真空容器室１０１の外壁を貫通する冷媒導入口１１
２と、その下流において真空容器室１０１の外壁を貫通
する冷媒排出口１１３とを有する。
いて真空容器室１０１の外壁を貫通する冷媒導入口１１
２と、その下流において真空容器室１０１の外壁を貫通
する冷媒排出口１１３とを有する。
【００３９】チラー１０２は、一端が冷媒導入口１１２
に接続され、他端が冷媒排出口１１３に接続されるＵ字
状の冷媒回路１１４と、冷媒回路１１４に封入されたプ
ロパンガスと、冷媒回路１１４における冷媒排出口１１
３の下流に配設され、熱を吸収したプロパンガスを加圧
膨張によってミスト（霧状）化して冷却（以下「膨張冷
却」という。）するコンプレッサ１１５と、冷媒回路１
１４におけるコンプレッサ１１５の下流に配設され、冷
却されたプロパンガスを断熱して蓄積するコンデンサ１
１６と、冷媒回路１１４におけるコンデンサ１１６及び
冷媒導入口１１２の間に配設され、冷却されたプロパン
ガスの流量を調整する冷媒調整弁１１７とを備える。
に接続され、他端が冷媒排出口１１３に接続されるＵ字
状の冷媒回路１１４と、冷媒回路１１４に封入されたプ
ロパンガスと、冷媒回路１１４における冷媒排出口１１
３の下流に配設され、熱を吸収したプロパンガスを加圧
膨張によってミスト（霧状）化して冷却（以下「膨張冷
却」という。）するコンプレッサ１１５と、冷媒回路１
１４におけるコンプレッサ１１５の下流に配設され、冷
却されたプロパンガスを断熱して蓄積するコンデンサ１
１６と、冷媒回路１１４におけるコンデンサ１１６及び
冷媒導入口１１２の間に配設され、冷却されたプロパン
ガスの流量を調整する冷媒調整弁１１７とを備える。
【００４０】コンプレッサ１１５は、上述した膨張冷却
の他、下流のプロパンガスの圧力を高め、冷媒回路１１
４において圧力差を発生させることによってプロパンガ
スを循環させる。
の他、下流のプロパンガスの圧力を高め、冷媒回路１１
４において圧力差を発生させることによってプロパンガ
スを循環させる。
【００４１】また、冷媒回路１１４は、冷媒排出口１１
３及びコンプレッサ１１５の間にメンテ弁１１８を有
し、冷媒調整弁１１７及び冷媒導入口１１２の間にもメ
ンテ弁１１９を有する。これらのメンテ弁１１８，１１
９は真空容器室１０１やチラー１０２のメンテナンス時
に、冷媒回路１１４を冷媒用通路１１１から遮断する。
３及びコンプレッサ１１５の間にメンテ弁１１８を有
し、冷媒調整弁１１７及び冷媒導入口１１２の間にもメ
ンテ弁１１９を有する。これらのメンテ弁１１８，１１
９は真空容器室１０１やチラー１０２のメンテナンス時
に、冷媒回路１１４を冷媒用通路１１１から遮断する。
【００４２】さらに、冷媒回路１１４は、メンテ弁１１
８及びコンプレッサ１１５の間において、大気に開放す
るサービス通路１２０と接続する。サービス通路１２０
は通常閉鎖されたサービス弁１２１を有し、冷媒回路１
１４等のメンテナンス時に、サービス弁１２１を開放し
て大気を冷媒回路１１４に導入する。
８及びコンプレッサ１１５の間において、大気に開放す
るサービス通路１２０と接続する。サービス通路１２０
は通常閉鎖されたサービス弁１２１を有し、冷媒回路１
１４等のメンテナンス時に、サービス弁１２１を開放し
て大気を冷媒回路１１４に導入する。
【００４３】冷媒回路１１４において、コンプレッサ１
１５及びコンデンサ１１６の間と、メンテ弁１１８及び
コンプレッサ１１５の間はミスト化促進通路１２２によ
って接続される。ミスト化促進通路１２２は通常閉鎖さ
れたミスト弁１２３を有し、プロパンガスのミスト化が
不足しているときは、ミスト弁１２３を開放してミスト
化していないプロパンガスをコンプレッサ１１５の上流
に還元し、該還元したプロパンガスをコンプレッサ１１
５によってミスト化する。
１５及びコンデンサ１１６の間と、メンテ弁１１８及び
コンプレッサ１１５の間はミスト化促進通路１２２によ
って接続される。ミスト化促進通路１２２は通常閉鎖さ
れたミスト弁１２３を有し、プロパンガスのミスト化が
不足しているときは、ミスト弁１２３を開放してミスト
化していないプロパンガスをコンプレッサ１１５の上流
に還元し、該還元したプロパンガスをコンプレッサ１１
５によってミスト化する。
【００４４】また、冷媒回路１１４において、コンデン
サ１１６及び冷媒調整弁１１７の間と、メンテ弁１１８
及びコンプレッサ１１５の間はバイパス通路１２４によ
って接続され、バイパス通路１２４は通常閉鎖されたバ
イパス弁１２５を有し、コンプレッサ１１５から冷媒調
整弁１１７間のプロパンガスの圧力が所定値を上回った
ときは、バイパス弁１２５を開放し、当該プロパンガス
をコンプレッサ１１５の上流に還元することによってコ
ンプレッサ１１５から冷媒調整弁１１７間のプロパンガ
スの圧力を制御する。
サ１１６及び冷媒調整弁１１７の間と、メンテ弁１１８
及びコンプレッサ１１５の間はバイパス通路１２４によ
って接続され、バイパス通路１２４は通常閉鎖されたバ
イパス弁１２５を有し、コンプレッサ１１５から冷媒調
整弁１１７間のプロパンガスの圧力が所定値を上回った
ときは、バイパス弁１２５を開放し、当該プロパンガス
をコンプレッサ１１５の上流に還元することによってコ
ンプレッサ１１５から冷媒調整弁１１７間のプロパンガ
スの圧力を制御する。
【００４５】被処理体Ｗの処理工程において、熱を吸収
したプロパンガスは、冷媒排出口１１３及びメンテ弁１
１８を介して、冷媒用通路１１１より低圧のコンプレッ
サ１１５の上流へ圧送され、コンプレッサ１１５によっ
て冷却される。該冷却されたプロパンガスはコンデンサ
１１６、冷媒調整弁１１７、メンテ弁１１９及び冷媒導
入口１１２を介して、コンプレッサ１１５の下流より低
圧の冷媒用通路１１１へ圧送され、冷媒用通路１１１に
おいてサセプタ１０４の熱を再度吸収する。
したプロパンガスは、冷媒排出口１１３及びメンテ弁１
１８を介して、冷媒用通路１１１より低圧のコンプレッ
サ１１５の上流へ圧送され、コンプレッサ１１５によっ
て冷却される。該冷却されたプロパンガスはコンデンサ
１１６、冷媒調整弁１１７、メンテ弁１１９及び冷媒導
入口１１２を介して、コンプレッサ１１５の下流より低
圧の冷媒用通路１１１へ圧送され、冷媒用通路１１１に
おいてサセプタ１０４の熱を再度吸収する。
【００４６】すなわち、真空処理装置１００では従来の
真空処理装置３００の如く、２系統の冷却回路を必要と
せず、従って、２種類の冷媒を必要としない。
真空処理装置３００の如く、２系統の冷却回路を必要と
せず、従って、２種類の冷媒を必要としない。
【００４７】真空処理装置１００によれば、被処理体Ｗ
を載置するサセプタ１０４、及び該サセプタ１０４に内
蔵され、且つ被処理体Ｗを冷却する冷媒用通路１１１を
有する真空容器室１０１と、プロパンガスを冷却するコ
ンプレッサ１１５を有するチラー１０２とを備える真空
処理装置１００において、冷媒用通路１１１とコンプレ
ッサ１１５とを直接連結し、冷媒用通路１１１とコンプ
レッサ１１５との間でプロパンガスを循環する冷媒回路
１１４を備えるので、チラー１０２は冷媒回路１１４が
１つで済み、チラー１０２のサイズを小さくすることが
でき、真空容器室１０１の直下又は真横等の近傍にチラ
ー１０２を配設することができる。これにより、真空容
器室１０１及びチラー１０２間のプロパンガス循環用の
ホースを廃止することができる。その結果、必要なプロ
パンガスの容量を削減することができる。
を載置するサセプタ１０４、及び該サセプタ１０４に内
蔵され、且つ被処理体Ｗを冷却する冷媒用通路１１１を
有する真空容器室１０１と、プロパンガスを冷却するコ
ンプレッサ１１５を有するチラー１０２とを備える真空
処理装置１００において、冷媒用通路１１１とコンプレ
ッサ１１５とを直接連結し、冷媒用通路１１１とコンプ
レッサ１１５との間でプロパンガスを循環する冷媒回路
１１４を備えるので、チラー１０２は冷媒回路１１４が
１つで済み、チラー１０２のサイズを小さくすることが
でき、真空容器室１０１の直下又は真横等の近傍にチラ
ー１０２を配設することができる。これにより、真空容
器室１０１及びチラー１０２間のプロパンガス循環用の
ホースを廃止することができる。その結果、必要なプロ
パンガスの容量を削減することができる。
【００４８】プロパンガスの容量の削減は、真空処理装
置１００全体のコストアップを抑制することができる一
方、プロパンガスの必要冷却量が減少するため、プロパ
ンガスの温度制御のレスポンスを向上させることもでき
る。
置１００全体のコストアップを抑制することができる一
方、プロパンガスの必要冷却量が減少するため、プロパ
ンガスの温度制御のレスポンスを向上させることもでき
る。
【００４９】また、冷却されたプロパンガスは外気に暴
露されたホースを介して外気の熱を吸収することがない
ため、チラー１０２はプロパンガスを必要最小限だけ冷
却すればよく、その結果、真空処理装置１００の必要エ
ネルギを減少することができ、もってランニングコスト
を抑制することもできる。
露されたホースを介して外気の熱を吸収することがない
ため、チラー１０２はプロパンガスを必要最小限だけ冷
却すればよく、その結果、真空処理装置１００の必要エ
ネルギを減少することができ、もってランニングコスト
を抑制することもできる。
【００５０】さらに、必要とする冷媒はプロパンガスの
１種類だけなので、冷媒の種類増を防ぐことができ、こ
れにより、真空処理装置１００全体のコストアップを抑
制することができる。
１種類だけなので、冷媒の種類増を防ぐことができ、こ
れにより、真空処理装置１００全体のコストアップを抑
制することができる。
【００５１】真空処理装置１００において、メンテ弁１
１９及び冷媒導入口１１２の間の冷媒回路１１４と、Ｔ
ＭＰ１１０の上流との間にＴＭＰバイパス通路１２６が
配設される。
１９及び冷媒導入口１１２の間の冷媒回路１１４と、Ｔ
ＭＰ１１０の上流との間にＴＭＰバイパス通路１２６が
配設される。
【００５２】ＴＭＰバイパス通路１２６は、通常閉鎖さ
れたＴＭＰバイパス弁１２７を有し、冷媒回路１１４等
のメンテナンス時に、ＴＭＰバイパス弁１２７を開放
し、ＴＭＰ１１０によって与えられる負圧によって後述
するＮ2ガスで希釈されたプロパンガスを排出する。
れたＴＭＰバイパス弁１２７を有し、冷媒回路１１４等
のメンテナンス時に、ＴＭＰバイパス弁１２７を開放
し、ＴＭＰ１１０によって与えられる負圧によって後述
するＮ2ガスで希釈されたプロパンガスを排出する。
【００５３】また、Ｎ2ガス供給装置１０６は、Ｎ2ガス
供給弁１２８を介して、排出口１０９及びＴＭＰ１１０
を連結する通路と接続され、冷媒回路１１４等のメンテ
ナンス時の初期において、冷媒回路１１４にＮ2ガスを
供給する。
供給弁１２８を介して、排出口１０９及びＴＭＰ１１０
を連結する通路と接続され、冷媒回路１１４等のメンテ
ナンス時の初期において、冷媒回路１１４にＮ2ガスを
供給する。
【００５４】以下に、冷媒回路１１４等のメンテナンス
時におけるプロパンガスの除去方法についてフローチャ
ートを用いて説明する。
時におけるプロパンガスの除去方法についてフローチャ
ートを用いて説明する。
【００５５】図２は、冷媒回路１１４等のメンテナンス
時におけるプロパンガスの除去方法のフローチャートで
ある。
時におけるプロパンガスの除去方法のフローチャートで
ある。
【００５６】図２において、まずＴＭＰ１１０を停止し
（ステップＳ２０１）、Ｎ2ガス供給弁１２８及びＴＭ
Ｐバイパス弁１２７を開放して冷媒回路１１４にＮ2ガ
スを供給する（ステップＳ２０２）、このとき、冷媒回
路１１４に封入されたプロパンガスはＮ2ガスによって
着火しない濃度まで希釈される。
（ステップＳ２０１）、Ｎ2ガス供給弁１２８及びＴＭ
Ｐバイパス弁１２７を開放して冷媒回路１１４にＮ2ガ
スを供給する（ステップＳ２０２）、このとき、冷媒回
路１１４に封入されたプロパンガスはＮ2ガスによって
着火しない濃度まで希釈される。
【００５７】次いで、Ｎ2ガス供給弁１２８を閉じる一
方、サービス弁１２１を開放し、且つＴＭＰ１１０を起
動させる（ステップＳ２０３）。
方、サービス弁１２１を開放し、且つＴＭＰ１１０を起
動させる（ステップＳ２０３）。
【００５８】その後、冷媒回路１１４では、ＴＭＰ１１
０の与える負圧によって希釈されたプロパンガスはＴＭ
Ｐバイパス通路１２６を介して排出される（ステップＳ
２０４）一方、大気がサービス通路１２０を介して吸入
され、希釈されたプロパンガスが冷媒回路１１４から排
出された後、本処理を終了する。
０の与える負圧によって希釈されたプロパンガスはＴＭ
Ｐバイパス通路１２６を介して排出される（ステップＳ
２０４）一方、大気がサービス通路１２０を介して吸入
され、希釈されたプロパンガスが冷媒回路１１４から排
出された後、本処理を終了する。
【００５９】次いで、真空処理装置１００のユーザは冷
媒回路１１４の内部点検等のメンテナンスを行う。
媒回路１１４の内部点検等のメンテナンスを行う。
【００６０】真空処理装置１００によれば、真空室１０
３を真空引きするＴＭＰ１１０を有し、該ＴＭＰ１１０
はＴＭＰバイパス通路１２６を介して冷媒回路１１４と
接続されているので、冷媒回路１１４のメンテナンスの
際に、冷媒回路１１４に封入されたプロパンガスを除去
するための新たなバキューム装置を付加する必要を無く
すことができる。
３を真空引きするＴＭＰ１１０を有し、該ＴＭＰ１１０
はＴＭＰバイパス通路１２６を介して冷媒回路１１４と
接続されているので、冷媒回路１１４のメンテナンスの
際に、冷媒回路１１４に封入されたプロパンガスを除去
するための新たなバキューム装置を付加する必要を無く
すことができる。
【００６１】また、真空処置装置１００のメンテナンス
の際に真空室１０３へ内部雰囲気希釈用のＮ2ガスを供
給するガス供給装置１０６を有し、該ガス供給装置１０
６はＴＭＰバイパス通路１２６等を介して冷媒回路１１
４と接続されているので、冷媒回路１１４のメンテナン
スの際に、冷媒回路１１４に封入された冷媒を不活性ガ
スによって希釈するための新たなＮ2ガス供給装置１０
６を付加する必要を無くすことができ、真空処理装置１
００の大きさをさらに小さくすることができることに加
え、冷媒回路１１４に封入されたプロパンガスの希釈を
簡便に行うことができる。
の際に真空室１０３へ内部雰囲気希釈用のＮ2ガスを供
給するガス供給装置１０６を有し、該ガス供給装置１０
６はＴＭＰバイパス通路１２６等を介して冷媒回路１１
４と接続されているので、冷媒回路１１４のメンテナン
スの際に、冷媒回路１１４に封入された冷媒を不活性ガ
スによって希釈するための新たなＮ2ガス供給装置１０
６を付加する必要を無くすことができ、真空処理装置１
００の大きさをさらに小さくすることができることに加
え、冷媒回路１１４に封入されたプロパンガスの希釈を
簡便に行うことができる。
【００６２】従来の真空処理装置３００では、上述した
ように１次冷却回路３１１にＰＦＣが封入され、２次冷
却回路３１４にフロンが封入されていたが、ＰＦＣはＧ
ＷＰが数千のオーダであり、非常に高く、フロンはオゾ
ン層係数及びＧＷＰが高いため、使用後の処理に難題が
あり、真空処理装置３００を地球環境に悪影響を与える
可能性のあるものとしていた。
ように１次冷却回路３１１にＰＦＣが封入され、２次冷
却回路３１４にフロンが封入されていたが、ＰＦＣはＧ
ＷＰが数千のオーダであり、非常に高く、フロンはオゾ
ン層係数及びＧＷＰが高いため、使用後の処理に難題が
あり、真空処理装置３００を地球環境に悪影響を与える
可能性のあるものとしていた。
【００６３】特に、ＰＦＣは液体であるためホース等か
らリークが発生する虞があり、通常真空処理装置３００
が設置されるクリーンルームを汚すという問題もあっ
た。
らリークが発生する虞があり、通常真空処理装置３００
が設置されるクリーンルームを汚すという問題もあっ
た。
【００６４】真空処理装置１００によれば、ＰＦＣやフ
ロンの代わりにプロパンガスを冷媒として使用するの
で、リークが発生しても、クリーンルームを汚す虞を少
なくすることができることに加え、プロパンガスはＧＷ
Ｐが１桁のオーダ（例えば、プロパンガスのＧＷＰは３
である。）であり、ＧＷＰが非常に低いため、使用後の
処理も簡便であり、リークが発生しても地球環境に悪影
響を与えることを避けることができる。
ロンの代わりにプロパンガスを冷媒として使用するの
で、リークが発生しても、クリーンルームを汚す虞を少
なくすることができることに加え、プロパンガスはＧＷ
Ｐが１桁のオーダ（例えば、プロパンガスのＧＷＰは３
である。）であり、ＧＷＰが非常に低いため、使用後の
処理も簡便であり、リークが発生しても地球環境に悪影
響を与えることを避けることができる。
【００６５】また、プロパンガスは、ＰＦＣに較べ、比
較的入手しやすいものであるためコストが安く、これに
より、真空処理装置１００全体のコストアップを抑制す
ることができる。
較的入手しやすいものであるためコストが安く、これに
より、真空処理装置１００全体のコストアップを抑制す
ることができる。
【００６６】従来の真空処理装置３００では、サセプタ
３０３における１次冷却回路３１１内の冷媒の温度を測
定するＰｔセンサ３１５が測定した冷媒の温度をフィー
ドバック値として使用しても、その値には、熱交換器３
０８とサセプタ１０４との間に介在するホースからの吸
熱等の影響因子が混入するため、正確な制御が行えず、
従って、上述したようにＰｔセンサ３１６の測定した温
度をフィードバック値として使用している。
３０３における１次冷却回路３１１内の冷媒の温度を測
定するＰｔセンサ３１５が測定した冷媒の温度をフィー
ドバック値として使用しても、その値には、熱交換器３
０８とサセプタ１０４との間に介在するホースからの吸
熱等の影響因子が混入するため、正確な制御が行えず、
従って、上述したようにＰｔセンサ３１６の測定した温
度をフィードバック値として使用している。
【００６７】しかしながら、従来の真空処理装置３００
におけるＰＦＣの温度制御は、被処理体Ｗを載置したサ
セプタ１０４の温度や被処理体Ｗの温度に直接基づいて
いないため、ＰＦＣの温度制御のレスポンスが悪くなる
という問題もある。
におけるＰＦＣの温度制御は、被処理体Ｗを載置したサ
セプタ１０４の温度や被処理体Ｗの温度に直接基づいて
いないため、ＰＦＣの温度制御のレスポンスが悪くなる
という問題もある。
【００６８】真空処理装置１００では、サセプタ１０４
の冷媒用通路１１１の直下にＰｔセンサ１２９が配設さ
れ、冷媒用通路１１１内のプロパンガスの温度やサセプ
タ１０４を介して被処理体Ｗの温度を測定する。
の冷媒用通路１１１の直下にＰｔセンサ１２９が配設さ
れ、冷媒用通路１１１内のプロパンガスの温度やサセプ
タ１０４を介して被処理体Ｗの温度を測定する。
【００６９】この測定された温度のデータはチラー１０
２のインターフェイス１３０を介してＣＰＵ１３１に送
信される。ＣＰＵ１３１は送信された温度に基づいて、
冷媒調整弁１１７の開度を調整することによってプロパ
ンガスの流量や圧力を制御する。これにより、ＣＰＵ１
３１は冷媒回路１１４内のプロパンガスの温度や被処理
体Ｗの温度を制御する。
２のインターフェイス１３０を介してＣＰＵ１３１に送
信される。ＣＰＵ１３１は送信された温度に基づいて、
冷媒調整弁１１７の開度を調整することによってプロパ
ンガスの流量や圧力を制御する。これにより、ＣＰＵ１
３１は冷媒回路１１４内のプロパンガスの温度や被処理
体Ｗの温度を制御する。
【００７０】真空処理装置１００によれば、サセプタ１
０４は冷媒用通路１１１近傍に配設され、且つ冷媒用通
路１１１内のプロパンガスの温度やサセプタ１０４を介
して被処理体Ｗの温度を測定するＰｔセンサ１２９を有
し、ＣＰＵ１３１は測定されたプロパンガスの温度や被
処理体Ｗの温度に基づいて冷媒調整弁１１７の開度を調
整することによってプロパンガスの流量や圧力を制御
し、これにより、プロパンガスの温度を制御するので、
プロパンガスや被処理体Ｗの温度制御を、サセプタ１０
４が有する冷媒用通路１１１内のプロパンガスの温度や
被処理体Ｗの温度に直接基づいて行うことができ、プロ
パンガスや被処理体Ｗの温度制御のレスポンスを向上さ
せることができると共に、制御因子を少なくすることが
でき、もって冷媒の温度制御を正確に行うことができ
る。
０４は冷媒用通路１１１近傍に配設され、且つ冷媒用通
路１１１内のプロパンガスの温度やサセプタ１０４を介
して被処理体Ｗの温度を測定するＰｔセンサ１２９を有
し、ＣＰＵ１３１は測定されたプロパンガスの温度や被
処理体Ｗの温度に基づいて冷媒調整弁１１７の開度を調
整することによってプロパンガスの流量や圧力を制御
し、これにより、プロパンガスの温度を制御するので、
プロパンガスや被処理体Ｗの温度制御を、サセプタ１０
４が有する冷媒用通路１１１内のプロパンガスの温度や
被処理体Ｗの温度に直接基づいて行うことができ、プロ
パンガスや被処理体Ｗの温度制御のレスポンスを向上さ
せることができると共に、制御因子を少なくすることが
でき、もって冷媒の温度制御を正確に行うことができ
る。
【００７１】本発明の実施の形態では、冷媒としてプロ
パンガスを使用する例について説明したが、冷媒として
はアンモニアガスでもよく、この他ＧＷＰ及びオゾン破
壊係数が共に小さく、一般に市場に流通し、簡便に入手
できるものがよい。
パンガスを使用する例について説明したが、冷媒として
はアンモニアガスでもよく、この他ＧＷＰ及びオゾン破
壊係数が共に小さく、一般に市場に流通し、簡便に入手
できるものがよい。
【００７２】また、処理ガスとしてＣＦ系ガスを使用す
る例について説明したが、この他プラズマ化するもので
あって、且つプロパンガス等の冷媒と反応しないガスで
あればよい。
る例について説明したが、この他プラズマ化するもので
あって、且つプロパンガス等の冷媒と反応しないガスで
あればよい。
【００７３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
記載の真空処理装置によれば、冷却通路と冷却手段とを
直接連結し、冷却通路と冷却手段との間で冷媒を循環す
る循環手段を備えるので、冷却装置は循環手段が１つで
済み、冷媒を１種類にすることができると共に、冷却装
置のサイズを小さくすることができ、真空容器室の直下
又は真横等の近傍に冷却装置を配設することができる。
これにより、真空容器室及び冷却装置間の冷媒循環用の
ホースを廃止することができる。その結果、必要な冷媒
の容量を削減することができる。
記載の真空処理装置によれば、冷却通路と冷却手段とを
直接連結し、冷却通路と冷却手段との間で冷媒を循環す
る循環手段を備えるので、冷却装置は循環手段が１つで
済み、冷媒を１種類にすることができると共に、冷却装
置のサイズを小さくすることができ、真空容器室の直下
又は真横等の近傍に冷却装置を配設することができる。
これにより、真空容器室及び冷却装置間の冷媒循環用の
ホースを廃止することができる。その結果、必要な冷媒
の容量を削減することができる。
【００７４】請求項２記載の真空処理装置によれば、真
空処理装置は循環手段と接続され、真空容器室の内部を
真空引きする真空引き手段を有するので、循環手段の定
期整備の際に、循環手段に封入された冷媒を除去するた
めの新たな吸引手段を付加する必要を無くすことができ
る。これにより、真空処理装置の大きさを小さくするこ
とができることに加え、循環手段に封入された冷媒の除
去を簡便に行うことができる。
空処理装置は循環手段と接続され、真空容器室の内部を
真空引きする真空引き手段を有するので、循環手段の定
期整備の際に、循環手段に封入された冷媒を除去するた
めの新たな吸引手段を付加する必要を無くすことができ
る。これにより、真空処理装置の大きさを小さくするこ
とができることに加え、循環手段に封入された冷媒の除
去を簡便に行うことができる。
【００７５】請求項３記載の真空処理装置によれば、冷
媒はＧＷＰが低い気体であるので、使用後の処理も簡便
であり、リークが発生してもクリーンルームを汚す虞を
少なくすることができ、地球環境に悪影響を与えること
を避けることができる。
媒はＧＷＰが低い気体であるので、使用後の処理も簡便
であり、リークが発生してもクリーンルームを汚す虞を
少なくすることができ、地球環境に悪影響を与えること
を避けることができる。
【００７６】請求項４記載の真空処理装置によれば、気
体はＧＷＰが１桁のオーダであるプロパンガス、アンモ
ニアガスからなる群から選択された１つの気体であるの
で、簡便に入手することができ、コストが安く、もって
真空処理装置の全体のコストアップを抑制することがで
きる。
体はＧＷＰが１桁のオーダであるプロパンガス、アンモ
ニアガスからなる群から選択された１つの気体であるの
で、簡便に入手することができ、コストが安く、もって
真空処理装置の全体のコストアップを抑制することがで
きる。
【００７７】請求項５記載の真空処理装置によれば、冷
却装置は測定された冷却通路内の冷媒の温度に基づい
て、冷媒の温度を制御する制御手段を有するので、冷媒
の温度制御は、載置台が有する冷却通路内の冷媒の温度
に直接基づくことができ、冷媒の温度制御のレスポンス
を向上させることもできる。
却装置は測定された冷却通路内の冷媒の温度に基づい
て、冷媒の温度を制御する制御手段を有するので、冷媒
の温度制御は、載置台が有する冷却通路内の冷媒の温度
に直接基づくことができ、冷媒の温度制御のレスポンス
を向上させることもできる。
【００７８】請求項６記載の真空処理装置によれば、測
温手段は、被処理体の温度を測定し、制御手段は、測定
された被処理体の温度に基づいて冷媒の温度を制御する
ので、被処理体の温度制御のレスポンスを向上させるこ
とができる。
温手段は、被処理体の温度を測定し、制御手段は、測定
された被処理体の温度に基づいて冷媒の温度を制御する
ので、被処理体の温度制御のレスポンスを向上させるこ
とができる。
【００７９】請求項７記載の真空処理装置によれば、制
御手段は冷媒の流量を制御することによって冷媒の温度
を制御するので、制御因子を少なくすることができ、も
って冷媒の温度制御を正確に行うことができる。
御手段は冷媒の流量を制御することによって冷媒の温度
を制御するので、制御因子を少なくすることができ、も
って冷媒の温度制御を正確に行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る真空処理装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】冷媒回路１１４等のメンテナンス時におけるプ
ロパンガスの除去方法のフローチャートである。
ロパンガスの除去方法のフローチャートである。
【図３】従来の真空処理装置の概略構成を示す図であ
る。
る。
１００，３００ 真空処理装置
１０１，３０１ 真空容器室
１０２，３０２ チラー
１０４，３０３ サセプタ
１０６ Ｎ2ガス供給装置
１１０ ＴＭＰ
１１１，３０４ 冷媒用通路
１１４ 冷媒回路
１１５，３１２ コンプレッサ
１１７ 冷媒調整弁
１２６ ＴＭＰバイパス通路
１２８ Ｎ2ガス供給弁
１２９，３１５，３１６ Ｐｔセンサ
１３１ ＣＰＵ
３０８ 熱交換器
３１１ １次冷却回路
３１４ ２次冷却回路
Claims (7)
- 【請求項１】 被処理体を載置する載置台、及び該載置
台に内蔵され、且つ前記被処理体を冷却する冷媒を流す
冷却通路を有する真空容器室と、前記冷媒を冷却する冷
却手段を有する冷却装置とを備える真空処理装置におい
て、前記冷却通路と前記冷却手段とを直接連結し、前記
冷却通路と前記冷却手段との間で前記冷媒を循環する循
環手段を備えることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記循環手段と接続され、前記真空容器
室の内部を真空引きする真空引き手段を有することを特
徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】 前記冷媒は地球温暖化係数が低い気体で
あることを特徴とする請求項１又は２記載の真空処理装
置。 - 【請求項４】 前記気体はプロパンガス、アンモニアガ
スからなる群から選択された１つの気体であることを特
徴とする請求項３記載の真空処理装置。 - 【請求項５】 前記載置台は、前記冷却通路近傍に配設
され、且つ前記冷却通路内の冷媒の温度を測定する測温
手段を有し、前記冷却装置は、前記測定された冷媒の温
度に基づいて前記冷媒の温度を制御する制御手段を有す
ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記
載の真空処理装置。 - 【請求項６】 前記測温手段は、前記被処理体の温度を
測定し、前記制御手段は、前記測定された被処理体の温
度に基づいて前記冷媒の温度を制御することを特徴とす
る請求項５記載の真空処理装置。 - 【請求項７】 前記制御手段は冷媒の流量を制御するこ
とを特徴とする請求項５又は６記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001374045A JP2003174016A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001374045A JP2003174016A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003174016A true JP2003174016A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19182666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001374045A Pending JP2003174016A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003174016A (ja) |
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-
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- 2001-12-07 JP JP2001374045A patent/JP2003174016A/ja active Pending
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