JPS647032B2 - - Google Patents
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- JPS647032B2 JPS647032B2 JP58207850A JP20785083A JPS647032B2 JP S647032 B2 JPS647032 B2 JP S647032B2 JP 58207850 A JP58207850 A JP 58207850A JP 20785083 A JP20785083 A JP 20785083A JP S647032 B2 JPS647032 B2 JP S647032B2
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Landscapes
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Description
この発明は、通常の窯業的方法で磁器体に焼成
したのち、分極電界を印加することによつて、電
気的に活性化し、その残留圧電特性を利用する磁
器組成物であつて、Pb(Zn1/3・Nb2/3)O3−Pb
(Ni1/3・Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の四成分
固溶系磁器におけるPb量を化学量論値より若干
減少せしめた磁器組成物に関する。 圧電磁器材料の代表的な用途の一つにスピーカ
ー、センサーなど電気音響変換子があるが、この
場合には小入力エネルギーに対して大きな変位と
応力が出力できることが望まれる。この種の用途
には、従来より、圧電定数(d31、d33)、電気機
械結合係数(K31、K33)及び誘電率(ε33/ε0)
などの圧電特性がすぐれた材料が要望されている
が、そうした材料の一つとしてPb(Zn1/3・Nb2/3)
O3−Pb(Ni1/3・Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3系
磁器(以下PZN−PNN−PT−PZと略称する)
は用いられており(特公昭49−4280号記載)、各
種の用途に合せて改良がなされてきた。 すなわち、上記組成においてPbの一部をCa、
Sr、Ba等で置換(特公昭48−8434号記載)、圧電
特性の改良がなされた。しかし、いずれにおいて
も個々の特色はあるが、圧電定数(以下d31,d33
と略称する)、電気機械結合係数(以下K31、K33
と略称する)、及び誘電率(以下ε33/ε0と略称す
る)が共に大きく、かつキユリー点(以下Tcと
略称する)が高く、特性すべてにすぐれた圧電磁
器材料は皆無であつた。 発明者は、PZN−PNN−PT−PZの四成分固
溶系磁器について、種々研究した結果、その四成
分系の特性組成範囲にあるもの、又その特定組成
範囲においてPbの一部をCa、Sr、Ba等で置換し
たもの、あるいはLi,Na,Sn,Cr等の酸化物を
添加含有することにより、d31、d33、K31、K33、
ε33/ε0が共に大きく、かつ通常の用途において
使用上支障を来たさない程度にTcが高い圧電磁
器組成物が得られることを知見した。 すなわち、第1図に示すPZN−PNN−PT−
PZ四成分固溶系磁器は、K31、K33分布の傾向と
ε33/ε0分布の傾向が異なるため、K31又はK33が
大となる組成を選定すると、ε33/ε0はそれに比
例して大きくならない場合と、逆に小さくなる場
合がある。又、ε33/ε0が大となる組成を選定す
ると、K31又はK33はそれに比例して大きくなら
ない場合と、逆に小さくなる場合がある。更に、
PZN又はPNN成分を増すとTcが低下するなどの
問題があつた。そして、Pbの一部をCa、Sr、Ba
等で置換した場合ε33/ε0は増大するが、Tcは大
巾に低下するため、置換前の基本組成材料のTc
が十分に大きくないと、置換後のTcは実用上支
障を来たすほどに低下する恐れがあつた。 発明者は、かかる現状にかんがみ、これら種々
の欠点を除くため、第1図に示す四成分固溶系磁
器を表わす基本組成式 PbA{(Zn1/3・Nb2/3)W・(Ni1/3・Nb2/3)X・TiY・
ZrZ}O3 ただし、W+X+Y+Z=1 において、組成Aについて研究を行つた結果、化
学量論値(A=1.00)より減少させることによ
り、d31、d33、K31、K33、ε33/ε0及びTcのいず
れをも増大できる組成が得られることを知つた。 その一例を示すと、上記基本組成式において、
W=X=0.225、Y=0.325、Z=0.225の組成にお
けるPbの組成Aを化学量論値より減少させて、
A=1.00モル〜0.96モルに変化させた場合のd33、
K33、Tcを測定した。その結果を第2図に示す。 その結果より、組成Aが1.00モルより減少する
に従つて、d33、K33、Tcはいずれも増大するこ
とがわかる。しかし、A=0.975モル前後の極大
点をすぎ、更に減少させればd33、K33、Tcはい
ずれも急激に減少する。 この知見に基いて、d31、d33、K31、K33、
ε33/ε0が共に大きく、かつTcが通常の使用にお
いて支障を来たさない程度に高い組成範囲を前記
基本組成式において求めると、 0.960≦A≦0.985 0<W≦0.70 0<X≦0.50 ただし、0.25≦W+X≦0.70 0.20≦Y≦0.40 0.075≦Z≦0.375 を満足する組成範囲である。 この発明は、かかる組成範囲よりなる圧電磁器
組成物にして、前記圧電特性及びTcを満足する
ものを基本組成とする。 又、上記基本組成において、Pbの5モル%以
下をCa、Sr、Ba原子の少なくとも1種で置換し
た圧電磁器組成物を含む。この場合も、d31、
d33、K31、K33、ε33/ε0が共に大きく、かつTcも
実用上支障をきたさない程度に高い圧電材料が得
られることがわかる。なお、Pbの一部をCa、
Sr、Ba原子の少なくとも1種で置換すれば、前
記基本組成式の組成Aが減少するが、置換前のA
量は置換後のA量とCa、Sr、Ba原子の置換量の
和に等しい。 更に、この発明は前記基本組成、又はその基本
組成のPbの5モル%以下をCa、Sr、Ba原子の少
なくとも1種で置換したものに、Li2O5モル%以
下、Na2O5モル%以下、SnO25モル%以下、
Cr2O32モル%以下、Co2O32モル%以下、NiO3モ
ル%以下、ZnO3モル%以下、Nb2O53モル%以下
の少なくとも1種を含有したものを含む。なお、
この場合は焼成により上記酸化物を生成するもの
を添加してもよい。この場合も、すぐれた圧電特
性及びTcが得られる。 この発明の磁器組成物を製造する際は、原料と
してPbO、NiO、ZnO、Nb2O5、TiO2、ZrO2、
BaCO3、SrCO3、CaCO3、Cr2O3、Co2O3、
SnO2、Li2O、Na2Oを所要の組成が得られるよ
うに配合する。 なお、必要に応じては、加熱により上記原料酸
化物に分解する化合物、例えばPbOはPb3O4、
NiOはNiCO3、CaCOはCa(HCO3)2、Cr2O3は
CrO3、Li2OはLiCO3等の形で配合するか、又そ
れら酸化物相互の化合物を原料として使用でき
る。 又、原料の一つであるZrO2には、しばしば少
量のHfを含有するため、混合結晶中の4価金属
原子の位置の一部をHf原子が占めることが考え
られるが、HfはZrに比べ高価であり、工業的製
造における使用は原価の高騰を来たすので、この
発明ではZrの一部をHfで置換することは考えず、
又Zr中に存在する微量のHfは無視して考える。 さらに、Nb2O5には数%以下のTa2O5が混入す
ることがあるが、Ta2O5はNb2O5と化学的に類似
の特性を示す。そのため、Nb2O5の50%以下を
Ta2O5で置換した組成物の圧電特性は、Nb2O5の
みを含有する組成物とほぼ同等の圧電特性が得ら
れるので、数%以下のTa2O5が混入したNb2O5を
使つても配合上何ら問題は起らない。 この発明における前記基本組成式で表わした圧
電磁器組成物において、組成範囲を限定したの
は、次の理由による。 Aは第2図より明らかなように、0.960モル未
満又は0.985モルを超えると圧電特性及びキユリ
ー点の改善効果が顕著でないから、0.960≦A≦
0.985とした。 Yが0.20モル未満、Zが0.375モルを超えた範
囲、又はYが0.40モルを超え、Zが0.075未満の
範囲ではK33又は、及びε33/ε0が小さくなる。 Wが0.70モル、Xが0.50モルをそれぞれ超え、
かつ(W+X)が0.7モルを超えた範囲ではTcが
低下し、又(W+X)が0.25モル未満の範囲では
ε33/ε0が小さくなる。 したがつて、前記のごとく、W、X、Y、Zの
組成範囲を前記のとおり限定した。 Pbの一部と置換されるCa、Sr、Baは、置換量
が5モル%を超えるとd33、K33、Tcが著しく低
下するので、5モル%以下に限定した。 Li2O、Na2O、SnO2、Cr2O3、Co2O3、NiO、
ZnO、Nb2O5はいずれもε33/ε0を改善する効果
があるが、Li2O、Na2O及びSnO2はそれぞれ5
モル%、Cr2O3、Co2O3はそれぞれ2モル%を超
えると磁器材料の固有抵抗が減少し、機械的応力
による破壊点が低下するので好ましくない。又、
NiO、ZnO及びNb2O5は、いずれもこの発明磁器
の基本組成を構成する成分であつて、これら酸化
物を過剰に添加すれば前記磁器の基本組成を乱す
ので、それぞれ3モル%以下に限定した。 次に、この発明の実施例について説明する。 原料を、第1表に示した組成になるように秤量
し、ボールミルにて湿式混合し850℃で2時間仮
焼きした後、再度ボールミルにて粒径1μ程度に
粉砕した。この粉砕粉を寸法5mm×5mm×12mmの
角棒状に加圧成形し、1200℃で1時間焼結を行つ
た。こうして得た焼結品の両面にAg電極を取付
け、100℃のシリコンオイル中で4KV/mmの直流
電界を30分間印加して分極処理を行つた。分極処
理後24時間を経過した製品磁器の圧電特性及びキ
ユリー点を測定した。その結果を第1表に示す。
なお、表中の試料No.に下線を付した試料No.11、
17、20は、この発明の組成範囲を外れた磁器で比
較例としてあげた。 第1表に示す結果より、比較例に比べ、いずれ
もd33、K33、ε33/ε0が著しく大きく、又Tcも非
常に高い。したがつて、この発明の実施により、
従来得ることができなかつた、すぐれた圧電特性
と高いキユリー点を有する圧電磁器を作ることが
できるのである。
したのち、分極電界を印加することによつて、電
気的に活性化し、その残留圧電特性を利用する磁
器組成物であつて、Pb(Zn1/3・Nb2/3)O3−Pb
(Ni1/3・Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の四成分
固溶系磁器におけるPb量を化学量論値より若干
減少せしめた磁器組成物に関する。 圧電磁器材料の代表的な用途の一つにスピーカ
ー、センサーなど電気音響変換子があるが、この
場合には小入力エネルギーに対して大きな変位と
応力が出力できることが望まれる。この種の用途
には、従来より、圧電定数(d31、d33)、電気機
械結合係数(K31、K33)及び誘電率(ε33/ε0)
などの圧電特性がすぐれた材料が要望されている
が、そうした材料の一つとしてPb(Zn1/3・Nb2/3)
O3−Pb(Ni1/3・Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3系
磁器(以下PZN−PNN−PT−PZと略称する)
は用いられており(特公昭49−4280号記載)、各
種の用途に合せて改良がなされてきた。 すなわち、上記組成においてPbの一部をCa、
Sr、Ba等で置換(特公昭48−8434号記載)、圧電
特性の改良がなされた。しかし、いずれにおいて
も個々の特色はあるが、圧電定数(以下d31,d33
と略称する)、電気機械結合係数(以下K31、K33
と略称する)、及び誘電率(以下ε33/ε0と略称す
る)が共に大きく、かつキユリー点(以下Tcと
略称する)が高く、特性すべてにすぐれた圧電磁
器材料は皆無であつた。 発明者は、PZN−PNN−PT−PZの四成分固
溶系磁器について、種々研究した結果、その四成
分系の特性組成範囲にあるもの、又その特定組成
範囲においてPbの一部をCa、Sr、Ba等で置換し
たもの、あるいはLi,Na,Sn,Cr等の酸化物を
添加含有することにより、d31、d33、K31、K33、
ε33/ε0が共に大きく、かつ通常の用途において
使用上支障を来たさない程度にTcが高い圧電磁
器組成物が得られることを知見した。 すなわち、第1図に示すPZN−PNN−PT−
PZ四成分固溶系磁器は、K31、K33分布の傾向と
ε33/ε0分布の傾向が異なるため、K31又はK33が
大となる組成を選定すると、ε33/ε0はそれに比
例して大きくならない場合と、逆に小さくなる場
合がある。又、ε33/ε0が大となる組成を選定す
ると、K31又はK33はそれに比例して大きくなら
ない場合と、逆に小さくなる場合がある。更に、
PZN又はPNN成分を増すとTcが低下するなどの
問題があつた。そして、Pbの一部をCa、Sr、Ba
等で置換した場合ε33/ε0は増大するが、Tcは大
巾に低下するため、置換前の基本組成材料のTc
が十分に大きくないと、置換後のTcは実用上支
障を来たすほどに低下する恐れがあつた。 発明者は、かかる現状にかんがみ、これら種々
の欠点を除くため、第1図に示す四成分固溶系磁
器を表わす基本組成式 PbA{(Zn1/3・Nb2/3)W・(Ni1/3・Nb2/3)X・TiY・
ZrZ}O3 ただし、W+X+Y+Z=1 において、組成Aについて研究を行つた結果、化
学量論値(A=1.00)より減少させることによ
り、d31、d33、K31、K33、ε33/ε0及びTcのいず
れをも増大できる組成が得られることを知つた。 その一例を示すと、上記基本組成式において、
W=X=0.225、Y=0.325、Z=0.225の組成にお
けるPbの組成Aを化学量論値より減少させて、
A=1.00モル〜0.96モルに変化させた場合のd33、
K33、Tcを測定した。その結果を第2図に示す。 その結果より、組成Aが1.00モルより減少する
に従つて、d33、K33、Tcはいずれも増大するこ
とがわかる。しかし、A=0.975モル前後の極大
点をすぎ、更に減少させればd33、K33、Tcはい
ずれも急激に減少する。 この知見に基いて、d31、d33、K31、K33、
ε33/ε0が共に大きく、かつTcが通常の使用にお
いて支障を来たさない程度に高い組成範囲を前記
基本組成式において求めると、 0.960≦A≦0.985 0<W≦0.70 0<X≦0.50 ただし、0.25≦W+X≦0.70 0.20≦Y≦0.40 0.075≦Z≦0.375 を満足する組成範囲である。 この発明は、かかる組成範囲よりなる圧電磁器
組成物にして、前記圧電特性及びTcを満足する
ものを基本組成とする。 又、上記基本組成において、Pbの5モル%以
下をCa、Sr、Ba原子の少なくとも1種で置換し
た圧電磁器組成物を含む。この場合も、d31、
d33、K31、K33、ε33/ε0が共に大きく、かつTcも
実用上支障をきたさない程度に高い圧電材料が得
られることがわかる。なお、Pbの一部をCa、
Sr、Ba原子の少なくとも1種で置換すれば、前
記基本組成式の組成Aが減少するが、置換前のA
量は置換後のA量とCa、Sr、Ba原子の置換量の
和に等しい。 更に、この発明は前記基本組成、又はその基本
組成のPbの5モル%以下をCa、Sr、Ba原子の少
なくとも1種で置換したものに、Li2O5モル%以
下、Na2O5モル%以下、SnO25モル%以下、
Cr2O32モル%以下、Co2O32モル%以下、NiO3モ
ル%以下、ZnO3モル%以下、Nb2O53モル%以下
の少なくとも1種を含有したものを含む。なお、
この場合は焼成により上記酸化物を生成するもの
を添加してもよい。この場合も、すぐれた圧電特
性及びTcが得られる。 この発明の磁器組成物を製造する際は、原料と
してPbO、NiO、ZnO、Nb2O5、TiO2、ZrO2、
BaCO3、SrCO3、CaCO3、Cr2O3、Co2O3、
SnO2、Li2O、Na2Oを所要の組成が得られるよ
うに配合する。 なお、必要に応じては、加熱により上記原料酸
化物に分解する化合物、例えばPbOはPb3O4、
NiOはNiCO3、CaCOはCa(HCO3)2、Cr2O3は
CrO3、Li2OはLiCO3等の形で配合するか、又そ
れら酸化物相互の化合物を原料として使用でき
る。 又、原料の一つであるZrO2には、しばしば少
量のHfを含有するため、混合結晶中の4価金属
原子の位置の一部をHf原子が占めることが考え
られるが、HfはZrに比べ高価であり、工業的製
造における使用は原価の高騰を来たすので、この
発明ではZrの一部をHfで置換することは考えず、
又Zr中に存在する微量のHfは無視して考える。 さらに、Nb2O5には数%以下のTa2O5が混入す
ることがあるが、Ta2O5はNb2O5と化学的に類似
の特性を示す。そのため、Nb2O5の50%以下を
Ta2O5で置換した組成物の圧電特性は、Nb2O5の
みを含有する組成物とほぼ同等の圧電特性が得ら
れるので、数%以下のTa2O5が混入したNb2O5を
使つても配合上何ら問題は起らない。 この発明における前記基本組成式で表わした圧
電磁器組成物において、組成範囲を限定したの
は、次の理由による。 Aは第2図より明らかなように、0.960モル未
満又は0.985モルを超えると圧電特性及びキユリ
ー点の改善効果が顕著でないから、0.960≦A≦
0.985とした。 Yが0.20モル未満、Zが0.375モルを超えた範
囲、又はYが0.40モルを超え、Zが0.075未満の
範囲ではK33又は、及びε33/ε0が小さくなる。 Wが0.70モル、Xが0.50モルをそれぞれ超え、
かつ(W+X)が0.7モルを超えた範囲ではTcが
低下し、又(W+X)が0.25モル未満の範囲では
ε33/ε0が小さくなる。 したがつて、前記のごとく、W、X、Y、Zの
組成範囲を前記のとおり限定した。 Pbの一部と置換されるCa、Sr、Baは、置換量
が5モル%を超えるとd33、K33、Tcが著しく低
下するので、5モル%以下に限定した。 Li2O、Na2O、SnO2、Cr2O3、Co2O3、NiO、
ZnO、Nb2O5はいずれもε33/ε0を改善する効果
があるが、Li2O、Na2O及びSnO2はそれぞれ5
モル%、Cr2O3、Co2O3はそれぞれ2モル%を超
えると磁器材料の固有抵抗が減少し、機械的応力
による破壊点が低下するので好ましくない。又、
NiO、ZnO及びNb2O5は、いずれもこの発明磁器
の基本組成を構成する成分であつて、これら酸化
物を過剰に添加すれば前記磁器の基本組成を乱す
ので、それぞれ3モル%以下に限定した。 次に、この発明の実施例について説明する。 原料を、第1表に示した組成になるように秤量
し、ボールミルにて湿式混合し850℃で2時間仮
焼きした後、再度ボールミルにて粒径1μ程度に
粉砕した。この粉砕粉を寸法5mm×5mm×12mmの
角棒状に加圧成形し、1200℃で1時間焼結を行つ
た。こうして得た焼結品の両面にAg電極を取付
け、100℃のシリコンオイル中で4KV/mmの直流
電界を30分間印加して分極処理を行つた。分極処
理後24時間を経過した製品磁器の圧電特性及びキ
ユリー点を測定した。その結果を第1表に示す。
なお、表中の試料No.に下線を付した試料No.11、
17、20は、この発明の組成範囲を外れた磁器で比
較例としてあげた。 第1表に示す結果より、比較例に比べ、いずれ
もd33、K33、ε33/ε0が著しく大きく、又Tcも非
常に高い。したがつて、この発明の実施により、
従来得ることができなかつた、すぐれた圧電特性
と高いキユリー点を有する圧電磁器を作ることが
できるのである。
【表】
第1図はこの発明における基本組成の四元組成
図、第2図は組成Aと圧電特性(d33、K33)及び
キユリー点(Tc)との関係を示す図表である。
図、第2図は組成Aと圧電特性(d33、K33)及び
キユリー点(Tc)との関係を示す図表である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基本組成式を PbA{(Zn1/3・Nb2/3)W・(Ni1/3・Nb2/3)X・TiY・
ZrZ}O3 と表わし、 W+X+Y+Z=1 としたとき、組成範囲を限定するA、W、X、
Y、Zが下記式を満足する組成よりなることを特
徴とする圧電磁器組成物。 0.960≦A≦0.985 0W≦0.70 0X≦0.50 ただし、0.25≦W+X≦0.70 0.20≦Y≦0.40 0.075≦Z≦0.375 2 基本組成式を PbA{(Zn1/3・Nb2/3)W・(Ni1/3・Nb2/3)X・TiY・
ZrZ}O3 と表わし、 W+X+Y+Z=1 としたとき、組成範囲を限定するA、W、X、
Y、Zが下記式を満足する組成よりなる圧電磁器
組成物において、Pbの5モル%までをCa、Sr、
Ba原子の少なくとも1種で置換することを特徴
とする圧電磁器組成物。 0.960≦A≦0.985 0W≦0.70 0X≦0.50 ただし、0.25≦W+X≦0.70 0.20≦Y≦0.40 0.075≦Z≦0.375 3 基本組成式を PbA{(Zn1/3・Nb2/3)W・(Ni1/3・Nb2/3)X・TiY・
ZrZ}O3 と表わし、 W+X+Y+Z=1 としたとき、組成範囲を限定するA、W、X、
Y、Zが下記式を満足する組成物に、 Li2O 5モル%以下、Na2O 5モル%以下、 SnO2 5モル%以下、Cr2O3 2モル%以下、 Co2O3 2モル%以下、NiO 3モル%以下、 ZnO 3モル%以下、Nb2O5 3モル%以下、 の少なくとも1種を含有することを特徴とする圧
電磁器組成物。 0.960≦A≦0.985 0W≦0.70 0X≦0.50 ただし、0.25≦W+X≦0.70 0.20≦Y≦0.40 0.075≦Z≦0.375 4 基本組成式を PbA{(Zn1/3・Nb2/3)W・(Ni1/3・Nb2/3)X・TiY・
ZrZ}O3 と表わし、 W+X+Y+Z=1 としたとき、組成範囲を限定するA、W、X、
Y、Zが下記式を満足する組成よりなる圧電磁器
組成物において、Pbの5モル%までをCa、Sr、
Ba原子の少なくとも1種で置換し、かつ Li2O 5モル%以下、Na2O 5モル%以下、 SnO2 5モル%以下、Cr2O3 2モル%以下、 Co2O3 2モル%以下、NiO 3モル%以下、 ZnO 3モル%以下、Nb2O5 3モル%以下、 の少なくとも1種を含有することを特徴とする圧
電磁器組成物。 0.960≦A≦0.985 0W≦0.70 0X≦0.50 ただし、0.25≦W+X≦0.70 0.20≦Y≦0.40 0.075≦Z≦0.375
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58207850A JPS60103079A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 圧電磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58207850A JPS60103079A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 圧電磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60103079A JPS60103079A (ja) | 1985-06-07 |
JPS647032B2 true JPS647032B2 (ja) | 1989-02-07 |
Family
ID=16546559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58207850A Granted JPS60103079A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 圧電磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60103079A (ja) |
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US6979410B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-12-27 | Tdk Corporation | Piezoelectric ceramic, method of manufacturing the same and piezoelectric device |
JP3678234B2 (ja) | 2002-07-25 | 2005-08-03 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電部品の製造方法、及び積層型電子部品 |
JP4389230B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2009-12-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物、及び圧電素子 |
JP4547632B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-09-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物および圧電アクチュエータ |
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JP5196124B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2013-05-15 | Tdk株式会社 | 圧電磁器組成物および積層型圧電素子 |
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KR20160015791A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 삼성전기주식회사 | 압전 세라믹 조성물 및 이를 포함하는 압전 소자와 압전 진동 모듈 |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP58207850A patent/JPS60103079A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60103079A (ja) | 1985-06-07 |
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