JPS643050B2 - - Google Patents
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- JPS643050B2 JPS643050B2 JP54129761A JP12976179A JPS643050B2 JP S643050 B2 JPS643050 B2 JP S643050B2 JP 54129761 A JP54129761 A JP 54129761A JP 12976179 A JP12976179 A JP 12976179A JP S643050 B2 JPS643050 B2 JP S643050B2
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- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000013139 quantization Methods 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
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- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 7
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路のパターン描画を行うフオ
トマスクの形状チエツク装置に関する。
トマスクの形状チエツク装置に関する。
一般に集積回路のパターン描画に使用されるレ
テイクル等のフオトマスク（以下、フオトマスク
の１例であるレテイクルについて記す。）は、半
導体部品製造に要求される超精密性を十分満足さ
せることができる画像性能（形状精度）を備えて
いることが要求されている。このため従来レテイ
クルをＸ−Ｙステージに載置し、これをITVカ
メラで撮像してその出力を２値化してから予めド
ツト変換しておいた集積回路の設計パターンのホ
ーマツトデータと比較することにより、レテイク
ルの形状チエツクを行つていた。
テイクル等のフオトマスク（以下、フオトマスク
の１例であるレテイクルについて記す。）は、半
導体部品製造に要求される超精密性を十分満足さ
せることができる画像性能（形状精度）を備えて
いることが要求されている。このため従来レテイ
クルをＸ−Ｙステージに載置し、これをITVカ
メラで撮像してその出力を２値化してから予めド
ツト変換しておいた集積回路の設計パターンのホ
ーマツトデータと比較することにより、レテイク
ルの形状チエツクを行つていた。
しかしながら、このようにITVカメラでレテ
イクルを撮像して形状チエツクを行うものでは、
ITVカメラの偏向歪のため高い精度でレテイク
ルの形状チエツクをすることができない問題があ
つた。
イクルを撮像して形状チエツクを行うものでは、
ITVカメラの偏向歪のため高い精度でレテイク
ルの形状チエツクをすることができない問題があ
つた。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであ
り、極めて高精度にフオトマスクのパターンの形
状チエツクを行うことができるフオトマスクの形
状チエツク装置を提供するものである。
り、極めて高精度にフオトマスクのパターンの形
状チエツクを行うことができるフオトマスクの形
状チエツク装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明に係るフオトマスクの形状チ
エツク装置の一実施例の概略構成を示すブロツク
図である。このフオトマスク（以下、フオトマス
クの１例であるレテイクルについて記す。）の形
状チエツク装置１は、形状チエツクを行うレテイ
クル２を光学系によつて固体撮像素子に写像せし
めてそのビデオ信号を出力する画像入力部３を有
している。画像入力部３の出力は量子化回路４で
量子化（２値化）されてから形状比較判断部５に
供給されるようになつている。
エツク装置の一実施例の概略構成を示すブロツク
図である。このフオトマスク（以下、フオトマス
クの１例であるレテイクルについて記す。）の形
状チエツク装置１は、形状チエツクを行うレテイ
クル２を光学系によつて固体撮像素子に写像せし
めてそのビデオ信号を出力する画像入力部３を有
している。画像入力部３の出力は量子化回路４で
量子化（２値化）されてから形状比較判断部５に
供給されるようになつている。
形状比較判断部５には、データフアイル６に集
録された集積回路の設計パターンデータを予め大
型計算機７でフオーマツトデータに変換してから
更にこれをドツト変換部８でドツト変換したもの
が供給されるようになつている。形状比較判断部
５は、量子化回路４の出力によつてレテイクル２
の形状を判定し、これとドツト変換部８から供給
された集積回路の設計パターンとを比較してレテ
イクル２の異常パターンを検出する機能を有して
いる。形状比較判断部５で検出されたレテイクル
２の異常パターンは、異常パターン表示部９に表
示されるようになつている。
録された集積回路の設計パターンデータを予め大
型計算機７でフオーマツトデータに変換してから
更にこれをドツト変換部８でドツト変換したもの
が供給されるようになつている。形状比較判断部
５は、量子化回路４の出力によつてレテイクル２
の形状を判定し、これとドツト変換部８から供給
された集積回路の設計パターンとを比較してレテ
イクル２の異常パターンを検出する機能を有して
いる。形状比較判断部５で検出されたレテイクル
２の異常パターンは、異常パターン表示部９に表
示されるようになつている。
ここで、前記レテイクル２は、第２図に示す如
くＸ−Ｙステージ１０に載置されている。Ｘ−Ｙ
ステージ１０の下方には光源１１と集光レンズ１
２が、設けられており、光源１１から発せられた
光はレテイクル２を透過して、自動焦点調整機構
１３によつて焦点調整された拡大レンズ１４で集
光された後、画像入力部３に設けられた例えば
CCD（Charge Coupled Device）ラインセンサー
等の固体撮像素子３ａに入射してレテイクル２の
横方向（以下Ｘ座標と記す。）の所定位置の像を
写像するようになつている。
くＸ−Ｙステージ１０に載置されている。Ｘ−Ｙ
ステージ１０の下方には光源１１と集光レンズ１
２が、設けられており、光源１１から発せられた
光はレテイクル２を透過して、自動焦点調整機構
１３によつて焦点調整された拡大レンズ１４で集
光された後、画像入力部３に設けられた例えば
CCD（Charge Coupled Device）ラインセンサー
等の固体撮像素子３ａに入射してレテイクル２の
横方向（以下Ｘ座標と記す。）の所定位置の像を
写像するようになつている。
前述の光源１１等で構成された光学系が写像す
るＸ−Ｙステージ１０上のレテイクル２の位置
は、中央演算装置１５の指令を受けて作動するレ
ーザ測長制御部１６によつて、Ｘ−Ｙステージ１
０のＸ座標方向及びＹ座標方向の移動量を測定す
ることにより検出されるようになつている。
るＸ−Ｙステージ１０上のレテイクル２の位置
は、中央演算装置１５の指令を受けて作動するレ
ーザ測長制御部１６によつて、Ｘ−Ｙステージ１
０のＸ座標方向及びＹ座標方向の移動量を測定す
ることにより検出されるようになつている。
このレーザ測長制御部１６は、第３図に示す如
くレーザートランスデユーサー１６ａからレーザ
を発振し、このレーザをビームペンダ１６ｂで屈
折させてビームスプリツタ１６ｃに導き、ビーム
スプリツタ１６ｃでＸ方向とＹ方向の２つのビー
ムに分けて各々のビームをプレーンミラーインタ
ーフエロメータ１６ｄを介してＸ−Ｙステージ１
０のプレーンミラー１６ｅに導いて反射させた
後、この反射ビームをプレーンミラフエロメータ
１６ｄで干渉させてＸ・Ｙ各々のレシーバー１６
ｆに供給し、光学系が写像している状態のＸ−Ｙ
ステージ１０のＸ座標及びＹ座標を検出するよう
になつている。
くレーザートランスデユーサー１６ａからレーザ
を発振し、このレーザをビームペンダ１６ｂで屈
折させてビームスプリツタ１６ｃに導き、ビーム
スプリツタ１６ｃでＸ方向とＹ方向の２つのビー
ムに分けて各々のビームをプレーンミラーインタ
ーフエロメータ１６ｄを介してＸ−Ｙステージ１
０のプレーンミラー１６ｅに導いて反射させた
後、この反射ビームをプレーンミラフエロメータ
１６ｄで干渉させてＸ・Ｙ各々のレシーバー１６
ｆに供給し、光学系が写像している状態のＸ−Ｙ
ステージ１０のＸ座標及びＹ座標を検出するよう
になつている。
このようにしてレーザ測長制御部１６で得られ
たＸ座標値及びＹ座標値と、中央演算装置１５か
らレーザ測長制御部１６に供給される光学系が写
像すべき所定のＸ設定座標値とＹ設定座標値とに
よつて、Ｘ座標及びＹ座標における読取値の位置
のずれが演算される。このＸ・Ｙ両読取位置のズ
レ量は、Ｘ−Ｙステージ制御部１７に伝送され、
第４図に示す如くＸ，Ｙ各々のステージ制御部１
７ａ，１７ｂからＸ，Ｙ両モータードライバー１
７ｃ，１７ｄを介してＸ，Ｙ両ドライブモーター
１７ｅ，１７ｆに伝送されるとともに、中央演算
装置１５のインタフエース１５ａから供給される
Ｘ−Ｙステージ１０の送り情報とによつて所定の
Ｘ設定座標の位置出しとＹ設定座標の位置出し及
び指定座標間のＸ−Ｙステージ１０の定速連続送
りを行うようになつている。尚、Ｘ−Ｙステージ
１０の位置の制御は手動送り情報１９によつても
行えるようになつている。
たＸ座標値及びＹ座標値と、中央演算装置１５か
らレーザ測長制御部１６に供給される光学系が写
像すべき所定のＸ設定座標値とＹ設定座標値とに
よつて、Ｘ座標及びＹ座標における読取値の位置
のずれが演算される。このＸ・Ｙ両読取位置のズ
レ量は、Ｘ−Ｙステージ制御部１７に伝送され、
第４図に示す如くＸ，Ｙ各々のステージ制御部１
７ａ，１７ｂからＸ，Ｙ両モータードライバー１
７ｃ，１７ｄを介してＸ，Ｙ両ドライブモーター
１７ｅ，１７ｆに伝送されるとともに、中央演算
装置１５のインタフエース１５ａから供給される
Ｘ−Ｙステージ１０の送り情報とによつて所定の
Ｘ設定座標の位置出しとＹ設定座標の位置出し及
び指定座標間のＸ−Ｙステージ１０の定速連続送
りを行うようになつている。尚、Ｘ−Ｙステージ
１０の位置の制御は手動送り情報１９によつても
行えるようになつている。
このようにレテイクル２の２次元情報（写像）
は、第５図に示す如くＸ−Ｙステージ１０を所定
速度でＹ方向に移動させるとともに、これと同期
して固体撮像素子３ａをスキヤンさせて固体撮像
素子３ａの所定ビツト幅に対応するレテイクル２
の面積を写像し、同様の操作をＸ方向について固
体撮像素子３ａのスキヤン幅Ａが僅に重なるよう
にしてＸ−Ｙステージ１０を移動させることによ
り行われるようになつている。
は、第５図に示す如くＸ−Ｙステージ１０を所定
速度でＹ方向に移動させるとともに、これと同期
して固体撮像素子３ａをスキヤンさせて固体撮像
素子３ａの所定ビツト幅に対応するレテイクル２
の面積を写像し、同様の操作をＸ方向について固
体撮像素子３ａのスキヤン幅Ａが僅に重なるよう
にしてＸ−Ｙステージ１０を移動させることによ
り行われるようになつている。
例えば、固体撮像素子３ａとして1728bitの
CCDラインセンサーを用いて写像を行つた場合、
このCCDラインセンサーの補正幅が±50bitであ
り、写像時のＸ方向のずれ量が零の場合そのスキ
ヤン幅は第６図Ａに示す如く、50〜1678bitであ
る。そしてずれ量がＸ方向に20bitであつた場合、
CCDラインセンサーの補正されたスキヤン幅は
30〜1658bitである。また、Ｙ方向のずれ量に対
しては、同図Ｂに示す如くこのずれ量に基づいて
CCDラインセンサーのスキヤン開始位置を例え
ばAY1或はAY2の如く指定することにより補正
されるようになつている。
CCDラインセンサーを用いて写像を行つた場合、
このCCDラインセンサーの補正幅が±50bitであ
り、写像時のＸ方向のずれ量が零の場合そのスキ
ヤン幅は第６図Ａに示す如く、50〜1678bitであ
る。そしてずれ量がＸ方向に20bitであつた場合、
CCDラインセンサーの補正されたスキヤン幅は
30〜1658bitである。また、Ｙ方向のずれ量に対
しては、同図Ｂに示す如くこのずれ量に基づいて
CCDラインセンサーのスキヤン開始位置を例え
ばAY1或はAY2の如く指定することにより補正
されるようになつている。
更に、Ｘ座標における読取位置のずれ量は、レ
ーザ測長制御部１６から補正制御部１８、シリア
ルパラレル変換転送部２０量子化回路４を経て画
像入力部３のセンサー制御部３ｂに供給される。
センサー制御部３ｂはこの信号に基づいて第７図
に示す如く、固体撮像素子３ａのスキヤン制御を
行い、Ｘ−Ｙステージ１０の走行に伴う揺らぎ誤
差を補正するようになつている。
ーザ測長制御部１６から補正制御部１８、シリア
ルパラレル変換転送部２０量子化回路４を経て画
像入力部３のセンサー制御部３ｂに供給される。
センサー制御部３ｂはこの信号に基づいて第７図
に示す如く、固体撮像素子３ａのスキヤン制御を
行い、Ｘ−Ｙステージ１０の走行に伴う揺らぎ誤
差を補正するようになつている。
このようにしてセンサー制御部３ｂによつてス
キヤン制御された固体撮像素子３ａに写像された
レテイクル２のビデオ信号は、画像入力部３から
量子化回路４に供給されて量子化された後、シリ
アルパラレル変換転送部２０を介してバツフアメ
モリ２１に供給されるようになつている。
キヤン制御された固体撮像素子３ａに写像された
レテイクル２のビデオ信号は、画像入力部３から
量子化回路４に供給されて量子化された後、シリ
アルパラレル変換転送部２０を介してバツフアメ
モリ２１に供給されるようになつている。
シリアルパラレル変換転送部２０では、量子化
された写像のビデオ信号がシフトレジスタに入力
され、Ｘ−Ｙステージ１０に載置されたレテイク
ル２のＸ方向の読取行の射影が形成される。この
読取行の射影信号は、第８図に示す如く、画像入
力バツフアメモリ２１に書き込まれる。画像入力
バツフアメモリ２１に書き込まれた射影信号は、
中央演算装置１５によつて読み出すことができる
とともに、表示制御部２２を介してパターン表示
部２３に表示されるようになつている。
された写像のビデオ信号がシフトレジスタに入力
され、Ｘ−Ｙステージ１０に載置されたレテイク
ル２のＸ方向の読取行の射影が形成される。この
読取行の射影信号は、第８図に示す如く、画像入
力バツフアメモリ２１に書き込まれる。画像入力
バツフアメモリ２１に書き込まれた射影信号は、
中央演算装置１５によつて読み出すことができる
とともに、表示制御部２２を介してパターン表示
部２３に表示されるようになつている。
一方、ドツト変換部８でドツト変換された設計
パターンデータは、画像入力部３の連続読出し動
作に対応させるため２ブロツクの設計データバツ
フアメモリ２４ａ，２４ｂに書き込まれるように
なつている。この設計データバツフアメモリ２４
ａ，２４ｂに書き込まれた内容は、中央演算装置
１５によつて読み出すことができるとともに、表
示制御部２５を介してパターン表示部２６に表示
されるようになつている。
パターンデータは、画像入力部３の連続読出し動
作に対応させるため２ブロツクの設計データバツ
フアメモリ２４ａ，２４ｂに書き込まれるように
なつている。この設計データバツフアメモリ２４
ａ，２４ｂに書き込まれた内容は、中央演算装置
１５によつて読み出すことができるとともに、表
示制御部２５を介してパターン表示部２６に表示
されるようになつている。
また、設計データバツフアメモリ２４ａ，２４
ｂに書き込まれた設計パターンデータは、読出し
パラレルシリアル変換部２７に設けられたシフト
レジスタを介してイクスクルーシブオア回路２８
の一方の入力端に供給されるようになつている。
イクスクルーシブオア回路２８の他方の入力端に
は、量子化回路４で量子化されたレテイクル２の
写像のビデオ信号が入力される。そして、このイ
クスクルージブオア回路２８では設計パターンデ
ータとレテイクル２の写像ビデオ信号のイクスク
ルージブオアが演算され、その演算値は異常パタ
ーン検出部２９に供給されてレテイクル２の形状
の異常箇所が検出される。異常パターン検出部２
９で検出されたレテイクル２の異常パターンは、
中央演算装置１５によつて読み出されパターン表
示部２６に表示されるようになつている。
ｂに書き込まれた設計パターンデータは、読出し
パラレルシリアル変換部２７に設けられたシフト
レジスタを介してイクスクルーシブオア回路２８
の一方の入力端に供給されるようになつている。
イクスクルーシブオア回路２８の他方の入力端に
は、量子化回路４で量子化されたレテイクル２の
写像のビデオ信号が入力される。そして、このイ
クスクルージブオア回路２８では設計パターンデ
ータとレテイクル２の写像ビデオ信号のイクスク
ルージブオアが演算され、その演算値は異常パタ
ーン検出部２９に供給されてレテイクル２の形状
の異常箇所が検出される。異常パターン検出部２
９で検出されたレテイクル２の異常パターンは、
中央演算装置１５によつて読み出されパターン表
示部２６に表示されるようになつている。
尚、量子化回路４の動作、レーザ測長制御部１
６の動作、Ｘ−Ｙステージ制御部１７の動作、シ
リアル・パラレル変換転送部２０の動作、読出し
パラレル・シリアル変換部２７の動作、及びイク
スクルーシブオア回路２８の動作は、固体撮像素
子３ａの動作と同期して行われるようになつてい
る。
６の動作、Ｘ−Ｙステージ制御部１７の動作、シ
リアル・パラレル変換転送部２０の動作、読出し
パラレル・シリアル変換部２７の動作、及びイク
スクルーシブオア回路２８の動作は、固体撮像素
子３ａの動作と同期して行われるようになつてい
る。
このように構成されたレテイクルの形状チエツ
ク装置では、Ｘ−Ｙステージ１０に載置されたレ
テイクル２を撮像する際に生ずるアライメント誤
差AX，AY（レテイクル２をＸ−Ｙステージ１０に
セツトしたときのＸ−Ｙステージ１０とレテイク
ルパターンの平行度差）、直交度誤差Ｄ（レテイク
ル２の直交度誤差）、長さの誤差LX，LY（レテイ
クルパターンの長さ誤差）は、レテイクル２の撮
像を行う前に第９図Ａに示す如くレテイクル２の
パターン領域２ａの外部３角に基準マーク（Ａ，
Ｂ，Ｃ，）を設けてこの基準マーク（Ａ，Ｂ，
Ｃ，）の位置を同図Ｂに示す如く検出することに
より算出することができる。
ク装置では、Ｘ−Ｙステージ１０に載置されたレ
テイクル２を撮像する際に生ずるアライメント誤
差AX，AY（レテイクル２をＸ−Ｙステージ１０に
セツトしたときのＸ−Ｙステージ１０とレテイク
ルパターンの平行度差）、直交度誤差Ｄ（レテイク
ル２の直交度誤差）、長さの誤差LX，LY（レテイ
クルパターンの長さ誤差）は、レテイクル２の撮
像を行う前に第９図Ａに示す如くレテイクル２の
パターン領域２ａの外部３角に基準マーク（Ａ，
Ｂ，Ｃ，）を設けてこの基準マーク（Ａ，Ｂ，
Ｃ，）の位置を同図Ｂに示す如く検出することに
より算出することができる。
このようにして得られたアライメント誤差AX，
AYとレテイクル２の直交度誤差θと長さの誤差
LX，LYから任意のＹ座標NYにおけるＸ成分の補
正値RXは、次式によつて表わされる。
AYとレテイクル２の直交度誤差θと長さの誤差
LX，LYから任意のＹ座標NYにおけるＸ成分の補
正値RXは、次式によつて表わされる。
RX＝SX＋NY・（AY＋θ）／TY′ （）
但し
SXはＸ−Ｙステージ１０のＹ方向移動の際
におけるゆらぎ幅 TY′はレテイクル２のＹ方向の実測値で TY′＝（TY−LY）で得られる。TYは設定値 また、任意のＸ座標NXにおけるＹ成分の補正
値RYは、次式（）によつて表わされる。
におけるゆらぎ幅 TY′はレテイクル２のＹ方向の実測値で TY′＝（TY−LY）で得られる。TYは設定値 また、任意のＸ座標NXにおけるＹ成分の補正
値RYは、次式（）によつて表わされる。
RY＝NY・AX／TX′ （）
但し
TX′はレテイクル２のＸ方向の実測値で
TX′（TX−LX）で得られる。TXは設定値、
このＸ成分の補正値RXとＹ成分の補正値RYは、
Ｘ−Ｙステージ１０にレテイクル２を載置してＸ
−Ｙステージ１０の位置をＸ−Ｙステージ制御部
１７で制御しながら任意の位置の撮像を行つた際
に、レーザ測長制御部１６で得られたＸ座標値及
びＹ座標値と中央演算装置１５から与えられたＸ
設定値及びＹ設定値とを第１０図Ａ及び同図Ｂに
示す如く補正制御１８で演算することにより得ら
れる。
Ｘ−Ｙステージ１０にレテイクル２を載置してＸ
−Ｙステージ１０の位置をＸ−Ｙステージ制御部
１７で制御しながら任意の位置の撮像を行つた際
に、レーザ測長制御部１６で得られたＸ座標値及
びＹ座標値と中央演算装置１５から与えられたＸ
設定値及びＹ設定値とを第１０図Ａ及び同図Ｂに
示す如く補正制御１８で演算することにより得ら
れる。
このようにして得られた両補正値RX，RYを補
正制御部１８から画像入力部３のセンサー制御部
３ｂに供給することにより、第７図で示した如く
Ｘ−Ｙステージ１０のＹ方向移動の際のゆらぎ誤
差は、Ｘ成分の補正値RXに従つて固体撮像素子
３ａの読取開始ビツト番地を指定して自動補正さ
れる。また、Ｘ−Ｙステージ１０のＸ方向の移動
に伴う誤差は、第６図Ａ及び同図Ｂに示した如く
Ｙ成分の補正値RYに従つて固体撮像素子３ａの
スキヤン幅及びデータ転送開始信号を指定するこ
とにより自動補正される。
正制御部１８から画像入力部３のセンサー制御部
３ｂに供給することにより、第７図で示した如く
Ｘ−Ｙステージ１０のＹ方向移動の際のゆらぎ誤
差は、Ｘ成分の補正値RXに従つて固体撮像素子
３ａの読取開始ビツト番地を指定して自動補正さ
れる。また、Ｘ−Ｙステージ１０のＸ方向の移動
に伴う誤差は、第６図Ａ及び同図Ｂに示した如く
Ｙ成分の補正値RYに従つて固体撮像素子３ａの
スキヤン幅及びデータ転送開始信号を指定するこ
とにより自動補正される。
このようにしてＸ−Ｙステージ１０に載置され
たレテイクル２の写像は極めて正確な像として２
値化されて画像入力バツフアメモリ２１に書き込
まれる。そして必要に応じて中央演算装置１５で
指令することによりパターン表示部２３すること
ができる。
たレテイクル２の写像は極めて正確な像として２
値化されて画像入力バツフアメモリ２１に書き込
まれる。そして必要に応じて中央演算装置１５で
指令することによりパターン表示部２３すること
ができる。
一方、データフアイル６に集録されている設計
パターンのデータは、ドツト変換されて設計デー
タバツフアメモリ２４ａ，２４ｂに書き込まれて
いる。従つて、この設計データバツフアメモリ２
４ａ，２４ｂと画像入力バツフアメモリ２１の書
き込み情報（写像された像と設計データの値）と
を中央演算装置１５で読み出し、イクスクルーシ
ブオア回路２８で両者の演算を行つて異常パター
ン検出部２９でレテイクル２の異常パターンを検
出することができる。この異常パターンはパター
ン表示部２６によつて表示され目視によつて確認
することができる。
パターンのデータは、ドツト変換されて設計デー
タバツフアメモリ２４ａ，２４ｂに書き込まれて
いる。従つて、この設計データバツフアメモリ２
４ａ，２４ｂと画像入力バツフアメモリ２１の書
き込み情報（写像された像と設計データの値）と
を中央演算装置１５で読み出し、イクスクルーシ
ブオア回路２８で両者の演算を行つて異常パター
ン検出部２９でレテイクル２の異常パターンを検
出することができる。この異常パターンはパター
ン表示部２６によつて表示され目視によつて確認
することができる。
以上説明した如く、本発明に係るレテイクルの
形状チエツク装置では、Ｘ−Ｙステージに載置さ
れたレテイクルを固体撮像素子で撮像し、この撮
像されたビデオ信号の２値化したものと設計パタ
ーンデータのドツト変換したものとを比較すると
ともに、Ｘ−Ｙステージの移動操作と固体撮像素
子の撮像操作とを同期してＸ−Ｙステージの移動
に伴う測定誤差を自動補正するようにしたので、
極めて正確にレテイクル等フオトマスクの異常パ
ターンを検出することができる等顕著な効果を有
するものである。
形状チエツク装置では、Ｘ−Ｙステージに載置さ
れたレテイクルを固体撮像素子で撮像し、この撮
像されたビデオ信号の２値化したものと設計パタ
ーンデータのドツト変換したものとを比較すると
ともに、Ｘ−Ｙステージの移動操作と固体撮像素
子の撮像操作とを同期してＸ−Ｙステージの移動
に伴う測定誤差を自動補正するようにしたので、
極めて正確にレテイクル等フオトマスクの異常パ
ターンを検出することができる等顕著な効果を有
するものである。
第１図は、本発明の一実施例の概略ブロツク
図、第２図は、同実施例の撮像系の構成を示すブ
ロツク図、第３図は、同実施例のレーザ測長制御
部の構成を示すブロツク図、第４図は、同実施例
のＸ−Ｙステージ制御部の構成を示すブロツク
図、第５図は、同実施例の固体撮像素子の走査方
向を示す説明図、第６図Ａは、同実施例の固体撮
像素子のスキヤン幅の補正の仕方を示す説明図、
同図Ｂは同固体撮像素子のＹ方向の補正幅を示す
説明図、第７図は、同実施例のＸ−Ｙステージの
Ｙ方向の走行に伴うゆらぎ誤差の補正方法を示す
説明図、第８図は、同実施例の撮像信号と設計パ
ターンデータとの比較回路の構成を示すブロツク
図、第９図Ａ及び同図Ｂは、同実施例のＸ−Ｙス
テージにレテイクルを載置した際の設置誤差の補
正方法を示す説明図、第１０図Ａ及び同図Ｂは、
同実施例のＸ−Ｙステージに載置されたレテイク
ルのＸ成分及びＹ成分の補正値の算出方法を示す
説明図である。 １……フオトマスクの形状チエツク装置、２…
…レテイクル、３……画像入力部、４……量子化
回路、５……形状比較判断部、８……ドツト変換
部、９……異常パターン表示部、１５……中央演
算装置、１６……レーザ測長制御部、１７……Ｘ
−Ｙステージ制御部、１８……補正制御部。
図、第２図は、同実施例の撮像系の構成を示すブ
ロツク図、第３図は、同実施例のレーザ測長制御
部の構成を示すブロツク図、第４図は、同実施例
のＸ−Ｙステージ制御部の構成を示すブロツク
図、第５図は、同実施例の固体撮像素子の走査方
向を示す説明図、第６図Ａは、同実施例の固体撮
像素子のスキヤン幅の補正の仕方を示す説明図、
同図Ｂは同固体撮像素子のＹ方向の補正幅を示す
説明図、第７図は、同実施例のＸ−Ｙステージの
Ｙ方向の走行に伴うゆらぎ誤差の補正方法を示す
説明図、第８図は、同実施例の撮像信号と設計パ
ターンデータとの比較回路の構成を示すブロツク
図、第９図Ａ及び同図Ｂは、同実施例のＸ−Ｙス
テージにレテイクルを載置した際の設置誤差の補
正方法を示す説明図、第１０図Ａ及び同図Ｂは、
同実施例のＸ−Ｙステージに載置されたレテイク
ルのＸ成分及びＹ成分の補正値の算出方法を示す
説明図である。 １……フオトマスクの形状チエツク装置、２…
…レテイクル、３……画像入力部、４……量子化
回路、５……形状比較判断部、８……ドツト変換
部、９……異常パターン表示部、１５……中央演
算装置、１６……レーザ測長制御部、１７……Ｘ
−Ｙステージ制御部、１８……補正制御部。
Claims (1)
- １ 集積回路の設計パターンのホーマツトデータ
をドツトに変換するドツト変換部と、前記集積回
路のパターンを制作するためのフオトマスクのパ
ターン形状を固体撮像素子に形成しそのビデオ信
号を出力する画像入力部と、該画像入力部に画像
を入力する際に前記フオトマスクに設けた基準マ
ークの位置をレーザ測長制御部及び前記固体撮像
素子にて検出しフオトマスクパターンの撮像時に
長さ誤差、回転誤差、直交度誤差を補正する機能
と、該画像入力部の出力を所定の量子化レベルに
基づいて量子化する量子化回路と、該量子化回路
の出力により前記フオトマスクのパターン形状を
判定しこれと前記ドツト変換部の出力とを比較す
る形状比較判断部と、該形状比較判断部の出力に
従つて前記フオトマスクの異常パターンを表示す
る異常パターン表示部とを具備することを特徴と
するフオトマスクの形状チエツク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12976179A JPS5654038A (en) | 1979-10-08 | 1979-10-08 | Checking device for shape of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12976179A JPS5654038A (en) | 1979-10-08 | 1979-10-08 | Checking device for shape of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5654038A JPS5654038A (en) | 1981-05-13 |
| JPS643050B2 true JPS643050B2 (ja) | 1989-01-19 |
Family
ID=15017537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12976179A Granted JPS5654038A (en) | 1979-10-08 | 1979-10-08 | Checking device for shape of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5654038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06323188A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-22 | Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd | エンジンの逆転防止方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138135A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for inspecting pattern |
| JPS57159023A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Hitachi Ltd | Inspecting device of pattern |
| JPS57196530A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Fujitsu Ltd | Inspection of pattern |
| JPS57206025A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-17 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting system |
| JPS5837923A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Toshiba Corp | フオトマスクの検査装置 |
| JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
| JPH0675038B2 (ja) * | 1983-03-11 | 1994-09-21 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | 光学検査装置 |
| JPS60138921A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | パタ−ン形状検査装置 |
| JPS60202933A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-14 | Fujitsu Ltd | レチクルの検査方法 |
| GB8521393D0 (en) * | 1985-08-28 | 1985-10-02 | Exxon Chemical Patents Inc | Middle distillate compositions |
| US5814110A (en) * | 1986-09-24 | 1998-09-29 | Exxon Chemical Patents Inc. | Chemical compositions and use as fuel additives |
| US5425789A (en) * | 1986-12-22 | 1995-06-20 | Exxon Chemical Patents Inc. | Chemical compositions and their use as fuel additives |
| GB8820295D0 (en) * | 1988-08-26 | 1988-09-28 | Exxon Chemical Patents Inc | Chemical compositions & use as fuel additives |
| WO1991016407A1 (en) * | 1990-04-19 | 1991-10-31 | Exxon Chemical Patents Inc. | Additives for distillate fuels and distillate fuels containing them |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928841B2 (ja) * | 1973-04-17 | 1984-07-16 | オリンパス光学工業株式会社 | パタ−ン走査装置 |
| JPS5341030A (en) * | 1976-09-25 | 1978-04-14 | Nippon Suidou Setsukeishiya Kk | Pipe path equipment for place with large head from upper flow to lower flow |
| JPS5472975A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Mask inspecting method |
-
1979
- 1979-10-08 JP JP12976179A patent/JPS5654038A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06323188A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-22 | Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd | エンジンの逆転防止方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5654038A (en) | 1981-05-13 |
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