JPS639745B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS639745B2 JPS639745B2 JP56116948A JP11694881A JPS639745B2 JP S639745 B2 JPS639745 B2 JP S639745B2 JP 56116948 A JP56116948 A JP 56116948A JP 11694881 A JP11694881 A JP 11694881A JP S639745 B2 JPS639745 B2 JP S639745B2
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- JP
- Japan
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- hours
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- Expired
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Classifications
-
- H10P95/90—
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116948A JPS5818929A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116948A JPS5818929A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818929A JPS5818929A (ja) | 1983-02-03 |
| JPS639745B2 true JPS639745B2 (OSRAM) | 1988-03-01 |
Family
ID=14699689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116948A Granted JPS5818929A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818929A (OSRAM) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4505759A (en) * | 1983-12-19 | 1985-03-19 | Mara William C O | Method for making a conductive silicon substrate by heat treatment of oxygenated and lightly doped silicon single crystals |
| US5506178A (en) * | 1992-12-25 | 1996-04-09 | Sony Corporation | Process for forming gate silicon oxide film for MOS transistors |
| JP2002184779A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ |
| US7081422B2 (en) | 2000-12-13 | 2006-07-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer |
| JP4615161B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-01-19 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
| JP6421611B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-11-14 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116948A patent/JPS5818929A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5818929A (ja) | 1983-02-03 |
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