JPS5818929A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS5818929A
JPS5818929A JP56116948A JP11694881A JPS5818929A JP S5818929 A JPS5818929 A JP S5818929A JP 56116948 A JP56116948 A JP 56116948A JP 11694881 A JP11694881 A JP 11694881A JP S5818929 A JPS5818929 A JP S5818929A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
hours
semiconductor device
denuded zone
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56116948A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS639745B2 (OSRAM
Inventor
Koichiro Honda
耕一郎 本田
Akira Osawa
大沢　昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56116948A priority Critical patent/JPS5818929A/ja
Publication of JPS5818929A publication Critical patent/JPS5818929A/ja
Publication of JPS639745B2 publication Critical patent/JPS639745B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/90—

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
JP56116948A 1981-07-24 1981-07-24 半導体装置の製造方法 Granted JPS5818929A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56116948A JPS5818929A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56116948A JPS5818929A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5818929A true JPS5818929A (ja) 1983-02-03
JPS639745B2 JPS639745B2 (OSRAM) 1988-03-01

Family

ID=14699689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56116948A Granted JPS5818929A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5818929A (OSRAM)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4505759A (en) * 1983-12-19 1985-03-19 Mara William C O Method for making a conductive silicon substrate by heat treatment of oxygenated and lightly doped silicon single crystals
US5506178A (en) * 1992-12-25 1996-04-09 Sony Corporation Process for forming gate silicon oxide film for MOS transistors
WO2002049091A1 (en) 2000-12-13 2002-06-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Anneal wafer manufacturing method and anneal wafer
JP2003068743A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルウエーハおよびその製造方法
US7081422B2 (en) 2000-12-13 2006-07-25 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer
JP2015164179A (ja) * 2014-01-29 2015-09-10 三菱マテリアル株式会社 プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4505759A (en) * 1983-12-19 1985-03-19 Mara William C O Method for making a conductive silicon substrate by heat treatment of oxygenated and lightly doped silicon single crystals
US5506178A (en) * 1992-12-25 1996-04-09 Sony Corporation Process for forming gate silicon oxide film for MOS transistors
WO2002049091A1 (en) 2000-12-13 2002-06-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Anneal wafer manufacturing method and anneal wafer
JP2002184779A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
US7081422B2 (en) 2000-12-13 2006-07-25 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer
EP1343200A4 (en) * 2000-12-13 2007-09-12 Shinetsu Handotai Kk TEMPERATURE TREATMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR DISCS AND TEMPERATURE-TREATED SEMICONDUCTOR DISC
KR100847925B1 (ko) 2000-12-13 2008-07-22 신에츠 한도타이 가부시키가이샤 어닐웨이퍼의 제조방법 및 어닐웨이퍼
JP2003068743A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルウエーハおよびその製造方法
JP2015164179A (ja) * 2014-01-29 2015-09-10 三菱マテリアル株式会社 プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS639745B2 (OSRAM) 1988-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3022044B2 (ja) シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ
JPS5818929A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63227026A (ja) シリコン結晶基板のゲツタリング方法
JPH05155700A (ja) 積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ
JPH09148336A (ja) シリコン半導体基板及びその製造方法
JPH0518254B2 (OSRAM)
JP2535701B2 (ja) 半導体装置
JPH04294540A (ja) 半導体の製造方法
JP3022045B2 (ja) シリコンウエハの製造方法及びシリコンウエハ
JP2762183B2 (ja) シリコン基板の製造方法
JP2000269221A (ja) シリコン基板の熱処理方法および熱処理された基板、その基板を用いたエピタキシャルウェーハ
JPS5994809A (ja) 半導体素子の製造方法
JP3294722B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
JPH05121319A (ja) 半導体装置の製造法
JP2588632B2 (ja) シリコン単結晶の酸素析出方法
JP2762190B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP2002176058A (ja) シリコン半導体基板の製造方法
JPS594128A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05283350A (ja) エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法
JPH0319687B2 (OSRAM)
JPH06166595A (ja) シリコンウェーハ
JPS6332938A (ja) 化合物半導体ウエ−ハの製造方法
JPH06291123A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS58170020A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04276627A (ja) 半導体装置の製造方法