JPS6395625A - イオンビ−ム露光法 - Google Patents
イオンビ−ム露光法Info
- Publication number
- JPS6395625A JPS6395625A JP61242390A JP24239086A JPS6395625A JP S6395625 A JPS6395625 A JP S6395625A JP 61242390 A JP61242390 A JP 61242390A JP 24239086 A JP24239086 A JP 24239086A JP S6395625 A JPS6395625 A JP S6395625A
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- JP
- Japan
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- pattern
- metal film
- mask
- ion beam
- film pattern
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン・ビーム露光法に関し、とりわけ、マ
スク構造に関する。
スク構造に関する。
従来、イオン・ビーム露光に於ては、メンプラン・マス
クあるいはステンシル・マスクを用いるのが通例であっ
た。
クあるいはステンシル・マスクを用いるのが通例であっ
た。
しかし、上記従来技術によると、マスク製造が極めて困
難であると言う問題点があった０本発明は、かかる従来
技術の問題点をなくし、従来の光露光法におけるマスク
と同等の構造でイオン・ビーム露光を可能とする新しい
方法を提供する事を目的とする◇ 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するために、本発明はイオン・ビーム
露光法に於て、石英等の絶縁基板上には図形状にクロム
、タングステン等の金属膜が連らなって形成され、該金
属膜を含む表面には５１０２膜等から成る保護膜が形成
されて成るマスクを用いてイオン・ビームを発生し、露
光する手段をとるＯ 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を詳述する。
難であると言う問題点があった０本発明は、かかる従来
技術の問題点をなくし、従来の光露光法におけるマスク
と同等の構造でイオン・ビーム露光を可能とする新しい
方法を提供する事を目的とする◇ 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するために、本発明はイオン・ビーム
露光法に於て、石英等の絶縁基板上には図形状にクロム
、タングステン等の金属膜が連らなって形成され、該金
属膜を含む表面には５１０２膜等から成る保護膜が形成
されて成るマスクを用いてイオン・ビームを発生し、露
光する手段をとるＯ 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の実施例を示すイオン・ビーム露光法の
模式図である。すなわち、第１図（Ａ）では石英基板１
０表面に金属膜パターン３を連らなって形成し、その表
面を８１０．膜２で被覆し、マスクとなし、前記金属膜
パターンには電源５からの高周波を印加すると、パター
ン状にプラズマ・イオンが発生し、静電レンズ６にて該
イオンを加速、投影し、Ｓｉウェーハ４に露光する方式
であり、ポジ型イオン・ビーム法と名づける◇ 第１図（Ｂ）は同様のマスクを用いて反転像を形成。
模式図である。すなわち、第１図（Ａ）では石英基板１
０表面に金属膜パターン３を連らなって形成し、その表
面を８１０．膜２で被覆し、マスクとなし、前記金属膜
パターンには電源５からの高周波を印加すると、パター
ン状にプラズマ・イオンが発生し、静電レンズ６にて該
イオンを加速、投影し、Ｓｉウェーハ４に露光する方式
であり、ポジ型イオン・ビーム法と名づける◇ 第１図（Ｂ）は同様のマスクを用いて反転像を形成。
するネガ型イオン・ビーム露光法と名づけたもので、石
英基板１１、金属膜パターン１６、Ｓｉｎ。
英基板１１、金属膜パターン１６、Ｓｉｎ。
膜１２からマスクには金属板７から成る極板を裏面に貼
付け、該金属板には電源１５からの高周波を印加し、前
記金属膜パターン１３は接地電位となすと、プラズマ曖
イオンは、金属膜パターン１３のすき間から発生し、該
イオンを静電レンズ１６により加速、投影し、マスクと
対向した８１ウエーハ１４を１対１で露光する方式であ
る〇〔発明の効果〕 本発明の如く、イオン・ビーム露光に光露光と同様の構
造のマスクを用いることができる事は、イオン・ビーム
露光法における最大の問題点であるマスク製造の困難さ
がなくなり、極めて容易にマスクが作成できると言う効
果がある。
付け、該金属板には電源１５からの高周波を印加し、前
記金属膜パターン１３は接地電位となすと、プラズマ曖
イオンは、金属膜パターン１３のすき間から発生し、該
イオンを静電レンズ１６により加速、投影し、マスクと
対向した８１ウエーハ１４を１対１で露光する方式であ
る〇〔発明の効果〕 本発明の如く、イオン・ビーム露光に光露光と同様の構
造のマスクを用いることができる事は、イオン・ビーム
露光法における最大の問題点であるマスク製造の困難さ
がなくなり、極めて容易にマスクが作成できると言う効
果がある。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例を示すイオン・
ビーム露光法の模式図である０ １．１１・・・・・・石英基板 ２．１２・・・・・・Ｓ１０．膜 ３．１３・・・・・・金属膜パターン ４．１４・・・・・・Ｓ１ウエーハ ５．１５・・・・・・電源 ６．１６・・・・・・静電レンズ １７・・・・・・・・・・・・・・・金属板以 上
ビーム露光法の模式図である０ １．１１・・・・・・石英基板 ２．１２・・・・・・Ｓ１０．膜 ３．１３・・・・・・金属膜パターン ４．１４・・・・・・Ｓ１ウエーハ ５．１５・・・・・・電源 ６．１６・・・・・・静電レンズ １７・・・・・・・・・・・・・・・金属板以 上
Claims (1)
- 石英等の絶縁基板上には、図形状にクロム、タングステ
ン、等の金属膜が連らなって形成され、該金属膜を含む
表面にはＳｉＯ＿２膜等から成る保護膜が形成されて成
るマスクを用いて、イオン・ビームを発生し、露光する
事を特徴とするイオン・ビーム露光法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242390A JPS6395625A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | イオンビ−ム露光法 |
| US07/107,424 US4902897A (en) | 1986-10-13 | 1987-10-13 | Ion beam gun and ion beam exposure device |
| KR1019870011307A KR930001889B1 (ko) | 1986-10-13 | 1987-10-13 | 이온빔 노출마스크 |
| KR1019920019579A KR930001433B1 (ko) | 1986-10-13 | 1992-10-23 | 이온 빔 총 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242390A JPS6395625A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | イオンビ−ム露光法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395625A true JPS6395625A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=17088441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61242390A Pending JPS6395625A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | イオンビ−ム露光法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395625A (ja) |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP61242390A patent/JPS6395625A/ja active Pending
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