JPS6142259B2 - - Google Patents
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- JPS6142259B2 JPS6142259B2 JP12084979A JP12084979A JPS6142259B2 JP S6142259 B2 JPS6142259 B2 JP S6142259B2 JP 12084979 A JP12084979 A JP 12084979A JP 12084979 A JP12084979 A JP 12084979A JP S6142259 B2 JPS6142259 B2 JP S6142259B2
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- Expired
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、マスターマスクのパターン損傷を
防ぎ、このマスターマスクを用いて品質良好なコ
ピイマスクを製作することのできる集積回路用マ
スクの製造方法に関するものである。
防ぎ、このマスターマスクを用いて品質良好なコ
ピイマスクを製作することのできる集積回路用マ
スクの製造方法に関するものである。
第１図は従来のコピイマスク製作方法を説明す
るための図である。この図により従来の方法を説
明すると、図中１はガラス基板２とクロム、酸化
クロムなどのパターン３からなるマスターマス
ク、４はガラス基板５と金属膜６からなるコピイ
マスク用基板、７はコピイマスク用基板４上に塗
布したレジスト膜であり、まず第１図Ａに示すよ
うにマスターマスク１とコピイマスク用基板４と
を密着させる。そして、この状態でマスターマス
ク１を通して紫外線を照射し、コピイマスク用基
板４上のレジスト膜７を露光するもので、しかる
後マスターマスク１とコピイマスク用基板４とを
第１図Ｂに示すように分離する。
るための図である。この図により従来の方法を説
明すると、図中１はガラス基板２とクロム、酸化
クロムなどのパターン３からなるマスターマス
ク、４はガラス基板５と金属膜６からなるコピイ
マスク用基板、７はコピイマスク用基板４上に塗
布したレジスト膜であり、まず第１図Ａに示すよ
うにマスターマスク１とコピイマスク用基板４と
を密着させる。そして、この状態でマスターマス
ク１を通して紫外線を照射し、コピイマスク用基
板４上のレジスト膜７を露光するもので、しかる
後マスターマスク１とコピイマスク用基板４とを
第１図Ｂに示すように分離する。
ところで、マスターマスク１とコピイマスク用
基板４とを密着させる工程において静電気が発生
する。この場合、静電気は、マスターマスク１面
が、コピイマスク用基板４側（レジスト面）が
に帯電するように発生する。
基板４とを密着させる工程において静電気が発生
する。この場合、静電気は、マスターマスク１面
が、コピイマスク用基板４側（レジスト面）が
に帯電するように発生する。
しかるに、上記従来の方法では、この静電気に
対する対策が施されていないので、マスターマス
ク１とコピイマスク用基板４とを分離する工程に
おいて、この帯電した静電気が放電に至り、特に
マスターマスク１のパターン３のコーナ部に損傷
を与えた。したがつて、マスターマスク１の品質
が劣化し、それにともないコピイマスクの品質も
劣化するという欠点があつた。
対する対策が施されていないので、マスターマス
ク１とコピイマスク用基板４とを分離する工程に
おいて、この帯電した静電気が放電に至り、特に
マスターマスク１のパターン３のコーナ部に損傷
を与えた。したがつて、マスターマスク１の品質
が劣化し、それにともないコピイマスクの品質も
劣化するという欠点があつた。
なお、第１図ＢにおいてＳは、分離工程におい
て生じる放電を示している。
て生じる放電を示している。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、マ
スターマスクとコピイマスク用基板とを密着する
工程および分離する工程の間に、イオン化した気
体を流入する工程を導入し、静電気放電によるマ
スターマスクの損傷を防ぐことで品質のよいコピ
イマスクを作ることができる集積回路用マスクの
製造方法を提供するこを目的とする。
スターマスクとコピイマスク用基板とを密着する
工程および分離する工程の間に、イオン化した気
体を流入する工程を導入し、静電気放電によるマ
スターマスクの損傷を防ぐことで品質のよいコピ
イマスクを作ることができる集積回路用マスクの
製造方法を提供するこを目的とする。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第２図ＡないしＤはこの発明の実施例とし
て、マスターマスクとコピイマスク用基板を支持
する気密室を有する焼付装置を使用してコピイマ
スクを製作する方法を説明するための図である。
る。第２図ＡないしＤはこの発明の実施例とし
て、マスターマスクとコピイマスク用基板を支持
する気密室を有する焼付装置を使用してコピイマ
スクを製作する方法を説明するための図である。
この図により実施例を説明すると、まず第２図
Ａに示す工程では、マスターマスク１１を支持台
１２にのせ、気密室１３を小穴１４を通して真空
にする。この時、マスターマスク１１には小穴１
４の方向に凸となるような歪が加わる。また、コ
ピイマスク用基板１５を支持台１６にのせ、気密
室１７を小穴１８より真空に引くもので、さらに
マスターマスク１１とコピイマスク用基板１５が
密着する所の気密室１９も同じく真空に引く。
Ａに示す工程では、マスターマスク１１を支持台
１２にのせ、気密室１３を小穴１４を通して真空
にする。この時、マスターマスク１１には小穴１
４の方向に凸となるような歪が加わる。また、コ
ピイマスク用基板１５を支持台１６にのせ、気密
室１７を小穴１８より真空に引くもので、さらに
マスターマスク１１とコピイマスク用基板１５が
密着する所の気密室１９も同じく真空に引く。
次に、第２図Ｂに示す工程では、気密室１３の
みを大気圧に戻す。この時マスターマスク１１の
受ける歪は、コピイマスク用基板１５に合う形に
推移する。そして、この状態でマスターマスク１
１の裏面（気密室１３側）より紫外線を照射し、
コピイマスク用基板１５上のレジスト膜を露光す
る。
みを大気圧に戻す。この時マスターマスク１１の
受ける歪は、コピイマスク用基板１５に合う形に
推移する。そして、この状態でマスターマスク１
１の裏面（気密室１３側）より紫外線を照射し、
コピイマスク用基板１５上のレジスト膜を露光す
る。
その後、第２図Ｃに示す工程に移り、マスター
マスク１１とコピイマスク用基板１５とが密着す
る所の気密室１９にイオン化気体を導入する。イ
オン化気体を気密室１９に導入すると、この気密
室１９がそれまで真空に引かれていたので、マス
ターマスク１１とコピイマスク用基板１５との密
着面の微少な隙間より急速に密着面へイオン化気
体が拡散し始め、密着面に発生している静電気を
中和する。
マスク１１とコピイマスク用基板１５とが密着す
る所の気密室１９にイオン化気体を導入する。イ
オン化気体を気密室１９に導入すると、この気密
室１９がそれまで真空に引かれていたので、マス
ターマスク１１とコピイマスク用基板１５との密
着面の微少な隙間より急速に密着面へイオン化気
体が拡散し始め、密着面に発生している静電気を
中和する。
そして、最後に第２図Ｄに示す工程に移るもの
で、この工程では気密室１９へイオン化気体を大
気圧迄流入させながらマスターマスク１１側の気
密室１３を真空に引き、マスターマスク１１の受
ける歪を小穴１４の方向に凸とすることで、コピ
イマスク用基板１５との密着面を分離させる。こ
の時、イオン化気体は、さらに密着部全面に拡散
し、完全に密着面の静電気を中和する。
で、この工程では気密室１９へイオン化気体を大
気圧迄流入させながらマスターマスク１１側の気
密室１３を真空に引き、マスターマスク１１の受
ける歪を小穴１４の方向に凸とすることで、コピ
イマスク用基板１５との密着面を分離させる。こ
の時、イオン化気体は、さらに密着部全面に拡散
し、完全に密着面の静電気を中和する。
なお、上記イオン化気体としては、マスターマ
スク１１およびコピイマスク用基板１５の静電気
を中和し、ゼロ電位にするために交流のイオン化
気体を用いるものである。
スク１１およびコピイマスク用基板１５の静電気
を中和し、ゼロ電位にするために交流のイオン化
気体を用いるものである。
以上実施例で説明したように、この発明の集積
回路用マスクの製造方法では、マスターマスクと
コピイマスク用基板とを密着する工程および分離
する工程の間にイオン化した気体を流入する工程
を導入するもので、したがつてマスターマスクの
パターンを損傷を防ぎ品質を維持できると同時
に、良質のコピイマスクを製作できる。また、マ
スターマスクとコピイマスク用基板とが密着、露
光後に離れにくくなる現象にも良い効果を期待で
き、コピイマスク用基板面のレジスト剥離などが
なくなる。
回路用マスクの製造方法では、マスターマスクと
コピイマスク用基板とを密着する工程および分離
する工程の間にイオン化した気体を流入する工程
を導入するもので、したがつてマスターマスクの
パターンを損傷を防ぎ品質を維持できると同時
に、良質のコピイマスクを製作できる。また、マ
スターマスクとコピイマスク用基板とが密着、露
光後に離れにくくなる現象にも良い効果を期待で
き、コピイマスク用基板面のレジスト剥離などが
なくなる。
第１図Ａ，Ｂは従来のコピイマスク製作方法を
説明するための断面図、第２図ＡないしＤはこの
発明による集積回路用マスクの製造方法の実施例
を説明するための断面図である。 １１……マスターマスク、１５……コピイマス
ク用基板。
説明するための断面図、第２図ＡないしＤはこの
発明による集積回路用マスクの製造方法の実施例
を説明するための断面図である。 １１……マスターマスク、１５……コピイマス
ク用基板。
Claims (1)
- １ マスターマスクとコピイマスク用基板とを密
着させる工程と、上記マスターマスクを通して紫
外線を照射し、上記コピイマスク用基板上のレジ
スト膜を露光する工程と、上記マスターマスクと
上記コピイマスク用基板との密着部に発生した静
電気を中和するため、上記密着部へイオン化した
気体を流入する工程と、上記マスターマスクと上
記コピイマスク用基板とを分離させる工程とを具
備することを特徴とする集積回路用マスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12084979A JPS5646226A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Manufacture of mask for integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12084979A JPS5646226A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Manufacture of mask for integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5646226A JPS5646226A (en) | 1981-04-27 |
| JPS6142259B2 true JPS6142259B2 (ja) | 1986-09-19 |
Family
ID=14796463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12084979A Granted JPS5646226A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Manufacture of mask for integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5646226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069875U (ja) * | 1992-07-12 | 1994-02-08 | コスモ石油株式会社 | ラチェットレンチ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750271B2 (ja) * | 1986-01-27 | 1995-05-31 | 富士通株式会社 | 液晶表示板のラビング方法 |
| FR2629605A1 (fr) * | 1988-03-29 | 1989-10-06 | Francou Marc | Procede de fabrication de composants micro-electroniques semi-conducteurs en microlithographie par contact dur, et composants micro-electroniques semi-conducteurs correspondants |
-
1979
- 1979-09-21 JP JP12084979A patent/JPS5646226A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069875U (ja) * | 1992-07-12 | 1994-02-08 | コスモ石油株式会社 | ラチェットレンチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5646226A (en) | 1981-04-27 |
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