JPH0681171A - ウェハの酸化膜選択エッチング方法 - Google Patents
ウェハの酸化膜選択エッチング方法Info
- Publication number
- JPH0681171A JPH0681171A JP3153778A JP15377891A JPH0681171A JP H0681171 A JPH0681171 A JP H0681171A JP 3153778 A JP3153778 A JP 3153778A JP 15377891 A JP15377891 A JP 15377891A JP H0681171 A JPH0681171 A JP H0681171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive resist
- wafer
- resist
- exposed
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ裏面にレジストをコーティングする
際、ウェハ表面のレジストコーターのチャックに直接接
触、吸着される部分がダメージを受け、該部分のデバイ
スが不良になるのを防ぐことを目的とする。 【構成】 ウェハ表面にコーティングパターン露光した
ポジレジスト上に再度ポジレジストをコーティングし、
２回目にコーティングしたポジレジストのみを全面露光
してから、裏面にポジレジストをコーティングすること
とした。
際、ウェハ表面のレジストコーターのチャックに直接接
触、吸着される部分がダメージを受け、該部分のデバイ
スが不良になるのを防ぐことを目的とする。 【構成】 ウェハ表面にコーティングパターン露光した
ポジレジスト上に再度ポジレジストをコーティングし、
２回目にコーティングしたポジレジストのみを全面露光
してから、裏面にポジレジストをコーティングすること
とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハの両面に酸化膜
を形成し、裏面の酸化膜を残して表面の酸化膜を選択エ
ッチングするウェハの酸化膜選択エッチング方法に関す
る。
を形成し、裏面の酸化膜を残して表面の酸化膜を選択エ
ッチングするウェハの酸化膜選択エッチング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、裏面の酸化膜を残して表面の酸化
膜を選択エッチングする場合、両面に酸化膜を形成した
ウェハ表面にポジレジストをコーティングし、パターン
露光した後、裏面にポジレジストをコーティングし、現
像し、表面の酸化膜を選択エッチングする方法が採られ
てきた。すなわち、ウェハ裏面へのポジレジストのコー
ティングは、レジストコーターのチャックにポジレジス
トをコーティングしパターン露光したウェハ表面を直接
吸着させて実施されてきた。
膜を選択エッチングする場合、両面に酸化膜を形成した
ウェハ表面にポジレジストをコーティングし、パターン
露光した後、裏面にポジレジストをコーティングし、現
像し、表面の酸化膜を選択エッチングする方法が採られ
てきた。すなわち、ウェハ裏面へのポジレジストのコー
ティングは、レジストコーターのチャックにポジレジス
トをコーティングしパターン露光したウェハ表面を直接
吸着させて実施されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ウェハ
裏面にレジストをコーティングする際、ポジレジストを
コーティングしパターン露光したウェハ表面をレジスト
コーターのチャックに直接接触、吸着させる方法では、
ウェハ表面のチャックに吸着される部分のレジスト像お
よび酸化膜がダメージを受け、該部分のデバイスが不良
になるという問題があった。
裏面にレジストをコーティングする際、ポジレジストを
コーティングしパターン露光したウェハ表面をレジスト
コーターのチャックに直接接触、吸着させる方法では、
ウェハ表面のチャックに吸着される部分のレジスト像お
よび酸化膜がダメージを受け、該部分のデバイスが不良
になるという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、両面に
酸化膜を形成したウェハ表面にポジレジストをコーティ
ングし、パターン露光し、その上に再度ポジレジストを
コーティングし、最初にコーティングしたポジレジスト
が露光されないで２回目にコーティングしたポジレジス
トが完全に露光される深さまでノンパターン露光した
後、裏面にポジレジストをコーティングし、現像し、表
面の酸化膜を選択エッチングする方法である。
酸化膜を形成したウェハ表面にポジレジストをコーティ
ングし、パターン露光し、その上に再度ポジレジストを
コーティングし、最初にコーティングしたポジレジスト
が露光されないで２回目にコーティングしたポジレジス
トが完全に露光される深さまでノンパターン露光した
後、裏面にポジレジストをコーティングし、現像し、表
面の酸化膜を選択エッチングする方法である。
【０００５】
【作用】上記方法によると、ウェハ裏面にレジストをコ
ーティングする際、ウェハ表面に２回目にコーティング
したレジストが保護膜になってウェハ表面のレジスト像
および酸化膜がチャックの吸着によってダメージを受け
ることがなくなる。
ーティングする際、ウェハ表面に２回目にコーティング
したレジストが保護膜になってウェハ表面のレジスト像
および酸化膜がチャックの吸着によってダメージを受け
ることがなくなる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す。ウェハ１の
両面に酸化膜２を形成し、表面にポジレジスト３をコー
ティングし〔図１（ａ）〕、パターン露光する〔図１
（ｂ）〕。４はポジレジスト３の露光した部分を示す。
続いてポジレジスト３上に再度ポジレジスト５をコーテ
ィングし〔図１（ｃ）〕、最初にコーティングしたポジ
レジスト３が露光されないで２回目にコーティングした
ポジレジスト５が完全に露光される深さまでノンパター
ン露光する〔図１（ｄ）〕。６はポジレジスト５の露光
した状態を示す。
両面に酸化膜２を形成し、表面にポジレジスト３をコー
ティングし〔図１（ａ）〕、パターン露光する〔図１
（ｂ）〕。４はポジレジスト３の露光した部分を示す。
続いてポジレジスト３上に再度ポジレジスト５をコーテ
ィングし〔図１（ｃ）〕、最初にコーティングしたポジ
レジスト３が露光されないで２回目にコーティングした
ポジレジスト５が完全に露光される深さまでノンパター
ン露光する〔図１（ｄ）〕。６はポジレジスト５の露光
した状態を示す。
【０００７】次に、パターン露光したポジレジスト３上
に全面露光したポジレジスト６からなる保護膜を有する
ウェハ表面をレジストコーターのチャック（図示してい
ない）に吸着させて、裏面にポジレジスト７をコーティ
ングし〔図１（ｅ）〕、表面のレジストを充分現像する
ことにより、２回目にコーティングしたポジレジスト６
全体と最初にコーティングしたポジレジスト３の露光部
分４全部を除去する〔図１（ｆ）〕。なお、最初にコー
ティングするレジストに比べ２回目にコーティングする
レジストの感度を大きくすることにより、より良い結果
を得ることができる。
に全面露光したポジレジスト６からなる保護膜を有する
ウェハ表面をレジストコーターのチャック（図示してい
ない）に吸着させて、裏面にポジレジスト７をコーティ
ングし〔図１（ｅ）〕、表面のレジストを充分現像する
ことにより、２回目にコーティングしたポジレジスト６
全体と最初にコーティングしたポジレジスト３の露光部
分４全部を除去する〔図１（ｆ）〕。なお、最初にコー
ティングするレジストに比べ２回目にコーティングする
レジストの感度を大きくすることにより、より良い結果
を得ることができる。
【０００８】レジストの現像によって得られたレジスト
パターンをマスクに表面の酸化膜２を選択エッチングし
〔図１（ｇ）〕、エッチング終了後、表面のレジスト３
と裏面のレジスト７をアッシング除去する〔図１
（ｈ）〕。上記方法によると、表面のチャックに吸着さ
れる部分のレジスト像および酸化膜がダメージを受ける
ことがなくなる。
パターンをマスクに表面の酸化膜２を選択エッチングし
〔図１（ｇ）〕、エッチング終了後、表面のレジスト３
と裏面のレジスト７をアッシング除去する〔図１
（ｈ）〕。上記方法によると、表面のチャックに吸着さ
れる部分のレジスト像および酸化膜がダメージを受ける
ことがなくなる。
【０００９】
【発明の効果】エピタキシャル成長工程でウェハの裏面
からのオートドーピングを防ぐため、前工程のバリッド
レイヤー拡散で裏面に不純物が拡散されるのを防ぐ手段
としてウェハ裏面に酸化膜を残した状態でバリッドレイ
ヤー拡散を行う場合があるが、このような場合に本発明
が適用でき、歩留りと品質の向上に貢献する効果が大で
ある。
からのオートドーピングを防ぐため、前工程のバリッド
レイヤー拡散で裏面に不純物が拡散されるのを防ぐ手段
としてウェハ裏面に酸化膜を残した状態でバリッドレイ
ヤー拡散を行う場合があるが、このような場合に本発明
が適用でき、歩留りと品質の向上に貢献する効果が大で
ある。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
１ ウェハ ２ 酸化膜 ３ ポジレジスト ４ 露光したポジレジスト ５ ポジレジスト ６ 露光したポジレジスト ７ ポジレジスト
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハの両面に酸化膜を形成し、裏面の
酸化膜を残して表面の酸化膜を選択エッチングするウェ
ハの酸化膜選択エッチング方法において、 両面に酸化膜を形成したウェハ表面にポジレジストをコ
ーティングし、パターン露光し、その上に再度ポジレジ
ストをコーティングし、最初にコーティングしたポジレ
ジストが露光されないで２回目にコーティングしたポジ
レジストが完全に露光される深さまでノンパターン露光
した後、ウェハ裏面にポジレジストをコーティングし、
レジストを現像し、表面の酸化膜を選択エッチングする
ことを特徴とするウェハの酸化膜選択エッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153778A JPH0681171A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | ウェハの酸化膜選択エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153778A JPH0681171A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | ウェハの酸化膜選択エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681171A true JPH0681171A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=15569936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3153778A Pending JPH0681171A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | ウェハの酸化膜選択エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016512396A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の寿命及び効率を改善する方法 |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3153778A patent/JPH0681171A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016512396A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の寿命及び効率を改善する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5885756A (en) | Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby | |
| JPH0681171A (ja) | ウェハの酸化膜選択エッチング方法 | |
| JPH08227873A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20090040614A (ko) | 하프톤형 위상 시프트 마스크의 제조방법 | |
| US5851734A (en) | Process for defining resist patterns | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JP2001230197A (ja) | 端面膜除去方法および電子線描画方法 | |
| JPH10268506A (ja) | 電子ビ−ム装置用マスク及びその製造方法 | |
| JP2002237440A (ja) | レジストパターン形成方法及び微細パターン形成方法 | |
| JP4267298B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR100219399B1 (ko) | 반도체용 포토마스크제조방법 | |
| JPS6179227A (ja) | 感光性レジストを用いたパタ−ン形成方法 | |
| JPS6132423A (ja) | 周辺部に段差を有する半導体基板およびその製法 | |
| JPH06260382A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100358161B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0536600A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002075832A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05251314A (ja) | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0637012A (ja) | 周辺露光によるパターン形成方法 | |
| JPH08203821A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0697066A (ja) | 半導体装置製造用フォトマスク | |
| JPS61190930A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04115523A (ja) | レジスト膜の平坦化方法 | |
| JPH01268125A (ja) | 半導体ウエハ周縁部のレジスト膜除去方法 |