JPH0750271B2 - 液晶表示板のラビング方法 - Google Patents
液晶表示板のラビング方法Info
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- JPH0750271B2 JPH0750271B2 JP61014964A JP1496486A JPH0750271B2 JP H0750271 B2 JPH0750271 B2 JP H0750271B2 JP 61014964 A JP61014964 A JP 61014964A JP 1496486 A JP1496486 A JP 1496486A JP H0750271 B2 JPH0750271 B2 JP H0750271B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 配向膜をラビングする配向処理に際し、静電気の放電に
より生ずる表示欠陥を無くする方法としてラビング処理
中にイオン化したガスを基板の表裏面に吹きつけて中和
する方法。
より生ずる表示欠陥を無くする方法としてラビング処理
中にイオン化したガスを基板の表裏面に吹きつけて中和
する方法。
本発明は静電気の放電により生ずる表示欠陥をなくした
液晶表示板のラビング方法に関する。
液晶表示板のラビング方法に関する。
液晶表示素子はガラス基板上に透明電極パターンを少な
くとも一方に備えた二枚の基板をそれぞれ電極パターン
を内側にして対向せしめ、この間に液晶を封入して選択
的に電界印加ができるようにしたものである。
くとも一方に備えた二枚の基板をそれぞれ電極パターン
を内側にして対向せしめ、この間に液晶を封入して選択
的に電界印加ができるようにしたものである。
すなわち、ドットマトリックス型の場合、平行平板から
なるガラス基板の内側には例えば線幅が200〜300μｍで
線間隔が100μｍ程度で平行にパターン形成された多数
の透明電極と対向電極とが作られており、この両電極は
厚さが10μｍ程度のマイラーフィルムなどからなるセパ
レータにより微少間隔を隔てて対向すると共に電極パタ
ーンが互いに直交するように配置されており、この隙間
に液晶が封入されている。
なるガラス基板の内側には例えば線幅が200〜300μｍで
線間隔が100μｍ程度で平行にパターン形成された多数
の透明電極と対向電極とが作られており、この両電極は
厚さが10μｍ程度のマイラーフィルムなどからなるセパ
レータにより微少間隔を隔てて対向すると共に電極パタ
ーンが互いに直交するように配置されており、この隙間
に液晶が封入されている。
ここで透明電極は酸化インジウム（In2O3）と酸化錫（S
nO2）との固溶体（略称ITO）から構成されており、また
対向電極は用途により金（Au）などの反射金属或いはIT
Oなどの透明導電膜から形成されている。
nO2）との固溶体（略称ITO）から構成されており、また
対向電極は用途により金（Au）などの反射金属或いはIT
Oなどの透明導電膜から形成されている。
次に表示素子の駆動は直交するＸ電極とＹ電極に走査パ
ルスと信号パルスとを印加して走査し、選択的に一方の
電圧或いは両方の電圧が重畳して加わるようにし、後者
の場合は液晶の相転移が起こるに必要な電界に達するよ
う構成されている。
ルスと信号パルスとを印加して走査し、選択的に一方の
電圧或いは両方の電圧が重畳して加わるようにし、後者
の場合は液晶の相転移が起こるに必要な電界に達するよ
う構成されている。
液晶表示素子はこのような素子構成をとり、XY電極の交
又点（ドット）の液晶が一定の電圧値以上で相転移を生
じ、光透過率が変化するのを利用して表示が行われてい
る。
又点（ドット）の液晶が一定の電圧値以上で相転移を生
じ、光透過率が変化するのを利用して表示が行われてい
る。
ここで、コントラスト比が高い表示を行うには封入した
液晶が電極の間で正しく且つ均一に配向していることが
必要である。
液晶が電極の間で正しく且つ均一に配向していることが
必要である。
本発明は配向処理の際に発生し易い表示欠陥をなくする
処理方法に関するものである。
処理方法に関するものである。
液晶表示素子に使用される液晶には基板に対して垂直配
向性を示すものと水平配向性を示すものとがあり、この
性質を利用してコントラスト比が高い液晶表示が行われ
ている。
向性を示すものと水平配向性を示すものとがあり、この
性質を利用してコントラスト比が高い液晶表示が行われ
ている。
然し、液晶分子の配向性はこれを挟んで対向している基
板材料の種類と、その表面状態により左右されるので電
極基板上に絶縁性の配向膜を設けて液晶の配向を助けて
いる。
板材料の種類と、その表面状態により左右されるので電
極基板上に絶縁性の配向膜を設けて液晶の配向を助けて
いる。
例えば液晶分子を基板と平行な方向に配向させる（水平
配向）には酸化硅素（SiO）の斜方蒸着やポリビニルア
ルコール（略称PVA）或いはポリイミド（略称PI）のラ
ビングが用いられている。
配向）には酸化硅素（SiO）の斜方蒸着やポリビニルア
ルコール（略称PVA）或いはポリイミド（略称PI）のラ
ビングが用いられている。
また垂直配向させるにはシランカップリング剤やクロー
ム錯体の塗布が行われている。
ム錯体の塗布が行われている。
さて、本発明に係る液晶表示素子はツイストネマティッ
ク効果を用いるTN表示法をとるために透明電極基板と対
向電極基板上には水平配向膜が形成されている。
ク効果を用いるTN表示法をとるために透明電極基板と対
向電極基板上には水平配向膜が形成されている。
そして、この形成法としては量産工程に適する点からPV
A或いはPIのラビング（Rubbing）処理が用いられてい
る。
A或いはPIのラビング（Rubbing）処理が用いられてい
る。
第２図と第３図は従来の処理方法を示すものでPVA或い
はPIを約0.1μｍの厚さに被覆したガラス基板１（以下
略して基板）をラビングテーブル２の上に固定し、この
ラビングテーブル２を綿布，ナイロン，ポリエステルな
どの植物繊維或いは化学繊維を植毛してあり高速で回転
するラビングロール３の下を往復運動させることにより
ガラス基板１の上に膜形成されている配向膜がラビング
されるよう構成されている。
はPIを約0.1μｍの厚さに被覆したガラス基板１（以下
略して基板）をラビングテーブル２の上に固定し、この
ラビングテーブル２を綿布，ナイロン，ポリエステルな
どの植物繊維或いは化学繊維を植毛してあり高速で回転
するラビングロール３の下を往復運動させることにより
ガラス基板１の上に膜形成されている配向膜がラビング
されるよう構成されている。
すなわち、モータ４により一定方向に高速回転するラビ
ングロール３により一定の方向に配向処理される。
ングロール３により一定の方向に配向処理される。
そして配向方向が直交するようにガラス基板１を配置
し、これにシアノエステル，シアノシクロヘキサンなど
の水平配向性を示す液晶を封入すれば上下の電極間で液
晶分子の配列が90゜連続的に捻れた液晶配列ができるこ
とになる。
し、これにシアノエステル，シアノシクロヘキサンなど
の水平配向性を示す液晶を封入すれば上下の電極間で液
晶分子の配列が90゜連続的に捻れた液晶配列ができるこ
とになる。
然し、PVAやPIは絶縁物であることからラビング処理に
より帯電が起こり、帯電した静電気により配向膜の劣化
や電極に障害を起こすことが問題であった。
より帯電が起こり、帯電した静電気により配向膜の劣化
や電極に障害を起こすことが問題であった。
特にラビング処理により生じた静電気が電極間で放電
し、これにより液晶分子の配向性が破壊されたり、電極
パターンが損傷することである。
し、これにより液晶分子の配向性が破壊されたり、電極
パターンが損傷することである。
かかる問題の対策として、 電極パターンの一部に共通電極を設け、これを放電
電極として使用し、ラビング処理後に切り離す。
電極として使用し、ラビング処理後に切り離す。
ラビングロールの近くに除電バーを設け、帯電した
電荷を中和する。
電荷を中和する。
湿度を高くした状態でラビング処理する。
などの方法が試みられている。
然し、の場合は工数を要し、量産的でなく、の場合
は除電が不完全であり、またの場合は効果的な条件は
相対湿度が室温で60％以上であり、配向膜の種類によっ
ては劣化すると云う問題があり、何れも充分な効果を挙
げていない。
は除電が不完全であり、またの場合は効果的な条件は
相対湿度が室温で60％以上であり、配向膜の種類によっ
ては劣化すると云う問題があり、何れも充分な効果を挙
げていない。
以上記したようにラビング処理に当たっては配向膜に帯
電を生じ、この放電により配向性が破壊されたり、電極
パターンが損傷し、製造収率が低下することである。
電を生じ、この放電により配向性が破壊されたり、電極
パターンが損傷し、製造収率が低下することである。
上記の問題は配向材料を塗布したガラス基板をラビング
して水平配向処理を行う際に該基板の表裏面にイオン化
したガスを吹きつけ、ラビングにより生じた帯電電荷を
中和することを特徴とする液晶表示板のラビング方法に
より解決することができる。
して水平配向処理を行う際に該基板の表裏面にイオン化
したガスを吹きつけ、ラビングにより生じた帯電電荷を
中和することを特徴とする液晶表示板のラビング方法に
より解決することができる。
本発明は除電バーを使用して摩擦帯電によって生じた表
面電荷を除去するにも拘わらず、帯電電荷を充分に除去
できない対策を研究した結果なされたものである。
面電荷を除去するにも拘わらず、帯電電荷を充分に除去
できない対策を研究した結果なされたものである。
すなわち、第２図および第３図に示すラビングロール３
の近傍に除電装置を取付け、イオン化した空気を吹きつ
けると、ラビング直後に数百〜数KVあった静電気を100V
以下にまで下げることができる。
の近傍に除電装置を取付け、イオン化した空気を吹きつ
けると、ラビング直後に数百〜数KVあった静電気を100V
以下にまで下げることができる。
然し、基板１をラビングテーブル２から離すと、その瞬
間に基板１の表面に再び数百〜数KVの高電圧が発生し、
その時に放電障害が起こることが判明した。
間に基板１の表面に再び数百〜数KVの高電圧が発生し、
その時に放電障害が起こることが判明した。
この現象はラビングテーブル２の材質が導電体の場合で
も誘電体の場合でも同様である。
も誘電体の場合でも同様である。
このことは基板１がコンデンサの誘電体と同様に作用
し、ラビングロール３の摩擦によって帯電が生じた際
に、これと異符号の電荷が基板１の裏面に生じているこ
とに他ならない。
し、ラビングロール３の摩擦によって帯電が生じた際
に、これと異符号の電荷が基板１の裏面に生じているこ
とに他ならない。
そこで本発明はラビング処理中を通じて基板１のラビン
グ面に除電器でイオン化したガスを吹きつけると同時に
基板１の裏面にもイオン化したガスを吹きつけることに
より、完全な除電を行うものである。
グ面に除電器でイオン化したガスを吹きつけると同時に
基板１の裏面にもイオン化したガスを吹きつけることに
より、完全な除電を行うものである。
ここで本発明に使用する除電器は高圧電源とガスを吹き
つけるノズル部とから構成されており、清浄な乾燥空気
あるいは窒素などを高電界中で電離させて正負のイオン
などの荷電粒子を作り、これを吹きつける構造になって
いる。
つけるノズル部とから構成されており、清浄な乾燥空気
あるいは窒素などを高電界中で電離させて正負のイオン
などの荷電粒子を作り、これを吹きつける構造になって
いる。
第１図は本発明の実施法を説明する断面図であって、第
２〜第３図に示す従来構造と異なる所は基板１が矢印の
方向に回転するラビングロール３の下で矢印５に示すよ
うに左右に移動することと、この移動中に上下より除電
器6,7,8によりイオン化したガス（この場合は空気）を
吹きつけていることである。
２〜第３図に示す従来構造と異なる所は基板１が矢印の
方向に回転するラビングロール３の下で矢印５に示すよ
うに左右に移動することと、この移動中に上下より除電
器6,7,8によりイオン化したガス（この場合は空気）を
吹きつけていることである。
図において除電器6,7は送風ダクト11の先端に内蔵され
ており、除電器に設けられているガス流通穴を通じてイ
オン化したガスが基板１に吹きつけられる。
ており、除電器に設けられているガス流通穴を通じてイ
オン化したガスが基板１に吹きつけられる。
また下側の除電器８は筒状の除電器を上の除電器6,7と
直角の方向に配置した状態を示しており、イオン化した
ガスはラビングテーブル９に設けてある多数の穴10を通
じて基板１の裏面に吹きつける構造をとる。
直角の方向に配置した状態を示しており、イオン化した
ガスはラビングテーブル９に設けてある多数の穴10を通
じて基板１の裏面に吹きつける構造をとる。
このようにするとラビングロール３により基板１の配向
膜の配向が行なれる際、静電荷は発生するや否や中和さ
れるため、電荷の蓄積を生ぜず、そのため従来の放電障
害を無くすることが可能となる。
膜の配向が行なれる際、静電荷は発生するや否や中和さ
れるため、電荷の蓄積を生ぜず、そのため従来の放電障
害を無くすることが可能となる。
以上記したように本発明の実施により静電器の蓄積を無
くすることができるので、ラビング処理に際して生ずる
放電障害がなくなり、これにより製造収率の向上が達成
される。
くすることができるので、ラビング処理に際して生ずる
放電障害がなくなり、これにより製造収率の向上が達成
される。
第１図は本発明を実施したラビング装置の断面図、 第２図はラビング装置の構成を示す斜視図、 第３図はラビング機構を説明する断面図、 である。 図において、 １はガラス基板、 2,9はラビングテーブル、 ３はラビングロール、6,7,8は除電器、 10は穴、 である。
Claims (1)
- 【請求項１】配向材料を塗布したガラス基板をラビング
して水平配向処理を行う際に該基板の表裏面にイオン化
したガスを吹きつけ、ラビングにより生じた帯電電荷を
中和することを特徴とする液晶表示板のラビング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61014964A JPH0750271B2 (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 液晶表示板のラビング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61014964A JPH0750271B2 (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 液晶表示板のラビング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172323A JPS62172323A (ja) | 1987-07-29 |
| JPH0750271B2 true JPH0750271B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=11875660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61014964A Expired - Lifetime JPH0750271B2 (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 液晶表示板のラビング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750271B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2595068B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1997-03-26 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示素子ラビング装置 |
| JP2852383B2 (ja) * | 1989-06-20 | 1999-02-03 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | スペーサー散布装置とスペーサー散布方法 |
| JPH0495924A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-27 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP2960621B2 (ja) * | 1992-12-26 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | ラビング装置、ラビング方法、液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法 |
| AU2001273766A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-08 | Brooks-Pri Automation Gmbh | Device and method for cleaning articles used in the production of semiconductor components |
| CN105204233B (zh) * | 2015-10-26 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板摩擦取向方法及装置、显示基板制备方法及系统 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646226A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of mask for integrated circuit |
| JPS59178532U (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-29 | 小田島 茂 | 静電気除去付エア−シヤワ−装置 |
| JPS60237429A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-26 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP61014964A patent/JPH0750271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62172323A (ja) | 1987-07-29 |
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