JPS60237429A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPS60237429A JPS60237429A JP59093551A JP9355184A JPS60237429A JP S60237429 A JPS60237429 A JP S60237429A JP 59093551 A JP59093551 A JP 59093551A JP 9355184 A JP9355184 A JP 9355184A JP S60237429 A JPS60237429 A JP S60237429A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は液晶表示素子の製造方法に関し、各表示電極に
電気絶縁性薄膜を介して電気信号を与える構造を有する
液晶表示素子の製造方法に関する。
電気絶縁性薄膜を介して電気信号を与える構造を有する
液晶表示素子の製造方法に関する。
背景技術
第１図は典型的な先行技術に従う金属−絶縁膜−金属構
造含有する非線型抵抗素子（Ｍｅｔａｌ −Ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ素子、以後ＭＩＭ素子と略称する
）４を含む基板１の一部分の側視図である。基板１上に
第１導電体２がパターン形成され、第１導電体２の表面
に第１絶縁膜３がＭＩＭ素子４を形成する領域以外の部
分に形成される。
造含有する非線型抵抗素子（Ｍｅｔａｌ −Ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ素子、以後ＭＩＭ素子と略称する
）４を含む基板１の一部分の側視図である。基板１上に
第１導電体２がパターン形成され、第１導電体２の表面
に第１絶縁膜３がＭＩＭ素子４を形成する領域以外の部
分に形成される。
次に、ＭＩＭ素子４を形成する領域に第２絶縁膜−３ａ
が、第１絶縁膜３よシ薄く形成される。次にＭＩＭ素子
４を形成する領域を被覆する第２導電体５が形成される
。
が、第１絶縁膜３よシ薄く形成される。次にＭＩＭ素子
４を形成する領域を被覆する第２導電体５が形成される
。
ここで第１導電体２と第２４電体５は第２絶縁膜３ａ（
５介在してＭＩＭ素子４を構成する。このとき駆動時に
おいて、隣接する電極に電気信号がもれる、いわゆるク
ロストーク電圧の発生を防ぐために、ＭＩＭ素子は、第
１導電体２への入力信号の電圧が小さいときに高抵抗と
なり、入力信号の電圧が液晶表示を行なうに充分な高さ
の電圧が印加されたとき低抵抗となる非線型的な特性分
有する。
５介在してＭＩＭ素子４を構成する。このとき駆動時に
おいて、隣接する電極に電気信号がもれる、いわゆるク
ロストーク電圧の発生を防ぐために、ＭＩＭ素子は、第
１導電体２への入力信号の電圧が小さいときに高抵抗と
なり、入力信号の電圧が液晶表示を行なうに充分な高さ
の電圧が印加されたとき低抵抗となる非線型的な特性分
有する。
次に表示電極６を第２導電体５と接続するように形成す
る。こうして得られる１個の表示電極６とその表示電極
６に関連するＭ Ｉ Ｍ素子４などを含む構成との結合
を、以後便宜的にＭＩ”Ｍ型表示単位と略称する。上述
のようにして得られたＭＩＭ型表示単位の上に配向膜７
を形成し、配向膜７０表面にラビング法によシ配向処理
を施す。
る。こうして得られる１個の表示電極６とその表示電極
６に関連するＭ Ｉ Ｍ素子４などを含む構成との結合
を、以後便宜的にＭＩ”Ｍ型表示単位と略称する。上述
のようにして得られたＭＩＭ型表示単位の上に配向膜７
を形成し、配向膜７０表面にラビング法によシ配向処理
を施す。
このとき第１絶縁膜３の厚みが２，０００ Ａ〜４００
０Ａでちるように形成されるのに対し、第２絶縁膜３ａ
の厚みは３００Ａ〜７００Ａであるように形成されてい
る。このため配向処理において発生した静電気は極めて
高い確率で第２絶縁膜３ａを破壊していた。その結果第
１４電休２と第２導電体５が直接導通する構造となり、
ＭＩＭ素子４の第１導電体２と第２導電体５とが短絡し
てしまい、いわばＭＭ槽構造有する素子に変化してしま
う。このため駆動時にクロストーク電圧が発生し、Ｍ
Ｉ Ｍ素子を用いてクロストーク電圧の発生を防ぐとい
う効果が実現できなくなるという問題があった。またこ
の静電気全除去するために基板１、おるいは前述のラビ
ング法におけるラビング材女どに、基板１あるいはラビ
ング材を介して静電気？逃がすための回路？設ける方法
も行なわれているが、充分な効果を得ていない。
０Ａでちるように形成されるのに対し、第２絶縁膜３ａ
の厚みは３００Ａ〜７００Ａであるように形成されてい
る。このため配向処理において発生した静電気は極めて
高い確率で第２絶縁膜３ａを破壊していた。その結果第
１４電休２と第２導電体５が直接導通する構造となり、
ＭＩＭ素子４の第１導電体２と第２導電体５とが短絡し
てしまい、いわばＭＭ槽構造有する素子に変化してしま
う。このため駆動時にクロストーク電圧が発生し、Ｍ
Ｉ Ｍ素子を用いてクロストーク電圧の発生を防ぐとい
う効果が実現できなくなるという問題があった。またこ
の静電気全除去するために基板１、おるいは前述のラビ
ング法におけるラビング材女どに、基板１あるいはラビ
ング材を介して静電気？逃がすための回路？設ける方法
も行なわれているが、充分な効果を得ていない。
目 的
本発明の目的は、前述の技術的課題全解決し、Ｐ３縁性
薄膜を介して各表示電極にミス信号？与えるようにした
構造を有する液晶表示素子が、配向処理時に発生する静
電気によって破壊されることを防ぐ液晶表示素子の製造
方法を提供することである。
薄膜を介して各表示電極にミス信号？与えるようにした
構造を有する液晶表示素子が、配向処理時に発生する静
電気によって破壊されることを防ぐ液晶表示素子の製造
方法を提供することである。
実施例
第２図は本発明に従う製造方法によって製造されたＭ
Ｉ Ｍ型表示単位８を含む液晶表示素子の断面図である
。基板９０表面にはＭＩＭ素子１０を含むＭＩＭ型表示
単位８が形成されており、ＭＩＭ型表示単位８を含む基
板９の表面には後述の配向処理を施した配向膜１１が形
成されている。対向基板９ａには、第２図の紙面と平行
方向に平行な帯状電極１２が形成されている。帯状電極
１２を含む対向基板９ａの表面には後述の配向処理な施
した配向膜１１ａが形成されている。これらの配向膜１
１．ｌｌａに挾まれる空間部に液晶１３が封入されてい
る。
Ｉ Ｍ型表示単位８を含む液晶表示素子の断面図である
。基板９０表面にはＭＩＭ素子１０を含むＭＩＭ型表示
単位８が形成されており、ＭＩＭ型表示単位８を含む基
板９の表面には後述の配向処理を施した配向膜１１が形
成されている。対向基板９ａには、第２図の紙面と平行
方向に平行な帯状電極１２が形成されている。帯状電極
１２を含む対向基板９ａの表面には後述の配向処理な施
した配向膜１１ａが形成されている。これらの配向膜１
１．ｌｌａに挾まれる空間部に液晶１３が封入されてい
る。
このような構成を有する液晶表示素子は、いわゆるドツ
トマトリックス方式に従う駆動方式である。この方式は
情報表示手段として液晶表示素子にめられている、表示
単位８の高密度化、表示画面の高密度化などの要請に対
応する方策の一つである。
トマトリックス方式に従う駆動方式である。この方式は
情報表示手段として液晶表示素子にめられている、表示
単位８の高密度化、表示画面の高密度化などの要請に対
応する方策の一つである。
第３図は本発明に従うＭＩＭ型液晶表示素子の製造工程
において、後述する配向処理直後のＭ ＩＭ辰示単位８
の平面図でちる。第４図は第３図のセクション■の斜視
図であり、第５図は第４図の切断面線ｖ−■より見た断
面図であり、第６図は第４図の切断面線ＶＩ−ＶＩよシ
見た断面図である。
において、後述する配向処理直後のＭ ＩＭ辰示単位８
の平面図でちる。第４図は第３図のセクション■の斜視
図であり、第５図は第４図の切断面線ｖ−■より見た断
面図であり、第６図は第４図の切断面線ＶＩ−ＶＩよシ
見た断面図である。
配向処理直後に至るまでのＭ Ｉ Ｍ型液晶表示素子の
製造工程を第３図〜第６図を用いて説明する。
製造工程を第３図〜第６図を用いて説明する。
基板９は、たとえばホウケイ酸ガラス力どの材料から形
成され、基板９の一表面には第１導電体１４全パターン
形成する。このとき第１導電体１４は、たとえばタンタ
ルＴａなどの金属材料から形成され、２０００Ａ〜４０
０ＯＡの厚みに、その延在方向とは垂直方向の断面が略
台形？成すようにパターン形成される。このようなパタ
ーン形成にはフォトリングラフインク技術とプラズマ排
工法や反応性イオンエツチング（ＲＩ Ｅ ）法などを
組み脅せた技術を多く用いる。
成され、基板９の一表面には第１導電体１４全パターン
形成する。このとき第１導電体１４は、たとえばタンタ
ルＴａなどの金属材料から形成され、２０００Ａ〜４０
０ＯＡの厚みに、その延在方向とは垂直方向の断面が略
台形？成すようにパターン形成される。このようなパタ
ーン形成にはフォトリングラフインク技術とプラズマ排
工法や反応性イオンエツチング（ＲＩ Ｅ ）法などを
組み脅せた技術を多く用いる。
次に７オトレジストなどの感光性材料を、第１導電体１
４の側部の一部分、すなわち後述するＭＩＭ素子を形成
する頑域１５に形成する。次に陽極酸化法で第１導電体
１４０表面に第１絶縁膜１前記領域１５のフォトレジス
トヲ除去し、除去した部分に陽極酸化法によって第２絶
縁膜１７としてＴ ａ ２０ ｓの金属酸化膜を３００
Ａ〜７００Ａの膜厚で形成する。
４の側部の一部分、すなわち後述するＭＩＭ素子を形成
する頑域１５に形成する。次に陽極酸化法で第１導電体
１４０表面に第１絶縁膜１前記領域１５のフォトレジス
トヲ除去し、除去した部分に陽極酸化法によって第２絶
縁膜１７としてＴ ａ ２０ ｓの金属酸化膜を３００
Ａ〜７００Ａの膜厚で形成する。
次に第２絶縁膜１７と、第２絶＠膜１７と連続する基板
９の表面の一部分とを被覆するように、第２導電体１８
を形成する。また第１絶縁１ｐｉ４１６の一部分を第１
辱電体１４の延在方向とは垂直方向に被覆し、かつこの
被覆される一部分を介して連続する基板９０表面の２部
分をも被覆する接地導電体１９全形成する。また接地導
電体１９と接続される接地用共通導電体２０を形成する
。このとき第２導電体１８と第２絶縁膜１７と第１導電
体１４とはＭＩＭ素子１０を構成する。またこれらの各
導電体１８．１９と接地用共通導電体２゜は、たとえは
Ｔ ａ々どの材料から形成される。
９の表面の一部分とを被覆するように、第２導電体１８
を形成する。また第１絶縁１ｐｉ４１６の一部分を第１
辱電体１４の延在方向とは垂直方向に被覆し、かつこの
被覆される一部分を介して連続する基板９０表面の２部
分をも被覆する接地導電体１９全形成する。また接地導
電体１９と接続される接地用共通導電体２０を形成する
。このとき第２導電体１８と第２絶縁膜１７と第１導電
体１４とはＭＩＭ素子１０を構成する。またこれらの各
導電体１８．１９と接地用共通導電体２゜は、たとえは
Ｔ ａ々どの材料から形成される。
次に表示電極２１を第２導電体１８と接地導電体１９と
に導通できるように形成する。ここで接地導電体１９は
接地用共通導電体２０と導通できるように形成されてい
るので、表示電極２１と接地導電体１９と接地用共通導
電体２０とは、この順序で直列回路？構成するようにで
きる。表示電極２１ｉｄ、たとえば酸化インジウムＩｎ
２Ｏ３などから形成される。
に導通できるように形成する。ここで接地導電体１９は
接地用共通導電体２０と導通できるように形成されてい
るので、表示電極２１と接地導電体１９と接地用共通導
電体２０とは、この順序で直列回路？構成するようにで
きる。表示電極２１ｉｄ、たとえば酸化インジウムＩｎ
２Ｏ３などから形成される。
次に前述した工程による構成を有する基板９の表面全体
に亘シ、配向膜１１を形成する。ここで配向膜１１はた
とえば二酸化シリコンＳｉＯ２などから形成される。
に亘シ、配向膜１１を形成する。ここで配向膜１１はた
とえば二酸化シリコンＳｉＯ２などから形成される。
次に配向膜１１の表面に配向処理を行なう。ここで配向
処理の方法は前述したようにラビング法が多く用いられ
ており、したがって絶縁材料から成る配向膜１１の両表
面に摩擦により静電気が発生する。発生した静電気は、
配向膜１１の基板９に臨む表面と接触する表示電極２１
と接地導電体１９とを介して接地用共通導電体２ｏに流
れ、接地用導電体２０を介して外部へ放出される。こう
して数１０００ Ｖ／ ｃｍの電界を有することもある
静電気によるＭＩＭ素子１ｏの破壊が防がれる。
処理の方法は前述したようにラビング法が多く用いられ
ており、したがって絶縁材料から成る配向膜１１の両表
面に摩擦により静電気が発生する。発生した静電気は、
配向膜１１の基板９に臨む表面と接触する表示電極２１
と接地導電体１９とを介して接地用共通導電体２ｏに流
れ、接地用導電体２０を介して外部へ放出される。こう
して数１０００ Ｖ／ ｃｍの電界を有することもある
静電気によるＭＩＭ素子１ｏの破壊が防がれる。
第７（ス（ｄ１第３し！〜第６図で祝明した工程に続き
、後述するレーザにより接地導電体１９を切断した状態
のＭＩＭ型表示単位８の平面図である。
、後述するレーザにより接地導電体１９を切断した状態
のＭＩＭ型表示単位８の平面図である。
第８図は第７図のセクション■の斜視図であり、第９図
は第８図の切断面勝ＩＸ−ＩＸがら見た断面図であり、
第１０図は第８図の切断面＋ｋＸ−Ｘがら見た断面図で
ある。第３図〜第６図で述べた配向処理より後の製造工
程を第７図〜第１０図を参照して説明する。
は第８図の切断面勝ＩＸ−ＩＸがら見た断面図であり、
第１０図は第８図の切断面＋ｋＸ−Ｘがら見た断面図で
ある。第３図〜第６図で述べた配向処理より後の製造工
程を第７図〜第１０図を参照して説明する。
前述のようにして静電気を接地用共通導電体２０を介し
て外部へ放出した後、たとえばイツトリウム・アルミニ
ウム・ガーネット（ＹＡＧ、以下ＹＡＧと略称する）結
晶などを用いたＹＡＧレーザ装置（図示せず）によって
接地４電体１９の、第１絶縁膜１６と表示電極２１との
間の一部分を除去し、前述の表示電極２１と接地導電体
１９と接地用共通導電体２０とから成る直列回路全連断
するようにする。したがって表示電極２１は接地用共通
導電体２０からは遮断され、ＭＩＭ素子１０を介しての
み他の表示電極と連絡するようにされ、所望のＭＩＭ型
液晶表示素子が得られるようにすることができる。この
とき接地導電２体１９の切断に伴い、切断部分を被覆し
ている配向膜１１の対応部分も切断されるが、この切断
部分の幅Ｌ１は１箇所について幅１〜２μｍ程度であり
、配向処理によって実現できる全体としての効果に対す
る影響は無視できる程度である。
て外部へ放出した後、たとえばイツトリウム・アルミニ
ウム・ガーネット（ＹＡＧ、以下ＹＡＧと略称する）結
晶などを用いたＹＡＧレーザ装置（図示せず）によって
接地４電体１９の、第１絶縁膜１６と表示電極２１との
間の一部分を除去し、前述の表示電極２１と接地導電体
１９と接地用共通導電体２０とから成る直列回路全連断
するようにする。したがって表示電極２１は接地用共通
導電体２０からは遮断され、ＭＩＭ素子１０を介しての
み他の表示電極と連絡するようにされ、所望のＭＩＭ型
液晶表示素子が得られるようにすることができる。この
とき接地導電２体１９の切断に伴い、切断部分を被覆し
ている配向膜１１の対応部分も切断されるが、この切断
部分の幅Ｌ１は１箇所について幅１〜２μｍ程度であり
、配向処理によって実現できる全体としての効果に対す
る影響は無視できる程度である。
このようにしてラビング法による配向処理時に発生する
静電気が十分に外部に放出され、ＭＩＭ素子１０が破壊
されることが防がれる。
静電気が十分に外部に放出され、ＭＩＭ素子１０が破壊
されることが防がれる。
前述の実施例では基板９としてホウケイ酸ガラスを用い
たが、セラミックスやシリコンウェファを用いてもよい
。このときナトリウムガラスを用いる場合は表面に二酸
化シリコン５ｉ０２などの絶絶膜を形成しておく処理が
多く用いられている。
たが、セラミックスやシリコンウェファを用いてもよい
。このときナトリウムガラスを用いる場合は表面に二酸
化シリコン５ｉ０２などの絶絶膜を形成しておく処理が
多く用いられている。
前述の実施例では第１導電体１４としてＴａｉ用いたが
、他にクロムＣｒまたはアルミニウムＡｌを用いてもよ
い。ただし製造されたＭＩＭ型液晶表示素子の作動の安
定性を考慮するとＴａが好適である。また第１絶縁膜１
６および第２絶縁膜１７を形成する場合に陽極酸化法を
用い、したがって得られた第１絶縁膜１６および第２絶
縁膜１７はＴａ２０５であったが、フォトリングラフイ
ンク法などを用いてパターン形成する場合は酸化アルミ
ニウムＡｌ２Ｏ３などの他の絶縁相料であってもよい。
、他にクロムＣｒまたはアルミニウムＡｌを用いてもよ
い。ただし製造されたＭＩＭ型液晶表示素子の作動の安
定性を考慮するとＴａが好適である。また第１絶縁膜１
６および第２絶縁膜１７を形成する場合に陽極酸化法を
用い、したがって得られた第１絶縁膜１６および第２絶
縁膜１７はＴａ２０５であったが、フォトリングラフイ
ンク法などを用いてパターン形成する場合は酸化アルミ
ニウムＡｌ２Ｏ３などの他の絶縁相料であってもよい。
また第２導電体１８および接地導電体１９はＴａであっ
たが他にはニッケルＮｉ、クロムＣｒ、などの外、アル
ミニウムＡｌ、銀Ａｇ１銅Ｃｕ、金Ａｕなどを用いても
よい。このときＴａ。
たが他にはニッケルＮｉ、クロムＣｒ、などの外、アル
ミニウムＡｌ、銀Ａｇ１銅Ｃｕ、金Ａｕなどを用いても
よい。このときＴａ。
Ｎｉ％Ｃｒが多く用いられる。また第１導電体の材料と
してＴａｉ用い、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７
の材料としてＴａ２０５を用い、第２導電体１８の材料
としてＴａｉ用いる組合せが好適に用いられる。
してＴａｉ用い、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７
の材料としてＴａ２０５を用い、第２導電体１８の材料
としてＴａｉ用いる組合せが好適に用いられる。
また表示電極２１および接地用共通導電体２０はＩｎ２
Ｏ３に用いたが他に酸化スズＳｎＯ２、Ａｌ。
Ｏ３に用いたが他に酸化スズＳｎＯ２、Ａｌ。
Ａｇ ｓ Ｃｕなどを用いてもよい。また前述の実施例
では接地用共通導電体２０は接地導電体１９などと別個
に形成された一ｈ５、他の実施例として接地導電体１９
と同一の材料で同時に形成してもよい。
では接地用共通導電体２０は接地導電体１９などと別個
に形成された一ｈ５、他の実施例として接地導電体１９
と同一の材料で同時に形成してもよい。
またパターン形成時に７オトレジスト金用いたがポリイ
ミド膜などの他の感光性１材料・を用いてもよい。
ミド膜などの他の感光性１材料・を用いてもよい。
また配向膜１１として５ｉ０２ｉ用いたが、ポリイミド
膜やフッ化マグネシウムＭｇＦ ２などの他の絶縁性を
有する材料を用いてもよい。
膜やフッ化マグネシウムＭｇＦ ２などの他の絶縁性を
有する材料を用いてもよい。
前述の実施例ではＭＩＭ素子１０を含む液晶表示素子の
製造方法について述べたが、本発明は電気絶縁性薄膜を
含む素子を介して表示電極に信号電圧を与える構成を有
する液晶表示素子の製造方法に関連して広〈実施するこ
とができる。
製造方法について述べたが、本発明は電気絶縁性薄膜を
含む素子を介して表示電極に信号電圧を与える構成を有
する液晶表示素子の製造方法に関連して広〈実施するこ
とができる。
効果
以上のように本発明に従えば、配向処理時に配向膜表面
に発生する静電気を、配向膜表面に接触する導電体によ
って基板外部に放出する。したがってラビング材や基板
にアース用回路と接続する方法と比べて、充分に静電気
を放出することができる。したがって配向処理時に電気
絶縁性薄膜が破壊され名ことが防がれ、高い歩留りで、
ドツトマトリックス方式などの表示方式に対応できる液
晶表示素子全製造できる。
に発生する静電気を、配向膜表面に接触する導電体によ
って基板外部に放出する。したがってラビング材や基板
にアース用回路と接続する方法と比べて、充分に静電気
を放出することができる。したがって配向処理時に電気
絶縁性薄膜が破壊され名ことが防がれ、高い歩留りで、
ドツトマトリックス方式などの表示方式に対応できる液
晶表示素子全製造できる。
第１図は先行技術のＭＩＭ型表示素子の一部分の斜視図
、第２図は本発明に従う製造方法によって製造されたＭ
ＩＭ型液晶表示素子の断面図、第３図は本発明に従う製
造方法において配向処理直後の基板９の一部分の平面図
、第４図は第３図の段階におけるＭＩＭ型表示単位８の
斜視図、第５図は第４図の切断面線ｖ−ｖよシ見た断面
図、第６図は第４図の切断面線ＶＩ−Ｖｌより見た断面
図、第７図は揶３図の実施例において接地導電体１９の
一部全切断した段階の基板９の一部分の平面図、第８図
は第７図の段階におけるＭＩＭ型表示単位８の斜視図、
第９図は第８図の切断面駒ＩＫ −Ｄｉ：より見た断面
図、第１０図は第８図の切断面線Ｘ−Ｘより見た断面図
である。 ８・・・ＭＩＭ型表示単位、９・・・基板、１０・・・
ＭＩＭ素子、１１ ｅ １１ ａ・・・配向膜、１４・
・・第１４電体、１５・・・Ｍ Ｉ Ｍ素子の形成領域
、１６・・・第１絶縁膜、１７・・・第２絶縁膜、１８
・・・第２導電一体、１９・・・接地導電体、２０・・
・接地用共通電極、２１・・・表示電極 代理人 弁理士 西教圭一部
、第２図は本発明に従う製造方法によって製造されたＭ
ＩＭ型液晶表示素子の断面図、第３図は本発明に従う製
造方法において配向処理直後の基板９の一部分の平面図
、第４図は第３図の段階におけるＭＩＭ型表示単位８の
斜視図、第５図は第４図の切断面線ｖ−ｖよシ見た断面
図、第６図は第４図の切断面線ＶＩ−Ｖｌより見た断面
図、第７図は揶３図の実施例において接地導電体１９の
一部全切断した段階の基板９の一部分の平面図、第８図
は第７図の段階におけるＭＩＭ型表示単位８の斜視図、
第９図は第８図の切断面駒ＩＫ −Ｄｉ：より見た断面
図、第１０図は第８図の切断面線Ｘ−Ｘより見た断面図
である。 ８・・・ＭＩＭ型表示単位、９・・・基板、１０・・・
ＭＩＭ素子、１１ ｅ １１ ａ・・・配向膜、１４・
・・第１４電体、１５・・・Ｍ Ｉ Ｍ素子の形成領域
、１６・・・第１絶縁膜、１７・・・第２絶縁膜、１８
・・・第２導電一体、１９・・・接地導電体、２０・・
・接地用共通電極、２１・・・表示電極 代理人 弁理士 西教圭一部
Claims (1)
- 基板上に複数の表示電極を形成し、各表示用電極に電気
絶縁性薄膜を介在して電気信号を与える構造を有する回
路を接続し、各表示電極にはさらに接地導電体が接続さ
れ、この接地導電体は前記回路に関連して接続され、各
表示電析上には配向膜が形成され、接地導電体全前記回
路を介して接地した状態で配向膜上に配向処理を施し、
その後その接地導電体全切断することを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093551A JPS60237429A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093551A JPS60237429A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237429A true JPS60237429A (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=14085390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093551A Pending JPS60237429A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60237429A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172323A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Fujitsu Ltd | 液晶表示板のラビング方法 |
| JPS6385586A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | 株式会社東芝 | アクテイブマトリクス型表示装置 |
| JPS63217325A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-09-09 | フアオ・デー・オー・アードルフ・シントリング・アクチエンゲゼルシヤフト | 金属条導体を有する液晶セル |
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59093551A patent/JPS60237429A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172323A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Fujitsu Ltd | 液晶表示板のラビング方法 |
| JPS6385586A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | 株式会社東芝 | アクテイブマトリクス型表示装置 |
| JPS63217325A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-09-09 | フアオ・デー・オー・アードルフ・シントリング・アクチエンゲゼルシヤフト | 金属条導体を有する液晶セル |
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
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