JP2737758B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JP2737758B2 JP7027997A JP7027997A JP2737758B2 JP 2737758 B2 JP2737758 B2 JP 2737758B2 JP 7027997 A JP7027997 A JP 7027997A JP 7027997 A JP7027997 A JP 7027997A JP 2737758 B2 JP2737758 B2 JP 2737758B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス状また
は類似の多数の画素を有し、一方の基板に各画素に対応
してスイッチング素子を配置する液晶表示装置の製造方
法に関する。本発明は特に、液晶表示装置の製造工程を
合理化する電極端子形状とし、工程能力を向上させる製
造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】MIM素子は、金属(Metal)−絶縁物(In
sulator)−金属(Metal)の略で、非線形な電圧電流特
性を示す物質構造である。具体的にはTa−TaOx−Cr,Ta
−TaOx−Ta,Al−AlOx−Al等が使用される。この素子
は、低電圧で高抵抗、高電圧で低抵抗であり、スイッチ
ング特性をもち、これを液晶表示装置内の各画素に配置
することにより、各画素を準独立に制御・駆動すること
ができる。少なくとも、200×200画素以上の高密度マト
リクス画面を達成でき、キャラクターディスプレイ、TV
画像表示等に応用できるものである。 【0003】MIM素子の重要部分である、TaOxは、通常
はTaを陽極酸化することによって得られる。図3に、MI
M素子を表示装置に配置した部分と、端子についての平
面図を示す。TaOxとTaは同一の平面的パターンである
が、陽極酸化された部分の表面がTaOxとなる。MIM素子
部33の下側はTaで、表面はTaOxであり、Cr等による結合
電極32が交差し、MIM素子を形成する。さらに結合電極3
2はITO等の画素電極31と結線される。 【0004】画素電極31と、この対面に配置される対向
電極の間に、適当なる液晶層があり、表示画素となる。 【0005】陽極酸化はTaのパターニングされた基板
を、クエン酸溶液等に浸し、他に陰極板を配置し、Taと
陰極板の間に約30Vの電圧を印加することによって得ら
れる。通常は、この工程段階では、Taパターンは全て結
合されており、一回の陽極酸化で終了させる。最終工程
でガラス基板をカッティングすることによって各端子毎
に分離し完了する。 【0006】また、工程合理化のため、一枚の比較的大
きな基板に複数個の単位基板を配置し、最終工程でカッ
ティングし切り離す方法が採用される。この場合は、当
然ながら、単位基板の切り離しと各端子の切離しは同時
に可能なパターンとする。また、大基板のTaの線は、全
部結合されているパターンにして、陽極酸化工程の合理
化も実施されている。大基板に配置される単位基板の数
は4〜9個が取扱い上は良く、採用されている。図4に
は4個配置の模式図を示す。数の省略されたTa線と、周
囲のTa面を表わす。単位基板41,42,43,44のTa線は、す
べて一本のTaパターンとなっている。破線は、カッティ
ングの線を示している。この例で示されているが、単位
基板の端子引出しは両側に実施されている。これは両側
に引出すことで、端子間隔が広くとれ、製造上有利とな
るためである。 【0007】図4の中央部の基板41と42の間、あるいは
43と44の間の部分を拡大したのが、図5である。縦線51
はその左右の端子部に連らなるTa線の陽極酸化を実施さ
せるための結合線である。この線巾は陽極酸化を確実に
行なうため数十μm以上は必要である。破線で狭まれる
部分はカッティングにより切り落とす部分である。この
場合、スクライバー装置によりカッティングは、細い切
込み線を入れて割る方法であるので、結合線51は必ずど
ちらかに残存し、採用することができない。高速回転の
砥石によるダイシング法では一定巾で切り落とすことが
できるので、この場合には有効となる。 【0008】従来は、ダイシング法により切り落としを
行なっていたが、スクライブ法よりも、処理能力が悪か
った。 【0009】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶表示装
置の製造工程において、大基板から単位基板を切り離す
場合にスクライブ法により可能となる、液晶表示装置の
製造方法を提供することを目的としている。 【0010】スクライブ法を全面的に取入れることによ
り、工程能力を向上させることができる。 【0011】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、大基板に複数枚の単位基板を形成するとと
もに、前記単位基板上に表面に絶縁膜が形成された信号
電極を形成し、しかる後前記大基板を切断して各単位基
板に分離することにより液晶表示装置の一方の基板を製
造する液晶表示装置の製造方法において、前記大基板に
おける互いに隣合う前記単位基板上のそれぞれに、切断
予定線をはさんで対向し且つ互いに結合されるように、
複数の前記信号電極を形成する工程と、前記複数の信号
電極に通電し、陽極酸化法により複数枚の前記単位基板
上において前記絶縁膜を形成する工程と、前記大基板を
前記切断予定線にて切断することにより前記単位基板を
互いに分離する工程とを有し、複数の前記信号電極を形
成する工程においては、互いに隣合う前記単位基板の信
号電極を同じピッチで配置すると共に、当該互いに隣合
う単位基板の前記信号電極の配置を互いにずらすように
対向配置して形成し、且つ前記切断予定線を挟んでずら
された配置で対向する信号電極同士を結合するように形
成してなることを特徴とする。 【0012】 【発明の実施の形態】図1に本発明の実施例を示す。2
つの電極端子を代表的に示す。右側の破線は基板の外形
線である。これは右端の部分であり、左端では対称な形
状となる。寸法(a+b)は端子配置のピッチとなり、
aは端子巾であり、bは端子間巾である。 【0013】端子間巾と同一寸法のへこみ部分11を端子
パターンに有する。寸法cはへこみ部分11の長さであ
る。 【0014】図2は、2個の単位基板が結合した様子を
示したものである。破線はカッティングの線、すなわち
スクライブ線である。左右の端子は半ピッチずれた状態
で結合し、結果として上から下までTa結は一本に結線さ
れている。しかも細いスクライブ線によってカッティン
グしても、余分なTa線は残ることはない。 【0015】 【発明の効果】以上説明した通り、本発明の液晶表示装
置の製造方法は、前記複数の信号電極を形成する工程に
おいては、互いに隣合う前記単位基板の信号電極を同じ
ピッチで配置すると共に、当該互いに隣合う単位基板の
前記信号電極の配置を互いにずらすように対向配置して
形成し、且つ前記切断予定線を挟んでずらされた配置で
対向する信号電極同士を結合するように形成してなるこ
とにより、その後の工程で一度に複数枚の単位基板に陽
極酸化法によって絶縁膜を形成することができ、且つ、
単位基板に分離する工程において、切断予定線にて切断
すれば、同一の単位基板内の信号電極同士及び隣合う単
位基板の信号電極を確実に分離することができ、極めて
効率の高い製造方法を提供できるものである。 【0016】すなわち、液晶表示装置の製造コストを低
くおさえることができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施例の電極端子形状を示す図。 【図2】実施例の説明図。 【図3】従来のMIM素子と端子の配置列を示す図。 【図4】大基板に配置された基板の説明図を示す。 【図5】従来の基板の電極端子部の説明図。

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.大基板に複数枚の単位基板を形成するとともに、前
    記単位基板上に表面に絶縁膜が形成された信号電極を形
    成し、しかる後前記大基板を切断して各単位基板に分離
    することにより液晶表示装置の一方の基板を製造する液
    晶表示装置の製造方法において、 前記大基板における互いに隣合う前記単位基板上のそれ
    ぞれに、切断予定線をはさんで対向し且つ互いに結合さ
    れるように、複数の前記信号電極を形成する工程と、 前記複数の信号電極に通電し、陽極酸化法により複数枚
    の前記単位基板上において前記絶縁膜を形成する工程
    と、 前記大基板を前記切断予定線にて切断することにより前
    記単位基板を互いに分離する工程とを有し、 複数の前記信号電極を形成する工程においては、互いに
    隣合う前記単位基板の信号電極を同じピッチで配置する
    と共に、当該互いに隣合う単位基板の前記信号電極の配
    置を互いにずらすように対向配置して形成し、且つ前記
    切断予定線を挟んでずらされた配置で対向する信号電極
    同士を結合するように形成してなることを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
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