JP3010672B2 - アパチャー電極及びその製造方法 - Google Patents
アパチャー電極及びその製造方法Info
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- JP3010672B2 JP3010672B2 JP5335190A JP5335190A JP3010672B2 JP 3010672 B2 JP3010672 B2 JP 3010672B2 JP 5335190 A JP5335190 A JP 5335190A JP 5335190 A JP5335190 A JP 5335190A JP 3010672 B2 JP3010672 B2 JP 3010672B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、トナージェット記録装置等において、帯電
したトナーを変調するアパチャー電極とその製造方法に
関するものである。
したトナーを変調するアパチャー電極とその製造方法に
関するものである。
［従来技術］ 従来、アパチャー電極は次に述べるように製造されて
いた。まず、100μｍ（マイクロ・メートル）前後の厚
さの高分子絶縁フィルム（ポリエステル、ポリイミド、
ポリエチレンなど）の両面に10μｍ程度の厚さの金属箔
（ステンレス、銅など）を接着剤によって張り付けた多
層膜に、エキシマレーザー加工によって、一列にアパチ
ャー（穴若しくはスリット）をあける。そして、フォト
エッチング法によって、高分子絶縁フィルムの一方の面
の前記アパチャーの周りに金属箔を独立にパターニング
して多数の制御電極層を形成していた。
いた。まず、100μｍ（マイクロ・メートル）前後の厚
さの高分子絶縁フィルム（ポリエステル、ポリイミド、
ポリエチレンなど）の両面に10μｍ程度の厚さの金属箔
（ステンレス、銅など）を接着剤によって張り付けた多
層膜に、エキシマレーザー加工によって、一列にアパチ
ャー（穴若しくはスリット）をあける。そして、フォト
エッチング法によって、高分子絶縁フィルムの一方の面
の前記アパチャーの周りに金属箔を独立にパターニング
して多数の制御電極層を形成していた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述したような製造方法では、アパチ
ャー電極の絶縁層と基準電極層及び制御電極層との接合
に接着剤を用いているので、アパチャーに接着剤が露出
することがあり、そこにトナーが吸着されてアパチャー
が詰まってしまい、記録不能になる虞れがあるという問
題点があった。
ャー電極の絶縁層と基準電極層及び制御電極層との接合
に接着剤を用いているので、アパチャーに接着剤が露出
することがあり、そこにトナーが吸着されてアパチャー
が詰まってしまい、記録不能になる虞れがあるという問
題点があった。
また、このアパチャー電極は、トナー担持体と対向電
極との1mm（ミリ・メートル）以下のギャップに接触し
ないように設けられており、しかも、このアパチャー電
極は100μｍ前後の高分子絶縁フィルムと10μｍ前後の
二枚の金属箔からなる多層膜によって主に構成されてい
るので、その剛性が低く、僅かな力が加わっても変形し
てしまい、トナー担持体あるいは対向電極に接触してし
まうことがあった。このため高電圧のかかっているトナ
ー担持体や対向電極とこのアパチャー電極との間で異常
放電が起こって、その電気ノイズによって装置の誤動作
を起こす虞れがあるという問題点があった。
極との1mm（ミリ・メートル）以下のギャップに接触し
ないように設けられており、しかも、このアパチャー電
極は100μｍ前後の高分子絶縁フィルムと10μｍ前後の
二枚の金属箔からなる多層膜によって主に構成されてい
るので、その剛性が低く、僅かな力が加わっても変形し
てしまい、トナー担持体あるいは対向電極に接触してし
まうことがあった。このため高電圧のかかっているトナ
ー担持体や対向電極とこのアパチャー電極との間で異常
放電が起こって、その電気ノイズによって装置の誤動作
を起こす虞れがあるという問題点があった。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされた
ものであり、記録不能や誤動作の起こらない品質の優れ
たアパチャー電極及びその製造方法を提供することを目
的としている。
ものであり、記録不能や誤動作の起こらない品質の優れ
たアパチャー電極及びその製造方法を提供することを目
的としている。
［課題を解決するための手段］ この目的を達成するために、本発明のアパチャー電極
は、厚さ20μｍ乃至300μｍの極薄のセラミクス絶縁基
板と、該セラミクス絶縁基板の一方の面に薄膜形成法に
よって設けられた基準電極膜と、前記セラミクス基板の
他方の面に薄膜形成法によって独立に設けられた多数の
制御電極膜と、該制御電極膜各々の略中心に設けられ、
且つ前記セラミクス絶縁基板を貫通しているアパチャー
とから構成されている。
は、厚さ20μｍ乃至300μｍの極薄のセラミクス絶縁基
板と、該セラミクス絶縁基板の一方の面に薄膜形成法に
よって設けられた基準電極膜と、前記セラミクス基板の
他方の面に薄膜形成法によって独立に設けられた多数の
制御電極膜と、該制御電極膜各々の略中心に設けられ、
且つ前記セラミクス絶縁基板を貫通しているアパチャー
とから構成されている。
又、この目的を達成するために、本発明のアパチャー
電極の製造方法は、厚さ20μｍ乃至300μｍの極薄のセ
ラミクス絶縁基板の一方の面にスパッタリングなどの薄
膜形成法により金属膜を形成する基準電極膜形成工程
と、前記セラミクス絶縁基板の他方の面に薄膜形成法な
どによって独立した多数の金属膜のパターンを形成する
制御電極膜パターン形成工程と、これらの工程の後、両
面に金属膜の形成された前記セラミクス絶縁基板を貫く
ように、前記制御電極膜パターンの独立した多数の金属
膜各々の略中心にアパチャーを設けるアパチャー形成工
程とからなる。
電極の製造方法は、厚さ20μｍ乃至300μｍの極薄のセ
ラミクス絶縁基板の一方の面にスパッタリングなどの薄
膜形成法により金属膜を形成する基準電極膜形成工程
と、前記セラミクス絶縁基板の他方の面に薄膜形成法な
どによって独立した多数の金属膜のパターンを形成する
制御電極膜パターン形成工程と、これらの工程の後、両
面に金属膜の形成された前記セラミクス絶縁基板を貫く
ように、前記制御電極膜パターンの独立した多数の金属
膜各々の略中心にアパチャーを設けるアパチャー形成工
程とからなる。
［作用］ 上記の構成を有する本発明によれば、このアパチャー
電極はセラミクス絶縁基板に接着剤を用いずに薄膜形成
法の用いて基準電極膜及び制御電極膜を形成してあるの
で、アパチャー内にトナーが吸着されることがなくな
る。また、前記アパチャー電極は厚さ20μｍ乃至300μ
ｍの極薄の厚さであるが、高分子絶縁フィルムに比べて
超越した剛性を持っているセラミクス絶縁基板をベース
としてあるので、トナー担持体と対向電極との小さなギ
ャップに配置されて、少々の外力が加わっても、それら
に接触することが無い。
電極はセラミクス絶縁基板に接着剤を用いずに薄膜形成
法の用いて基準電極膜及び制御電極膜を形成してあるの
で、アパチャー内にトナーが吸着されることがなくな
る。また、前記アパチャー電極は厚さ20μｍ乃至300μ
ｍの極薄の厚さであるが、高分子絶縁フィルムに比べて
超越した剛性を持っているセラミクス絶縁基板をベース
としてあるので、トナー担持体と対向電極との小さなギ
ャップに配置されて、少々の外力が加わっても、それら
に接触することが無い。
［実施例］ 以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
最初に第１図を参照して本発明により製造されるアパ
チャー電極の構成を説明する。
チャー電極の構成を説明する。
アパチャー電極１はそれを貫く一列のアパチャー２が
設けられており、セラミクス絶縁基板３と、そのセラミ
クス絶縁基板３の一側面に設けられた基準電極層４と、
その反対面に前記アパチャー２の周りに電気的に独立し
て設けられた制御電極層５から構成されている。セラミ
クス絶縁基板３はたいへん剛性のあるもので、アパチャ
ー電極１は変形することがほとんどなく、これをトナー
ジェット記録装置等に適用したとき、高電圧のかかって
いるトナー担持体や対向電極に接触することがなくな
り、接触による異常放電からくる電気ノイズによる装置
の誤動作が起こることがなくなる。
設けられており、セラミクス絶縁基板３と、そのセラミ
クス絶縁基板３の一側面に設けられた基準電極層４と、
その反対面に前記アパチャー２の周りに電気的に独立し
て設けられた制御電極層５から構成されている。セラミ
クス絶縁基板３はたいへん剛性のあるもので、アパチャ
ー電極１は変形することがほとんどなく、これをトナー
ジェット記録装置等に適用したとき、高電圧のかかって
いるトナー担持体や対向電極に接触することがなくな
り、接触による異常放電からくる電気ノイズによる装置
の誤動作が起こることがなくなる。
次に、第２図を参照してこのアパチャー電極１の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
第２図（ａ）に示すような厚さ50μｍ（20μｍ〜300
μｍ位までの適当な厚さでよい。）の極薄セラミクス絶
縁基板３（例えば（株）旭化成Ｒナルタス、アルミナま
たはジルコニアの基板）をベースとして、第２図（ｂ）
に示すように、スパッタリング等の薄膜形成法を用いて
セラミクス絶縁基板３の両面に１μｍの厚みの銅膜６、
７を形成する。次に、第２図（ｃ）に示すように、前記
銅膜６をフォトエッチング法によってパターニングして
やり、制御電極層パターン８を形成する。フォトエッチ
ング法とは、フォトレジストによってポジパターン形成
後、塩化第二鉄溶液によって非マスク部の銅を除去する
ことによりパターンを形成する方法である。次に、第２
図（ｄ）に示すように、制御電極層パターン８のそれぞ
れにダイヤモンドドリルによって穴（アパチャー）９を
あけてアパチャー電極１を完成する。
μｍ位までの適当な厚さでよい。）の極薄セラミクス絶
縁基板３（例えば（株）旭化成Ｒナルタス、アルミナま
たはジルコニアの基板）をベースとして、第２図（ｂ）
に示すように、スパッタリング等の薄膜形成法を用いて
セラミクス絶縁基板３の両面に１μｍの厚みの銅膜６、
７を形成する。次に、第２図（ｃ）に示すように、前記
銅膜６をフォトエッチング法によってパターニングして
やり、制御電極層パターン８を形成する。フォトエッチ
ング法とは、フォトレジストによってポジパターン形成
後、塩化第二鉄溶液によって非マスク部の銅を除去する
ことによりパターンを形成する方法である。次に、第２
図（ｄ）に示すように、制御電極層パターン８のそれぞ
れにダイヤモンドドリルによって穴（アパチャー）９を
あけてアパチャー電極１を完成する。
ここで、スパッタリング等の薄膜形成は、接着剤を用
いることなく、基板上に密着性のよい膜を形成できる方
法であって、これによって製造されたアパチャー電極１
はトナージェット装置に適用されたとき、アパチャー２
の内部には従来のような接着層はない。その結果、アパ
チャーを通過するトナーがアパチャーに付着堆積するこ
とがなくなり、アパチャーずまりによる装置の記録不能
が起こらない。
いることなく、基板上に密着性のよい膜を形成できる方
法であって、これによって製造されたアパチャー電極１
はトナージェット装置に適用されたとき、アパチャー２
の内部には従来のような接着層はない。その結果、アパ
チャーを通過するトナーがアパチャーに付着堆積するこ
とがなくなり、アパチャーずまりによる装置の記録不能
が起こらない。
本発明は、以上詳述した実施例に限定されるものでな
く、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加
えることができる。
く、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加
えることができる。
例えば、セラミクス絶縁基板３の両面に形成する膜
は、銅に限らず導電性の材料であるアルミ、ステンレ
ス、まず導電性のある金属を用いてもよい。
は、銅に限らず導電性の材料であるアルミ、ステンレ
ス、まず導電性のある金属を用いてもよい。
また、その膜形成法は、スパッタリングの他、蒸着、
イオンプレイティング、CVDあるいは、スクリーン印刷
法でもよい。
イオンプレイティング、CVDあるいは、スクリーン印刷
法でもよい。
また、穴９の加工には、ドリルによって機械的に行な
う他に、エキシマレーザーによって行なうこともでき
る。このエキシマレーザー加工によれば、YAGやCO2に比
べて、被加工物すなわちアルミナなどのセラミクス絶縁
基板を加熱することなくそのに数十μｍ径の微細な穴な
どをきれいにあけることができる。
う他に、エキシマレーザーによって行なうこともでき
る。このエキシマレーザー加工によれば、YAGやCO2に比
べて、被加工物すなわちアルミナなどのセラミクス絶縁
基板を加熱することなくそのに数十μｍ径の微細な穴な
どをきれいにあけることができる。
［発明の効果］ 以上詳述したことから明らかなように、本発明によれ
ば、薄膜形成法を用いる事により接着剤無しで基準電極
層及び制御電極層を形成することができるので、トナー
がアパチャーに付着堆積してそこに詰まることがなくな
り、装置の記録不能を起こすことがなくなる。更に、厚
さ20μｍ乃至300μｍの極薄のアパチャー電極が変形す
ることがないため、アパチャー電極が高電圧の印加され
てあるトナー担持体や対向電極に接触することがなく、
異常放電を起こしてその電気ノイズによって装置を誤動
作させることもなくなるアパチャー電極及びその製造方
法を提供できるという産業上著しい効果を奏する。
ば、薄膜形成法を用いる事により接着剤無しで基準電極
層及び制御電極層を形成することができるので、トナー
がアパチャーに付着堆積してそこに詰まることがなくな
り、装置の記録不能を起こすことがなくなる。更に、厚
さ20μｍ乃至300μｍの極薄のアパチャー電極が変形す
ることがないため、アパチャー電極が高電圧の印加され
てあるトナー担持体や対向電極に接触することがなく、
異常放電を起こしてその電気ノイズによって装置を誤動
作させることもなくなるアパチャー電極及びその製造方
法を提供できるという産業上著しい効果を奏する。
第１図と第２図は本発明を具体化した実施例を示すもの
で、第１図はアパチャー電極の斜視図、第２図はアパチ
ャー電極の製造方法の工程順序を示す図である。 図中、１はアパチャー電極、２はアパチャー、３はセラ
ミクス絶縁基板、４は基準電極層、５は制御電極層、
６、７は銅膜、８は制御電極層パターン、９は穴（アパ
チャー）である。
で、第１図はアパチャー電極の斜視図、第２図はアパチ
ャー電極の製造方法の工程順序を示す図である。 図中、１はアパチャー電極、２はアパチャー、３はセラ
ミクス絶縁基板、４は基準電極層、５は制御電極層、
６、７は銅膜、８は制御電極層パターン、９は穴（アパ
チャー）である。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/385
Claims (2)
- 【請求項１】厚さ20μｍ乃至300μｍの極薄のセラミク
ス絶縁基板と、 該セラミクス絶縁基板の一方の面に薄膜形成法によって
設けられた基準電極膜と、 前記セラミクス基板の他方の面に薄膜形成法によって独
立に設けられた多数の制御電極膜と、 該制御電極膜各々の略中心に設けられ、且つ前記セラミ
クス絶縁基板を貫通しているアパチャーと から構成されていることを特徴とするアパチャー電極。 - 【請求項２】厚さ20μｍ乃至300μｍの極薄のセラミク
ス絶縁基板の一方の面にスパッタリングなどの薄膜形成
法により金属膜を形成する基準電極膜形成工程と、 前記セラミクス絶縁基板の他方の面に薄膜形成法などに
よって独立した多数の金属膜のパターンを形成する制御
電極膜パターン形成工程と、 これらの工程の後、両面に金属膜の形成された前記セラ
ミクス絶縁基板を貫くように、前記制御電極膜パターン
の独立した多数の金属膜各々の略中心にアパチャーを設
けるアパチャー形成工程とから成るアパチャー電極の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335190A JP3010672B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | アパチャー電極及びその製造方法 |
| US08/008,567 US5256246A (en) | 1990-03-05 | 1993-01-22 | Method for manufacturing aperture electrode for controlling toner supply operation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335190A JP3010672B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | アパチャー電極及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254949A JPH03254949A (ja) | 1991-11-13 |
| JP3010672B2 true JP3010672B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=12940362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5335190A Expired - Fee Related JP3010672B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | アパチャー電極及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3010672B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06320781A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-22 | Brother Ind Ltd | 画像形成装置 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP5335190A patent/JP3010672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03254949A (ja) | 1991-11-13 |
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