JPS6390174A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6390174A JPS6390174A JP23642086A JP23642086A JPS6390174A JP S6390174 A JPS6390174 A JP S6390174A JP 23642086 A JP23642086 A JP 23642086A JP 23642086 A JP23642086 A JP 23642086A JP S6390174 A JPS6390174 A JP S6390174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- hole
- connecting portion
- main surface
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関するもので、特にクロスオ
ーバ方式あるいはエアーブリッジ方式で電極間が連結さ
れる半導体装置に関するものである。
ーバ方式あるいはエアーブリッジ方式で電極間が連結さ
れる半導体装置に関するものである。
クロスオーバ方式あるいはエアーブリッジ方式により電
極が連結される、いわゆるピアホール型の半導体装置に
おいて、クロスオーバ領域あるいはエアーブリッジ領域
の形状を制御すること、すなわちインダクタンス成分の
ばらつきを抑えることが高周波性能を改善するうえで重
要である。
極が連結される、いわゆるピアホール型の半導体装置に
おいて、クロスオーバ領域あるいはエアーブリッジ領域
の形状を制御すること、すなわちインダクタンス成分の
ばらつきを抑えることが高周波性能を改善するうえで重
要である。
第２図（ａＬ （ｂ）は従来のこの種のＧａＡｓＭＥＳ
ＦＥＴの一例を示す概略構成図である。
ＦＥＴの一例を示す概略構成図である。
第２図（ａ）、（ｂ）において、チャネル領域の分割さ
れたソース電極２と貫通孔５が形成された第１の電極で
ある引出し電極１と、チャネル領域の分割された第２の
電極であるソース電極２とをクロスオーバ方式あるいは
エアーブリッジ方式で連結する場合、連結部３の形状は
、各ソース電極２に対し、全て同一の形状で構成されて
いた。なお、４は裏面接地電極、６はドレイン電極、７
はゲート電極、８は半導体基板である。
れたソース電極２と貫通孔５が形成された第１の電極で
ある引出し電極１と、チャネル領域の分割された第２の
電極であるソース電極２とをクロスオーバ方式あるいは
エアーブリッジ方式で連結する場合、連結部３の形状は
、各ソース電極２に対し、全て同一の形状で構成されて
いた。なお、４は裏面接地電極、６はドレイン電極、７
はゲート電極、８は半導体基板である。
しかしながら、上記の構造においては、裏面接地電極４
から貫通孔５を経て連結部３に至る長さが引出し電極１
の中央部と端部とで異なることから、各ソース電極２か
ら連結部３．引出し電極１（貫通孔５を含む）を経て裏
面接地電極４に至るインダクタンスにばらつきが生じ（
中央部に比べ端部が大きくなる）、このことが素子のＲ
Ｆ性能を劣化させる要因となっていた。
から貫通孔５を経て連結部３に至る長さが引出し電極１
の中央部と端部とで異なることから、各ソース電極２か
ら連結部３．引出し電極１（貫通孔５を含む）を経て裏
面接地電極４に至るインダクタンスにばらつきが生じ（
中央部に比べ端部が大きくなる）、このことが素子のＲ
Ｆ性能を劣化させる要因となっていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ソース電極から連結部、引き出し電極（貫
通孔を含む）を経て裏面接地電極に至るインダクタンス
のばらつきを低減できるように改善した半導体装置を得
ることを目的とする。
れたもので、ソース電極から連結部、引き出し電極（貫
通孔を含む）を経て裏面接地電極に至るインダクタンス
のばらつきを低減できるように改善した半導体装置を得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、引出し電極の中央部と端
部とで連結部の形状を変化させ、中央部に比べ端部を大
きくしたものである。
部とで連結部の形状を変化させ、中央部に比べ端部を大
きくしたものである。
この発明においては、連結部の形状を引出し電極の中央
部に比べ端部を、裏面接地電極から貫通孔を経て連結部
に至る導通路の長さに逆比例の関係で大きくしたことか
ら、インダクタンスのばらつきが低減される。
部に比べ端部を、裏面接地電極から貫通孔を経て連結部
に至る導通路の長さに逆比例の関係で大きくしたことか
ら、インダクタンスのばらつきが低減される。
第１図（ａ）、（ｂ）は乙の発明の一実施例のピアホー
ル型電界効果トランジスタの構成を示す概略図である。
ル型電界効果トランジスタの構成を示す概略図である。
これらの図において、第２図（ａ）、（ｂ）と同一符号
は同一構成部分を示し、１３は前記ソース電極２と引出
し電極１とを連結する両端の連結部で、この各連結部１
３の形状を裏面接地Ｗｉ極４から貫通孔５を経て連結部
１３に至るそれぞれの導通路の長さに応じた大きさにし
である。
は同一構成部分を示し、１３は前記ソース電極２と引出
し電極１とを連結する両端の連結部で、この各連結部１
３の形状を裏面接地Ｗｉ極４から貫通孔５を経て連結部
１３に至るそれぞれの導通路の長さに応じた大きさにし
である。
つまり、第１図（ａ）に示されるように、引出し電極１
の中央部の連結部３は幅が等しくなっているが、中央部
の連結部３を挾む両側の連結部１３は梯形をしており、
面積が中央部の連結部３より広くなっている。このよう
な構成にすることによって、各ソース電極２から引出し
電極１２貫通孔５を経て裏面接地電極４に至るインダク
タンスのばらつきが低減できるため高周波性能の改善が
図られる。
の中央部の連結部３は幅が等しくなっているが、中央部
の連結部３を挾む両側の連結部１３は梯形をしており、
面積が中央部の連結部３より広くなっている。このよう
な構成にすることによって、各ソース電極２から引出し
電極１２貫通孔５を経て裏面接地電極４に至るインダク
タンスのばらつきが低減できるため高周波性能の改善が
図られる。
なお、上記実施例では、電界効果トランジスタについて
述べたが、この発明はこれに限定されるものではなく、
他の素子構造に対しても同様に適用できる。
述べたが、この発明はこれに限定されるものではなく、
他の素子構造に対しても同様に適用できる。
この発明は以上説明したとおり、半導体基板の一主面上
に形成された第１の電極と、この第１の電極に対向する
他の主面上に形成された電極とが貫通孔によって連結さ
れ、さらに、前記一主面上に所定間隔で複数に分割され
て形成された第２の電極とを有し、前記第１の電極と第
２の電極とがクロスオーバ方式あるいはエアーブリッジ
方式により連結部を介して結合された半導体装置におい
て、前記複数に分割された第２の電極からそれぞれ連結
部を介し前記貫通孔を経て前記能の主面上に形成された
電極に至るインダクタンス成分が同等となるように、前
記複数に分割された第２の電極に対する前記連結部の形
状を中央部の連結部に比べ端部の連結部を大きくしたの
で、能動領域に形成された電極に対するインダクタンス
のばらつきが低減された高周波性能の改善が図れる利点
がある。
に形成された第１の電極と、この第１の電極に対向する
他の主面上に形成された電極とが貫通孔によって連結さ
れ、さらに、前記一主面上に所定間隔で複数に分割され
て形成された第２の電極とを有し、前記第１の電極と第
２の電極とがクロスオーバ方式あるいはエアーブリッジ
方式により連結部を介して結合された半導体装置におい
て、前記複数に分割された第２の電極からそれぞれ連結
部を介し前記貫通孔を経て前記能の主面上に形成された
電極に至るインダクタンス成分が同等となるように、前
記複数に分割された第２の電極に対する前記連結部の形
状を中央部の連結部に比べ端部の連結部を大きくしたの
で、能動領域に形成された電極に対するインダクタンス
のばらつきが低減された高周波性能の改善が図れる利点
がある。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の半導体装置の一実施
例の概略構成を示す上面図およびＡ−Ａ線による断面図
、第２図（ａＬ （ｂ）は従来の半導体装置の本面図お
よびＢ−Ｂ線による断面図である。 図いおいて、１は引出し電極、２はソース電極、３．１
３は連結部、４は裏面接地電極、５は貫通孔、６はドレ
イン電極、７はゲート電極、８は半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
例の概略構成を示す上面図およびＡ−Ａ線による断面図
、第２図（ａＬ （ｂ）は従来の半導体装置の本面図お
よびＢ−Ｂ線による断面図である。 図いおいて、１は引出し電極、２はソース電極、３．１
３は連結部、４は裏面接地電極、５は貫通孔、６はドレ
イン電極、７はゲート電極、８は半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に形成された第１の電極と、この
第１の電極に対向する他の主面上に形成された電極とが
貫通孔によって連結され、さらに、前記一主面上に所定
間隔で複数に分割されて形成された第２の電極とを有し
、前記第１の電極と第２の電極とがクロスオーバ方式あ
るいはエアーブリッジ方式により連結部を介して結合さ
れた半導体装置において、前記複数に分割された第２の
電極からそれぞれ連結部を介し前記貫通孔を経て前記他
の主面上に形成された電極に至るインダクタンス成分が
同等となるように、前記複数に分割された第２の電極に
対する前記連結部の形状を中央部の連結部に比べ端部の
連結部を大きくしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23642086A JPS6390174A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23642086A JPS6390174A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390174A true JPS6390174A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=17000489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23642086A Pending JPS6390174A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390174A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5021844A (en) * | 1988-07-18 | 1991-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23642086A patent/JPS6390174A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5021844A (en) * | 1988-07-18 | 1991-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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