JPS636779A - 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS636779A JPS636779A JP61149037A JP14903786A JPS636779A JP S636779 A JPS636779 A JP S636779A JP 61149037 A JP61149037 A JP 61149037A JP 14903786 A JP14903786 A JP 14903786A JP S636779 A JPS636779 A JP S636779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- zinc sulfide
- thin film
- transparent electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 40
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 27
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- QJUXBIVLOGRZSQ-OQMMLGNJSA-N eliq Chemical compound OC1=CC=C2[C@H]3CC[C@](C)([C@H](CC4)O)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1.C([C@]12[C@H]3C[C@H]3[C@H]3[C@H]4[C@@H]([C@]5(CCC(=O)C=C5[C@@H]5C[C@@H]54)C)CC[C@@]31C)CC(=O)O2 QJUXBIVLOGRZSQ-OQMMLGNJSA-N 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 rare earth halide Chemical class 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003463 sulfur Chemical class 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本出願に含まれる第１の発明は薄膜ＥＬ素子の改良であ
り、硫化亜鉛と希土類元素とアルカリ元素またはマンガ
ンとの組成物よりなるＥＬ膜に含まれる希土類元素とハ
ロゲン元素との組成比を１に近づけて発光効率・輝度特
性を向上した薄膜ＥＬ素子を構成するＥＬ膜が、その下
地をなす膜（下部絶縁膜または透光性電極）から剥離す
ることを防止する改良である。
り、硫化亜鉛と希土類元素とアルカリ元素またはマンガ
ンとの組成物よりなるＥＬ膜に含まれる希土類元素とハ
ロゲン元素との組成比を１に近づけて発光効率・輝度特
性を向上した薄膜ＥＬ素子を構成するＥＬ膜が、その下
地をなす膜（下部絶縁膜または透光性電極）から剥離す
ることを防止する改良である。
本出願に含まれる第２の発明は薄［ＥＬ素子の製造方法
の改良であり、ｉ化亜鉛と希土類元素とハロゲン元素と
の組成物よりなるＥＬ膜に含まれる希土類元素とハロゲ
ン元素との組成比を１に近づけて発光効率・輝度特性を
向上するために。
の改良であり、ｉ化亜鉛と希土類元素とハロゲン元素と
の組成物よりなるＥＬ膜に含まれる希土類元素とハロゲ
ン元素との組成比を１に近づけて発光効率・輝度特性を
向上するために。
または、硫化亜鉛とマンガンとの組成物よりなるＥＬ膜
の亜鉛とマンガンとが置換して硫黄が過少になってＥＬ
膜の膜質が悪くなることを防止するために、硫化水素を
含むガスをスパッタガスとしてなすスパッタ法を使用し
てＥＬ膜を形成するＥＬ膜の製造方法に不可避の欠点、
すなわち、ＥＬ膜が、その下地をなす膜（下部絶縁膜ま
たは透光性電極）から剥離しやすいという欠点を改良す
るＥＬｌ１９の製造方法である。
の亜鉛とマンガンとが置換して硫黄が過少になってＥＬ
膜の膜質が悪くなることを防止するために、硫化水素を
含むガスをスパッタガスとしてなすスパッタ法を使用し
てＥＬ膜を形成するＥＬ膜の製造方法に不可避の欠点、
すなわち、ＥＬ膜が、その下地をなす膜（下部絶縁膜ま
たは透光性電極）から剥離しやすいという欠点を改良す
るＥＬｌ１９の製造方法である。
これら第１の発明と第２の発明の要旨は、ＥＬ膜の下面
に、硫化亜鉛膜を介在させたものである。
に、硫化亜鉛膜を介在させたものである。
本発明は薄膜ＥＬ素子及びその製造方法の改良に関する
。特に１発光効率・輝度特性を向上するために、母材た
る硫化亜鉛に含有される発光中心たる希土類元素とハロ
ゲン元素との組成比を１に近づけたＥＬ膜とその下地を
なす層（下部絶１ａ１１５Ｎまたは透光性電極）との付
着性が向上する構造の薄膜ＥＬ素子と１発光効率会輝度
特性を向上するために母材たる硫化亜鉛に□含有される
発光中心たる希土類元素とハロゲン元素との組成比を１
に近づけるために、または、発光中心としてマンガンを
含有する硫化亜鉛よりなるＥＬＭの膜質を向上するため
に、硫化水素をスパッタガスとするスパッタ法を使用し
てＥＬ膜を製造する薄膜ＥＬ稟子の製造方法において、
ＥＬ膜とその下地をなす層（下部絶縁膜または透光性電
極）との付着性を再現性よく向上する改良に関する。
。特に１発光効率・輝度特性を向上するために、母材た
る硫化亜鉛に含有される発光中心たる希土類元素とハロ
ゲン元素との組成比を１に近づけたＥＬ膜とその下地を
なす層（下部絶１ａ１１５Ｎまたは透光性電極）との付
着性が向上する構造の薄膜ＥＬ素子と１発光効率会輝度
特性を向上するために母材たる硫化亜鉛に□含有される
発光中心たる希土類元素とハロゲン元素との組成比を１
に近づけるために、または、発光中心としてマンガンを
含有する硫化亜鉛よりなるＥＬＭの膜質を向上するため
に、硫化水素をスパッタガスとするスパッタ法を使用し
てＥＬ膜を製造する薄膜ＥＬ稟子の製造方法において、
ＥＬ膜とその下地をなす層（下部絶縁膜または透光性電
極）との付着性を再現性よく向上する改良に関する。
薄膜ＥＬ素子は発光中心として機能する希土類元素例え
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素子であり、従来第２図に示すような直流駆動
型と第３図に示すような交流駆動型とが知られている。
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素子であり、従来第２図に示すような直流駆動
型と第３図に示すような交流駆動型とが知られている。
第２図参照
直流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、ガラス基板等ｌ
上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約 ２，０００人の透明
電極２が形成され、その上に発光中心として機能する希
土類元素例えばテルビュウムとハロゲン元素例えばフッ
素との組み合せまたはマンガンを含有する硫化亜鉛等よ
りなるＥＬ改番が形成され、さらに、その上にアルミニ
ュウム等よりなる対向電極６が形成されている。
上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約 ２，０００人の透明
電極２が形成され、その上に発光中心として機能する希
土類元素例えばテルビュウムとハロゲン元素例えばフッ
素との組み合せまたはマンガンを含有する硫化亜鉛等よ
りなるＥＬ改番が形成され、さらに、その上にアルミニ
ュウム等よりなる対向電極６が形成されている。
第３図参照
交流駆動型の薄１１９ｊＥＬ素子にあっては、上記の第
２図に示す層構成に加えて、ＥＬ改番を挟んで酸窒化シ
リコン、酸化アルミニュウム、酸化イットリュウム等よ
りなり厚さが約 ２．０００人の第１の絶縁ｖ３と第２
の絶縁膜５とが形成されている。
２図に示す層構成に加えて、ＥＬ改番を挟んで酸窒化シ
リコン、酸化アルミニュウム、酸化イットリュウム等よ
りなり厚さが約 ２．０００人の第１の絶縁ｖ３と第２
の絶縁膜５とが形成されている。
ところで、発光中心として機能する希土類元素のうち、
テルビュウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、ツリュ
ウムは青色を、プラセオジュウムは白色を、また、マン
ガンは橙色を、それぞれ発光するが、その発光効率・輝
度は、テルビュウムを除き、いづれも満足すべきもので
はない。
テルビュウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、ツリュ
ウムは青色を、プラセオジュウムは白色を、また、マン
ガンは橙色を、それぞれ発光するが、その発光効率・輝
度は、テルビュウムを除き、いづれも満足すべきもので
はない。
最もすぐれているテルビュウムにおいても１発光効率は
０．１〜０．２ルーメン／Ｗであり、また。
０．１〜０．２ルーメン／Ｗであり、また。
輝度は３０フートランバートであり、いづれも十分満足
すべきものとは言い難く、しかも、再現性も必ずしも良
くない。
すべきものとは言い難く、しかも、再現性も必ずしも良
くない。
この問題を解決する手段として、本発明の発明者は、Ｅ
Ｉ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率Ｏ輝度特性との間に相関関係があり、希土類元
素の原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最
もすぐれた発光効率・輝度を実現することができ、ＥＬ
脱膜中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比
を少なくとも化学量論的組成比に比べて希土類元素の組
成比を大きくしておくことが有効であることを発見して
、発光効率・輝度特性のすぐれた薄Ｉ１ｇＥＬ素子の発
明を完成した。
Ｉ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率Ｏ輝度特性との間に相関関係があり、希土類元
素の原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最
もすぐれた発光効率・輝度を実現することができ、ＥＬ
脱膜中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比
を少なくとも化学量論的組成比に比べて希土類元素の組
成比を大きくしておくことが有効であることを発見して
、発光効率・輝度特性のすぐれた薄Ｉ１ｇＥＬ素子の発
明を完成した。
また、発光中心としてマンガンを含有する硫化亜鉛より
なるＥＩ膜を有するか１膜ＥＬ素子においては、マンガ
ンと亜鉛との化学的性質が近似しているため、ｆｌｌ材
の一成分たる亜鉛と発光中心たるマンガンとが置換して
、ＥＩ膜に含まれるｉｌが過小となりＥＩ膜の膜質が不
良になり、発光効率・輝度特性が悪くなると言う欠点が
ある。
なるＥＩ膜を有するか１膜ＥＬ素子においては、マンガ
ンと亜鉛との化学的性質が近似しているため、ｆｌｌ材
の一成分たる亜鉛と発光中心たるマンガンとが置換して
、ＥＩ膜に含まれるｉｌが過小となりＥＩ膜の膜質が不
良になり、発光効率・輝度特性が悪くなると言う欠点が
ある。
上記発光中心たる希土類元素とハロゲン元素の組成比を
１に近づける目的と１発光中心たるマンガンの添加にと
もないＥＩ膜の膜質が不良になり、発光効率・輝度特性
が悪くなることを防止する目的とを実現するために、本
発明者は、硫化水素を成分の一部とするガスをスパッタ
ガスとし硫化亜鉛とハロゲン化希土類元素とをターゲッ
トとしてなすスパッタ法、または、硫化水素を成分の一
部とするガスをスパッタガスとし硫化亜鉛とマンガンと
をターゲットとしてなすスパッタ法を使用してＥＩ膜を
製造する薄１１９ＥＬ素子の製造方法を完成した。
１に近づける目的と１発光中心たるマンガンの添加にと
もないＥＩ膜の膜質が不良になり、発光効率・輝度特性
が悪くなることを防止する目的とを実現するために、本
発明者は、硫化水素を成分の一部とするガスをスパッタ
ガスとし硫化亜鉛とハロゲン化希土類元素とをターゲッ
トとしてなすスパッタ法、または、硫化水素を成分の一
部とするガスをスパッタガスとし硫化亜鉛とマンガンと
をターゲットとしてなすスパッタ法を使用してＥＩ膜を
製造する薄１１９ＥＬ素子の製造方法を完成した。
上記せる薄膜ＥＬ素子の製造方法（硫化水素を成分の一
部とするスにツタガス中においてなすスパッタ法を使用
してＥＩ膜を製造する薄Ｉｔ！ＥＬ素子の製造方法）を
実施して製造した薄膜ＥＬ素子は、その製造当初は発光
効率拳輝度特性が十分満足すべき程度にすぐれているが
、ＥＩ膜とその下地（交流駆動型にあっては下部絶縁膜
（第１の絶縁！ｌ） 、直流駆動型にあってはＩＴＯ等
よりなる透光性電極）との付着性が悪く、スライス工程
や実装工程等の取い扱い期間中等にＥＩ膜が下地から剥
離しやすいと言う欠点がある。
部とするスにツタガス中においてなすスパッタ法を使用
してＥＩ膜を製造する薄Ｉｔ！ＥＬ素子の製造方法）を
実施して製造した薄膜ＥＬ素子は、その製造当初は発光
効率拳輝度特性が十分満足すべき程度にすぐれているが
、ＥＩ膜とその下地（交流駆動型にあっては下部絶縁膜
（第１の絶縁！ｌ） 、直流駆動型にあってはＩＴＯ等
よりなる透光性電極）との付着性が悪く、スライス工程
や実装工程等の取い扱い期間中等にＥＩ膜が下地から剥
離しやすいと言う欠点がある。
本発明の第１の目的は、発光中心たる希土類元素とハロ
ゲン元素との組成比が１に近い硫化亜鉛をＥＩ膜とする
薄膜ＥＬ素子において、ＥＩ膜とその下地との付着性が
向上しており、ＥＩ膜がその下地から剥離することのな
い薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
ゲン元素との組成比が１に近い硫化亜鉛をＥＩ膜とする
薄膜ＥＬ素子において、ＥＩ膜とその下地との付着性が
向上しており、ＥＩ膜がその下地から剥離することのな
い薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
本発明の第２の目的は、発光中心たる希土類元素とハロ
ゲン元素との組成比を１に近づけて発光効率・輝度特性
を向上するために、または、硫化亜鉛の膜質を良好にし
て発光効率・輝度特性を向上するために、硫化水素を成
分の一部とするスパッタガス中において、ＥＬｌ１９を
製造する薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＥＬＭとそ
の下地との付着性を向上しうる薄膜ＥＬ素子の製造方法
を提供することにある。
ゲン元素との組成比を１に近づけて発光効率・輝度特性
を向上するために、または、硫化亜鉛の膜質を良好にし
て発光効率・輝度特性を向上するために、硫化水素を成
分の一部とするスパッタガス中において、ＥＬｌ１９を
製造する薄膜ＥＬ素子の製造方法において、ＥＬＭとそ
の下地との付着性を向上しうる薄膜ＥＬ素子の製造方法
を提供することにある。
上記の第１の目的を達成するために本発明が採った手段
は、 （イ）透光性基板ｌ上に透光性電極２が形成されており
、この透光性電極２上にＥＩ、膜４が形成されており、
このＥＬＩ１４４上に対向電極６が形成されている薄膜
ＥＬ素子、または、透光性基板１上に透光性電極２が形
成されており、この透光性電極２上に第１の絶縁１１Ｑ
３が形成されており、この第１の絶縁膜３上にＥＬＩ
ｙ２４が形成されており。
は、 （イ）透光性基板ｌ上に透光性電極２が形成されており
、この透光性電極２上にＥＩ、膜４が形成されており、
このＥＬＩ１４４上に対向電極６が形成されている薄膜
ＥＬ素子、または、透光性基板１上に透光性電極２が形
成されており、この透光性電極２上に第１の絶縁１１Ｑ
３が形成されており、この第１の絶縁膜３上にＥＬＩ
ｙ２４が形成されており。
このＥＬ膜膜上上第２の絶縁膜５が形成ざれており、こ
の第２の絶縁膜５上に対向電極６が形成されている薄膜
ＥＬ素子において、 （ロ）前記の透光性電極２と前記のＥＬ改番との間に、
または、前記の第１の絶縁膜３と前記のＥＬ改番との間
に、硫化亜鉛膜７を介在させたことにある。
の第２の絶縁膜５上に対向電極６が形成されている薄膜
ＥＬ素子において、 （ロ）前記の透光性電極２と前記のＥＬ改番との間に、
または、前記の第１の絶縁膜３と前記のＥＬ改番との間
に、硫化亜鉛膜７を介在させたことにある。
上記の第２の目的を達成するために本発明が採った手段
は。
は。
（イ）透光性基板ｌ上に透光性電極２を形成し、この透
光性電極２上に、硫化水素を含むガスをスパッタガスと
してなすスパッタ法を使用して、硫化亜鉛単体、または
、希土類元素とアルカリ元素もしくはマンガンを含む硫
化亜鉛組成物よりなるＥ Ｌ ＩＩＱ ４を形成し、こ
のＥＬ改番上に対向電極６を形成する薄膜ＥＬ素子の製
造方法、または、透光性基板１上に透光性電極２を形成
し、この透光性基板ｌ上に第１の絶縁膜３を形成し、こ
の第１の絶縁膜３Ｆに、硫化水素を含むガスをスパッタ
ガスとしてなすスパッタ法を使用して、硫化亜鉛単体、
または、希土類元素とアルカリ元素もしくはマンガンを
含む硫化亜鉛組成物よりなるＥｌ、ＩＰ２４を形成し、
このＥＬ改番上に第２の絶縁１ｔＪ５を形成し、この第
２の絶縁膜５上に対向電極６を形成する薄膜ＥＬ素子の
製造方法において、 （ロ）前記のＥＬ改番の形成に先立ち、硫化水素を成分
の一部としない不活性ガス中においてなす真空蒸着法ま
たはスノ（ツタ法を使用して硫化亜鉛の＠７を形成する
ことにある。
光性電極２上に、硫化水素を含むガスをスパッタガスと
してなすスパッタ法を使用して、硫化亜鉛単体、または
、希土類元素とアルカリ元素もしくはマンガンを含む硫
化亜鉛組成物よりなるＥ Ｌ ＩＩＱ ４を形成し、こ
のＥＬ改番上に対向電極６を形成する薄膜ＥＬ素子の製
造方法、または、透光性基板１上に透光性電極２を形成
し、この透光性基板ｌ上に第１の絶縁膜３を形成し、こ
の第１の絶縁膜３Ｆに、硫化水素を含むガスをスパッタ
ガスとしてなすスパッタ法を使用して、硫化亜鉛単体、
または、希土類元素とアルカリ元素もしくはマンガンを
含む硫化亜鉛組成物よりなるＥｌ、ＩＰ２４を形成し、
このＥＬ改番上に第２の絶縁１ｔＪ５を形成し、この第
２の絶縁膜５上に対向電極６を形成する薄膜ＥＬ素子の
製造方法において、 （ロ）前記のＥＬ改番の形成に先立ち、硫化水素を成分
の一部としない不活性ガス中においてなす真空蒸着法ま
たはスノ（ツタ法を使用して硫化亜鉛の＠７を形成する
ことにある。
と記せる付着性不良の原因が、ＥＬ膜の材料と下地をな
す材料との化学的結合力が小さｌ、％ことに起因するこ
とは明らかである。
す材料との化学的結合力が小さｌ、％ことに起因するこ
とは明らかである。
上記せる場合は、下地をなす第１の絶縁膜またはＩＴＯ
等よりなる透光性電極の表面に硫化水素が接触すると、
硫化水素の強力な還元性により。
等よりなる透光性電極の表面に硫化水素が接触すると、
硫化水素の強力な還元性により。
下地の表面は硫化され、その表面に硫黄が一面に付着す
る。ところが、この硫黄は、ファンデルワールス力によ
り、下地をなす第１の絶縁膜またはＩＴＯ等よりなる透
光性電極と吸着されているにすぎない、換言すれば、Ｔ
＆黄と、第東の絶縁膜をなすシリコン原子や酸素原子や
ＩＴＯをなすインジュウム原子、スズ原子、酸素原子等
とは化学的に結合していない、そのため、スライス工程
や実装工程等においてＥＬＩＱがその下地から剥離する
のである。
る。ところが、この硫黄は、ファンデルワールス力によ
り、下地をなす第１の絶縁膜またはＩＴＯ等よりなる透
光性電極と吸着されているにすぎない、換言すれば、Ｔ
＆黄と、第東の絶縁膜をなすシリコン原子や酸素原子や
ＩＴＯをなすインジュウム原子、スズ原子、酸素原子等
とは化学的に結合していない、そのため、スライス工程
や実装工程等においてＥＬＩＱがその下地から剥離する
のである。
この原因を解消するためには、ＥＬｌ１５Ｉの材料とも
、また、下地の材料とも化学的に強固に結合しうる硫化
亜鉛の膜を、ＥＬ膜とその下地との間に介在させればよ
いことは明らかである。
、また、下地の材料とも化学的に強固に結合しうる硫化
亜鉛の膜を、ＥＬ膜とその下地との間に介在させればよ
いことは明らかである。
このようにすれば、ｉＭの蒸気圧は非常に高し−ので、
硫黄と硫黄との結合は成立せず、下地をなす硫化亜鉛の
硫黄とＥＬ膜をなす発光中心を含有する硫化亜鉛の亜鉛
とが直接に強固に結合し。
硫黄と硫黄との結合は成立せず、下地をなす硫化亜鉛の
硫黄とＥＬ膜をなす発光中心を含有する硫化亜鉛の亜鉛
とが直接に強固に結合し。
ＥＬＭがその下地から剥離することはない。
以下１図面を参照しつ一１特許請求の範囲第２項と第４
項と第５項との組み合わせの実施例に係る交流駆動型薄
膜ＥＬ素子１例と、特許請求の範囲第１項と第３項と第
６項との組み合わせの実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ
素子１例とについてさらに説明する。
項と第５項との組み合わせの実施例に係る交流駆動型薄
膜ＥＬ素子１例と、特許請求の範囲第１項と第３項と第
６項との組み合わせの実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ
素子１例とについてさらに説明する。
乳１１
本発明の要旨に係る硫化亜鉛膜を真空蒸着法を使用して
形成して交流駆動型薄膜ＥＬ素子を製造する場合につい
て述べる。
形成して交流駆動型薄膜ＥＬ素子を製造する場合につい
て述べる。
第１ａ図参照
スパッタ法を使用して、ガラス基板ｌ上にＨさ約 ２，
０００人のＩＴＯＭよりなる透光性電極２と酸化シリコ
ンまたは酸窒化シリコンよりなり厚さ約２，０００人の
第１の絶縁膜３とを形成する。
０００人のＩＴＯＭよりなる透光性電極２と酸化シリコ
ンまたは酸窒化シリコンよりなり厚さ約２，０００人の
第１の絶縁膜３とを形成する。
つづいて、真空蒸着法を使用して厚さ約５００人の硫化
亜鉛膜７を形成する。このとき、真空蒸若装置中には硫
化水素等の不純物が残留せず、要すれば、不活性ガス以
外は残留しないように注意する。
亜鉛膜７を形成する。このとき、真空蒸若装置中には硫
化水素等の不純物が残留せず、要すれば、不活性ガス以
外は残留しないように注意する。
次に、硫化水素（５％）を含むアルゴンをスパッタガス
とし、硫化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲットと
して、厚さ約ｓ、ｏｏｏ人のＥＬ＆Ｉ４を形成する０代
表的なスパッタ条件は、ガス圧はｌ Ｘ １Ｏ−２ｔａ
ｒｔであり、パワーは硫化亜鉛ターゲットに対して２．
０７Ｗｃ濡 、フッ化テルビュウムターゲットに対して
０．８２Ｗｃ鳳 であり、基板温度は約２３０℃である
。成膜後、ｅｏｏ ”ｃ・１時間熱処理をなして、結晶
性を向上し、同時に、フッ素とテルビエウムとが最適の
格子位置に位置するようにする。
とし、硫化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲットと
して、厚さ約ｓ、ｏｏｏ人のＥＬ＆Ｉ４を形成する０代
表的なスパッタ条件は、ガス圧はｌ Ｘ １Ｏ−２ｔａ
ｒｔであり、パワーは硫化亜鉛ターゲットに対して２．
０７Ｗｃ濡 、フッ化テルビュウムターゲットに対して
０．８２Ｗｃ鳳 であり、基板温度は約２３０℃である
。成膜後、ｅｏｏ ”ｃ・１時間熱処理をなして、結晶
性を向上し、同時に、フッ素とテルビエウムとが最適の
格子位置に位置するようにする。
次ニ、スパッタ法を使用して１ｍ化シリコンまたは酸窒
化シリコンよりなり厚さ約２．０００人の第２の絶縁１
ＩＩＩ５を形成し、さらに、蒸着法またはスパッタ法を
使用して厚さ約３，０００人のアルミニュウム膜よりな
る対向電極（背面電極）６を形成する。
化シリコンよりなり厚さ約２．０００人の第２の絶縁１
ＩＩＩ５を形成し、さらに、蒸着法またはスパッタ法を
使用して厚さ約３，０００人のアルミニュウム膜よりな
る対向電極（背面電極）６を形成する。
以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬ改番は
、その下地と強固に化学的に結合しており、スライス工
程や実装工程等の取い扱い期間中等に剥離することはな
い、また、このＥＬ改番に含まれるテルビエウムの原子
数とフッ素の原子数とは、お−むね同一である。その輝
度（ＩＫ）Ｉｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ
超過する電圧に対する輝度）は、第４図（本実施例を実
施して製造した交流駆動型８Ｉ膜ＥＬ素子の輝度対電圧
関係Ａを従来技術の輝度対電圧関係Ｂと比較して表すグ
ラフ）に従来技術と比較して示しであるように、大幅に
向上している。なお、図においてＡは本実施例の値を示
し、Ｂは従来技術の値を示す。
、その下地と強固に化学的に結合しており、スライス工
程や実装工程等の取い扱い期間中等に剥離することはな
い、また、このＥＬ改番に含まれるテルビエウムの原子
数とフッ素の原子数とは、お−むね同一である。その輝
度（ＩＫ）Ｉｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ
超過する電圧に対する輝度）は、第４図（本実施例を実
施して製造した交流駆動型８Ｉ膜ＥＬ素子の輝度対電圧
関係Ａを従来技術の輝度対電圧関係Ｂと比較して表すグ
ラフ）に従来技術と比較して示しであるように、大幅に
向上している。なお、図においてＡは本実施例の値を示
し、Ｂは従来技術の値を示す。
図より明らかなように、発光効率と輝度（ＩＫ）＋２で
駆動するとき発光しきい電圧を３０ＶＪｆｌ過する電圧
に対する輝度）はそれぞれ１．１ルーメン／Ｗと２００
フートラン八−トとに向上している。
駆動するとき発光しきい電圧を３０ＶＪｆｌ過する電圧
に対する輝度）はそれぞれ１．１ルーメン／Ｗと２００
フートラン八−トとに向上している。
丑」し例
本発明の要旨に係る硫化亜鉛膜をスパッタ法を使用して
形成して直流駆動型薄膜ＥＬ素子を製造する場合につい
て述べる。
形成して直流駆動型薄膜ＥＬ素子を製造する場合につい
て述べる。
第ｔｂ図参照
第１例の場合と同様に、スパッタ法を使用して、ガラス
基板ｌ上に厚さ約２，０００人のＩＴＯ膜よりなる透光
性電極２を形成する。
基板ｌ上に厚さ約２，０００人のＩＴＯ膜よりなる透光
性電極２を形成する。
つづいて、アルゴン（硫化水素等の硫黄成分を含まない
アルゴン）をスパッタガスとし、硫化亜鉛をターゲット
として、厚さ約５００人の硫化亜鉛膜７を形成する。
アルゴン）をスパッタガスとし、硫化亜鉛をターゲット
として、厚さ約５００人の硫化亜鉛膜７を形成する。
次に、硫化水素（５％）を含むアルゴンをスパッタガス
とし、Ｖｔ化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲット
として、厚さ約ｅ 、ｏｏｏ人のＥＬ改番を形成する０
代表的なスパッタ条件は、ガス圧はｌ Ｘ ｌＮ２ｊｏ
ｒｒであり、パワーは硫化亜鉛ターゲットに対して２．
Ｏ７Ｗｃｍ−２、フッ化テルビュウムターゲットに対し
て０．６２Ｗｃ＊−２であり、基板温度は約 ２３０℃
である。成膜後、８００℃＠１時間熱処理をなして、結
晶性を向上し、同時に、フッ素とテルビエウムとがａＸ
の格子位置に位置するようにする。
とし、Ｖｔ化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲット
として、厚さ約ｅ 、ｏｏｏ人のＥＬ改番を形成する０
代表的なスパッタ条件は、ガス圧はｌ Ｘ ｌＮ２ｊｏ
ｒｒであり、パワーは硫化亜鉛ターゲットに対して２．
Ｏ７Ｗｃｍ−２、フッ化テルビュウムターゲットに対し
て０．６２Ｗｃ＊−２であり、基板温度は約 ２３０℃
である。成膜後、８００℃＠１時間熱処理をなして、結
晶性を向上し、同時に、フッ素とテルビエウムとがａＸ
の格子位置に位置するようにする。
次に、第１例の場合と同様に、蒸着法またはスパッタ法
を使用して厚さ約 ３．０００人のアルミニュウム膜よ
りなる対向電極（背面電極）６を形成する。
を使用して厚さ約 ３．０００人のアルミニュウム膜よ
りなる対向電極（背面電極）６を形成する。
以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬ改番は
、その下地と強固に化学的に結合しており、スライス工
程や実装工程等の取い扱い期間中等に剥離することはな
い、また、このＥＬ改番に含まれるテルビエウムの原子
数とフッ素の原子数とは、お−むね同一である。その輝
度（発光しきい電圧をＩＯＶ超過する電圧に対する輝度
）は、第５図Ｃ本実施例を実施して製造した直流駆動型
薄膜ＥＬ素子の輝度対電圧関係Ａを従来技術の輝度対電
圧関係Ｂと比較して表すグラフ）に従来技術と比較して
示しであるように、大幅に向上している。なお０図にお
いてＡは本実施例の値を示し、Ｂは従来技術の値を示す
０図より明らかなように１発光効率と輝度（発光しきい
電圧をＩＯＶＭ遇する電圧に対する輝度）はそれぞれ０
．４ルーメン／Ｗと ４００フートランバートとに向上
している。
、その下地と強固に化学的に結合しており、スライス工
程や実装工程等の取い扱い期間中等に剥離することはな
い、また、このＥＬ改番に含まれるテルビエウムの原子
数とフッ素の原子数とは、お−むね同一である。その輝
度（発光しきい電圧をＩＯＶ超過する電圧に対する輝度
）は、第５図Ｃ本実施例を実施して製造した直流駆動型
薄膜ＥＬ素子の輝度対電圧関係Ａを従来技術の輝度対電
圧関係Ｂと比較して表すグラフ）に従来技術と比較して
示しであるように、大幅に向上している。なお０図にお
いてＡは本実施例の値を示し、Ｂは従来技術の値を示す
０図より明らかなように１発光効率と輝度（発光しきい
電圧をＩＯＶＭ遇する電圧に対する輝度）はそれぞれ０
．４ルーメン／Ｗと ４００フートランバートとに向上
している。
以上説明せるとおり、本発明に係る薄膜ＥＬ素子のＥＬ
膜と透光性電極との間に、または、ＥＬＭと第１の絶縁
膜との間には、ＥＬＭの材料である硫化亜鉛とも、また
、第１の絶縁膜の材料である酸窒化物とも、また、透光
性電極の材料であるＩＴＯ等とも強固に結合する硫化亜
鉛膜が介在されているので、ＥＬ膜は、その下地と強固
に化学的に結合しており、スライス工程や実装工程等の
取い扱い期間中等に剥離することはない、しかも、この
ＥＬＭに含まれるテルビュウムの原子数とフッ素の原子
数とは、おへむね同一であるから、その輝度は大幅に向
上している。
膜と透光性電極との間に、または、ＥＬＭと第１の絶縁
膜との間には、ＥＬＭの材料である硫化亜鉛とも、また
、第１の絶縁膜の材料である酸窒化物とも、また、透光
性電極の材料であるＩＴＯ等とも強固に結合する硫化亜
鉛膜が介在されているので、ＥＬ膜は、その下地と強固
に化学的に結合しており、スライス工程や実装工程等の
取い扱い期間中等に剥離することはない、しかも、この
ＥＬＭに含まれるテルビュウムの原子数とフッ素の原子
数とは、おへむね同一であるから、その輝度は大幅に向
上している。
第１ａ図は、本発明の特許請求の範囲第２項と第４項と
第５項との組み合わせの実施例に係る交流駆動型薄膜Ｅ
Ｌ素子の断面図である。 第１ｂ図は、本発明の特許請求の範囲第１項と第３項と
第６項との組み合わせの実施例に係る直流駆動型薄膜Ｅ
Ｌ素子の断面図である。 第２図は、従来技術に係る直流駆動型薄膜ＥＬ素子の断
面図である。 第３図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の断
面図である。 第４図は１本発明の特許請求の範囲第２項と第４項と第
５項の実施例に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度（Ｉ
Ｋ）Ｉｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過す
る電圧に対する輝度）対電圧関係と従来技術の輝度対電
圧関係とを比較して表すグラフである。 第５図は、本発明の特許請求の範囲第１項と第３項と第
６項の実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度（発
光しきい電圧をＩＯＶ超過する電圧に対する輝度）対電
圧関係と従来技術の輝度対電圧関係とを比較して表すグ
ラフである。 ｌ・１透光性基板、 ２・・−透光性電極。 ３・・・第１の絶縁膜 ４ ・ ・ ・ Ｅ ＬＭ。 ５φ・・Ｍ２の絶縁膜 ６・・−対向電極。 ７・・・硫化亜鉛膜。 本ｆａ明 第１ａ図 本発明 第１ｂ図 従来技術 第 ２！！Ｉ 従来技術 第３ｆＡ 乞ブＬｆｆノ 螺屋−雪、斥特在 第４１！１ 貢１５シ」
第５項との組み合わせの実施例に係る交流駆動型薄膜Ｅ
Ｌ素子の断面図である。 第１ｂ図は、本発明の特許請求の範囲第１項と第３項と
第６項との組み合わせの実施例に係る直流駆動型薄膜Ｅ
Ｌ素子の断面図である。 第２図は、従来技術に係る直流駆動型薄膜ＥＬ素子の断
面図である。 第３図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の断
面図である。 第４図は１本発明の特許請求の範囲第２項と第４項と第
５項の実施例に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度（Ｉ
Ｋ）Ｉｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過す
る電圧に対する輝度）対電圧関係と従来技術の輝度対電
圧関係とを比較して表すグラフである。 第５図は、本発明の特許請求の範囲第１項と第３項と第
６項の実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度（発
光しきい電圧をＩＯＶ超過する電圧に対する輝度）対電
圧関係と従来技術の輝度対電圧関係とを比較して表すグ
ラフである。 ｌ・１透光性基板、 ２・・−透光性電極。 ３・・・第１の絶縁膜 ４ ・ ・ ・ Ｅ ＬＭ。 ５φ・・Ｍ２の絶縁膜 ６・・−対向電極。 ７・・・硫化亜鉛膜。 本ｆａ明 第１ａ図 本発明 第１ｂ図 従来技術 第 ２！！Ｉ 従来技術 第３ｆＡ 乞ブＬｆｆノ 螺屋−雪、斥特在 第４１！１ 貢１５シ」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］透光性基板（１）上に透光性電極（２）が形成さ
れ、 該透光性電極（２）上にＥＬ膜（４）が形成され、 該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）が形成されてなる薄
膜ＥＬ素子において、 前記透光性電極（２）と前記ＥＬ膜（４）との間には、
硫化亜鉛膜（７）が介在してなることを特徴とする薄膜
ＥＬ素子。 ［２］前記透光性電極（２）と前記硫化亜鉛膜（７）と
の間と、前記ＥＬ膜（４）と前記対向電極（６）との間
とには、それぞれ、第１の絶縁膜（３）と第２の絶縁膜
（５）とが介在してなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子。 ［３］透光性基板（１）上に透光性電極（２）を形成し
、 硫化水素を含むガスをスパッタガスとしてなすスパッタ
法を使用して、硫化亜鉛単体、または、希土類元素とア
ルカリ元素もしくはマンガンを含む硫化亜鉛組成物より
なるＥＬ膜（４）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）を形成する薄膜ＥＬ
素子の製造方法において、 前記ＥＬ膜（４）の形成に先立ち、硫化亜鉛膜（７）を
形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［４］前記透光性電極（２）と前記硫化亜鉛膜（７）と
の間と、前記ＥＬ膜（４）と前記対向電極（６）との間
とに、それぞれ，第１の絶縁膜（３）と第２の絶縁膜（
５）とを形成することを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［５］前記硫化亜鉛膜（７）を形成する方法は真空蒸着
法であることを特徴とする特許請求の範囲第３項または
第４項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［６］前記硫化亜鉛膜（７）を形成する方法はスパッタ
法であることを特徴とする特許請求の範囲第３項または
第４項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149037A JPS636779A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149037A JPS636779A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636779A true JPS636779A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15466275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149037A Pending JPS636779A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01272096A (ja) * | 1988-04-23 | 1989-10-31 | Kenwood Corp | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61149037A patent/JPS636779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01272096A (ja) * | 1988-04-23 | 1989-10-31 | Kenwood Corp | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3127025B2 (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 | |
| JPS636779A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JPS636778A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JP3614182B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPH10199675A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2730931B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPS636777A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3487618B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS62113389A (ja) | 薄膜型ｅｌ素子 | |
| JPH01243391A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62157695A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS61253797A (ja) | エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPS636774A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3308308B2 (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイ素子及びその製造方法 | |
| JPS6320000B2 (ja) | ||
| JPS62113387A (ja) | 薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JPS63230871A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0532877B2 (ja) | ||
| JPS6276281A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH02165594A (ja) | Ｅｌ表示素子の製造方法 | |
| JPS63231897A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63294694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6314833B2 (ja) | ||
| JPS62269986A (ja) | 薄膜デイスプレイパネルの成膜方法 |