JPS636777A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はｆｌＩ膜ＥＬ素子の製造方法の改良であり、硫
化亜鉛と希土類元素とハロゲン元素との組成物よりなる
ＥＬ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比
を１に近づけて発光効率・輝度特性を向上するために、
または、硫化亜鉛とマンガンとの組成物よりなるＥＬ膜
の硫黄が過少になってＥＬ膜の１９ｎが悪くなることを
防止するために、硫化水素を含むガスをスパッタガスと
してなすスパッタ法を使用してＥＬ膜を形成する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法ににおいて不可避の欠点、すなわち、
ＥＬＭが、そのド地をなす膜（下部絶縁膜または透光性
電極）から２ｑ＃Ｌやすいという欠点を改良する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法であ・る。

本出願は二つの発明を包含し、その第一の発明の要旨は
、ＥＬｌｌｉの形成に先立ち、硫化性物ＩｅＬ膜例えば
、酸化イフトリュウム膜、酸化銅膜、酸化タンタル膜、
酸化アルミニュウム膜、酸化ヒ素膜、酸化カドミュウム
膜、酸化希土類元素膜、酸化ゲルマニュウム膜、酸化亜
鉛膜、酸化マンガン膜等を形成し、硫化水素を含むガス
中で熱処理をなして上記の硫化性物質膜の表面を硫化し
て硫化物に転換し、これらの硫化物を結合膜として使用
することにある。

また、その第２の発明の要旨は、ＥＬ膜の形成に先立ち
、その下地である第１の絶縁膜に、硫黄、セレン、また
は、硫黄とセレンの双方を導入し、その後、熱処理をな
して、第１の絶縁膜の表面を硫化またはセレン化して、
ｉ化物またはセレン化物よりなる結合膜を形成すること
にある。

〔産業上の利用分野〕

本発明はＭ膜ＥＬ素子の製造方法の改良に関する。ｅｆ
に、発光効率・輝度特性を向上するために母材たる硫化
亜鉛に含有される発光中心たる希土類元素とハロゲン元
素との組成比を１に近づけるために、または１発光中心
としてマンガンを含有する硫化亜鉛よりなるＥＬ膜の膜
質を向とするために、Ｉ＆化水素を含むガスをスパッタ
ガスとするスパッタ法を使用してＥＬ膜を製造する薄膜
ＥＬ素子の製造方法において、ＥＬ膜とその下地をなす
層（下部絶縁膜または透光性電極）との付着性を再現性
よく向上する改良に関する。

〔従来の技術〕

薄膜ＥＬ素子は発光中心として機能する希土類元素例え
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とノ＼ロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを
含有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印
加し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光
させる発光素子であり、従来第２図に示すような直流駆
動型と第３図に示すような交流駆動型とが知られている
。

第２図参照 直流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては。

ガラスノふ板等１上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約　２
．００（１人の透明電極２が形成され、その上に発光中
心として機能する希土類元素例えばテルビュウムとハロ
ゲン元素例えばフッ素との組合せまたはマンガンを含有
する硫化亜鉛等よりなるＥＬ膜４が形成され、さらに、
その上にアルミニュウム等よりなる対向電極６が形成さ
れている。

第３図参照 交流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、上記の第２図に
示す層構成に加えて、ＥＬ膜４を挟んで庸窒化シリコン
、酸化アルミニュウム、酸化イシトリュウム等よりなり
厚さが約　２．０００人の第１の絶縁膜３と第２の絶縁
膜５とが形成されている。

ところで、発光中心として機能する希土類元素のうち、
テルビュウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、ツリュ
ウムは青色を、プラセオジュウムは白色を、また、マン
ガンは檀色を、それぞれ発光するが、その発光効率・輝
度は、テルビュウムを除き、いづれも満足すべきもので
はない。

最もすぐれているテルビュウムにおいても、発光効率は
　０．１〜０．２ルーメン／Ｗであり、また、輝度は３
０フートランバートであり、いづれも十分満足すべきも
のとは言い難く、しかも、再現性も必ずしも良くない。

この問題を解決する手段として、本発明の発明者は、Ｅ
Ｌ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率・輝度特性との間に相関関係があり、希土類元
素の原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最
もすぐれた発光効率・輝度を実現す゛ることができ、Ｅ
ＬｌｔＪ中に含有される希土類元素とハロゲン元素との
組成比を少なくとも化学量論的組成比に比べて希土類元
素の組成比を大きくしておくことが有効であることを発
見して、発光効率等輝度特性のすぐれた薄膜ＥＬ素子の
発明を完成した。

また、発光中心としてマンガンを含有する硫化亜鉛より
なるＥＬＭを有する薄膜ＥＬ素子においては、マンガン
と亜鉛との化学的性質が近似しているため、母材に発光
中心たるマンガンが添加された場合、陽イオンの数が陰
イオンの数より多くなりＥＬ膜に含まれる硫黄が過少と
なりＥＬ膜のｙ２質が不良になり、発光効率・輝度特性
が悪くなると言う欠点がある。

上記発光中心たる希土類元素とハロゲン元素の組成比を
１に近づける目的と、発光中心たるマンガンの添加にと
もないＥＬ膜の膜質が不良になり、発光効率番輝度特性
が悪くなることを防止する目的とを実現するために１本
発明渚は、硫化水素を成分の一部とするガスをスパッタ
ガスとし硫化亜鉛とハロゲン化希土類元素とをターゲ−
／　）としてなすスパッタ法、または、硫化水素を成分
の一部とするガスをスパッタガスとし硫化亜鉛とマンガ
ンとをターゲットとしてなすスパγり法を使用してＥＬ
膜を製造する薄膜ＥＬ素子の製造方法を完成した。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記せる１膜ＥＬ素子の製造方法（硫化水素を成分の一
部とするスパッタガス中においてなナスバッタ法を使用
してＥＬ膜を製造する薄膜ＥＬ素子の製造方法）を実施
して製造した薄膜ＥＬ素子は、そのＭ造当初は発光効率
φ輝度特性が十分満足すべき程度にすぐれているが、Ｅ
Ｌ膜とその下地（交流駆動型にあっては下部絶縁膜（第
１の絶縁ＲＩＪ＞　、直流駆動型にあってはＩＴＯ等よ
りなる透光性電極）との付着性が悪く、スライス工程や
実装工８等の取い扱い期１ｉｆｔ中等にＥＩ、膜が下地
から剥離しやすいと言う欠点がある。

本発明の目的は、発光中心たる希土類元素とハロゲン元
素との組成比を１に近づけて発光効率＋１＃度特性を向
上するために、または、硫化亜鉛の膜質を良好にして発
光効率・輝度特性を向上するために、硫化水素を成分の
一部とするスパッタガス中においてスパツクをなしてＥ
Ｌ膜を製造するＳ膜ＥＬ素子の製造方法において。

ＥＬ膜とその下地との付着性を向上しうる薄膜ＥＬ素子
の製造方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために本発明が採った第１の手段
は、 （イ）透光性ノＳ板１上に透光性電極２を形成し。

この透光性電極２上に、硫化水素を含むガスをスパッタ
ガスとしてなすスパッタ法を使用して、ｒｉｔ化亜鉛屯
体、または、希土類元素とハロゲン元素もしくはマンガ
ンを含む硫化亜鉛組成物よりなるＥＬ膜４を形成し、こ
のＥＬ膜膜上上対向電極６を形成する薄膜ＥＬ素子の製
造方法、または、透光性基板１上に透光性電極２を形成
し。

この透光性基板ｌ上に第１の絶縁ｖ４３を形成し、この
第１の絶縁膜３上に、硫化水素を含むガスをスパッタガ
スとしてなすスパッタ法を使用して、硫化亜鉛単体。

または、希土類元素とハロゲン元素もしくはマンガンを
含む硫化亜鉛組成物よりなるＥＬ膜４を形成し、このＥ
Ｌ膜膜上上第２の絶縁膜５を形成し、この第２の絶縁膜
５上に対向電極６を形成する薄膜ＥＬ素子の製造方法に
おいて、 （ロ）前記のＥＬ膜４の形成に先立ち、硫化性物質膜８
を形成し、硫化水素を含むガス中において熱処理を施し
て前記の硫化性物質膜８の表面を硫化して硫化物よりな
る結合膜７を形成することにある。

上記の硫化性物質膜としては、醇化イットリュウム膜、
酸化銅膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニュウム膜、酸
化ヒ素膜、酸化カドミュウム膜、酸化希土類元素膜、酸
化ゲルマニュウム膜、酸化亜鉛膜、酸化マンガン膜等が
適当である。

上記の目的を達成するために本発明が採った７ｔＳ２の
手段は。

（イ）透光性基板ｌ上に透光性電極２を形成し。

この透光性電極２上に第１の絶縁膜３を形成し、硫化水
素を含むガスをスパッタガスとしてなすスパッタ法を使
用して、硫化亜鉛単体、または、希土類元素とハロゲン
元素もしくはマンガンを含む硫化亜鉛組成物よりなるＥ
Ｌ膜４を形成し、このＥＬ膜膜上上第２の絶縁膜５を形
成し。

このＥＬ膜膜上上対向ＦＬ極６を形成する薄１１ＱＥＬ
素子の製造方法において、（ロ）前記Ｅ　Ｌ　１９４の
形成に先立ち、前記の第１の絶縁膜３に、硫黄、セレン
、または。

硫黄とセレンの双方を導入し、熱処理を施し、前記の第
１の絶縁膜３の表面を硫化まタハセレン化して硫化物ま
たはセレン化物よりなる結合膜９を形成することにある
。

〔作用〕

上記せる付着性不良の原因が、ＥＬ膜の材料と下地をな
す材料との化学的結合力が小さいことに起因することは
明らかである。

上記せる場合は、下地をなす第１の絶縁膜またはＩＴＯ
等よりなる透光性電極の表面に硫化水素が接触すると、
その表面に硫黄が一面に付着する。ところが、この硫黄
は、ファンデルワールス力により、下地をなす第１の絶
縁膜またはＩＴＯ等よりなる透光性電極に吸着されてい
るにすぎない、換言すれば、硫黄と、第１の絶縁膜をな
すシリコン原子や酸素原イやＩＴＯをなすインジュウム
原子、スズ原子、酸素原子等とは化学的に結合していな
い、そのため、スライス工程や実装工程等においてＥＬ
膜がその下地から剥離するのである。

この原因を解消するためには、ＥＬ膜の材料とも、また
、下地の材料とも化学的に強固に結合しうる材料の結合
膜を、ＥＬ膜とその下地との間に介在させればよいこと
は明らかである。

ところで、薄膜ＥＬ素子において、ＥＬ膜の下地として
使用される材料は酸化シリコン舎酸窒化シリコン会酸化
イツトリウム等の絶縁物やＩＴＯ等であり、ＥＬ膜の材
料は硫化亜鉛等であるから、このいづれとも化学的に結
合しやすい材料、すなわち、硫黄またはセレンを構成要
素とする材料１例えば、耐硫化イットリュウム膜、耐硫
化銅膜、耐硫化タンタル膜、耐硫化アルミニュウム膜、
耐硫化ヒ素膜、耐硫化カドミュウム膜゛、酸硫化希土類
元素膜、耐硫化ゲルマニュウム膜、酸硫化亜鉛膜、酸化
値マンガン膜、酸セレン化イットリュウム膜、酸セレン
化銅膜、酸セレン化タンタル膜、酸セレン化アルミニュ
ウム膜、酸セレン化ヒ素膜、酸セレン化カドミュウム膜
、酸セレン化希土類元素膜、酸セレン化ゲルマニュウム
膜、耐セレン化亜鉛膜、酸セレン化マンガン膜等よりな
る結合膜を、透光性電極とＥＬ膜との間に。

または、第１の絶縁膜とＥＬ膜との間に、介在させれば
よい。

上記せる結合膜を形成するには、特許請求の範囲第３項
に例記する硫化性物質の膜を硫化水素中で熱処理して、
特許請求の範囲第３項に酸化物として例記する硫化性物
質を硫化して、これらの物質の硫化物を形成しても、ま
た、第１の絶縁膜中に硫黄、セレン等を導入し、その後
熱処理をなして、第１の絶縁膜を構成する物質の硫化物
、または、セレン化物を形成してもよい。

このようにすれば、ｆ＆黄の蒸気圧は非常に高いので、
硫黄と硫黄との結合は成立せず、下地構成要素である硫
黄とＥＬ膜をなす硫化亜鉛の亜鉛とが直接に強固に結合
し、硫化亜鉛よりなるＥＬ膜がその下地から剥離するこ
とはない。

〔実施例〕

以下、図面を参照しつ一１特許請求の範囲第２項の実施
例に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子１例と、特許請求の範
囲第１項の実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ素子１例と
特許請求の範囲第４頃の実施例に係る交流駆動型薄膜Ｅ
Ｌ素子１例とについてさらに説明する。

庇上」 特許請求の範囲第２項の実施例に係る交流駆動型薄膜Ｅ
ＬＪ子の製造方法について述べる。

第１ａ図参照 スパッタ法を使用して、ガラス基板ｌ上に厚さ約　２，
０００人のＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化シリコ
ンまたは酸窒化シリコンよりなり厚さ約１．５０ＯＡの
第１の絶縁膜３とを形成する。

硫化されやすい硫化性物質である酸化ガドリニュウムの
膜８を真空蒸着する。

次ニ、Ｍ低水素（５％）を含むアルゴンガス中で、基板
温度を３００’Ｏとして熱処理をなし、酸化ガドリニュ
ウムの膜８の表面を硫化して酸硫化がドリニュウムの膜
よりなる結合膜７に転換する。

つづいて、Ｆ＆化水素（５％）を含むアルゴンをスパッ
タガスとし、硫化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲ
ットとして、厚さ約８，０００人のＥＬ膜４を形成する
０代表的なスパッタ条件は。

ガス圧はｌ　Ｘ　ｔｏ−２ｔｏｒｒであり、パワーは硫
化亜鉛ターゲットに対してＩ　ＫＷ、フッ化テルビュウ
ムターゲットに対して３００Ｗであり、基板温度は約２
３０　’Ｏである。成膜後、　８００”０・２時間熱処
理をなして、結晶性を向上し、同時に、フッ素とテルビ
ュウムとが緻適の格子位置に位置するようにする。

次に、スパッタ法を使用して、酸化シリコンまたは酸窒
化シリコンよりなり厚さ約　２，０００人の第２の絶縁
膜５を形成し、さらに、蒸着法またはスパッタ法を使用
して厚さ約３，０００へのアルミニュウム膜よりなる対
向電極（１ν面電極）６を形成する。

以上の工程をもって製造したｆＭ膜ＥＬ素子のＥＬｌｌ
Ｉ２４は、その下地と強固に化学的に結合しており、ス
ライス工程や実装工程等の取い扱い期間中等に剥離する
ことはない、また、このＥＬ膜４に含まれるテルビュウ
ムの原子数とフッ素の原子数とは、おへむね同一である
。その輝度（ＩＫ）ｌｚで駆動するとき発光しきい電圧
を３０ＶＪｉｉ過する電圧に対する輝度）は、第４図（
本実施例を実施して製造した交流駆動型薄膜ＥＬ素子の
輝度対電圧関係Ａを従来技術の輝度対電圧関係Ｂと比較
して表すグラフ）に従来技術と比較して示しであるよう
に、大幅に向上している。なお１図においてＡは本実施
例の値を示し、Ｂは従来技術の値を示す０図より明らか
なように１発光効率と輝度（ＩＫ）ｌｚで駆動するとき
発光しきい電圧を３０Ｖ超過する電圧に対する輝度）は
それぞれ１．１ルーメン／Ｗと　２００フートランバー
トとに向上して特許請求の範囲第１１．ｒｉの実施例に
係る直流駆動、！ｌ！！薄膜ＥＬ、素子の製造方法につ
いて述べる。

第１ｂ図参照 第１例の場合と同様に、スパッタ法を使用して、ガラス
基板１上に厚さ約２．０００人のＩＴＯ膜よりなる透光
性電極２を形成する。

つづいて、アルゴレをスパッタガスとし、ＩＩｉ！硫化
イツトリウムをターゲットとして、厚さ約　５００Å以
下のｍ硫化イツトリウム膜よりなる結合ＩＩｇ７を形成
する。

硫化されやすい硫化性物質である酸化ガドリニュウムの
膜８を真空蒸着する。

次に、硫化水素（５％）を含むアルゴンガス中で、基板
温度を３００℃として熱処理をなし１ｍ化ガドリニュウ
ムの膜８の表面を硫化して耐硫化ガドリニュウムの膜よ
りなる結合膜７に転換する。

つづいて、Ｆ＆化水素（５％）を含むアルゴンをスパッ
タガスとし、硫化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲ
ットとして、厚さ約８，０００人のＥＬ成膜を形成する
０代表的なスパッタ条件は、ガス圧はｌ　Ｘ　ｌｏ−２
ｔｏｒｒであり、パワーは硫化亜鉛ターゲットに対して
Ｉ　ＫＷ、フッ化テルビュウムターゲットに対して３０
０Ｗであり、基板温度は約２３０℃である。成膜後、８
００℃・２時間熱処理をなして、結晶性を向上し、同時
に、フッ素とテルビエウムとが最適の格子位置に位置す
るようにする。

次に、第１例の場合と同様に、蒸着法またはスパッタ法
を使用して厚さ約３．０００人のアルミニュウム膜より
なる対向電極（背面電極）６を形成する。

以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬ成膜は
、その下地と強固に化学的に結合しており、スライス工
程や実装工程等の取い扱い期間中等に」敲することはな
い、また、このＥ　Ｌ　ｌｉ　４に含まれるテルビエウ
ムの原子数とフッ素の原子数とは、お−〇ね同一である
。その輝度（発光しきい電圧をＩＱＶ　ｉｆ、過する電
圧に対する輝度）は、第５図（本実施例を実施して製造
した直流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度対電圧関係Ａを従来
技術の輝度対電圧関係Ｂと比較して表すグラフ）に従来
技術と比較して示しであるように、大幅に向上している
。なお、図においてＡは本実施例の値を示し、Ｂは従来
技術の値を示す０図より明らかなように、発光効率と輝
度（発光しきい電圧をＩＯＶ超過する電圧に対する輝度
）はそれぞれ０．４ルーメン／Ｗと　４００フートラン
バートとに向上している。

硫化されやすい硫化性物質として、酸化イツトリウム膜
、酸化銅膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニュウムＳ、
ｅ＃化ヒ素膜１ｍ化カドミュウム膜、酸化希土類元素膜
、酸化ゲルマニュウム膜。

耐化亜鉛膜、酸化マンガン膜等についても同様の試みを
なしたが、お−むね同様の結果が確認された。

箸」Ｌ例 特許請求の範囲第４項の実施例に係る交流駆動型薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法について述べる。

第１ｃ図参照 スパッタ法を使用して、ガラス基板１上に厚さ約　２　
、０００人のＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化シリ
コンまたは酸窒化シリコンよりなり厚さ約　１，５００
人の第１の絶縁膜３とを形成する。

硫黄またはセレンをイオン注入する。イオンｆｆ、　入
条件は、ドーズ債ＩＱ１４ｃｍ−２，加速Ｍｌ　圧１０
Ｋ　ｅＶである。その後、約４００℃で熱処理をして、
酸化シリコンまたは酸窒化シリコンよりなる第１の絶縁
ｙ２３の表面を硫化またはセレン化して、安定な硫化物
またはセレン化物の結合膜９に転換する。

つづいて、硫化水素（５％）を含むアルゴンをスパッタ
ガスとし、硫化亜鉛と、フッ化テルビュウムをターゲッ
トとして、厚さ約ｅ、ｏｏｏへのＥＬｙ２４を形成する
０代表的なスパッタ条件は。

ガス圧はｌ　Ｘ　１Ｏ−２ｔｏｒｒであり、バク−は硫
化亜鉛ターゲットに対してｌＫ′ｖｉ、フッ化テルビュ
ウムターゲットに対して３００Ｗであり、基板温度は約
２３０℃である。成膜後、　６００℃・２時間熱処理を
なして、結晶性を向上し、同時に、フッ素とテルビエウ
ムとが最適の格子位置に位置するようにする。

次に、スパッタ法を使用して、酸化シリコンまたは酸窒
化シリコンよりなり厚さ約２，０ＯＯＡの第２の絶縁膜
５を形成し、さらに、蒸若法またはスパッタ法を使用し
て厚さ約３，０００人のアルミニュウム膜よりなる対向
電極（背面電極）６を形成する。

以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬｌ！１
４は、その下地と強固に化学的に結合しており、スライ
ス工程や実装工程等の取い扱い期間中等に剥離すること
はない、また、このＥＬ成膜に含まれるテルビエウムの
原子数とフッ素の原子数とは、お−むね同一である。そ
の輝度（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０
Ｖ超過する電圧に対する輝度）は、第４図（本実施例を
実施して製造した交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度対電圧
関係Ａを従来技術の輝度対電圧関係Ｂと比較して表すグ
ラフ）に従来技術と比較して示しであるように、大幅に
向上している。なお１図においてＡは本実施例の値を示
し、Ｂは従来技術の値を示す６図より明らかなように、
発光効率と輝度（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電
圧を３０Ｖ超過する電圧に対する輝度）はそれぞれ１．
１ルーメン／Ｗと　２００７−トランバートとに向上し
ている。

〔発明の効果〕

以上説明せるとおり、本出願に含まれる第１の発明に係
る薄膜ＥＬ素子の製造方法を実施して製造したｔｉ膜Ｅ
Ｉ、素子のＥＬｌ１５１と透光性電極との間、または、
ＥＬ膜と第１の絶縁膜との間には、耐硫化イットリュウ
ム膜、酸硫化銅膜、酸硫化タンタル膜、酸硫化アルミニ
ュウム膜、耐硫化ヒ素膜、酸硫化カドミュウム膜、酸硫
化希土類元素膜、酸硫化ゲルマニュウム膜、ｓｆ！化亜
鉛膜、耐硫化マンガン膜よりなる結合膜が介在されてい
るので、ＥＬＩ１９は、その下地と強固に化学的に結合
しており、スライス工程や実装工程等の取い扱い期間中
等に剥離することはない、しかも、このＥＩＩＱに含ま
れるテルビエウムの原子数とフッ素の原子数とは、お−
むね同一であるから、その輝度は大幅に向上している。

また、本出願に含まれる第２の発明に係る薄膜ＥＬ素子
の製造方法を実施して製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬ膜と
透光性電極との間、または、ＥＬ膜と第１の絶縁膜との
間には、硫化物またはセレン化物よりなる結合膜が介在
されているので、ＥＬ膜は、その下地と強固に化学的に
結合しており、スライス工程や実装工程等の取い扱い期
間中等に剥離することはない、しかも、このＥＬ膜に含
まれるテルビエウムの原子数とフッ素の原子数とは、お
−〇ね同一であるから、その輝度は大幅に向上している
。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は、未発Ｆｌｌの特許請求の範囲第２項の実施
例に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の断面図である。 第１ｂ図は、本発明の特許請求の範囲第１項の実施例に
係る直流駆動型ｎ膜ＥＬ素子の断面図である。 第１ｃ図は１本発明の特許請求の範囲第４項の実施例に
係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の断面図である。 第２図は、従来技術に係る直流駆動型薄［ＥＬ素子の断
面図である。 第３図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＩ。 素子の断面図である。 第４図は、本発明の特許請求の範囲第２項の実施例に係
る交流駆動望薄１１ＱＥＬ素子の輝度（ＩＫＨｚで駆動
するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過する電圧に対する
輝度）対電圧関係Ａと従来技術の輝度対電圧関係Ｂと比
較して表すグラフである。 第５図は１本発明の特許請求の範囲第１項の実施例に係
る直流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度（発光しきい電圧をＩ
ＯＶ超過する電圧に対する輝度）対電圧関係Ａと従来技
術の輝度対電圧関係Ｂと比較して表すグラフである。 第６図は１本発明の特許請求の範囲第４項の実施例に係
る交流駆動型ｆｉｌｌ！ｌ！ＥＬ素子の輝度（１ＫＨｚ
で駆動するとき発光しきい電圧を３ＱＶ超過する電圧に
対する輝度）対電圧関係Ａと従来技術の輝度対電圧関係
Ｂと比較して表すグラフである。 １・・・透光性基板、 ２φ・・透光性電極、 ３・・・第１の絶縁膜（上部絶縁膜）。 ４・・・ＥＬ膜、 ５・φ・第２の絶縁膜（下部絶縁膜）。 ６・・・対向電極、 ７・・・結合膜、 ８・・・硫化性物質膜、 ９・・Φ結合膜。 本発明 第１ａ図 本発明 第１ｂ図 本発明 ｇｉｃ　　図 先玉（ｖ） 輝浅−實圧特性 ｖｇ　４　閃 従来技術 第　２　図 １３　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］透光性基板（１）上に透光性電極（２）を形成し
   、 硫化水素を含むガスをスパッタガスとしてなすスパッタ
   法を使用して、硫化亜鉛単体、または、希土類元素とハ
   ロゲン元素もしくはマンガンを含む硫化亜鉛組成物より
   なるＥＬ膜（４）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）を形成する薄膜ＥＬ
   素子の製造方法において、 前記ＥＬ膜（４）の形成に先立ち、硫化性物質膜（８）
   を形成し、硫化水素を含むガス中において熱処理を施し
   て前記硫化性物質膜（８）の表面を硫化して硫化物より
   なる結合膜（７）を形成することを特徴とする薄膜ＥＬ
   素子の製造方法。 ［２］前記結合膜（７）の形成に先立ち、前記透光性電
   極（２）上に第１の絶縁膜（３）を形成し、前記ＥＬ膜
   （４）の形成後に前記対向電極（６）の形成に先立ち、
   第２の絶縁膜（５）を形成することを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［３］前記硫化性物質膜（８）は、酸化イットリュウム
   膜、酸化銅膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニュウム膜
   、酸化ヒ素膜、酸化カドミュウム膜、酸化希土類元素膜
   、酸化ゲルマニュウム膜、酸化亜鉛膜、酸化マンガン膜
   のいづれかであることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項または第２項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［４］透光性基板（１）上に透光性電極（２）を形成し
   、 該透光性電極（２）上に第１の絶縁膜（３）を形成し、 硫化水素を含むガスをスパッタガスとしてなすスパッタ
   法を使用して、硫化亜鉛単体、または、希土類元素とハ
   ロゲン元素もしくはマンガンを含む硫化亜鉛組成物より
   なるＥＬ膜（４）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に第２の絶縁膜（５）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）を形成する薄膜ＥＬ
   素子の製造方法において、 前記ＥＬ膜（４）の形成に先立ち、前記第１の絶縁膜（
   ３）に、硫黄、セレン、または、硫黄とセレンの双方を
   導入し、熱処理を施し、前記第１の絶縁膜（３）の表面
   を硫化して、硫化物またはセレン化物よりなる結合膜（
   ９）を形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方
   法。 ［５］前記硫黄、セレン、または、硫黄とセレンの双方
   の導入には、イオン注入法を使用することを特徴とする
   特許請求の範囲第４項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。