JP2730931B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JP2730931B2 JP2730931B2 JP63270101A JP27010188A JP2730931B2 JP 2730931 B2 JP2730931 B2 JP 2730931B2 JP 63270101 A JP63270101 A JP 63270101A JP 27010188 A JP27010188 A JP 27010188A JP 2730931 B2 JP2730931 B2 JP 2730931B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 硫化亜鉛（ZnS薄膜）薄膜を母材とする発光層を有す
る薄膜EL素子の構造に関し、 発光層と絶縁層との接合界面における界面準位の深さ
のばらつきをなくして、より高輝度な発光と、その再現
性の向上を目的とし、 発光母材に発光中心が添加された発光層の両側面を絶
縁層により被覆した構成の薄膜EL素子において、前記発
光層と少なくとも一方の絶縁層との間に、双方の接合界
面での界面準位の深さを均一にするための該発光層中の
発光母材に添加された発光中心材料と同じ材料からなる
３〜10Åの厚さの界面層を介在させた構成とする。
る薄膜EL素子の構造に関し、 発光層と絶縁層との接合界面における界面準位の深さ
のばらつきをなくして、より高輝度な発光と、その再現
性の向上を目的とし、 発光母材に発光中心が添加された発光層の両側面を絶
縁層により被覆した構成の薄膜EL素子において、前記発
光層と少なくとも一方の絶縁層との間に、双方の接合界
面での界面準位の深さを均一にするための該発光層中の
発光母材に添加された発光中心材料と同じ材料からなる
３〜10Åの厚さの界面層を介在させた構成とする。
本発明は硫化亜鉛（ZnS薄膜）薄膜を母材とする発光
層を有する薄膜EL素子の構造に関するものである。
層を有する薄膜EL素子の構造に関するものである。
表示装置、或いは面発光源として用いられる薄膜EL素
子では、近来、カラー表示の実用化開発が鋭意進めれ、
表示品質を向上させるために高輝度なカラー表示とその
再現性の良い薄膜EL素子が必要とされている。
子では、近来、カラー表示の実用化開発が鋭意進めれ、
表示品質を向上させるために高輝度なカラー表示とその
再現性の良い薄膜EL素子が必要とされている。
〔従来の技術〕 従来の緑色光を発光する薄膜EL素子としては、第６図
に示すように、例えば透明ガラス基板１上に酸化インジ
ウム・錫（Indium Tin Oxide:以下ITOと略称する）から
なる透明電極２、窒化シリコン（Si3N4）からなる第一
絶縁層３を積層し、その表面に硫化亜鉛（ZnS）からな
る発光母材に発光中心として機能するテレビウム（T
b）、サマリウム（Sm）、ツリウム（Tm）、プラセオジ
ム（Pr）等の希土類元素と弗素（Ｆ）、塩素（Cl）等の
ハロゲン元素の化合物、例えば三弗化テレビウム（Tb
F3）を添加してなる発光層４が設けられ、更にその表面
に窒化シリコン（Si3N4）からなる第二絶縁層５を介し
てアルミニウム（Al）からなる背面電極６が積層された
構造が知られている。この素子構造において透明電極２
と背面電極６間に所定電圧を印加すると、それによる電
界によって発光層４がエレクトロルミネッセンス現象に
基づいて緑色光を発する。
に示すように、例えば透明ガラス基板１上に酸化インジ
ウム・錫（Indium Tin Oxide:以下ITOと略称する）から
なる透明電極２、窒化シリコン（Si3N4）からなる第一
絶縁層３を積層し、その表面に硫化亜鉛（ZnS）からな
る発光母材に発光中心として機能するテレビウム（T
b）、サマリウム（Sm）、ツリウム（Tm）、プラセオジ
ム（Pr）等の希土類元素と弗素（Ｆ）、塩素（Cl）等の
ハロゲン元素の化合物、例えば三弗化テレビウム（Tb
F3）を添加してなる発光層４が設けられ、更にその表面
に窒化シリコン（Si3N4）からなる第二絶縁層５を介し
てアルミニウム（Al）からなる背面電極６が積層された
構造が知られている。この素子構造において透明電極２
と背面電極６間に所定電圧を印加すると、それによる電
界によって発光層４がエレクトロルミネッセンス現象に
基づいて緑色光を発する。
なお、前記発光層４の発光中心を形成するテレビウム
（Tb）からなる希土類元素（３価）と弗素（Ｆ）からな
るハロゲン元素（１価）との組成比は、化学量論比を3:
1より小さく、特に1:1とすることによって輝度の向上が
図れる。
（Tb）からなる希土類元素（３価）と弗素（Ｆ）からな
るハロゲン元素（１価）との組成比は、化学量論比を3:
1より小さく、特に1:1とすることによって輝度の向上が
図れる。
また、前記発光層４として硫化亜鉛（ZnS）からなる
発光母材に発光中心材料のTbと、そのTbと同濃度の酸素
を添加した発光層を用いることによっても輝度の向上が
図れる。
発光母材に発光中心材料のTbと、そのTbと同濃度の酸素
を添加した発光層を用いることによっても輝度の向上が
図れる。
上記した従来の薄膜EL素子にあっては、発光効率及び
輝度は向上するが、ZnS:TbF3、またはZnS:TbOFからなる
発光層４とSi3N4からなる第一絶縁層３、または第二絶
縁層５との接合界面において、双方の結晶構造の違いに
よって生ずる格子欠陥を囲むZn,S,Si,N,Tb,O,F等の原子
の不飽和結合、即ち、ダングリングボンドが発生し、該
接合界面での界面準位の深さがばらつくことから再現性
が悪いといった問題があった。
輝度は向上するが、ZnS:TbF3、またはZnS:TbOFからなる
発光層４とSi3N4からなる第一絶縁層３、または第二絶
縁層５との接合界面において、双方の結晶構造の違いに
よって生ずる格子欠陥を囲むZn,S,Si,N,Tb,O,F等の原子
の不飽和結合、即ち、ダングリングボンドが発生し、該
接合界面での界面準位の深さがばらつくことから再現性
が悪いといった問題があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、発光層と絶縁
層との接合界面での界面準位の深さのばらつきをなくす
ることによって、より高輝度な発光と、その再現性を向
上した新規な薄膜EL素子を提供することを目的とするも
のである。
層との接合界面での界面準位の深さのばらつきをなくす
ることによって、より高輝度な発光と、その再現性を向
上した新規な薄膜EL素子を提供することを目的とするも
のである。
本発明は上記した目的を達成するため、発光母材に発
光中心が添加された発光層の両側面を絶縁層により被覆
した構成の薄膜EL素子において、前記発光層と少なくと
も一方の絶縁層との間に、双方の接合界面での界面準位
の深さを均一にするための前記発光層中の発光母材に添
加された発光中心材料と同じ材料からなる３〜10Åの厚
さの界面層を介在させた構成とする。
光中心が添加された発光層の両側面を絶縁層により被覆
した構成の薄膜EL素子において、前記発光層と少なくと
も一方の絶縁層との間に、双方の接合界面での界面準位
の深さを均一にするための前記発光層中の発光母材に添
加された発光中心材料と同じ材料からなる３〜10Åの厚
さの界面層を介在させた構成とする。
本発明の薄膜EL素子では、発光層と絶縁層との材料を
でき得る限り同じにすれば、双方の接合界面での各種原
子のダングリングボンドの発生数が減少することに着目
し、発光層と少なくとも片側の絶縁層との間に、例えば
該発光層に添加する発光中心材料と同じ材料からなる界
面層を介在させ、該界面層の存在によって発光層との接
合界面でのダングリングボンドの発生数を減少させる。
この結果、界面準位の深さのばらつきも低減することが
でき、従来よりも高輝度な薄膜EL素子を再現性良く得る
ことが可能となる。
でき得る限り同じにすれば、双方の接合界面での各種原
子のダングリングボンドの発生数が減少することに着目
し、発光層と少なくとも片側の絶縁層との間に、例えば
該発光層に添加する発光中心材料と同じ材料からなる界
面層を介在させ、該界面層の存在によって発光層との接
合界面でのダングリングボンドの発生数を減少させる。
この結果、界面準位の深さのばらつきも低減することが
でき、従来よりも高輝度な薄膜EL素子を再現性良く得る
ことが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係る薄膜EL素子の第１実施例を示す
断面構成図である。
断面構成図である。
図示のように透明ガラス基板１上に酸化インジウム・
錫（Indium Tin Oxide:以下ITOと略称する）等からなる
2000Åの膜厚の透明電極２と、その上に窒化シリコン
（Si3N4）等からなる2500Åの膜厚の第一絶縁層３がス
パッタリング法等により積層形成されている。
錫（Indium Tin Oxide:以下ITOと略称する）等からなる
2000Åの膜厚の透明電極２と、その上に窒化シリコン
（Si3N4）等からなる2500Åの膜厚の第一絶縁層３がス
パッタリング法等により積層形成されている。
その第一絶縁層３上には後述する発光層12を構成する
ために発光母材に添加する発光中心である酸弗化テレビ
ウム（TbOF）からなる１〜20Åの膜厚の第一界面層11
と、硫化亜鉛（ZnS）からなる発光母材に発光中心とし
てTbOFを所定量添加した6000Åの膜厚の発光層（ZnS:Tb
OF）12と、前記第一界面層と同様なTbOFからなる１〜20
Åの膜圧の第二界面層13がスパッタリング法等により順
に積層形成され、その表面に更にSi3N4等からなる2500
Åの膜厚の第二絶縁層５とアルミニウム（Al）からなる
背面電極６が積層された構造とされている。
ために発光母材に添加する発光中心である酸弗化テレビ
ウム（TbOF）からなる１〜20Åの膜厚の第一界面層11
と、硫化亜鉛（ZnS）からなる発光母材に発光中心とし
てTbOFを所定量添加した6000Åの膜厚の発光層（ZnS:Tb
OF）12と、前記第一界面層と同様なTbOFからなる１〜20
Åの膜圧の第二界面層13がスパッタリング法等により順
に積層形成され、その表面に更にSi3N4等からなる2500
Åの膜厚の第二絶縁層５とアルミニウム（Al）からなる
背面電極６が積層された構造とされている。
このような構造の薄膜EL素子において、前記TbOFから
なる第一、第二界面層11,13の膜厚と発光輝度との関係
を調べた結果、第２図に示すように該第一、第二界面層
11,13の膜厚を６Åとした場合に発光輝度は最大値とな
ることが判明した。
なる第一、第二界面層11,13の膜厚と発光輝度との関係
を調べた結果、第２図に示すように該第一、第二界面層
11,13の膜厚を６Åとした場合に発光輝度は最大値とな
ることが判明した。
また前記第一、第二界面層11,13と発光層12との接合
界面でのダングリングボンドの発生も発光層12の構成元
素中の亜鉛（Zn）と硫黄（Ｓ）によるものだけになるた
め、界面準位の深さのばらつきも少なくなる。
界面でのダングリングボンドの発生も発光層12の構成元
素中の亜鉛（Zn）と硫黄（Ｓ）によるものだけになるた
め、界面準位の深さのばらつきも少なくなる。
従って、前記第一、第二界面層11,13の膜厚を３〜10
Åとすることにより、従来よりも高輝度な緑色発光の薄
膜EL素子を再現性良く得ることができる。
Åとすることにより、従来よりも高輝度な緑色発光の薄
膜EL素子を再現性良く得ることができる。
なお、前記第一界面層11、発光層12及び第二界面層13
を形成する方法としては、第３図に示すように一方のタ
ーゲット電極22上にZnSからなるＡターゲット24、他方
のターゲット電極23上にTbOFからなるＢターゲット25が
配置されたスパッタリング装置のチャンバー21内に、こ
れらＡターゲット24及びＢターゲット25と対向して透明
電極２と窒化シリコン（Si3N4）からなる第一絶縁層３
が順に積層された透明ガラス基板１を回転可能に配置す
る。
を形成する方法としては、第３図に示すように一方のタ
ーゲット電極22上にZnSからなるＡターゲット24、他方
のターゲット電極23上にTbOFからなるＢターゲット25が
配置されたスパッタリング装置のチャンバー21内に、こ
れらＡターゲット24及びＢターゲット25と対向して透明
電極２と窒化シリコン（Si3N4）からなる第一絶縁層３
が順に積層された透明ガラス基板１を回転可能に配置す
る。
そして該チャンバー21内を排気装置28により10-6torr
の真空度にした後、そのチャンバー21内にArガス等のス
パッタガスを所定ガス圧となるように導入し、かかるス
パッタガス雰囲気中で前記透明ガラス基板１を回転させ
ると共に、前記ZnSからなるＡターゲット24上はシャッ
ター26で覆い、かつシャッター26を開けた状態のTbOFか
らなるＢターゲット25をスパッタさせて、該透明ガラス
基板１上の第一絶縁層３の表面にTbOFからなる３〜10Å
の膜厚の第一界面層11を形成し、引き続きＡターゲット
24上のシャッター26を開けて該ZnSからなるＡターゲッ
ト24とTbOFからなるＢターゲット25とを同時にスパッタ
させて、該第一界面層11上にZnS:TbOFからなる6000Åの
膜厚の発光層12を形成する。
の真空度にした後、そのチャンバー21内にArガス等のス
パッタガスを所定ガス圧となるように導入し、かかるス
パッタガス雰囲気中で前記透明ガラス基板１を回転させ
ると共に、前記ZnSからなるＡターゲット24上はシャッ
ター26で覆い、かつシャッター26を開けた状態のTbOFか
らなるＢターゲット25をスパッタさせて、該透明ガラス
基板１上の第一絶縁層３の表面にTbOFからなる３〜10Å
の膜厚の第一界面層11を形成し、引き続きＡターゲット
24上のシャッター26を開けて該ZnSからなるＡターゲッ
ト24とTbOFからなるＢターゲット25とを同時にスパッタ
させて、該第一界面層11上にZnS:TbOFからなる6000Åの
膜厚の発光層12を形成する。
更に引き続き前記ZnSからなるＡターゲット24上をシ
ャッター26で再び覆った状態でTbOFからなるＢターゲッ
ト25をスパッタさせて、その発光層12上にTbOFからなる
３〜10Åの膜厚の第二界面層13を形成した後、これらを
600℃に加熱して２時間程度の熱処理を行うことによ
り、高輝度な緑色発光を行う発光層12を再現性良く形成
することができる。
ャッター26で再び覆った状態でTbOFからなるＢターゲッ
ト25をスパッタさせて、その発光層12上にTbOFからなる
３〜10Åの膜厚の第二界面層13を形成した後、これらを
600℃に加熱して２時間程度の熱処理を行うことによ
り、高輝度な緑色発光を行う発光層12を再現性良く形成
することができる。
なお以上の第１実施例では第一，第二界面層としてZn
S:TbOFからなる発光層の発光中心となるTbOFを用いた場
合の例について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、発光層よりも高濃度の発光中心材料を添
加した発光層材料、例えばZnS:TbOFからなる発光層の場
合、その発光中心材料（TbOF）を高濃度に添加した発光
層材料を用いることも可能であり、この場合にも同様な
効果が得られる。
S:TbOFからなる発光層の発光中心となるTbOFを用いた場
合の例について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、発光層よりも高濃度の発光中心材料を添
加した発光層材料、例えばZnS:TbOFからなる発光層の場
合、その発光中心材料（TbOF）を高濃度に添加した発光
層材料を用いることも可能であり、この場合にも同様な
効果が得られる。
また第４図は本発明に係る薄膜EL素子の第２実施例を
示す断面構成図であり、第１図と同等部分には同一符号
を付した。この図で示す実施例が第１図の第１実施例と
異なる点は、発光層32として硫化亜鉛（ZnS）からなる
発光母材にマンガン（Mn）からなる発光中心を所定量添
加した膜厚が6000Åの発光層（ZnS:Mn）を用い、また第
一、第二界面層31,32をそれぞれ膜厚10ÅのMnの酸化物
（MnOx）層より構成したことである。
示す断面構成図であり、第１図と同等部分には同一符号
を付した。この図で示す実施例が第１図の第１実施例と
異なる点は、発光層32として硫化亜鉛（ZnS）からなる
発光母材にマンガン（Mn）からなる発光中心を所定量添
加した膜厚が6000Åの発光層（ZnS:Mn）を用い、また第
一、第二界面層31,32をそれぞれ膜厚10ÅのMnの酸化物
（MnOx）層より構成したことである。
上記した前記第一界面層31、発光層32及び第二界面層
33を形成するには、ITO等からなる透明電極２と、その
上に窒化シリコン（Si3N4）等からなる第一絶縁層３が
順に積層された透明ガラス基板１上に、ZnSとMnとから
なる２つの蒸着源を用いた蒸着法によって、例えばMnを
酸素（O2）ガス雰囲気中で蒸着してMnOxからなる10Åの
膜厚の第一界面層31を形成し、その第一界面層31上に引
き続き真空中でZnSとMnとを同時に蒸着して6000Åの膜
厚の発光層（ZnS:Mn）32を形成する。更にその発光層32
上に引き続きMnを酸素（O2）ガス雰囲気中で蒸着してMn
Oxからなる10Åの膜厚の第二界面層33を形成した後、こ
れらを第１実施例で説明したと同様に600℃に加熱して
２時間程度の熱処理を行うようにする。
33を形成するには、ITO等からなる透明電極２と、その
上に窒化シリコン（Si3N4）等からなる第一絶縁層３が
順に積層された透明ガラス基板１上に、ZnSとMnとから
なる２つの蒸着源を用いた蒸着法によって、例えばMnを
酸素（O2）ガス雰囲気中で蒸着してMnOxからなる10Åの
膜厚の第一界面層31を形成し、その第一界面層31上に引
き続き真空中でZnSとMnとを同時に蒸着して6000Åの膜
厚の発光層（ZnS:Mn）32を形成する。更にその発光層32
上に引き続きMnを酸素（O2）ガス雰囲気中で蒸着してMn
Oxからなる10Åの膜厚の第二界面層33を形成した後、こ
れらを第１実施例で説明したと同様に600℃に加熱して
２時間程度の熱処理を行うようにする。
この実施例の構成によっても前記第１図による第１実
施例と同様の目的を達成する黄橙色発光の薄膜EL素子を
得ることができる。
施例と同様の目的を達成する黄橙色発光の薄膜EL素子を
得ることができる。
更に第５図は本発明に係る薄膜EL素子の第３実施例を
示す断面構成図であり、第１図と同等部分には同一符号
を付した。この図で示す実施例が第４図の第２実施例と
異なる点は、発光層（ZnS:Mn）32と第一絶縁層３及び第
二絶縁層３との間に、MnOxからなる界面層を設ける代わ
り、50Åの膜厚の酸化亜鉛（ZnO）からなる第一界面層4
1及び第二界面層42を設けた構成としたことである。
示す断面構成図であり、第１図と同等部分には同一符号
を付した。この図で示す実施例が第４図の第２実施例と
異なる点は、発光層（ZnS:Mn）32と第一絶縁層３及び第
二絶縁層３との間に、MnOxからなる界面層を設ける代わ
り、50Åの膜厚の酸化亜鉛（ZnO）からなる第一界面層4
1及び第二界面層42を設けた構成としたことである。
このような構成の薄膜EL素子では、第一界面層41及び
第二界面層42のZnOと発光層32のZnSとが同様な結晶構造
を有しているため、該発光層32のZnS結晶性が向上する
と共に、その接合界面での界面準位の深さが均一にな
る。
第二界面層42のZnOと発光層32のZnSとが同様な結晶構造
を有しているため、該発光層32のZnS結晶性が向上する
と共に、その接合界面での界面準位の深さが均一にな
る。
また発光閾値が20V程度も低下し、輝度が20％向上す
ることも確認でき、この実施例の構成によっても前記第
１図による第１実施例と同様の目的を達成することがで
きる。
ることも確認でき、この実施例の構成によっても前記第
１図による第１実施例と同様の目的を達成することがで
きる。
なお以上の第一、第二及び第三実施例では発光層とそ
の上下両面の絶縁層との間に界面層を介在した場合の例
について説明したが、本発明はそのような例に限定され
るものではなく、例えば発光層とその上下両面の絶縁層
との何れか一方の間に上記した実施例の如き界面層を介
在した場合にもその発光層と絶縁層との接合界面での問
題点が改善され、従来よりも発光輝度、及び再現性が大
幅に向上する。
の上下両面の絶縁層との間に界面層を介在した場合の例
について説明したが、本発明はそのような例に限定され
るものではなく、例えば発光層とその上下両面の絶縁層
との何れか一方の間に上記した実施例の如き界面層を介
在した場合にもその発光層と絶縁層との接合界面での問
題点が改善され、従来よりも発光輝度、及び再現性が大
幅に向上する。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜EL
素子によれば、発光層に注入される電子の発生源である
発光層と絶縁層との接合界面でのダングリングボンドが
減少し、界面準位の深さのばらつきをなくすることがで
きるので、従来よりも高輝度な発光が再現性良く得られ
るという実用上有益な効果を奏する。
素子によれば、発光層に注入される電子の発生源である
発光層と絶縁層との接合界面でのダングリングボンドが
減少し、界面準位の深さのばらつきをなくすることがで
きるので、従来よりも高輝度な発光が再現性良く得られ
るという実用上有益な効果を奏する。
第１図は本発明に係る薄膜EL素子の第１実施例を示す断
面構成図、 第２図は界面層の膜厚と発光輝度との関係を示す図、 第３図は本発明に係る薄膜EL素子の第１実施例の製造に
適用するためのスパッタリング装置の一例を示す断面構
成図、 第４図は本発明に係る薄膜EL素子の第２実施例を示す断
面構成図、 第５図は本発明に係る薄膜EL素子の第３実施例を示す断
面構成図、 第６図は従来の薄膜EL素子を説明するための断面構成図
である。 第１図〜第５図において、 １は透明ガラス基板、２は透明電極、３は第一絶縁層、
５は第二絶縁層、６は背面電極、11,31,41は第一界面
層、12,32は発光層、13,33,42は第二界面層、21はチャ
ンバー、22,23はターゲット電極、24はＡターゲット、2
5はＢターゲット、26,27はシャッター、28は排気装置を
それぞれ示す。
面構成図、 第２図は界面層の膜厚と発光輝度との関係を示す図、 第３図は本発明に係る薄膜EL素子の第１実施例の製造に
適用するためのスパッタリング装置の一例を示す断面構
成図、 第４図は本発明に係る薄膜EL素子の第２実施例を示す断
面構成図、 第５図は本発明に係る薄膜EL素子の第３実施例を示す断
面構成図、 第６図は従来の薄膜EL素子を説明するための断面構成図
である。 第１図〜第５図において、 １は透明ガラス基板、２は透明電極、３は第一絶縁層、
５は第二絶縁層、６は背面電極、11,31,41は第一界面
層、12,32は発光層、13,33,42は第二界面層、21はチャ
ンバー、22,23はターゲット電極、24はＡターゲット、2
5はＢターゲット、26,27はシャッター、28は排気装置を
それぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】発光母材に発光中心が添加された発光層の
両側面を絶縁層により被覆した構成の薄膜EL素子におい
て、 上記発光層と少なくとも一方の絶縁層との間に、双方の
接合界面での界面準位の深さを均一にするための該発光
層中の発光母材に添加された発光中心材料と同じ材料か
らなる３〜10Åの厚さの界面層を介在してなることを特
徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270101A JP2730931B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270101A JP2730931B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02117096A JPH02117096A (ja) | 1990-05-01 |
| JP2730931B2 true JP2730931B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=17481549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270101A Expired - Fee Related JP2730931B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730931B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5800879A (en) * | 1991-05-16 | 1998-09-01 | Us Navy | Deposition of high quality diamond film on refractory nitride |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5447590A (en) * | 1977-09-22 | 1979-04-14 | Omron Tateisi Electronics Co | Production of electroluminescence element |
| JPS59141192A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63270101A patent/JP2730931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02117096A (ja) | 1990-05-01 |
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