JPS6276282A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPS6276282A JPS6276282A JP60217100A JP21710085A JPS6276282A JP S6276282 A JPS6276282 A JP S6276282A JP 60217100 A JP60217100 A JP 60217100A JP 21710085 A JP21710085 A JP 21710085A JP S6276282 A JPS6276282 A JP S6276282A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良であり、 ｆｆｊ膜ＥＬ
素子の発光効率・輝度特性を向上する改良である。
素子の発光効率・輝度特性を向上する改良である。
母材をなす硫化亜鉛中に発光中心として添加される希土
類元素とハロゲン元素との組成比を制御することにより
、硫化亜鉛を母材とじ希土類元素のハロゲン化物を発光
中心とする薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を制御しうる
、という新たに発見された性質を利用して、希土類元素
とハロゲン元素との組成比を化学量論的組成比に比し前
記希土類元素の組成比を大きくし、発光効率・輝度特性
を向上した薄膜ＥＬ素子を製造する方法の改良であり、
亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを含有するタ
ーゲットを使用し、還元性ガス中でなすスパッタ法を使
用してＥＬ膜を形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子
の製造方法である。
類元素とハロゲン元素との組成比を制御することにより
、硫化亜鉛を母材とじ希土類元素のハロゲン化物を発光
中心とする薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を制御しうる
、という新たに発見された性質を利用して、希土類元素
とハロゲン元素との組成比を化学量論的組成比に比し前
記希土類元素の組成比を大きくし、発光効率・輝度特性
を向上した薄膜ＥＬ素子を製造する方法の改良であり、
亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを含有するタ
ーゲットを使用し、還元性ガス中でなすスパッタ法を使
用してＥＬ膜を形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子
の製造方法である。
本発明は、薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を向上するこ
とを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良に関する
。更に、薄膜ＥＬ素子の発光効−１１−輝度を実現可能
な大きさの範囲で所望の値に選択しうるようになす薄膜
ＥＬ素子の製造方法の改良に関する。
とを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良に関する
。更に、薄膜ＥＬ素子の発光効−１１−輝度を実現可能
な大きさの範囲で所望の値に選択しうるようになす薄膜
ＥＬ素子の製造方法の改良に関する。
薄膜ＥＬ素子は発光中心として機能する希土類元素例え
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素子であり、従来第２図に示すような直流駆動
型と第３図に示すような交流駆動型とが知られている。
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素子であり、従来第２図に示すような直流駆動
型と第３図に示すような交流駆動型とが知られている。
第２図参照
直流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、ガラス基板等ｌ
上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約２，０００への透明電
極２が形成され、その上に発光中心として機能する希土
類元素例えばテルビニウムとハロゲン元素例えばフッ素
とを含有する硫化亜鉛等よりなるＥＬＬ１２形成され、
さらに、その上にアルミニュウム等よりなる対向電極６
が形成されている。
上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約２，０００への透明電
極２が形成され、その上に発光中心として機能する希土
類元素例えばテルビニウムとハロゲン元素例えばフッ素
とを含有する硫化亜鉛等よりなるＥＬＬ１２形成され、
さらに、その上にアルミニュウム等よりなる対向電極６
が形成されている。
第３図参照
交流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、上記の第２図に
示す層構成に加えて、ＥＬＬ１２挟んで酸窒化シリコン
、酸化アルミニュウム、酸化イットリュウム等よりなり
厚さが約２，０００への第１の絶縁膜３と第２の絶縁膜
５とが形成されている。
示す層構成に加えて、ＥＬＬ１２挟んで酸窒化シリコン
、酸化アルミニュウム、酸化イットリュウム等よりなり
厚さが約２，０００への第１の絶縁膜３と第２の絶縁膜
５とが形成されている。
ところで、７発光中心として機能する／＼ロゲン元素の
うち、テルビニウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、
ツリュウムは青色を、ブラセオジュウムは白色を、それ
ぞれ発光するが、その発光効＝ｊｇ・輝度は、テルビニ
ウムを除き、いづれも満足すべきものではない。最もす
ぐれているテルビニウムにおいても、発光効率は ０．
１〜０．２ルーメン／Ｗであり、また、輝度は３０フー
トランパートであり、いづれも十分満足すべきものとは
言い難く、しかも、再現性が悪い。
うち、テルビニウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、
ツリュウムは青色を、ブラセオジュウムは白色を、それ
ぞれ発光するが、その発光効＝ｊｇ・輝度は、テルビニ
ウムを除き、いづれも満足すべきものではない。最もす
ぐれているテルビニウムにおいても、発光効率は ０．
１〜０．２ルーメン／Ｗであり、また、輝度は３０フー
トランパートであり、いづれも十分満足すべきものとは
言い難く、しかも、再現性が悪い。
この問題を解決する手段として、本発明の発明者は、Ｅ
Ｌ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率・輝度との間に相関関係があり、６土類元素の
原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最もす
ぐれた発光効率・輝度特性を実現することができ、ＥＬ
脱膜中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比
を少なくとも化学量論的組成比より希土類元素の組成比
を大きくしておくことが有効であることを発見して、発
光効率・輝度のすぐれた薄膜ＥＬ素子の発明を完成した
。
Ｌ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率・輝度との間に相関関係があり、６土類元素の
原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最もす
ぐれた発光効率・輝度特性を実現することができ、ＥＬ
脱膜中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比
を少なくとも化学量論的組成比より希土類元素の組成比
を大きくしておくことが有効であることを発見して、発
光効率・輝度のすぐれた薄膜ＥＬ素子の発明を完成した
。
」−記せる発明に係る薄膜ＥＬ素子を製造する一方法と
して、亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所望
の混合比に有する複合ターゲットを使用してなすスパッ
タ法を使用しうる０例えば、硫化亜鉛とテルビニウムと
二フフ化亜鉛とを １００： ３ ： １重量比に含有
する複合ターゲットを使用してなすスパッタ法を使用し
うる。
して、亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所望
の混合比に有する複合ターゲットを使用してなすスパッ
タ法を使用しうる０例えば、硫化亜鉛とテルビニウムと
二フフ化亜鉛とを １００： ３ ： １重量比に含有
する複合ターゲットを使用してなすスパッタ法を使用し
うる。
この製造方法をもっても、希土類元素とハロゲン元素と
の組成比が同一ですぐれた発光効率・輝度特性を有する
薄膜ＥＬ素子の製造は可能であるが、上記せる複合ター
ゲット（亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所
望の混合比に有する複合ターゲット）を製造することは
煩雑であり、また、容易でもないうえ、硫化亜鉛のスパ
ッタレートと希土類元素のスパッタレートとハロゲン元
素のスパッタレートとが大幅に相違するため、ＥＬ膜に
含まれる硫化◆鉛、希土類元素、ハロゲン元素の組成比
が厚さ方向に不均一になり、要すれば十分な厚さのＥＬ
Ｍを再現性よく製造することが容易でなく、また、硫匁
分がいくらか少なくなりやすく、そのため発光効率・輝
度特性が予期したほど向上しない場合もあるという欠点
がある。
の組成比が同一ですぐれた発光効率・輝度特性を有する
薄膜ＥＬ素子の製造は可能であるが、上記せる複合ター
ゲット（亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所
望の混合比に有する複合ターゲット）を製造することは
煩雑であり、また、容易でもないうえ、硫化亜鉛のスパ
ッタレートと希土類元素のスパッタレートとハロゲン元
素のスパッタレートとが大幅に相違するため、ＥＬ膜に
含まれる硫化◆鉛、希土類元素、ハロゲン元素の組成比
が厚さ方向に不均一になり、要すれば十分な厚さのＥＬ
Ｍを再現性よく製造することが容易でなく、また、硫匁
分がいくらか少なくなりやすく、そのため発光効率・輝
度特性が予期したほど向上しない場合もあるという欠点
がある。
本発明はこれらの欠点を解消するものであり。
その目的は、再現性よく十分な厚さく駆動電圧を十分大
きくすれば輝度を極めて大きくする。に十分な厚さ）の
ＥＬ膜を製造することができ、また。
きくすれば輝度を極めて大きくする。に十分な厚さ）の
ＥＬ膜を製造することができ、また。
Ｆ＆黄の含有量も所望の値となすことが容易に可能な薄
膜ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
膜ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、亜
鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを含有するター
ゲットを使用し、還元性ガス中でなすスパッタ法を使用
してＥＬ膜を形成することにある。換言すれば、最も容
易に入手しうる硫化亜鉛よりなるターゲットと希土類元
素の安定なハロゲン化合物よりなるターゲットとを使用
して（任意のターゲットを使用して）還元性ガス中でな
すスパッタ法を使用してＥ Ｌ ＩＩＱを形成すること
にある。
鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを含有するター
ゲットを使用し、還元性ガス中でなすスパッタ法を使用
してＥＬ膜を形成することにある。換言すれば、最も容
易に入手しうる硫化亜鉛よりなるターゲットと希土類元
素の安定なハロゲン化合物よりなるターゲットとを使用
して（任意のターゲットを使用して）還元性ガス中でな
すスパッタ法を使用してＥ Ｌ ＩＩＱを形成すること
にある。
本発明は、ＥＬ膜４が上下の絶縁膜３．５によって挟ま
れていない直流駆動型のｌＳＩ膜Ｅ Ｔ−素子にも、ま
た、ＥＬ膜４が上下の絶縁膜３，５によっ゛（挟まれて
いる交流駆動型の薄膜ＥＬ素ｒ−にも実現１丁能である
。
れていない直流駆動型のｌＳＩ膜Ｅ Ｔ−素子にも、ま
た、ＥＬ膜４が上下の絶縁膜３，５によっ゛（挟まれて
いる交流駆動型の薄膜ＥＬ素ｒ−にも実現１丁能である
。
本発明の基本的思想は、ｆ＆化亜鉛を母材とし希土類元
素とハロゲン元素とが発光中心として添加されてなるＥ
ＬＭの希土類元素とノ＼ロゲン元素との組成比を１＝１
にすることにある。
素とハロゲン元素とが発光中心として添加されてなるＥ
ＬＭの希土類元素とノ＼ロゲン元素との組成比を１＝１
にすることにある。
上記のＥＬ膜を形成するためにスパー２夕法を使用する
には、ターゲットが必要であるが、ターゲットは固体で
あることが望ましい、ところで、硫化亜鉛は安定した化
合物であり固体であるから全く問題はないが、希土類元
素と／＼ロゲン元素との化合物は１例えば三フッ化テル
ヒュウムのように、その組成比が１＝１ではない、そこ
で、やむを得ず、上記せるように１例えば、硫化亜鉛と
テルビニウムとニフッ化亜鉛とを １００： ３ ：
１重量比に含有する複合ターゲットを使用してなすスパ
ッタ法を使用していたが、上記せる種々な欠点を避は難
かった。
には、ターゲットが必要であるが、ターゲットは固体で
あることが望ましい、ところで、硫化亜鉛は安定した化
合物であり固体であるから全く問題はないが、希土類元
素と／＼ロゲン元素との化合物は１例えば三フッ化テル
ヒュウムのように、その組成比が１＝１ではない、そこ
で、やむを得ず、上記せるように１例えば、硫化亜鉛と
テルビニウムとニフッ化亜鉛とを １００： ３ ：
１重量比に含有する複合ターゲットを使用してなすスパ
ッタ法を使用していたが、上記せる種々な欠点を避は難
かった。
そこで、本発明においては、スパッタ反応中に過剰なハ
ロゲン元素を排除すればよく、しかも、出来れば過剰な
ハロゲン元素を排除しうるばかりでなく、硫黄を補充し
うればさらに望ましいとの考えにもとづき、ターゲット
自体としては硫化亜鉛と希土類元素の安定なハロゲン化
合物を使用するが、スパッタリングガスに還元性ガス例
えば水素ガス、硫化水素等を混入しておき、 ＴｂＦ３＋Ｈ２→ ＴｂＦ＋ ２ ＨＦ、３ＴｂＦ３＋
３Ｈ２Ｓ→ ＴｂＦ＋ Ｔｂ２Ｓ３＋ ６ ＨＦ等の反
応を発生させて、ＥＬＩＩｊＪ中に添加されるハロゲン
元素の原子数を希土類元素の原ｆ数と一致させ、さらに
は、硫化亜鉛に硫黄を補充しうるようにしたものである
。
ロゲン元素を排除すればよく、しかも、出来れば過剰な
ハロゲン元素を排除しうるばかりでなく、硫黄を補充し
うればさらに望ましいとの考えにもとづき、ターゲット
自体としては硫化亜鉛と希土類元素の安定なハロゲン化
合物を使用するが、スパッタリングガスに還元性ガス例
えば水素ガス、硫化水素等を混入しておき、 ＴｂＦ３＋Ｈ２→ ＴｂＦ＋ ２ ＨＦ、３ＴｂＦ３＋
３Ｈ２Ｓ→ ＴｂＦ＋ Ｔｂ２Ｓ３＋ ６ ＨＦ等の反
応を発生させて、ＥＬＩＩｊＪ中に添加されるハロゲン
元素の原子数を希土類元素の原ｆ数と一致させ、さらに
は、硫化亜鉛に硫黄を補充しうるようにしたものである
。
実験の結果によれば、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造
方法を使用して製造した薄膜ＥＬ素子の輝度（ｌＫＨｚ
で駆動したとき、発光しきい値電圧を３０Ｖ超過した電
圧に対応する輝度）とスパッタガス中に添加される水素
ガスの含有量との間には、第４図に示すように明瞭な相
関関係が確認されている０図より明らかなように、従来
の手法によっては約４０フートラン八−トであった輝度
は約１８０ フートランバートまで向ヒ可ｆ駈である。
方法を使用して製造した薄膜ＥＬ素子の輝度（ｌＫＨｚ
で駆動したとき、発光しきい値電圧を３０Ｖ超過した電
圧に対応する輝度）とスパッタガス中に添加される水素
ガスの含有量との間には、第４図に示すように明瞭な相
関関係が確認されている０図より明らかなように、従来
の手法によっては約４０フートラン八−トであった輝度
は約１８０ フートランバートまで向ヒ可ｆ駈である。
以下、図面を参照しつ＼、本発明の］二つの実施例に係
る薄膜ＥＬ素子についてさらに説明する。
る薄膜ＥＬ素子についてさらに説明する。
第１図参照
第１例
ＥＬ膜形成用スパッタ法のターゲットとしては硫化亜鉛
と三フッ化テルビュウムとを使用する。
と三フッ化テルビュウムとを使用する。
スパッタ法を使用して、ガラス基板１ ｋに厚さ約２，
０００へのＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミ
ニュウムよりなり厚さ約２，０００への第１の絶縁膜３
とを形成する。
０００へのＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミ
ニュウムよりなり厚さ約２，０００への第１の絶縁膜３
とを形成する。
つづいて、−１−記のターゲットを使用し、水素ガスを
１０％含んだアルゴンガスを使用してスパックをなし、
厚ざ約８，０００人の膜を形成した後、約４５０″Ｃに
おいて約１時ｔｉｌｌ ８処理をなしＥＬＬ１２形成；
する。
１０％含んだアルゴンガスを使用してスパックをなし、
厚ざ約８，０００人の膜を形成した後、約４５０″Ｃに
おいて約１時ｔｉｌｌ ８処理をなしＥＬＬ１２形成；
する。
次ｉｃ、’市子ビーム蒸着法を使用して、酸化イツト１
（ユ丙ムよりなり厚さが約２．０００への第２の絶縁膜
５を形成し、さらに、スパッタ法または蒸着／１１：を
使ｆｆｌ （、て、アルミニュウムよりなる対向電極（
背面電極）６を形成する。
（ユ丙ムよりなり厚さが約２．０００への第２の絶縁膜
５を形成し、さらに、スパッタ法または蒸着／１１：を
使ｆｆｌ （、て、アルミニュウムよりなる対向電極（
背面電極）６を形成する。
以１のＩＩ程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＴ−１
１Ｕ ４は、スパッタ反応中に〔作用〕の項に述べた還
元反応が発生して、過剰なフッ素が排除されるので、Ｅ
Ｌ膜巾の希土類元素とハロゲン元素との原子数はお−む
ね一致し１発光効率と輝度はそれぞれ１．０ルーメン／
Ｗと１８０フートランパートとに向」−する。
１Ｕ ４は、スパッタ反応中に〔作用〕の項に述べた還
元反応が発生して、過剰なフッ素が排除されるので、Ｅ
Ｌ膜巾の希土類元素とハロゲン元素との原子数はお−む
ね一致し１発光効率と輝度はそれぞれ１．０ルーメン／
Ｗと１８０フートランパートとに向」−する。
第２例
上記と同様にして、ガラス基板ｌ上に厚さ約２．０００
へのＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミニュウ
ムよりなり厚さ約２，０００への第１の絶縁膜３とを形
成する。
へのＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミニュウ
ムよりなり厚さ約２，０００への第１の絶縁膜３とを形
成する。
つづいて、上記と同様のターゲットを使用し。
硫化水素ガスを１０％含んだアルゴンガスを使用してス
パッタをなし、厚さ約ｅ、ｏｏｏ人の膜を形成した後、
約４５０℃において約１時間熱処理をなしＥＬＬ１２形
成する。
パッタをなし、厚さ約ｅ、ｏｏｏ人の膜を形成した後、
約４５０℃において約１時間熱処理をなしＥＬＬ１２形
成する。
次に、上記と同様にして、酸化イットリュウムよりなり
厚さが約２，０００人の第２の絶縁膜５を形成し、アル
ミニュウムよりなる対向電極（背面電極）６を形成する
。
厚さが約２，０００人の第２の絶縁膜５を形成し、アル
ミニュウムよりなる対向電極（背面電極）６を形成する
。
以」二の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬＬ１
２、スパッタ反応中に〔作用〕の項に述べた還元反応が
発生して、過剰なフッ素が排除され、さらに、硫黄が補
充されるので、ＥＬ脱膜中希土類元素とハロゲン元素と
の原子数はお覧むね一致し、発光効率と輝度はそれぞれ
１．１ルーメン／Ｗと ２００フートランバートとに向
上する。
２、スパッタ反応中に〔作用〕の項に述べた還元反応が
発生して、過剰なフッ素が排除され、さらに、硫黄が補
充されるので、ＥＬ脱膜中希土類元素とハロゲン元素と
の原子数はお覧むね一致し、発光効率と輝度はそれぞれ
１．１ルーメン／Ｗと ２００フートランバートとに向
上する。
以−に説明せるとおり、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製
造方法においては、亜鉛と硫黄と希土類元麦とハロゲン
元素とを含有するターゲットを使用し、還元性ガス中で
なすスパッタ法を使用してＥＬ膜を形成することとｙれ
ているので、ＥＬＭ形成のためスパッタ反応中に過剰の
ハロゲン元素が排除されて、ＥＬ脱膜中希土類元素とハ
ロゲン元素との原子数がお−むね同一となり、さらには
硫化炬鉛から気化して隘失しやすい４ｔＥＭが補充され
、すぐれた発光効率・輝度特性の薄膜ＥＬ素子を製造す
ることができる。
造方法においては、亜鉛と硫黄と希土類元麦とハロゲン
元素とを含有するターゲットを使用し、還元性ガス中で
なすスパッタ法を使用してＥＬ膜を形成することとｙれ
ているので、ＥＬＭ形成のためスパッタ反応中に過剰の
ハロゲン元素が排除されて、ＥＬ脱膜中希土類元素とハ
ロゲン元素との原子数がお−むね同一となり、さらには
硫化炬鉛から気化して隘失しやすい４ｔＥＭが補充され
、すぐれた発光効率・輝度特性の薄膜ＥＬ素子を製造す
ることができる。
第１図は１本発明の実施例に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素
子の構造図である。 第２図は、従来技術に係る直流駆動望薄１１１！２ＥＬ
素子の構造図である。 第３図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素ｒ−の
構造図である。 第４図は、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法を実施
して製造した薄ＩＩ！１ＩＥＬ素子の輝度とＥＬ膜製造
のためのスパッタガスに含まれる水素ガス含有量との関
係を表すグラフである。 ｒ・・・透光性基板（ガラス基板）、 ２・・・透光
性電極（ＩＴＯ電極）、 ３・・・第１の絶Ｍｌｌ＋
２（酸化窒化シリコン、酸化アルミニュウム、耐化イッ
トリュウム）、 ４・・・ＥＬ膜（ｆｄｉ、化亜鉛と
希土類元素とハロゲン元素との組成物）。 ５・・・第２の絶縁膜（ａ化窒化シリコン、酸化アルミ
ニュウム、酸化イットリュウム）、６・・・対向電極（
背面電極）。 代犯イＩ’ＲＦｔ、井桁貞− 第１図 本発明 ７石 第２図 従来技術（旦流駅動翌） 石 第３図 従来技術（叉−かｎｔ力聚） 水素力入りくとｌＥ（％） 第 ４ｒ！！ｉ
子の構造図である。 第２図は、従来技術に係る直流駆動望薄１１１！２ＥＬ
素子の構造図である。 第３図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素ｒ−の
構造図である。 第４図は、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法を実施
して製造した薄ＩＩ！１ＩＥＬ素子の輝度とＥＬ膜製造
のためのスパッタガスに含まれる水素ガス含有量との関
係を表すグラフである。 ｒ・・・透光性基板（ガラス基板）、 ２・・・透光
性電極（ＩＴＯ電極）、 ３・・・第１の絶Ｍｌｌ＋
２（酸化窒化シリコン、酸化アルミニュウム、耐化イッ
トリュウム）、 ４・・・ＥＬ膜（ｆｄｉ、化亜鉛と
希土類元素とハロゲン元素との組成物）。 ５・・・第２の絶縁膜（ａ化窒化シリコン、酸化アルミ
ニュウム、酸化イットリュウム）、６・・・対向電極（
背面電極）。 代犯イＩ’ＲＦｔ、井桁貞− 第１図 本発明 ７石 第２図 従来技術（旦流駅動翌） 石 第３図 従来技術（叉−かｎｔ力聚） 水素力入りくとｌＥ（％） 第 ４ｒ！！ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］透光性基板（１）上に透光性電極（２）を形成し
、 該透光性電極（２）上に、ＥＬ膜（４）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）を形成する薄膜ＥＬ
素子の製造方法において、 前記ＥＬ膜（４）は、亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲ
ン元素の内の少なくとも一つの元素を含有する１個また
は複数個のターゲットを使用し、還元性ガス中でなすス
パッタ法を使用して形成することを特徴とする薄膜ＥＬ
素子の製造方法。 ［２］前記ＥＬ膜（４）を挟んで第１の絶縁膜（３）と
第２の絶縁膜（５）とを形成する工程を有する特許請求
の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［３］前記還元ガスは水素ガスを１成分とすることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜
ＥＬ素子の製造方法。 ［４］前記還元ガスは硫化水素を１成分とすることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜
ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217100A JPS6276282A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217100A JPS6276282A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276282A true JPS6276282A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16698844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217100A Pending JPS6276282A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276282A (ja) |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217100A patent/JPS6276282A/ja active Pending
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