JPS6366453B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6366453B2
JPS6366453B2 JP54165355A JP16535579A JPS6366453B2 JP S6366453 B2 JPS6366453 B2 JP S6366453B2 JP 54165355 A JP54165355 A JP 54165355A JP 16535579 A JP16535579 A JP 16535579A JP S6366453 B2 JPS6366453 B2 JP S6366453B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
collector
transistors
base
resistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54165355A
Other languages
English (en)
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JPS5687919A (en
Inventor
Tadashi Yoshino
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP16535579A priority Critical patent/JPS5687919A/ja
Publication of JPS5687919A publication Critical patent/JPS5687919A/ja
Publication of JPS6366453B2 publication Critical patent/JPS6366453B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
    • H03K3/2897Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger with an input circuit of differential configuration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシユミツト回路に関し、特に正弦波入
力信号 y=Asinωt A:振幅、ω:角速度、t:時間 に対し、ヒステリシスのしきい値を入力信号の平
均電圧から振幅方向の電圧の高い方のしきい値と
振幅方向の電圧の低い方のしきい値とを等しくで
きるシユミツト回路、またヒステリシスのしきい
値を入力信号の平均電圧から振幅方向の電圧の高
いほうは0にして振幅方向の電圧の低いほうのみ
に設定できるシユミツト回路を提供するものであ
る。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。
まず、本発明の第1の実施例を第1図および第
2図を参照して説明する。第1図において、トラ
ンジスタQ4とQ5とで第1の差動増幅器を構成し、
それぞれのトランジスタQ4,Q5のエミツタには
第1の定電流源I1を接続する。またトランジスタ
Q5のコレクタにはトランジスタQ1,Q2,Q3から
なるカーレントミラー回路が接続され、トランジ
スタQ1のコレクタ電流がトランジスタQ5のコレ
クタ電流に追従するように構成されている。トラ
ンジスタQ1とQ4の各々のコレクタは接続され、
トランジスタQ9のベースに接続される。トラン
ジスタQ4とQ5のベースには、抵抗R7と第1の定
電圧源であるツエナーダイオードDZで決定され
る定電圧VZがそれぞれ抵抗R2,R1を介して、ま
た抵抗R4,R3を介して供給される。トランジス
タQ1とQ4のコレクタ電流の差はトランジスタQ9
Q10により電流増幅され、トランジスタQ10のエ
ミツタ電流となる。トランジスタQ11とQ12は第
2の差動増幅器を構成し、それぞれトランジスタ
Q11,Q12のエミツタには第2の定電流源I2を接続
する。トランジスタQ10のエミツタは抵抗R5を介
してトランジスタQ11のベースに接続され、トラ
ンジスタQ11のベースは抵抗R6を介してグランド
に接続される。トランジスタQ11のコレクタは抵
抗R3とR4の中間点に接続される。またトランジ
スタQ12のコレクタにはトランジスタQ6,Q7,Q8
からなるカーレントミラー回路が接続され、トラ
ンジスタQ8のコレクタ電流がトランジスタQ12
コレクタ電流に追従するように構成されている。
トランジスタQ8のコレクタは抵抗R3とR4の中間
点に接続され、トランジスタQ12のベースは第2
の定電圧源VAに接続される。トランジスタQ10
エミツタは抵抗R8を介してトランジスタQ13のベ
ースに接続され、トランジスタQ13のベースは抵
抗R9を介してグランドに接続される。トランジ
スタQ13のエミツタはグランドに接続され、トラ
ンジスタQ13のコレクタから出力信号が取り出さ
れる。
このように構成されている回路に入力信号とし
て正弦波をコンデンサC1を介して抵抗R1とR2
中間点に加えると、第2図のような各部の波形が
得られ、ヒステリシスのしきい値を入力信号の平
均電圧から振幅方向の正負の対称電圧で設定でき
るシユミツト回路となる。このヒステリシス巾
V1,V2はそれぞれ |V1|=|V2|=R4×I2 ……… (1) となる。
いまツエナーダイオードDZの電圧VZでバイア
スされたトランジスタQ4の入力信号S1が正方向
にR4×I2より大きい場合にはQ4とQ5の第1の差
動増幅器はトランジスタQ4がONとなり、トラン
ジスタQ5はOFFとなり、従つてトランジスタQ1
のコレクタ電流は流れないので、トランジスタ
Q9はONとなりトランジスタQ10のエミツタは
“H”レベルとなる。従つてQ11とQ12の第2の差
動増幅器のうちトランジスタQ11がONとなり、
トランジスタQ12はOFFとなり、従つてトランジ
スタQ8のコレクタ電流は流れない。よつてトラ
ンジスタQ5のベース電圧はツエナーダイオード
DZの電圧VZから抵抗R4を介してトランジスタQ11
のコレクタに流れる電流(第2の定電流源)I2
電圧降下分V1を差し引いた電圧となる。第2図
のAの状態である。
次に入力信号S1が小さくなつてトランジスタ
Q4とQ5のベース電圧が等しくなる点(第2図の
a点)をすぎると、トランジスタQ4とQ5のベー
ス電圧は逆転してトランジスタQ5のベース電圧
が高くなるので、トランジスタQ5のコレクタ電
流はトランジスタQ4のコレクタ電流より大きく
なり、すなわちトランジスタQ1のコレクタ電流
はトランジスタQ4のコレクタ電流より流しこむ
能力が大きいのでトランジスタQ9のベース電流
は流れなくなり、トランジスタQ10のエミツタ電
圧は“L”レベルとなり、Q11とQ12の第2の差
動増幅器のうちトランジスタQ12がONとなり、
従つてトランジスタQ8のコレクタ電流はトラン
ジスタQ12のコレクタ電流と同じだけに流れ、ト
ランジスタQ5のベース電圧はツエナーダイオー
ドの電圧VZと抵抗R4を介してトランジスタQ8
コレクタから流れこむ電流によつて上昇した電圧
分V2との和の電圧となる。第2図のBの状態で
ある。
次に入力信号S1が上昇して第2図のb点にくる
と逆にトランジスタQ4とQ5のベース電圧ではQ4
のベース電圧が高くなり、再び第2図のAの状態
になる。
なお、第1図において、入力信号はコンデンサ
C1で直流成分を通さないで交流成分のみを通過
させてトランジスタQ4のベースに印加され、ト
ランジスタQ4のベースへは直流バイアス電圧と
してツエナーダイオードDZの電圧VZが抵抗R2
R1を通して印加されるので、トランジスタQ4
ベース電圧はバイアス電圧VZに入力信号の交流
成分のみを加算したものとなる。従つて、入力信
号が正弦波信号の場合にはトランジスタQ4のベ
ース電圧V4Bは V4B=VZ+Asinωt となり、バイアス電圧VZを中心電圧として正弦
波信号を加算した入力信号S1となる。
次に、本発明の第2の実施例を第3図および第
4図を参照して説明する。第3図において、トラ
ンジスタQ4とQ5とで第1の差動増幅器を構成し、
それぞれのトランジスタQ4,Q5のエミツタには
第1の定電流源I1を接続する。またトランジスタ
Q5のコレクタにはトランジスタQ1,Q2,Q3から
なるカーレントミラー回路が接続され、トランジ
スタQ1のコレクタ電流がトランジスタQ5のコレ
クタ電流に追従するように構成されている。トラ
ンジスタQ1とQ4の各々のコレクタは接続され、
トランジスタQ9のベースに接続される。トラン
ジスタQ4とQ5のベースには抵抗R7とツエナーダ
イオードDZで決定される定電圧VZがそれぞれ抵
抗R2,R1を介して、また抵抗R4,R3を介して供
給される。トランジスタQ1とQ4のコレクタ電流
の差はトランジスタQ9,Q10により電流増幅さ
れ、トランジスタQ10のエミツタ電流となる。ト
ランジスタQ11とQ12は第2の差動増幅器を構成
し、それぞれトランジスタQ11,Q12のエミツタ
には第2の定電流源I2を接続する。トランジスタ
Q10のエミツタは抵抗R5を介してトランジスタ
Q11のベースに接続され、トランジスタQ11のベ
ースは抵抗R6を介してグランドに接続される。
トランジスタQ11のコレクタは抵抗R3とR4の中間
点に接続される。またトランジスタQ12のコレク
タは電源+VCCに接続され、トランジスタQ12
ベースは定電圧源VAに接続される。トランジス
タQ10のエミツタは抵抗R8を介してトランジスタ
Q13のベースに接続され、トランジスタQ13のベ
ースは抵抗R9を介してグランドに接続される。
トランジスタQ13のエミツタはグランドに接続さ
れ、トランジスタQ13のコレクタから出力信号が
取り出される。
このように構成されている回路に入力信号とし
て正弦波をコンデンサC1を介して抵抗R1とR2
中間点に加えると第4図のような各部の波形が得
られ、ヒステリシスのしきい値を入力信号の平均
電圧から振幅方向の電圧の高いほうは0にして振
幅方向の電圧の低いほうのみV1に設定できるシ
ユミツト回路となる。このヒステリシス巾V1は |V1|=R4×I2 ……… (2) となる。
いまツエナーダイオードDZの電圧VZでバイア
スされたトランジスタQ4の入力信号S1が正方向
に大きい場合にはトランジスタQ4とQ5の第1の
差動増幅器はトランジスタQ4がONとなり、トラ
ンジスタQ5はOFFとなり、従つてトランジスタ
Q1のコレクタ電流は流れないので、トランジス
タQ9はONとなりトランジスタQ10のエミツタは
“H”レベルとなる。従つてトランジスタQ11
Q12の第2の差動増幅器のうちトランジスタQ11
がONとなり、トランジスタQ12はOFFとなり、
従つてトランジスタQ5のベース電圧はツエナー
ダイオードDZの電圧VZから抵抗R4を介してトラ
ンジスタQ11のコレクタに流れる電流I2の電圧降
下分V1を差し引いた電圧となる。第4図のAの
状態である。
次に入力信号S1が小さくなつてトランジスタ
Q4とQ5のベース電圧が等しくなる点(第4図a
点)をすぎると、トランジスタQ4とQ5のベース
電圧は逆転してトランジスタQ5のベース電圧が
高くなるので、トランジスタQ5のコレクタ電流
はトランジスタQ4のコレクタ電流より大きくな
り、すなわちトランジスタQ1のコレクタ電流は
トランジスタQ4のコレクタ電流より流しこむ能
力が大きいのでトランジスタQ9のベース電流は
流れなくなり、トランジスタQ10のエミツタ電圧
は“L”レベルとなり、トランジスタQ11とQ12
の第2の差動増幅器のうちトランジスタQ12
ONとなり、従つてトランジスタQ11がOFFとな
り、トランジスタQ5のベース電圧はツエナーダ
イオードDZの電圧VZとなる。第4図Bの状態で
ある。
次に入力信号S1が上昇して第6図のb点にくる
と逆にトランジスタQ4,Q5のベース電圧ではQ4
のベース電圧が高くなり、再び第4図のAの状態
になる。
以上本発明によれば、抵抗R4と第2の定電流
源I2とでヒステリシス巾が決定されるシユミツト
回路が提供され、平均電圧から振幅方向の高い方
と低い方のヒステリシスのしきい値を同じにする
ことができ、入力信号の立上りのしきい値から立
下りのしきい値または立下りのしきい値から立上
りのしきい値までの時間が等しくなるので、磁気
録画再生装置のキヤプスタンモータの周波数発電
機の出力信号の立上りエツジと立下りエツジを検
出して出力信号の周期測定を行つてキヤプスタン
モータを速度制御を行う場合に極めて有効な回路
となる。
また、周波数発電機の立上りエツジのみ正しい
情報を有する場合にはヒステリシスのしきい値を
平均電圧から振幅の低レベル側のみにヒステリシ
スを設けることにより、入力信号の立上りエツジ
から次の立上りエツジまでを検出して、入力信号
の周期測定を行つてキヤプスタンモータを速度制
御を行う場合に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示す
回路図および各部の波形図、第3図および第4図
は他の実施例を示す回路図および各部の波形図で
ある。 Q4…第1のトランジスタ、Q5…第2のトラン
ジスタ、Q1…第3のトランジスタ、Q2…第4の
トランジスタ、Q9…第5のトランジスタ、Q11
第6のトランジスタ、Q12…第7のトランジス
タ、Q7…第8のトランジスタ、Q6…第9のトラ
ンジスタ、I1…第1の定電流源、I2…第2の定電
流源、DZ…第1の定電圧源、VA…第2の定電圧
源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 エミツタが共通に接続された第1、第2のト
    ランジスタによつて第1の差動増幅器を構成し、
    該第1の差動対トランジスタのエミツタを第1の
    定電流源に接続し、該第1の差動対トランジスタ
    とは反対極性の第3、第4のトランジスタのエミ
    ツタを電源の側に接続し、第3、第4のトラン
    ジスタの各々のベースと第4のトランジスタのコ
    レクタと第2のトランジスタのコレクタとを接続
    し、第1のトランジスタのベースを第1の定電圧
    源に抵抗R1とR2を介して接続し、第2のトラン
    ジスタのベースを第1の定電圧源に抵抗R3とR4
    を介して接続し、第1のトランジスタのコレクタ
    と第3のトランジスタのコレクタおよび第3のト
    ランジスタと同極性の第5のトランジスタのベー
    スとを接続し、第5のトランジスタのエミツタを
    電源の側に接続し、第5のトランジスタのコレ
    クタを抵抗R5とR6を介して電源の側に接続し、
    エミツタが共通に接続された第1、第2のトラン
    ジスタと同極性の第6、第7のトランジスタによ
    つて第2の差動増幅器を構成し、該第2の差動対
    トランジスタのエミツタを第2の定電流源に接続
    し、第6のトランジスタのベースを抵抗R5とR6
    の中間点に接続し、第7のトランジスタのベース
    を第2の定電圧源に接続し、該第2の差動対トラ
    ンジスタとは反対極性の第8、第9のトランジス
    タのエミツタを、電源の側に接続し、第8、第
    9のトランジスタの各々のベースと第7のトラン
    ジスタのコレクタと第8のトランジスタのコレク
    タとを接続し、第9のトランジスタのコレクタと
    第6のトランジスタのコレクタおよび抵抗R3
    R4の中間点と接続し、抵抗R1とR2の中間点にコ
    ンデンサを介して入力信号を加えることにより、
    ヒステリシスのしきい値を入力信号の平均電圧か
    ら振幅方向の正負の対称電圧で設流できるように
    したシユミツト回路。 2 エミツタが共通に接続された第1、第2のト
    ランジスタによつて第1の差動増幅器を構成し、
    該第1の差動対トランジスタのエミツタを第1の
    定電流源に接続し、該第1の差動対トランジスタ
    とは反対極性の第3、第4のトランジスタのエミ
    ツタを電源の側に接続し、第3、第4のトラン
    ジスタの各々のベースと第4のトランジスタのコ
    レクタと第2のトランジスタのコレクタとを接続
    し、第1のトランジスタのベースを第1の定電圧
    源に抵抗R1とR2を介して接続し、第2のトラン
    ジスタのベースを第1の定電圧源に抵抗R3とR4
    を介して接続し、第1のトランジスタのコレクタ
    と第3のトランジスタのコレクタおよび第3のト
    ランジスタと同極性の第5のトランジスタのベー
    スとを接続し、第5のトランジスタのエミツタを
    電源の側に接続し、第5のトランジスタのコレ
    クタを、抵抗R5とR6を介して電源の側に接続
    し、エミツタが共通に接続された第1、第2のト
    ランジスタと同極性の第6、第7のトランジスタ
    によつて第2の差動増幅器を構成し、該第2の差
    動対トランジスタのエミツタを第2の定電流源に
    接続し、第6のトランジスタのベースを抵抗R5
    とR6の中間点に接続し、第7のトランジスタの
    ベースを第2の定電圧源に接続し、第7のトラン
    ジスタのコレクタを電源の側に接続し、第6の
    トランジスタのコレクタと抵抗R3とR4の中間点
    とを接続し、抵抗R1とR2の中間点にコンデンサ
    を介して入力信号を加えることにより、ヒステリ
    シスのしきい値を入力信号の平均電圧から振幅方
    向の電圧の高い方は0にして振幅方向の低い方の
    みに設定できるようにしたシユミツト回路。
JP16535579A 1979-12-18 1979-12-18 Schmitt circuit Granted JPS5687919A (en)

Priority Applications (1)

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JP16535579A JPS5687919A (en) 1979-12-18 1979-12-18 Schmitt circuit

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JPS5687919A JPS5687919A (en) 1981-07-17
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5833318A (ja) * 1981-08-20 1983-02-26 Mitsubishi Electric Corp シユミツト回路
JPS5934725A (ja) * 1982-08-21 1984-02-25 Mitsubishi Electric Corp 波形整形回路
JPH0731231B2 (ja) * 1982-09-30 1995-04-10 松下電工株式会社 電圧比較回路

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