JPS6366357B2 - - Google Patents
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- JPS6366357B2 JPS6366357B2 JP56001240A JP124081A JPS6366357B2 JP S6366357 B2 JPS6366357 B2 JP S6366357B2 JP 56001240 A JP56001240 A JP 56001240A JP 124081 A JP124081 A JP 124081A JP S6366357 B2 JPS6366357 B2 JP S6366357B2
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- phosphor
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/778—Borates
Description
本発明は、希土類元素硼酸塩蛍光体及びその製
造方法に関し、さらにはこの蛍光体を具えた螢光
スクリーンに関する。 従来、希土類元素硼酸塩系では、例えば特開昭
53−33986に記載された、一般式 La1-x-y-zGdxAy′Az″B3O6、ただしA′＝Bi，Ce，
A″＝Tb，Dy，Ｏｘ１，0.001ｙ0.80，０
ｚ0.60で表わされる螢光体が知られている。
この螢光体の母体は、希土類酸化物Ln2O3、ただ
しLn＝La，Gdと無水硼酸B2O3のモル比１：３
で構成され、付活剤A′及び又はA″により特有の
発光を呈する。上記A′，A″以外の発光を呈する
希土類元素硼酸塩螢光体には、例えば1964年発行
のJ.Electrochem.Soc.第111巻12号1363頁に三価
のユウロピウム（Eu3+）を付活したGd2O3・
B2O3，La2O3・B2O3等の記載がある。これらの
螢光体の母体は、希土類酸化物Ln2O3、ただしLn
＝Gd，Laと無水硼酸のモル比１：１で構成され
Eu3+により赤色に発光する。 しかしながらこれらの螢光体は、輝度、発光特
性の維持などの点で十分満足し得るものではな
い。 本発明は、高輝度、かつ発光特性が長期間維持
される新規な螢光体及びその製造方法を提出する
ことを目的とする。 前述のモル比１：３及び１：１で構成される希
土類元素硼酸塩母体の他にモル比３：１で構成さ
れる硼酸塩が知られている。例えば、1961年発行
のJ.American Geramic Soc.第44巻２号、87頁
には3La2O3・B2O3すなわちLa3BO6の存在が確
認されている。しかしながらモル比３：１で構成
される硼酸塩螢光体については未だ報告されてい
ない。 本発明者らは、所定の弗化物をフラツクスとし
て用いることにより、希土類酸化物と無水硼酸と
のモル比３：１で構成され、Tbで付活された螢
光体が合成され得ることを見出した。 本発明の螢光体は、一般式M3-xTbxBO6（ただ
し、Ｍは、La，Gd及びＹからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わし、ｘは、０＜ｘ
2.0の範囲の値である）で表わされることを特
徴とする。 上記ｘの値は、この範囲において螢光体の輝度
が高いことから定められる。Tbの量は、ごくわ
ずかでも発光が認められる。さらにｘの値が0.01
ｘ1.5の範囲において、螢光体の輝度がより
向上するので、ｘの値をこの範囲にすることがよ
り好ましい。 本発明の螢光体は、上記Ｍで表わされる希土類
元素及びTbの酸化物又は焼成によつて該酸化物
になり得る希土類元素及びTbの化合物と、硼酸
及び／又は無水硼酸と、一般式M′BF4（ただし
M′は、Li，Ｋ，Na及びNH4からなる群から選ば
れた少なくとも一種の元素又は原子団を表わす）、
M2′SiF6（ただしM′は、前述の意味を表す）又は
M″SiF6（ただしM″は、Zn，Mg，Pb，Ca，Sr及
びBaからなる群から選ばれた少なくとも一種の
元素を表わす）で表わされる弗化物の一種又は二
種以上とを焼成して得ることができる。 上記硼酸又は無水硼酸は、その中の硼素の量が
上記一般式の螢光体の中の硼素の化学量論比の
1.0倍から1.5倍の範囲となるように配合されるの
が好ましい。1.5倍を越えると生成した螢光体の
輝度が減少する。より高輝度の螢光体を得るため
には、上記硼素の量が上記の化学量論比の1.0倍
から1.05倍の範囲となるよう配合比を定めること
がより好ましい。 フラツクスとして作用する上記弗化物は、螢光
体原料に対し、２重量％〜50重量％の範囲で加え
ることが好ましく、５重量％〜50重量％の範囲で
加えることがより好ましい。２重量％未満ではフ
ラツクスとしての効果がほとんど認められない。 50重量％を越えた量の弗化物を加えても螢光体
を製造することができる。しかしながらこの場合
は、製造した螢光体からフラツクスを除去する作
業がより時間を要する。また多量のフラツクスを
用いることは経済的にも好ましくない。そのため
フラツクスの量は上記の範囲とすることが好まし
い。 焼成は、あらかじめ700〜1000℃の温度で、空
気中において２〜５時間予備焼成を行なつてか
ら、その後で行なうのが好ましい。とくに螢光体
原料として酸化物以外の化合物を用い、焼成によ
り酸化物とするときはこの予備焼成が必要であ
る。さらに焼成は、一回でなく、二回又は三回行
なうのが好ましい（以下一次焼成、二次焼成、三
次焼成という）。いずれの焼成も1000〜1300℃の
温度範囲で、窒素などの不活性ガス中か又は弱還
元性雰囲気中で２〜10時間行なうのが好ましい。
とくに焼成温度を1150〜1250℃の範囲とし、３〜
10時間焼成することは輝度が向上し、空気中の再
焼成時の輝度劣化が減少するのでより好ましい。
弱還元性雰囲気とは、例えば不活性ガス中に少量
の水素などの還元性ガスを混合してなすことがで
きる。予備焼成後又は一次、二次焼成後つぎの焼
成を行なう前に、試料を一度冷却し、粉砕し、再
混合することが好ましい。 前記フラツクスは、予備焼成の前に螢光体原料
と混合しても、一次、二次又は三次の焼成の前に
混合してもよい。フラツクスを混合後、少なくと
も一回焼成を行なえば、輝度向上の効果が認めら
れる。 本発明の螢光体は、焼成後単に粉砕したのみで
も用いることができるが、通常は水洗、乾燥して
用いる。より好ましくは、粉砕後0.1〜１規定の
範囲の濃度の弱酸で処理後、十分水洗、乾燥して
用いることであり、この方法によつて輝度を向上
させることができる。酸としてはHCl，HNO3，
H2SO4などの水溶液が用いられる。 以下、実施例を用いて本発明を説明する。 実施例 １〜16 第１表記載の一般式の螢光体を得るため、フラ
ツクスの（NH4）2SiF6を除く原料を表記載のモ
ル比の通り秤量し十分混合したのち、それぞれ空
気中で700℃、２時間予備焼成した。冷却後、粉
砕、混合し、実施例２は、（NH4）2SiF6を表記載
の量（螢光体原料に対する重量％、以下同じ）添
加し、他は、そのまま一次焼成を行なつた。実施
例３〜６は、さらに冷却、粉砕、混合後、実施例
４及び６に（HN4）2SiF6を添加して二次焼成を
行なつた。すなわちフラツクスは、最終焼成の前
に配合したこととなる。表においてH2／N2とは
５容積％のH2と95容積％のN2からなる弱還元性
雰囲気であることを示す（以下同じ）。 焼成物を粉砕、篩にかけ、実施例１，２は、
Y2.8Tb0.2BO6なる螢光体を、実施例３，４は、
La2.8Tb0.2BO6なる螢光体を、実施例５，６は、
Gd2.8Tb0.2BO6なる螢光体をそれぞれ得た。 254nmの水銀蒸気共鳴線励起により各螢光体は
緑色発光を示した。その相対輝度を表に示す。相
対輝度の上欄は、Zn2SiO4：Mn（NBS−1021、米
国ナシヨナル・ビユウロウ・スタンダード社製）
の輝度を100％とする値であり、下欄は、フラツ
クスを添加しないものを100％とする値、すなわ
ち実施例２は実施例１を、実施例４は実施例３
を、実施例６は実施例５をそれぞれ100％とする
値である。
造方法に関し、さらにはこの蛍光体を具えた螢光
スクリーンに関する。 従来、希土類元素硼酸塩系では、例えば特開昭
53−33986に記載された、一般式 La1-x-y-zGdxAy′Az″B3O6、ただしA′＝Bi，Ce，
A″＝Tb，Dy，Ｏｘ１，0.001ｙ0.80，０
ｚ0.60で表わされる螢光体が知られている。
この螢光体の母体は、希土類酸化物Ln2O3、ただ
しLn＝La，Gdと無水硼酸B2O3のモル比１：３
で構成され、付活剤A′及び又はA″により特有の
発光を呈する。上記A′，A″以外の発光を呈する
希土類元素硼酸塩螢光体には、例えば1964年発行
のJ.Electrochem.Soc.第111巻12号1363頁に三価
のユウロピウム（Eu3+）を付活したGd2O3・
B2O3，La2O3・B2O3等の記載がある。これらの
螢光体の母体は、希土類酸化物Ln2O3、ただしLn
＝Gd，Laと無水硼酸のモル比１：１で構成され
Eu3+により赤色に発光する。 しかしながらこれらの螢光体は、輝度、発光特
性の維持などの点で十分満足し得るものではな
い。 本発明は、高輝度、かつ発光特性が長期間維持
される新規な螢光体及びその製造方法を提出する
ことを目的とする。 前述のモル比１：３及び１：１で構成される希
土類元素硼酸塩母体の他にモル比３：１で構成さ
れる硼酸塩が知られている。例えば、1961年発行
のJ.American Geramic Soc.第44巻２号、87頁
には3La2O3・B2O3すなわちLa3BO6の存在が確
認されている。しかしながらモル比３：１で構成
される硼酸塩螢光体については未だ報告されてい
ない。 本発明者らは、所定の弗化物をフラツクスとし
て用いることにより、希土類酸化物と無水硼酸と
のモル比３：１で構成され、Tbで付活された螢
光体が合成され得ることを見出した。 本発明の螢光体は、一般式M3-xTbxBO6（ただ
し、Ｍは、La，Gd及びＹからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わし、ｘは、０＜ｘ
2.0の範囲の値である）で表わされることを特
徴とする。 上記ｘの値は、この範囲において螢光体の輝度
が高いことから定められる。Tbの量は、ごくわ
ずかでも発光が認められる。さらにｘの値が0.01
ｘ1.5の範囲において、螢光体の輝度がより
向上するので、ｘの値をこの範囲にすることがよ
り好ましい。 本発明の螢光体は、上記Ｍで表わされる希土類
元素及びTbの酸化物又は焼成によつて該酸化物
になり得る希土類元素及びTbの化合物と、硼酸
及び／又は無水硼酸と、一般式M′BF4（ただし
M′は、Li，Ｋ，Na及びNH4からなる群から選ば
れた少なくとも一種の元素又は原子団を表わす）、
M2′SiF6（ただしM′は、前述の意味を表す）又は
M″SiF6（ただしM″は、Zn，Mg，Pb，Ca，Sr及
びBaからなる群から選ばれた少なくとも一種の
元素を表わす）で表わされる弗化物の一種又は二
種以上とを焼成して得ることができる。 上記硼酸又は無水硼酸は、その中の硼素の量が
上記一般式の螢光体の中の硼素の化学量論比の
1.0倍から1.5倍の範囲となるように配合されるの
が好ましい。1.5倍を越えると生成した螢光体の
輝度が減少する。より高輝度の螢光体を得るため
には、上記硼素の量が上記の化学量論比の1.0倍
から1.05倍の範囲となるよう配合比を定めること
がより好ましい。 フラツクスとして作用する上記弗化物は、螢光
体原料に対し、２重量％〜50重量％の範囲で加え
ることが好ましく、５重量％〜50重量％の範囲で
加えることがより好ましい。２重量％未満ではフ
ラツクスとしての効果がほとんど認められない。 50重量％を越えた量の弗化物を加えても螢光体
を製造することができる。しかしながらこの場合
は、製造した螢光体からフラツクスを除去する作
業がより時間を要する。また多量のフラツクスを
用いることは経済的にも好ましくない。そのため
フラツクスの量は上記の範囲とすることが好まし
い。 焼成は、あらかじめ700〜1000℃の温度で、空
気中において２〜５時間予備焼成を行なつてか
ら、その後で行なうのが好ましい。とくに螢光体
原料として酸化物以外の化合物を用い、焼成によ
り酸化物とするときはこの予備焼成が必要であ
る。さらに焼成は、一回でなく、二回又は三回行
なうのが好ましい（以下一次焼成、二次焼成、三
次焼成という）。いずれの焼成も1000〜1300℃の
温度範囲で、窒素などの不活性ガス中か又は弱還
元性雰囲気中で２〜10時間行なうのが好ましい。
とくに焼成温度を1150〜1250℃の範囲とし、３〜
10時間焼成することは輝度が向上し、空気中の再
焼成時の輝度劣化が減少するのでより好ましい。
弱還元性雰囲気とは、例えば不活性ガス中に少量
の水素などの還元性ガスを混合してなすことがで
きる。予備焼成後又は一次、二次焼成後つぎの焼
成を行なう前に、試料を一度冷却し、粉砕し、再
混合することが好ましい。 前記フラツクスは、予備焼成の前に螢光体原料
と混合しても、一次、二次又は三次の焼成の前に
混合してもよい。フラツクスを混合後、少なくと
も一回焼成を行なえば、輝度向上の効果が認めら
れる。 本発明の螢光体は、焼成後単に粉砕したのみで
も用いることができるが、通常は水洗、乾燥して
用いる。より好ましくは、粉砕後0.1〜１規定の
範囲の濃度の弱酸で処理後、十分水洗、乾燥して
用いることであり、この方法によつて輝度を向上
させることができる。酸としてはHCl，HNO3，
H2SO4などの水溶液が用いられる。 以下、実施例を用いて本発明を説明する。 実施例 １〜16 第１表記載の一般式の螢光体を得るため、フラ
ツクスの（NH4）2SiF6を除く原料を表記載のモ
ル比の通り秤量し十分混合したのち、それぞれ空
気中で700℃、２時間予備焼成した。冷却後、粉
砕、混合し、実施例２は、（NH4）2SiF6を表記載
の量（螢光体原料に対する重量％、以下同じ）添
加し、他は、そのまま一次焼成を行なつた。実施
例３〜６は、さらに冷却、粉砕、混合後、実施例
４及び６に（HN4）2SiF6を添加して二次焼成を
行なつた。すなわちフラツクスは、最終焼成の前
に配合したこととなる。表においてH2／N2とは
５容積％のH2と95容積％のN2からなる弱還元性
雰囲気であることを示す（以下同じ）。 焼成物を粉砕、篩にかけ、実施例１，２は、
Y2.8Tb0.2BO6なる螢光体を、実施例３，４は、
La2.8Tb0.2BO6なる螢光体を、実施例５，６は、
Gd2.8Tb0.2BO6なる螢光体をそれぞれ得た。 254nmの水銀蒸気共鳴線励起により各螢光体は
緑色発光を示した。その相対輝度を表に示す。相
対輝度の上欄は、Zn2SiO4：Mn（NBS−1021、米
国ナシヨナル・ビユウロウ・スタンダード社製）
の輝度を100％とする値であり、下欄は、フラツ
クスを添加しないものを100％とする値、すなわ
ち実施例２は実施例１を、実施例４は実施例３
を、実施例６は実施例５をそれぞれ100％とする
値である。
【表】
【表】
実施例 ７〜16
実施例５，６と同様に第２表記載の量の原料を
用い、表記載の条件によつてGd3-xTbxBO6なる
螢光体を製造した。なお（NH4）2SiF6は、二次
焼成に際し配合した。それぞれの螢光体の相対輝
度（対Zn2SiO4：Mn）を表に示す。上欄は、得
られた螢光体を粉砕したのみのもの、下欄は、こ
れを0.6NのHClで洗い、十分水洗後乾燥したも
のの相対輝度である。塩酸処理した場合のTb濃
度と相対輝度との関係を第１図曲線１に示す。図
に見られるようにｘ＝0.4付近で最高輝度が得ら
れた。
用い、表記載の条件によつてGd3-xTbxBO6なる
螢光体を製造した。なお（NH4）2SiF6は、二次
焼成に際し配合した。それぞれの螢光体の相対輝
度（対Zn2SiO4：Mn）を表に示す。上欄は、得
られた螢光体を粉砕したのみのもの、下欄は、こ
れを0.6NのHClで洗い、十分水洗後乾燥したも
のの相対輝度である。塩酸処理した場合のTb濃
度と相対輝度との関係を第１図曲線１に示す。図
に見られるようにｘ＝0.4付近で最高輝度が得ら
れた。
【表】
実施例 17〜26
第３表記載の一般式の螢光体、すなわち実施例
７〜16と同じGd3-xTbxBO6なる螢光体を、二次
焼成条件をH2／N2中、1200℃、２時間としたほ
かは実施例７〜16と同様にして製造した。原料の
配合量は、それぞれのｘの値に該当する実施例７
〜16の場合と同じであるので表には省略する。得
られた螢光体の相対輝度を第３表に記載する。上
欄と下欄との値の意味は、第２表のそれらと同じ
である。HCl処理の場合の相対輝度を第１図曲線
２に示す。図に見られるようにTb濃度が大の場
合、弱還元性雰囲気での焼成の効果はとくに大で
ある。 また得られた螢光体の水銀蒸気共鳴線励起によ
る発光スペクトルを第２図に示す。４は、NBS
−1021，Zn2SiO4：Mnの発光スペクトル、５は、
実施例21の螢光体の発光スペクトル、６は実施例
17の螢光体の発光スペクトルである。上記螢光体
のTb濃度大のものは、緑色発光を示し、Tb濃度
小のものは青白色発光を示す。 第３図の上段（３−１）は、 （Gd0.7）Ce0.2Tb0.1）2O3・3B2O3すなわち希土
類酸化物と無水硼酸とのモル比１：３で構成され
る公知螢光体のＸ線回折パターンを、同図下段
（３−２）は、実施例10で得た螢光体のそれであ
り、両パターンは明らかに異なつている。 なおまた、実施例24の酸処理後の螢光体の励起
スペクトルを第４図に示した。
７〜16と同じGd3-xTbxBO6なる螢光体を、二次
焼成条件をH2／N2中、1200℃、２時間としたほ
かは実施例７〜16と同様にして製造した。原料の
配合量は、それぞれのｘの値に該当する実施例７
〜16の場合と同じであるので表には省略する。得
られた螢光体の相対輝度を第３表に記載する。上
欄と下欄との値の意味は、第２表のそれらと同じ
である。HCl処理の場合の相対輝度を第１図曲線
２に示す。図に見られるようにTb濃度が大の場
合、弱還元性雰囲気での焼成の効果はとくに大で
ある。 また得られた螢光体の水銀蒸気共鳴線励起によ
る発光スペクトルを第２図に示す。４は、NBS
−1021，Zn2SiO4：Mnの発光スペクトル、５は、
実施例21の螢光体の発光スペクトル、６は実施例
17の螢光体の発光スペクトルである。上記螢光体
のTb濃度大のものは、緑色発光を示し、Tb濃度
小のものは青白色発光を示す。 第３図の上段（３−１）は、 （Gd0.7）Ce0.2Tb0.1）2O3・3B2O3すなわち希土
類酸化物と無水硼酸とのモル比１：３で構成され
る公知螢光体のＸ線回折パターンを、同図下段
（３−２）は、実施例10で得た螢光体のそれであ
り、両パターンは明らかに異なつている。 なおまた、実施例24の酸処理後の螢光体の励起
スペクトルを第４図に示した。
【表】
実施例 27〜36
実施例３，４と同様に第４表記載の量の原料を
用い、表記載の条件によつてLa3-xTbxBO6なる
螢光体を製造した。なお（NH4）2SiF6は、二次
焼成に際し配合した。それぞれの螢光体の相対輝
度（対Zn2SiO4：Mn）を表に示す。上欄は、得
られた螢光体を粉砕したのみのものの、中欄は、
それを水洗、乾燥したものの、下欄は、粉砕した
試料を0.6NのHClで洗い、十分水洗後乾燥した
ものの相対輝度である。塩酸処理したもののTb
濃度と相対輝度との関係を第１図曲線３に示す。
図にみられるようにｘ＝0.8付近で最高輝度が得
られた。 実施例33で得た螢光体の水銀蒸気共鳴線励起に
よる発光スペクトルを第５図曲線７に示す。４
は、NBS−1021，Zn2SiO4：Mnの発光スペクト
ルである。
用い、表記載の条件によつてLa3-xTbxBO6なる
螢光体を製造した。なお（NH4）2SiF6は、二次
焼成に際し配合した。それぞれの螢光体の相対輝
度（対Zn2SiO4：Mn）を表に示す。上欄は、得
られた螢光体を粉砕したのみのものの、中欄は、
それを水洗、乾燥したものの、下欄は、粉砕した
試料を0.6NのHClで洗い、十分水洗後乾燥した
ものの相対輝度である。塩酸処理したもののTb
濃度と相対輝度との関係を第１図曲線３に示す。
図にみられるようにｘ＝0.8付近で最高輝度が得
られた。 実施例33で得た螢光体の水銀蒸気共鳴線励起に
よる発光スペクトルを第５図曲線７に示す。４
は、NBS−1021，Zn2SiO4：Mnの発光スペクト
ルである。
【表】
実施例 37〜46
実施例３〜６と同様に第５表記載の量の原料を
用い、表記載の条件によつてGd2.5Tb0.5BO6（実施
例37〜41）、La2.8Tb0.2BO6（実施例42，43）及び
Gd2.2Tb0.8BO6（実施例44，45）なる螢光体を得
た。なお、フラツクスの（NH4）2SiF6は、二次
焼成に際し配合した。それぞれの螢光体の相対輝
度を表に示す。上欄は、対Zn2SiO4：Mnの値、
下欄は、フラツクスのないものに対する値であ
る。 実施例37〜41の場合のフラツクスの量と、得れ
た螢光体の相対発光強度との関係を第６図に示
す。フラツクスの配合量20重量％付近でもつと大
なる効果を示す。
用い、表記載の条件によつてGd2.5Tb0.5BO6（実施
例37〜41）、La2.8Tb0.2BO6（実施例42，43）及び
Gd2.2Tb0.8BO6（実施例44，45）なる螢光体を得
た。なお、フラツクスの（NH4）2SiF6は、二次
焼成に際し配合した。それぞれの螢光体の相対輝
度を表に示す。上欄は、対Zn2SiO4：Mnの値、
下欄は、フラツクスのないものに対する値であ
る。 実施例37〜41の場合のフラツクスの量と、得れ
た螢光体の相対発光強度との関係を第６図に示
す。フラツクスの配合量20重量％付近でもつと大
なる効果を示す。
【表】
実施例 47〜52
実施例３〜６と同様に第６表記載の量の原料を
用い、表記載の条件によつてLa0.26Gd2.34Tb0.4
BO6（実施例47，48）及びGd2.5Tb0.5BO6（実施例
49〜52）なる螢光体を得た。各フラツクスは、二
次焼成のときに配合した。Na2SiF6，ZnSiF6，
NH4BF4などのフラツクスを配合することによ
り、フラツクスを使用しない場合に比較し、それ
ぞれ2160％，1310％，913％に輝度が向上した。
用い、表記載の条件によつてLa0.26Gd2.34Tb0.4
BO6（実施例47，48）及びGd2.5Tb0.5BO6（実施例
49〜52）なる螢光体を得た。各フラツクスは、二
次焼成のときに配合した。Na2SiF6，ZnSiF6，
NH4BF4などのフラツクスを配合することによ
り、フラツクスを使用しない場合に比較し、それ
ぞれ2160％，1310％，913％に輝度が向上した。
第１図は、本発明を説明するためのTb濃度と
相対輝度との関係を示す図、第２図及び第５図
は、本発明及び従来の螢光体の発光スペクトルを
示す図、第３図は、本発明及び従来の螢光体のＸ
線回折パターンを示す図、第４図は、本発明の螢
光体の励起スペクトルを示す図、第６図は、本発
明を説明するためのフラツクスの量と螢光体の相
対発光強度との関係を示す図である。
相対輝度との関係を示す図、第２図及び第５図
は、本発明及び従来の螢光体の発光スペクトルを
示す図、第３図は、本発明及び従来の螢光体のＸ
線回折パターンを示す図、第４図は、本発明の螢
光体の励起スペクトルを示す図、第６図は、本発
明を説明するためのフラツクスの量と螢光体の相
対発光強度との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式M3-xTbxBO6（ただしＭは、La、Gd及
びＹからなる群から選ばれた少なくとも一種の元
素を表わし、ｘは、Ｏ＜ｘ2.0の範囲の値であ
る）で表わされることを特徴とする蛍光体。 ２ 一般式におけるＭがGdである特許請求の範
囲第１項記載の蛍光体。 ３ 一般式におけるＭがLaである特許請求の範
囲第１項記載の蛍光体。 ４ 一般式におけるＭがＹである特許請求の範囲
第１項記載の蛍光体。 ５ 一般式におけるｘが0.01ｘ1.5の範囲の
値である特許請求の範囲第１項から第４項までの
いずれかに記載の蛍光体。 ６ La，Gb及びＹからなる群から選ばれた少な
くとも一種の希土類元素の酸化物又は焼成によつ
て該酸化物となりうる希土類元素化合物、Tb酸
化物又は焼成によりTb酸化物となり得るTb化合
物及び硼酸及び無水硼酸からなる群から選ばれた
少なくとも一種の硼素化合物に、一般式M′BF4
（ただしM′は、Li、Ｋ、Na及びNH4からなる群
から選ばれた少なくとも一種の元素又は原子団を
表わす）で表わされる弗化物、一般式M2′、SiF6
（ただしM′は、前述の意味を表わす）で表わされ
る弗化物及び一般式M″SiF6（ただしM″は、Zn、
Mg、Pb、Ca、Sr及びBaからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わす）で表わされる
弗化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の
弗化物を配合して加熱することにより、一般式
M3-xTbxBO6（ただしＭは、La、Gd及びＹからな
る群から選ばれた少なくとも一種の元素を表わ
し、ｘは、Ｏ＜ｘ2.0の範囲の値である）で表
わされる蛍光体を製造する方法であつて、上記希
土類元素の酸化物もしくは上記希土類元素化合物
および上記Tb酸化物もしくは上記Tb化合物は、
上記希土類元素およびTbの量が、上記蛍光体中
の上記希土類元素およびTbの量の化学量論比と
等しくなるように配合され、上記硼素化合物は、
硼素の量が上記蛍光体中の硼素の量の化学論比の
1.0倍から1.05倍の範囲になるように配合され、
かつ、上記加熱は、空気中で700〜1000℃の範囲
の温度で焼成し、さらに不活性ガス又は弱還元性
ガス中で1000〜1300℃の範囲の温度で焼成するも
のである蛍光体の製造方法。 ７ 上記弗化物の量は、蛍光体原料に対し２重量
％から50量％の範囲の量である特許請求の範囲第
６項記載の蛍光体の製造方法。 ８ 上記加熱後、さらに生成物を弱酸で処理し、
水洗、乾燥する特許請求の範囲第６項もしくは第
７項記載の蛍光体の製造方法。 ９ 上記弱酸は、0.1〜１規定の範囲の濃度の弱
酸である特許請求の範囲第８項記載の蛍光体の製
造方法。 １０ 上記弱酸は、HCl、HNO3又はH2SO4の水
溶液である特許請求の範囲第８項又は第９項記載
の蛍光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56001240A JPS57115484A (en) | 1981-01-09 | 1981-01-09 | Fluorescent substance and its preparation |
| US06/336,098 US4403171A (en) | 1981-01-09 | 1981-12-31 | Phosphor, process for preparation thereof and lamp containing the same |
| DE8282300070T DE3260179D1 (en) | 1981-01-09 | 1982-01-07 | Phosphor, process for the preparation thereof and a fluorescent screen having the phosphor |
| EP82300070A EP0057499B1 (en) | 1981-01-09 | 1982-01-07 | Phosphor, process for the preparation thereof and a fluorescent screen having the phosphor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56001240A JPS57115484A (en) | 1981-01-09 | 1981-01-09 | Fluorescent substance and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57115484A JPS57115484A (en) | 1982-07-17 |
| JPS6366357B2 true JPS6366357B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=11495930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56001240A Granted JPS57115484A (en) | 1981-01-09 | 1981-01-09 | Fluorescent substance and its preparation |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4403171A (ja) |
| EP (1) | EP0057499B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57115484A (ja) |
| DE (1) | DE3260179D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113087A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-04-25 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 発光テルビウム活性化硼酸塩 |
| DE3931691A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-04-04 | Licentia Gmbh | Verfahren zur erhoehung der lichtausbeute von mit terbium aktivierten se-leuchtstoffen |
| US5325016A (en) * | 1992-06-22 | 1994-06-28 | General Electric Company | Mercury vapor lamp with terbium-activated gadolinium borate luminescent layer |
| US6585911B2 (en) * | 2000-04-20 | 2003-07-01 | Osram Sylvania Inc. | Method of making a borate phosphor having a discrete particle morphology |
| US6525460B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-02-25 | General Electric Company | Very high color rendition fluorescent lamps |
| US6452324B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-09-17 | General Electric Company | Fluorescent lamp for grocery lighting |
| DE10121096A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| US6805813B1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-10-19 | Osram Sylvania Inc. | High brightness green-emitting phosphor |
| JP4894379B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2012-03-14 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 希土類焼結体およびその製造方法 |
| US8129905B2 (en) * | 2006-05-26 | 2012-03-06 | Panasonic Corporation | Phosphor and light emitting device using the phosphor |
| CN115244004A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-10-25 | 松下知识产权经营株式会社 | 卤化物的制造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA628579A (en) * | 1961-10-03 | W. Ranby Peter | Luminescent materials | |
| NL7303538A (ja) * | 1973-03-14 | 1974-09-17 |
-
1981
- 1981-01-09 JP JP56001240A patent/JPS57115484A/ja active Granted
- 1981-12-31 US US06/336,098 patent/US4403171A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-01-07 DE DE8282300070T patent/DE3260179D1/de not_active Expired
- 1982-01-07 EP EP82300070A patent/EP0057499B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0057499A1 (en) | 1982-08-11 |
| EP0057499B1 (en) | 1984-05-30 |
| DE3260179D1 (en) | 1984-07-05 |
| US4403171A (en) | 1983-09-06 |
| JPS57115484A (en) | 1982-07-17 |
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