JPS6366235A - 光デイスク基板 - Google Patents
光デイスク基板Info
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- JPS6366235A JPS6366235A JP61210907A JP21090786A JPS6366235A JP S6366235 A JPS6366235 A JP S6366235A JP 61210907 A JP61210907 A JP 61210907A JP 21090786 A JP21090786 A JP 21090786A JP S6366235 A JPS6366235 A JP S6366235A
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- Japan
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- polyolefin
- polycarbonate
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- disk substrate
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えばレーザーなど光の照射により、情報を再
生したり記録、消去する光ディスクの基板に関する。
生したり記録、消去する光ディスクの基板に関する。
光ディスクの基板は大別して、（１）無機ガラス、（２
）熱硬化性樹脂（エポキシ’Ｉ 、（８）熱可塑性樹脂
の３種類に分けることができる。これらの基板はそれぞ
れ大きな長所、短所を持っているが、熱可塑性樹脂が主
に採用検討されている。それは以下の理由による。今後
高度情報通信システムや付加価値通信網などローカルネ
ットワーク化の構築が進むにつれ高密度記録の可能な光
ディスクの需要は急速に伸びることが予想される。この
場合大量生産性に優れていることが８斐不可欠となる。
）熱硬化性樹脂（エポキシ’Ｉ 、（８）熱可塑性樹脂
の３種類に分けることができる。これらの基板はそれぞ
れ大きな長所、短所を持っているが、熱可塑性樹脂が主
に採用検討されている。それは以下の理由による。今後
高度情報通信システムや付加価値通信網などローカルネ
ットワーク化の構築が進むにつれ高密度記録の可能な光
ディスクの需要は急速に伸びることが予想される。この
場合大量生産性に優れていることが８斐不可欠となる。
また基板にはトラッキング案内用のグループの形成が高
精度にできることも８装である。これらの点を鑑みると
熱可塑性樹脂を放出成形法により成形する方法が最も適
して勝る訳である。この熱可塑性樹脂には特公昭４５−
８９７８号公報や「日経エレクトロニクス」第２９２号
、第１３３頁（１９８２年）に述べられている、ポリメ
タクリル酸メチル、ざリスチレン、ポリカーボネートが
主に上げられる。
精度にできることも８装である。これらの点を鑑みると
熱可塑性樹脂を放出成形法により成形する方法が最も適
して勝る訳である。この熱可塑性樹脂には特公昭４５−
８９７８号公報や「日経エレクトロニクス」第２９２号
、第１３３頁（１９８２年）に述べられている、ポリメ
タクリル酸メチル、ざリスチレン、ポリカーボネートが
主に上げられる。
面子にポリメタクリル酸メチルとポリスチレンは熱変形
温度に代表される耐熱性が劣り高温条件下に於ける使用
に耐えない問題が有る。、またポリカーボネートは流動
性が悪いため基板に内部応力が発生し易く複屈折が大き
いという問題が有る。
温度に代表される耐熱性が劣り高温条件下に於ける使用
に耐えない問題が有る。、またポリカーボネートは流動
性が悪いため基板に内部応力が発生し易く複屈折が大き
いという問題が有る。
特に最近注目されている光磁気ディスクはカー効果、フ
ァラデー効果による微妙な差をバイナリ−信号として捕
える構造のため複屈折が大きいと致命的となる。
ァラデー効果による微妙な差をバイナリ−信号として捕
える構造のため複屈折が大きいと致命的となる。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目的
は耐熱性、透明性に優れ、且つ複屈折の小さい光ディス
ク基板な得んとするものである。
は耐熱性、透明性に優れ、且つ複屈折の小さい光ディス
ク基板な得んとするものである。
上記の問題を解決するため本発明の光ディスク基板は、
（１）ポリカーボネート７０〜９５重量％とポリオレフ
ィン５〜３０重量％からなる樹脂を用い成形後、放射線
照射を行う、（２）ポリオレフィンに分子量１００〜ｉ
ｏｏｏｏの低分子量ポリオレフィンを用いる、（３）
放射線照射を真空中で且つポリオレフィンの融点付近に
加熱して行うことを特徴とする。本発明に用いるポリオ
レフィンの割合（含有ｌ）は５〜３０重量％で好ましく
は１０〜２０重社％である。含有量が５％未満では流動
性向上効果が少ないため複屈折が大きく、グループの形
成が不安定となる、３０％を越えると熱変形温度と透明
度共に低下するため本発明の効果が少ない。ポリオレフ
ィンの分子量は１０００〜１００００、好ましくは２０
００〜５００ｏである。
（１）ポリカーボネート７０〜９５重量％とポリオレフ
ィン５〜３０重量％からなる樹脂を用い成形後、放射線
照射を行う、（２）ポリオレフィンに分子量１００〜ｉ
ｏｏｏｏの低分子量ポリオレフィンを用いる、（３）
放射線照射を真空中で且つポリオレフィンの融点付近に
加熱して行うことを特徴とする。本発明に用いるポリオ
レフィンの割合（含有ｌ）は５〜３０重量％で好ましく
は１０〜２０重社％である。含有量が５％未満では流動
性向上効果が少ないため複屈折が大きく、グループの形
成が不安定となる、３０％を越えると熱変形温度と透明
度共に低下するため本発明の効果が少ない。ポリオレフ
ィンの分子量は１０００〜１００００、好ましくは２０
００〜５００ｏである。
分子量１０００未満では熱変形温度が低（１００００を
越えると流動性向上効果が少なく複屈折が大きく且つグ
ループの形成が悪い。ポリオレフィンの含有量と分子量
の大小には相反する而があるため組み合せにより最適な
ポイントは異なる。またポリオレフィンを含有し放射線
処理を行なわないと熱変形温度が大巾に低くなると共に
複屈折も大きくなる。ちなみにポリオレフィンを含まず
ポリカーボネートのみでは放射線照射を行うと照射前よ
り熱変形温度は低くなる傾向を示す。放射線照射を空気
中で行うと酸素が拡散吸収され、酸化により主鎖が切断
されるため真空中ないしは不活性ガス中で行うことが好
ましい。さらに加熱をポリオレフィンの融点付近の温度
で行うとポリマーの架橋効率が良くなるため好ましい。
越えると流動性向上効果が少なく複屈折が大きく且つグ
ループの形成が悪い。ポリオレフィンの含有量と分子量
の大小には相反する而があるため組み合せにより最適な
ポイントは異なる。またポリオレフィンを含有し放射線
処理を行なわないと熱変形温度が大巾に低くなると共に
複屈折も大きくなる。ちなみにポリオレフィンを含まず
ポリカーボネートのみでは放射線照射を行うと照射前よ
り熱変形温度は低くなる傾向を示す。放射線照射を空気
中で行うと酸素が拡散吸収され、酸化により主鎖が切断
されるため真空中ないしは不活性ガス中で行うことが好
ましい。さらに加熱をポリオレフィンの融点付近の温度
で行うとポリマーの架橋効率が良くなるため好ましい。
以下実施例に従い本発明を説明する。
実施例−１
粘度平均分子ｆｉ２５０００〜３００００のポリカーボ
ネートと低分子量ポリエチレンを第１表に示した含有量
、分子量条件で加熱混練し、その後ペレット化した。従
来ポリカーボネートの流動性を改質するため分子量を少
なくすることが行なわれてきた。しかし分子量の低下と
共に屈折率の温度依存が強くなるため危険な橋を渡って
いたといえる。ここでは一般品と同じ分子量である。次
に射出成形機を用いて該ペレットをシリンダ一温度２６
０℃〜３１０℃、射出圧力２ｏａＫ、／ｃｒ１．金型温
度４０℃〜１２０℃の条件下で成形しφ１２０ｍｍ厚さ
１．２ ｒａｎの光ディスク基板と熱変形温度。
ネートと低分子量ポリエチレンを第１表に示した含有量
、分子量条件で加熱混練し、その後ペレット化した。従
来ポリカーボネートの流動性を改質するため分子量を少
なくすることが行なわれてきた。しかし分子量の低下と
共に屈折率の温度依存が強くなるため危険な橋を渡って
いたといえる。ここでは一般品と同じ分子量である。次
に射出成形機を用いて該ペレットをシリンダ一温度２６
０℃〜３１０℃、射出圧力２ｏａＫ、／ｃｒ１．金型温
度４０℃〜１２０℃の条件下で成形しφ１２０ｍｍ厚さ
１．２ ｒａｎの光ディスク基板と熱変形温度。
光透過率測定用試験片を得た。次にこれらの成形品を真
空度２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの雰囲気下で８０℃〜１１０
℃に加熱した後、電子線加速器を用い、２０〜６０Ｍｒ
ａｄ電子線を照射した。
空度２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの雰囲気下で８０℃〜１１０
℃に加熱した後、電子線加速器を用い、２０〜６０Ｍｒ
ａｄ電子線を照射した。
実施例−２
ポリオレフィン樹脂に低分子量ポリプロピレンを用い、
実施例１と同様な配合で混線、射出成形を行なった。次
にコバルト６０を用いて、真空中に於いてｒ線を１２Ｍ
ｒａａ成形品に照射した。
実施例１と同様な配合で混線、射出成形を行なった。次
にコバルト６０を用いて、真空中に於いてｒ線を１２Ｍ
ｒａａ成形品に照射した。
ポリプロピレンの場合は基板加熱を行うと主鎖の切断が
顕著にみられるため加熱は行なわない。
顕著にみられるため加熱は行なわない。
以上の実施例の試料を下記条件で評価した。
熱変形温度：ＡＳＴＭ Ｄ−６４８
光透過率：ＡＳＴＭ Ｄ−１００３
複屈折：エリプソメーター シングルパス波長６３Ｓ１
’Ｌｍ 第 １ 表 注） ポリエチレンはアルファベットの小文字（例えば
α−１）ポリプロピレンは大文字（例えばＡ−１）で示
す。
’Ｌｍ 第 １ 表 注） ポリエチレンはアルファベットの小文字（例えば
α−１）ポリプロピレンは大文字（例えばＡ−１）で示
す。
第 ２ 表
測定結果を第２表と第５表に示した。第２表が実施例１
．第３表が実施例２である。また比較例（第４表）とし
てポリメタクリル酸メチル（比較例１）、ポリスチレン
（比較例２）、ポリカーボネート（比較例ｙＪ）、放射
線照射を行なわなφもの（比較例４）、放射線照射を空
気中で行なったもの（比較例５）、放射線照射時に成形
品を加熱しなかったもの（比較例６：室温・真空中）を
示した。比較例４〜６は表１のｂ−５樹脂を用いている
。表より判る様に実施例１．実施例２共に本実施例では
熱変形温度が高く、透明性に優れ゛且つ複屈折が小さい
。これに対して、ポリメタクリル酸メチルは熱変形湿度
が低い。ポリスチレンは熱変形温度、複屈折共に劣り、
ポリカーボネートは複屈折が大きい。
．第３表が実施例２である。また比較例（第４表）とし
てポリメタクリル酸メチル（比較例１）、ポリスチレン
（比較例２）、ポリカーボネート（比較例ｙＪ）、放射
線照射を行なわなφもの（比較例４）、放射線照射を空
気中で行なったもの（比較例５）、放射線照射時に成形
品を加熱しなかったもの（比較例６：室温・真空中）を
示した。比較例４〜６は表１のｂ−５樹脂を用いている
。表より判る様に実施例１．実施例２共に本実施例では
熱変形温度が高く、透明性に優れ゛且つ複屈折が小さい
。これに対して、ポリメタクリル酸メチルは熱変形湿度
が低い。ポリスチレンは熱変形温度、複屈折共に劣り、
ポリカーボネートは複屈折が大きい。
またポリカーボネー トとポリオレフィンの混合系では
放射線照射を行なわないと熱変形温度、複屈折共に劣る
。ここで流動性を向上させ内部応力の発生を押えても複
屈折が僅かであるが大きい傾向にあるのはここで使用し
たポリオレフィンが結晶性を示すタイプであるためであ
る。この結晶性はぎリオレフメインの含有量に左右され
ポリオレフィンが少な■とない場合もあり、結晶性を示
しても放射線の照射により消える。さらに放射線の照射
を空気中で行うと、熱変形温度は照射しないものよりは
高いが区空中で行うより低く、成形品の加熱も同様に加
熱を行なわない方が低い。
放射線照射を行なわないと熱変形温度、複屈折共に劣る
。ここで流動性を向上させ内部応力の発生を押えても複
屈折が僅かであるが大きい傾向にあるのはここで使用し
たポリオレフィンが結晶性を示すタイプであるためであ
る。この結晶性はぎリオレフメインの含有量に左右され
ポリオレフィンが少な■とない場合もあり、結晶性を示
しても放射線の照射により消える。さらに放射線の照射
を空気中で行うと、熱変形温度は照射しないものよりは
高いが区空中で行うより低く、成形品の加熱も同様に加
熱を行なわない方が低い。
以上述べた様に、本発明によれば熱変形温度に代表され
る耐熱性、透明性が優れ且つ複屈折の小さい光ディスク
基板を得ることができる。
る耐熱性、透明性が優れ且つ複屈折の小さい光ディスク
基板を得ることができる。
以 上
Claims (3)
- （１）ポリカーボネート７０〜９５重量％とポリオレフ
ィン５〜３０重量％からなる樹脂を用い成形後、放射線
を照射したことを特徴とする光ディスク基板。 - （２）ポリオレフィンに分子量１０００〜１００００の
低分子量ポリオレフィンを用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光ディスク基板。 - （３）放射線照射を真空中で且つ低分子量ポリオレフィ
ンの融点付近に加熱して行なったことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光ディスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210907A JPS6366235A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 光デイスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210907A JPS6366235A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 光デイスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366235A true JPS6366235A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16597043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61210907A Pending JPS6366235A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 光デイスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282217A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61210907A patent/JPS6366235A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282217A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
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