JPS62241154A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS62241154A JPS62241154A JP8556286A JP8556286A JPS62241154A JP S62241154 A JPS62241154 A JP S62241154A JP 8556286 A JP8556286 A JP 8556286A JP 8556286 A JP8556286 A JP 8556286A JP S62241154 A JPS62241154 A JP S62241154A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は光磁気記録など光の照射により情報全記録・再
庄する光記録媒体の製造方法に関する。
庄する光記録媒体の製造方法に関する。
ここ１〜２年話題を集め多くのメーカーが量産化ｔ−進
めている光磁気ディスクに於いて説明する。
めている光磁気ディスクに於いて説明する。
光磁気ディスクの基板は大別して（１）無機ガラス、（
２）熱硬化性樹脂（エポキシ）、（８）熱ｏＪ塑性側脂
（ＰＣ，ＰＭＭＡ）の５種類に別ける事が出来る。
２）熱硬化性樹脂（エポキシ）、（８）熱ｏＪ塑性側脂
（ＰＣ，ＰＭＭＡ）の５種類に別ける事が出来る。
こｎらはそれぞれ長所・短所ケ持っているが、今後高度
情報通信システム（ＩＮＳ）か付加価値通信網（ＶＡＮ
）などローカルネットワークの溝築が進むと需要が急速
に伸び且つ非常に多くなる争が予想さｆＬるため、トラ
ッキング案内「４の精度良い形成が容易で成形サイクル
が短く且つ材料コストの女いｔａ＋の熱可塑性ぜ（脂が
被産性に優れておジ王に採用検討が行なわｎ″でいる。
情報通信システム（ＩＮＳ）か付加価値通信網（ＶＡＮ
）などローカルネットワークの溝築が進むと需要が急速
に伸び且つ非常に多くなる争が予想さｆＬるため、トラ
ッキング案内「４の精度良い形成が容易で成形サイクル
が短く且つ材料コストの女いｔａ＋の熱可塑性ぜ（脂が
被産性に優れておジ王に採用検討が行なわｎ″でいる。
成形に一般に射出酸形成が用いらｎる。この基板の上に
誘電体膜・記録膜がスパッタ法に＝９形成され光磁気デ
１スクとなる。誘電体膜にはＡｔＮ、 Ｓｉ、Ｎ、 、
ＳｉＯなど、ＭＯ膜ににＲＥ −’ｒ Ｍ系（ここで
Ｔ＜ ｇはＤｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎ（１など希土類元素、
ＴＭａイコｏ。
誘電体膜・記録膜がスパッタ法に＝９形成され光磁気デ
１スクとなる。誘電体膜にはＡｔＮ、 Ｓｉ、Ｎ、 、
ＳｉＯなど、ＭＯ膜ににＲＥ −’ｒ Ｍ系（ここで
Ｔ＜ ｇはＤｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎ（１など希土類元素、
ＴＭａイコｏ。
Ｆｅｆｉど４移金禰、この他にも第６、−Ｂ４元素とし
てＡｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒなどが像型添加される。）の
非晶買換が用いらｒｔている。厚さはｄ′岨体膜・記録
膜共ｖｃ ｓ Ｏ［１〜ＩＣＩ［ｌ［ＪＡである。又カ
ー幼果ケ再生に用いる場合は反射膜が設けられる。
てＡｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒなどが像型添加される。）の
非晶買換が用いらｒｔている。厚さはｄ′岨体膜・記録
膜共ｖｃ ｓ Ｏ［１〜ＩＣＩ［ｌ［ＪＡである。又カ
ー幼果ケ再生に用いる場合は反射膜が設けられる。
しかし、従来の方法では、熱Ｏｆ塑性樹脂は主鎖がＩＪ
ニアなポリマーであり、分子間力とからみ会いに工ｒ
）固だ化されているため、分子が拗き易く温度、湿枇Ｖ
Ｃ対して不安定であるといえる。その罠め肪′は体膜・
ＭＯ＃・反射膜との間には線膨張係数、ｌ＆湿ｖｃ、ｃ
る膨張係数に大きな差が有り、環境の変化か繰り返しの
記録（消去）再生に於いて局部的に変形・歪を生じＣ／
ｌＪ比の低下？招いていた。又一般しこ使用される空輸
と同じ環境差（−２ｕ℃〜５０℃：中近東などでにこれ
以上）で試験するとクラックが入るものも一部発生した
。Ｔｉ場拡大にスヒーディーな対応が必安な現在、空輸
が使えない＄は故命釣といってよい。 ゛不発明はこ
の・味な問題全解決するものであり、その目的とするＦ
ｊｒは、ＣＮ比が大きく且つ耐環境性に潰：！１−た光
記録媒体を容易に得んとするものである。
ニアなポリマーであり、分子間力とからみ会いに工ｒ
）固だ化されているため、分子が拗き易く温度、湿枇Ｖ
Ｃ対して不安定であるといえる。その罠め肪′は体膜・
ＭＯ＃・反射膜との間には線膨張係数、ｌ＆湿ｖｃ、ｃ
る膨張係数に大きな差が有り、環境の変化か繰り返しの
記録（消去）再生に於いて局部的に変形・歪を生じＣ／
ｌＪ比の低下？招いていた。又一般しこ使用される空輸
と同じ環境差（−２ｕ℃〜５０℃：中近東などでにこれ
以上）で試験するとクラックが入るものも一部発生した
。Ｔｉ場拡大にスヒーディーな対応が必安な現在、空輸
が使えない＄は故命釣といってよい。 ゛不発明はこ
の・味な問題全解決するものであり、その目的とするＦ
ｊｒは、ＣＮ比が大きく且つ耐環境性に潰：！１−た光
記録媒体を容易に得んとするものである。
上記の問題点全解決するため不発明の光記録媒体は射出
成形法、圧縮成形法などＫより得た熱用塑性樹脂基板の
表面層全グロー放電又はアーク放電による気体プラズマ
ｒ用い処理した後にスパッタ酸膜法に１９元記録媒体の
単層膜又は誘電体膜・反射膜との複合Ｎｌ膜を該基板の
表面層上に形成した事を特徴とする。
成形法、圧縮成形法などＫより得た熱用塑性樹脂基板の
表面層全グロー放電又はアーク放電による気体プラズマ
ｒ用い処理した後にスパッタ酸膜法に１９元記録媒体の
単層膜又は誘電体膜・反射膜との複合Ｎｌ膜を該基板の
表面層上に形成した事を特徴とする。
上記構成に工って、熱ＬＩＪ塑性樹脂基板の表面層全気
体プラズマにより処理する争にニジラジカル基金生成さ
せ表面層のポリマーＷ＝久元的に架橋させると共ＶＣＣ
電電体膜反射膜又１ｌ−ｒ、元記録媒体膜とポリマーと
を化学的共夷結合ｖｃ工９固廼させ温度・湿度に対して
安定化ケ図ったものである。
体プラズマにより処理する争にニジラジカル基金生成さ
せ表面層のポリマーＷ＝久元的に架橋させると共ＶＣＣ
電電体膜反射膜又１ｌ−ｒ、元記録媒体膜とポリマーと
を化学的共夷結合ｖｃ工９固廼させ温度・湿度に対して
安定化ケ図ったものである。
以下実施例に従い不発明の詳細な説明する。
（実施例１ ）
ポリカーボネート（以下ＰＣ：三菱ガス化学製ニーピロ
ン）樹脂とポリメチルメタアクリレート（以下ＰＭＭＡ
：必相ガス化学製）樹脂金精密射出成形機により成形し
５．２５インチのディスク基板７得た。この基板にはト
ラッキング案内溝全形成しである。次にこの基板を１五
５６ Ｍｌｌの高周波光化装置ケ使用して、圧力（Ｌ
２ Ｔｏｒｒ、気体Ｈｅと０．（各々別処３！り、亀方
力２５Ｗ条件でプラズマ処理を行なった。処理時間は２
０秒間である。
ン）樹脂とポリメチルメタアクリレート（以下ＰＭＭＡ
：必相ガス化学製）樹脂金精密射出成形機により成形し
５．２５インチのディスク基板７得た。この基板にはト
ラッキング案内溝全形成しである。次にこの基板を１五
５６ Ｍｌｌの高周波光化装置ケ使用して、圧力（Ｌ
２ Ｔｏｒｒ、気体Ｈｅと０．（各々別処３！り、亀方
力２５Ｗ条件でプラズマ処理を行なった。処理時間は２
０秒間である。
処理条件によっては、表面が荒れ透明度が低下したり、
トラッキング案内溝部のコーナーがだれたすして逆ＶＣ
Ｃ／Ｎ比を低下させるため注意が必要である。次に初期
真空度７．５ Ｘ １ （Ｊ−Ｔｏｒｒ 、スパッタカ
ス圧５ ｍ Ｔｏｒｒ ＊ Ｎｔ分圧２０％、電力３０
０Ｗ、 Ａｔターゲット使用の条件で反応スパッタによ
りＩＵＯＬｌλ厚のＡＩＮ ｉＷ電体膜會、上記プラズ
マ処理を行なった基板上に形成した。誘電体膜の形成に
プラズマ処理後１０分以内がこのましい。
トラッキング案内溝部のコーナーがだれたすして逆ＶＣ
Ｃ／Ｎ比を低下させるため注意が必要である。次に初期
真空度７．５ Ｘ １ （Ｊ−Ｔｏｒｒ 、スパッタカ
ス圧５ ｍ Ｔｏｒｒ ＊ Ｎｔ分圧２０％、電力３０
０Ｗ、 Ａｔターゲット使用の条件で反応スパッタによ
りＩＵＯＬｌλ厚のＡＩＮ ｉＷ電体膜會、上記プラズ
マ処理を行なった基板上に形成した。誘電体膜の形成に
プラズマ処理後１０分以内がこのましい。
次に第１表ＶＣボした組成の付会ターゲットを用いて、
初期真空ｆ、 ５ ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ Ａ ｒ
ガス圧５ Ｘ １０−”ＴＯｒｒ＊ ’に力１ｓｕｗ
の条件で厚さ５１ＪＯＡ（７）Ｍ。
初期真空ｆ、 ５ ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ Ａ ｒ
ガス圧５ Ｘ １０−”ＴＯｒｒ＊ ’に力１ｓｕｗ
の条件で厚さ５１ＪＯＡ（７）Ｍ。
膜をスパッタにより形成し之。次に前記と同様にＡＩＮ
の誘電体膜ｆ １０００ Ａ形成し評価用光磁気デ
ィスクとした。
の誘電体膜ｆ １０００ Ａ形成し評価用光磁気デ
ィスクとした。
第１表
この光磁気ディスクの７アラデー効果によるＣ／’Ｍ比
全測定した結果全８２表に示し友。上段の数値は光磁気
ディスクを作った後１日間呈温に於いて放置した後に測
定したものである、下段は記録−再生−消去を５ｏａｏ
ｏ回繰り返した後測定し友ものである。尚周波数ｆｌ
２．５ ＭＨ２である。
全測定した結果全８２表に示し友。上段の数値は光磁気
ディスクを作った後１日間呈温に於いて放置した後に測
定したものである、下段は記録−再生−消去を５ｏａｏ
ｏ回繰り返した後測定し友ものである。尚周波数ｆｌ
２．５ ＭＨ２である。
第２表に示されている様にプラズマ処Ｊｌ！！金行なっ
たものは処理無し品に比べ、耐久試験前に於いてもｑＮ
比は大きく、この差に繰り返し耐久試験を行うとさらに
大きくなっている。この点よりφ比同上及び安定化に対
して基板のプラズマ処埋は大きな効果が有る事が判る。
たものは処理無し品に比べ、耐久試験前に於いてもｑＮ
比は大きく、この差に繰り返し耐久試験を行うとさらに
大きくなっている。この点よりφ比同上及び安定化に対
して基板のプラズマ処埋は大きな効果が有る事が判る。
耐久試験前のＣ／ＺＪ比の回土ｒＪ、射出成形時に基板
表面に集捷った不純物及びオリゴマーがプラズマ処理に
ょジ除去さ几るためと基板の成膜時の絶乾状態から吸湿
する過程に於いて三次元的架橋によＶ膨張を少々＜１．
、ａｏ膜膜歪押押ｆｃ次めと考えら１１．る。又Ｈｓと
０□に差が有’）ＯｘＯ万が効果が高いのはＯ７は反応
性気坏であるためその分層板表面全活性（ラジカル）化
させ易く且つエツチングし易いためと思われる。この他
にＮ、、Ｃｏｇ、Ａｒ気体も使用可能である。
表面に集捷った不純物及びオリゴマーがプラズマ処理に
ょジ除去さ几るためと基板の成膜時の絶乾状態から吸湿
する過程に於いて三次元的架橋によＶ膨張を少々＜１．
、ａｏ膜膜歪押押ｆｃ次めと考えら１１．る。又Ｈｓと
０□に差が有’）ＯｘＯ万が効果が高いのはＯ７は反応
性気坏であるためその分層板表面全活性（ラジカル）化
させ易く且つエツチングし易いためと思われる。この他
にＮ、、Ｃｏｇ、Ａｒ気体も使用可能である。
第２表
次に一２０℃〜５０℃の温度範囲で熱シヨツク試験全行
なった。プラズマ処理全行なっていないものＩｔｌＰＣ
，ＰＭＭＡ共にクラックが発生したが、プラズマ処理を
行なったものはＰＣ，ＰＭＭＡ共にクラックの発生は見
らｎなかった。
なった。プラズマ処理全行なっていないものＩｔｌＰＣ
，ＰＭＭＡ共にクラックが発生したが、プラズマ処理を
行なったものはＰＣ，ＰＭＭＡ共にクラックの発生は見
らｎなかった。
（実権例２）
プラズマ処理法のみ変えその他は実施例１と同様な処理
を行なった。プラズマ処ｊｌｉＩは、Ａｒ−空気ジエツ
トｅ＋用い、アーク電流１５０ＡでＡｒプラズマ全発生
させ空気中にジェット状に放出し、６ｍの距離の基板に
吹きつけた。吹き付は時間なＧ、２秒である。第３表［
Ｃ，Ｘ比の変化を示したが本実施例に於いてもＣＮ比向
上及び安定化の効果が現われている。この処理法は短時
間の処理のため泣産性に優ｎているといえる。しかし品
質の安定性面より見ると実施例１の方法が優れているた
め、基板・誘電体膜・ＭＯ膜の種類、特性に工って使い
分け？行うことがこのましい。
を行なった。プラズマ処ｊｌｉＩは、Ａｒ−空気ジエツ
トｅ＋用い、アーク電流１５０ＡでＡｒプラズマ全発生
させ空気中にジェット状に放出し、６ｍの距離の基板に
吹きつけた。吹き付は時間なＧ、２秒である。第３表［
Ｃ，Ｘ比の変化を示したが本実施例に於いてもＣＮ比向
上及び安定化の効果が現われている。この処理法は短時
間の処理のため泣産性に優ｎているといえる。しかし品
質の安定性面より見ると実施例１の方法が優れているた
め、基板・誘電体膜・ＭＯ膜の種類、特性に工って使い
分け？行うことがこのましい。
第 ５ 表
又この処理法でも熱ショック（−２０℃〜５０℃）５回
によるクラックの発生は見られなかった。以上の光磁気
記録の他に相変態型でも薄膜状の記録媒体であｎば１つ
友く効果は同じでありなんらさしつかえない。
によるクラックの発生は見られなかった。以上の光磁気
記録の他に相変態型でも薄膜状の記録媒体であｎば１つ
友く効果は同じでありなんらさしつかえない。
以上述べた様に本発明によｎば熱町塑性樹脂基板會使っ
てもＣＮ比が高く且つ安矩しｆｃｆｔ、記録媒体を容易
に得る墨が出き優ｎた量産性を持たせる事が出来る。又
耐環境性にも優れ、輸送方法、応用分野の制限が少なく
巾広いＴ５場開拓が出来る。
てもＣＮ比が高く且つ安矩しｆｃｆｔ、記録媒体を容易
に得る墨が出き優ｎた量産性を持たせる事が出来る。又
耐環境性にも優れ、輸送方法、応用分野の制限が少なく
巾広いＴ５場開拓が出来る。
以 上
Claims (1)
- 射出成形法、圧縮成形法などにより得た熱可塑性樹脂基
板の表面層をグロー放電又はアーク放電による気体プラ
ズマを用い処理した後にスパッタ成膜法により光記録媒
体の単層膜又は誘電体膜・反射膜との複合層膜を該基板
の表面層上に形成した事を特徴とした光記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8556286A JPS62241154A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8556286A JPS62241154A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241154A true JPS62241154A (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=13862252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8556286A Pending JPS62241154A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191561A (en) * | 1990-11-26 | 1993-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium including five magnetic layers for direct overriding by light intensity modulation without an external bias field |
| US5353268A (en) * | 1990-08-10 | 1994-10-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system employing a medium having high storage density and direct-overwrite capability as a result of along-track isocoercivity |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP8556286A patent/JPS62241154A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5353268A (en) * | 1990-08-10 | 1994-10-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system employing a medium having high storage density and direct-overwrite capability as a result of along-track isocoercivity |
| US5191561A (en) * | 1990-11-26 | 1993-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium including five magnetic layers for direct overriding by light intensity modulation without an external bias field |
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