JPS63179714A - 光デイスク基板の製造法 - Google Patents

光デイスク基板の製造法

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Publication number
JPS63179714A
JPS63179714A JP1294587A JP1294587A JPS63179714A JP S63179714 A JPS63179714 A JP S63179714A JP 1294587 A JP1294587 A JP 1294587A JP 1294587 A JP1294587 A JP 1294587A JP S63179714 A JPS63179714 A JP S63179714A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
heating
electron rays
resin layer
cured
Prior art date
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Pending
Application number
JP1294587A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohisa Ota
共久 太田
Akihiko Dobashi
明彦 土橋
Toshishige Uehara
寿茂 上原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP1294587A priority Critical patent/JPS63179714A/ja
Publication of JPS63179714A publication Critical patent/JPS63179714A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (&秦上の利用分野) 本発明はディジタルオーディオディスク、ビデオディス
ク、メモリーディスク等の元ディスク基板、特に電子線
硬化型のプラスチック基板の製造法に関する。
(従来の技術) 従来、光デイスクメモリー用のディスク基板としてはポ
リメチルメタクリレートm脂、ポリカーボネート樹脂な
どを使用し、射出成形、射出圧縮成形、押出成形、連続
中ヤスト成形、セルキャスト成形などの方法で得らnて
いる。
これらの方法によって得られたディスク基鈑は残留応力
、極厚精度、耐熱性、生産性など各々得失を持っている
。また、上記成形法で作成した基板を材料面から整理す
ると、ポリメチルメタクリレート樹脂は、吸湿性が大き
いため、反りやすく、かつ耐熱性が低いため、記録層の
ピットの熱安定性が悪いなどの欠点があった。
ポリカーボネート樹脂の場合は、成形時のθを動特性が
悪いため、光学的歪(a屈折)が大きくなり易く、さら
に表面硬度が低いために傷つきやすいなどの欠点を有し
ている。
(発明が解決しようとする問題点り 本発明は従来の成形法で作成したボリメテルメタクリレ
ート樹脂やポリカーボネート樹脂の欠点である吸湿時の
そり、耐熱性不良、複屈折、低表面硬度による傷つきや
すさなどを解決し、寸法安定性など長期に信蛸性の高い
光デイスク基板を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は従来の熱成形するのでな(、電子線を利用した
重付により、樹脂硬化することを基本とする。
即ち、2枚の離形板とスペーサからなる離形NI型を用
い、その鋳型中に電子線硬化型樹脂を注入する。そして
、離形板の上面より電子線を照射することで樹l1Ir
層を硬化させ、その樹脂層f:離形板より剥離する工程
において、樹脂層の温度を100へ200℃になるよう
に加温した状態で電子線照射することt−%徴とする。
本発明のポイントである樹脂層の加熱は電子線の照射前
あるいは照射中におこなうのがよく、加熱方式とじてを
工遠赤外加熱、熱風灯、為周波加熱、抵抗加熱などが挙
げられる。
本発明で用いる離形板としてはガラスがもつとも一般的
に用いられるが、電子線の透過能力より、密度の小さい
アルミ鈑などでも使用可能である。使用する電子線硬化
性樹脂によってはそれらの離形板をシリコーンなどのI
lt型剤を造布したものでもよい。
また離形板の厚さとしては作業性の点からα5mm以上
、電子線遜過性の点から5ma+以下が使用される。
本発明で使用する電子線硬化性樹脂としてはカチオン重
付性のエポキシ樹脂をはじめ、ラジカル重合性のアクリ
ル樹脂などが挙げられる。
特に好fしいのはエポキシ樹脂で具体的にQ工1分子中
にオキシラン環上2個以上有するものであれはよ(、ビ
スフェノールA2!!エポキシWB旨、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタ
ジェンなどが好ましい。
ビスフェノール型エボキ7梢脂としてはエピコート82
8、エピコート834、エピコート836、エピコート
1001、エピコート1004、エピコート1007(
以上、油化シェルエポキシ■!JA)、DER551、
DER332、DER661、DER664、DER6
67(以上、ダウケミカル社製]、アラルダイト260
、アラルダイト280、アラルダイト6071、アラル
ダイト6084、アラルダイト6097(以上、チバガ
イギー社袈)などがめげられる。
ノボラック型エポキシ樹脂としてはエピコート152、
エピコート154(以上、油化シェルエポキシflW製
ン、アラルダイトEPN1138、アラルダイトEPN
1139、アラルダイトECN1235、アラルダイト
ECN1273、アラルダイトECN1280、アラル
ダイ)ECNI 299 (以上、テバガイギー社製)
、DEN431、DEN438(以上、ダウケミカル社
製)などがあげられる。
脂環型エポキシ樹脂としてはCY175、CY177、
CY179、CY184、CY192(以上、チバガイ
ギー社製)などがあげられる。
エポキシ化ポリブタジェンとしてはEPB12B、EP
B27(以上、日本曹達■製〕などがあげられる。
前記各種エポキシ樹脂が単独ま′r:、は混合物として
使用されうる。またそれらエポキシ樹脂の硬化物特性が
者しく低下しない範囲で1官能性エポキシ化付物を使用
することも可能である。
1官能性工ポキシ化合物としては2エニルグリシジルエ
ーテル、t−ブチルフェニルグリ7ジルエーテル、ネオ
ペンチルグリシジルエーテル、p−オキシベンゾイック
アシッドグリ7ジルエステル、m−プロベニルフェニル
クリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートなトラ
あげ5る。
また、前記エポキシ樹脂は通常カチオン重曾し、酸素の
影41を受けないで硬化する。この場合、必須のカチオ
ン1甘開始剤を飽加する。この開始剤としては例えばr
JP1硬化性梱脂Vo1.5宛4P202(1984)
などIc絆細に記載されたもの あげられ、具体的には
アクルジアゾニウム塩、ジアリルハロニウム塩、トリア
リルスルホニウム塩、シラノール/アルミニウムの錯体
などである。
これら開始剤は、エポキシ樹脂100sに対してa1〜
5s範囲であり、英用土光分に電子線硬化する程度に重
加する。
なお、塗工性の点から反応性希釈剤をさらに添加しても
かまわない。
電子線としてはコツクロフトワルト型、パンデケラフ型
、共嶽変圧器型、絶縁コア変圧tF型、直線型、ダイナ
ミドロン型、高周波型等の各複電子線加速機から放出さ
れ、50〜1000Kev、好ましくは100=300
 Keyの範囲のエネルギーを持つ電子線を照射?IN
量が3へ100Mradになるよう用いる。
(作用う 本発明は電子線硬化型樹脂を加温しながら、電子線照射
することにより、重合、硬化する。
一般に電子線によるカチオン冨−1ft工、開始剤の活
性効率が良く、均一に反応が進行する。そこで加温する
と、反応が進行に伴なって、粘度上昇による反応の拡散
律速もなく均一に高速反応すると考えられる・ 従って、硬化物は均一に密な状態で、高Tg化する。
その結果、ディスク基鈑上で間亀となる吸湿性、耐熱性
、複屈折、表面硬度なども解決できたと予想される。
(*施例〉 以下実施例により本発明をさらに6明する。
実施例1〜3、比較例1,2 2枚のガラス叛とスペーサからなるガラス鋳型中にエポ
キシ樹脂100部(商品名エピコート1001)にトリ
フェニルスルホニウムヘキ3部配せしてなる電子線硬化
型樹脂を注入し、その樹脂をヒータで加熱しながら、ガ
ラス依上ヨリ加速電圧500kVのスキャニングタイ7
の電子線照射装置を用い、窒素雰囲気下(酸素濁度30
0卿)、線量として20 Mradの電子−を照射した
。1秒間で樹脂は充分硬化し、雌形後厚さ1.3 mm
、直径20CDIの均一な元ディスク基f2を得た。
実施例としては加熱温度が異なる5禎、比較例としては
加熱せずに電子線硬化したもの及び従来の射出成形法に
よるPMMA(ポリメチルメタクリレート)82の特性
評価結果を表1に!とめて示す。
その時の特性試験法は以下の通りである。
(1)  吸水率:JIS  K6911に準拠し、1
00℃の水中に4時間放置。
(2(耐熱温度:DMA法によるガラス転移温度。
(3)  光学特性二830器の光をあててa屈折率を
求めてレターデー7ツン(屈折率 の差によって生ずる光路差)を測 定。
147  表面硬度:鉛!i硬度。
(発明の効果) 表1に示す結果から明らかなように本発明方法により作
成した元ディスク基板は室温で照射、硬化した鈑に比べ
てTgが鍋く、表面硬度が置nている。また従来の射出
成形法で作成したものに比べて吸水量が低く、レターデ
ー7ヨンも/JSさい。
すなわち、あらゆる環境下での寸法安定性が良好で長期
信頼性を得ることが可能になった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2枚の離型板とスペーサからなる鋳型に、熱硬化性
    樹脂を注入して硬化させたのち離型することからなる光
    ディスク基板の製造法において、熱硬化樹脂として電子
    線硬化型樹脂を用いるとともに、樹脂層の温度が100
    〜200℃になるように加温した状態で電子線照射する
    ことを特徴とする光ディスク基板の製造法。 2、電子線硬化型樹脂がエポキシ樹脂である特許請求の
    範囲第1項記載の光ディスク基板の製造法。
JP1294587A 1987-01-22 1987-01-22 光デイスク基板の製造法 Pending JPS63179714A (ja)

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JPS63179714A true JPS63179714A (ja) 1988-07-23

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ID=11819419

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JP1294587A Pending JPS63179714A (ja) 1987-01-22 1987-01-22 光デイスク基板の製造法

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JP (1) JPS63179714A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5342222A (en) * 1992-06-23 1994-08-30 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Earth end attaching member in a formed protector for a wire harness

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5342222A (en) * 1992-06-23 1994-08-30 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Earth end attaching member in a formed protector for a wire harness

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