JPS63220439A - 光磁気デイスクの製法 - Google Patents
光磁気デイスクの製法Info
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- JPS63220439A JPS63220439A JP5221387A JP5221387A JPS63220439A JP S63220439 A JPS63220439 A JP S63220439A JP 5221387 A JP5221387 A JP 5221387A JP 5221387 A JP5221387 A JP 5221387A JP S63220439 A JPS63220439 A JP S63220439A
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 16
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃａ 要〕
光磁気ディスク用に成型したポリカーボネート基板をポ
リカーボネートのガラス転移点±７℃の温度でアニーリ
ングし、これによって基板の面内方向の複屈折を緩和し
、かつプリグリープの深さを浅くして、光磁気ディスク
のＣ／Ｎを向上させる。
リカーボネートのガラス転移点±７℃の温度でアニーリ
ングし、これによって基板の面内方向の複屈折を緩和し
、かつプリグリープの深さを浅くして、光磁気ディスク
のＣ／Ｎを向上させる。
本発明は、書き換え可能な光磁気ディスク、特にポリカ
ーボネートを基板とするＣ／Ｈの優れた光磁気ディスク
に関する。
ーボネートを基板とするＣ／Ｈの優れた光磁気ディスク
に関する。
光ディスクはレーザー光を用いて高密度の情報記録を行
なうメモリ媒体であり、記録容量が大きく、非接触で記
録と再生を行うことができ、また塵埃の影響を受けない
など優れた特徴をもつ。とりわけ、光磁気記録方式に基
づく光磁気ディスクは書き換え可能な媒体として広い用
途が期待される。
なうメモリ媒体であり、記録容量が大きく、非接触で記
録と再生を行うことができ、また塵埃の影響を受けない
など優れた特徴をもつ。とりわけ、光磁気記録方式に基
づく光磁気ディスクは書き換え可能な媒体として広い用
途が期待される。
光磁気ディスクの信号検出は、記録層の垂直磁界によっ
て、入射光の偏光面を回転させ、その程度に応じて、信
号強度に変換する。第１図に示すように、たとえばＩＩ
ＩＩｌｌｌφのレーザービームをレンズによって、１μ
ｍφまで集光するとき、入射光の角度は最大３０″′程
度となり、斜め方向の入射光は基板によって複屈折され
る影響を大きく受けることになる。第２図（ａ）は、シ
ングルパスにおける、Ｐ波とＳ波との間の遅れと入射角
との関係を、基板の中心からの距離を変えた場合につい
て示す。
て、入射光の偏光面を回転させ、その程度に応じて、信
号強度に変換する。第１図に示すように、たとえばＩＩ
ＩＩｌｌｌφのレーザービームをレンズによって、１μ
ｍφまで集光するとき、入射光の角度は最大３０″′程
度となり、斜め方向の入射光は基板によって複屈折され
る影響を大きく受けることになる。第２図（ａ）は、シ
ングルパスにおける、Ｐ波とＳ波との間の遅れと入射角
との関係を、基板の中心からの距離を変えた場合につい
て示す。
光磁気ディスク用基板の材料は使用するエンジニアリン
グプラスチックとしては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂
、およびポリカーボネートなどが挙げられる。なかでも
ポリカーボネートは、耐衝撃性、耐熱性、耐湿性、寸法
安定性に優れており、耐久性があってしかも価格が安い
利点がある。しかし複屈折が大きいことが、唯一の欠点
とされており、ポリカーボネート基板に、希土類−遷移
元素記録層を成膜して製造した光磁気ディスクは、Ｃ／
Ｎ特性が他のエンジニアリングプラスチックに比べて甚
しく劣る。
グプラスチックとしては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂
、およびポリカーボネートなどが挙げられる。なかでも
ポリカーボネートは、耐衝撃性、耐熱性、耐湿性、寸法
安定性に優れており、耐久性があってしかも価格が安い
利点がある。しかし複屈折が大きいことが、唯一の欠点
とされており、ポリカーボネート基板に、希土類−遷移
元素記録層を成膜して製造した光磁気ディスクは、Ｃ／
Ｎ特性が他のエンジニアリングプラスチックに比べて甚
しく劣る。
ポリカーボネート基板は通常射出成型によって製造する
。射出成型では３５０℃程度に加熱溶融された材料樹脂
が金型内に一気に押し込まれ、１〜２秒のうちに１００
℃程度まで冷却される。この際基板の樹脂が中心から半
径方向に流れるのでこの方向に残留応力が残り、かつ基
板の表面から内部に向かって急な冷却がおこるので残留
応力が生じることがありうる。これらの残留応力によっ
て基板に複屈折が生じ、これが光磁気ディスクにおいて
信号検出の障害となる。すなわち、ポリカポネート基板
を用いた光磁気ディスクでは他の複屈折の小さい基板を
用いた場合と比較してＣ／Ｎが小さい。信号検出の方法
として、シングル光学系を用いるとこれが顕著である。
。射出成型では３５０℃程度に加熱溶融された材料樹脂
が金型内に一気に押し込まれ、１〜２秒のうちに１００
℃程度まで冷却される。この際基板の樹脂が中心から半
径方向に流れるのでこの方向に残留応力が残り、かつ基
板の表面から内部に向かって急な冷却がおこるので残留
応力が生じることがありうる。これらの残留応力によっ
て基板に複屈折が生じ、これが光磁気ディスクにおいて
信号検出の障害となる。すなわち、ポリカポネート基板
を用いた光磁気ディスクでは他の複屈折の小さい基板を
用いた場合と比較してＣ／Ｎが小さい。信号検出の方法
として、シングル光学系を用いるとこれが顕著である。
なおシングル光学系に代えて差動光学系を採用すること
によってＣ／Ｎは明らかに改善されるが、それでもポリ
カーボネート基板上では複屈折の小さい他の基板と同等
のＣ／Ｎを得ることはできない。
によってＣ／Ｎは明らかに改善されるが、それでもポリ
カーボネート基板上では複屈折の小さい他の基板と同等
のＣ／Ｎを得ることはできない。
ポリカーボネートを基板の材料とする光磁気ディスクは
、入射光の複屈折が大きいので、Ｃ／Ｎが小さい。
、入射光の複屈折が大きいので、Ｃ／Ｎが小さい。
上記問題点は光磁気ディスク用に成型したポリカーボネ
ート基板をポリカーボネートのガラス転移点±７℃の温
度でアニーリングする工程を含むことを特徴とする、光
磁気ディスクの製法によって解決することができる。
ート基板をポリカーボネートのガラス転移点±７℃の温
度でアニーリングする工程を含むことを特徴とする、光
磁気ディスクの製法によって解決することができる。
光磁気ディスク用基板のポリカーボネートはガラス転移
点が１３７℃であり、１３７℃±７℃の温度でアニーリ
ングすると、成型時の歪みにもとづく面内方向の複屈折
を軽減し、かつ溝の深さを浅くするので、凹凸の差が少
なくなり反射光が強まり、検出信号のＣ／Ｎを改良する
ことができる。アニーリングは１３０℃より低温では効
果がなく、１４５℃以上ではポリカーボネートが軟化す
るので適当でない。
点が１３７℃であり、１３７℃±７℃の温度でアニーリ
ングすると、成型時の歪みにもとづく面内方向の複屈折
を軽減し、かつ溝の深さを浅くするので、凹凸の差が少
なくなり反射光が強まり、検出信号のＣ／Ｎを改良する
ことができる。アニーリングは１３０℃より低温では効
果がなく、１４５℃以上ではポリカーボネートが軟化す
るので適当でない。
１施炎上
直径１３ｃｍ、厚み１．２ Ｍのポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）基板を射出成型し、この基板に成型したプリグルー
プは溝幅０．６μｍＳ溝深さ０．０７μｍ１ピッチ１．
６μｍであった。これをガラス板上に水平に保って、オ
ーブンに入れ１４０±１’ｃで８時間加熱した。炉内冷
却した後、基板上にスパッタリングによって、第１図に
示すように、窒化けい素膜１１００ｎ、 ＴｂＦｅＣｏ
膜１１００ｎ、窒化けい素膜１１００ｎを順次積層して
、記録膜および保護膜を形成した。
Ｃ）基板を射出成型し、この基板に成型したプリグルー
プは溝幅０．６μｍＳ溝深さ０．０７μｍ１ピッチ１．
６μｍであった。これをガラス板上に水平に保って、オ
ーブンに入れ１４０±１’ｃで８時間加熱した。炉内冷
却した後、基板上にスパッタリングによって、第１図に
示すように、窒化けい素膜１１００ｎ、 ＴｂＦｅＣｏ
膜１１００ｎ、窒化けい素膜１１００ｎを順次積層して
、記録膜および保護膜を形成した。
こうして製造した光磁気ディスクの再生信号のＣ／Ｎを
シングル検出および差動検出によって測定した結果、第
１表に示すように、それぞれ５２ｄＢおよび４９ｄＢで
あった。
シングル検出および差動検出によって測定した結果、第
１表に示すように、それぞれ５２ｄＢおよび４９ｄＢで
あった。
なお、第２図にアニーリングの前後における１回通過の
複屈折によるＰ波とＳ波との間の遅れ（ｎｍ）を、基板
の中心からの距離（ｗａｓ ）に応じて測定した入射角
に対する関係を示す、第２図（Ａ）はアニーリングの前
であり、３０°では遅れが約７０ｎｍであるが、第２図
（Ｂ）のアニーリングの後では約２０ｎｍと減少してい
る。
複屈折によるＰ波とＳ波との間の遅れ（ｎｍ）を、基板
の中心からの距離（ｗａｓ ）に応じて測定した入射角
に対する関係を示す、第２図（Ａ）はアニーリングの前
であり、３０°では遅れが約７０ｎｍであるが、第２図
（Ｂ）のアニーリングの後では約２０ｎｍと減少してい
る。
止較■土
アニーリング処理しないことの他は、実施例１と同様に
して光磁気ディスクを製造し、これについて再生信号の
Ｃ／Ｎをシングル検出および差動検出によって測定した
結果、第１表に示すように、それぞれ３８ｄＢおよび４
４ｄＢであって、複屈折の影響が大きいことを示す。
して光磁気ディスクを製造し、これについて再生信号の
Ｃ／Ｎをシングル検出および差動検出によって測定した
結果、第１表に示すように、それぞれ３８ｄＢおよび４
４ｄＢであって、複屈折の影響が大きいことを示す。
且笠■１
実施例１と同一の金型を用いて成型したポリメチルメタ
アクリレート（ＰＭＭＡ）基板をオーブンで１１０℃に
８時間加熱し、炉冷却した後、窒化ケイ素１１００ｎ、
ＴｂＦｅＣｏ １１００ｎ、窒化ケイ素１１００ｎを
スパッタリングにより積層成膜した。実施例１と同様に
して測定した再生信号は、シングル検出が５２ｄＢ、差
動検出が４９ｄＢであった。
アクリレート（ＰＭＭＡ）基板をオーブンで１１０℃に
８時間加熱し、炉冷却した後、窒化ケイ素１１００ｎ、
ＴｂＦｅＣｏ １１００ｎ、窒化ケイ素１１００ｎを
スパッタリングにより積層成膜した。実施例１と同様に
して測定した再生信号は、シングル検出が５２ｄＢ、差
動検出が４９ｄＢであった。
止較炭主
アニーリングしないことの他は、比較例２と同様にして
ポリメチルメタアクリレート基板の光磁気ディスクを製
造した。再生信号のＣ／Ｎは第１表に示すように、アニ
ーリングしないポリメチルメタアクリレートの比較例２
と同等であった。
ポリメチルメタアクリレート基板の光磁気ディスクを製
造した。再生信号のＣ／Ｎは第１表に示すように、アニ
ーリングしないポリメチルメタアクリレートの比較例２
と同等であった。
第１表
基板 加 熱 Ｃ／Ｎ （シングル）Ｃ／Ｎ（差
動）実施例ｌＰｃ１４０℃、 ８ ｈ ５２ｄＢ
４９ｄＢ比較例Ｉ ＰＣな し ３８
ｄＢ ４４ｄＢ比較例２ ＰＨＭＡ １１
０℃、 ８ ｈ ５２ｄＢ ４９ｄＢ比較
例ａ ＰＭＭＡ な し ５２ｄＢ
４９ｄＢポリカーボネート基板はアニーリング処理
によって光磁気ディスクの再生信号のＣ／Ｎを、シング
ル検出方式の場合＋１４ｄＢ、差動検出方式の場合＋５
ｄＢを向上させ、ポリメタアクリレート基板と同等にす
ることができた。
動）実施例ｌＰｃ１４０℃、 ８ ｈ ５２ｄＢ
４９ｄＢ比較例Ｉ ＰＣな し ３８
ｄＢ ４４ｄＢ比較例２ ＰＨＭＡ １１
０℃、 ８ ｈ ５２ｄＢ ４９ｄＢ比較
例ａ ＰＭＭＡ な し ５２ｄＢ
４９ｄＢポリカーボネート基板はアニーリング処理
によって光磁気ディスクの再生信号のＣ／Ｎを、シング
ル検出方式の場合＋１４ｄＢ、差動検出方式の場合＋５
ｄＢを向上させ、ポリメタアクリレート基板と同等にす
ることができた。
光磁気ディスク用ポリカーボネート基板をアニーリング
して、基板の面内方向の複屈折を低減し、かつ溝形状を
浅溝化することによって、該基板上に製膜した光磁気媒
体の特性を著しく向上させ、実用化の方向を示した。
して、基板の面内方向の複屈折を低減し、かつ溝形状を
浅溝化することによって、該基板上に製膜した光磁気媒
体の特性を著しく向上させ、実用化の方向を示した。
第１図は集光されたレーザー光が入射する光磁気ディス
クの断面図であり、 第２図（Ａ）はアニーリング前、（Ｂ）はアニーリング
後のポリカーボネート基板の入射角に対する、１回通過
の複屈折によるＰ波とＳ波との遅れの関係を、基板の中
心からの距離を変えて測定した結果を示すグラフである
。 １・・・基板、 ２・・・記録膜、３・・・保護
膜、 ４・・・レンズ。
クの断面図であり、 第２図（Ａ）はアニーリング前、（Ｂ）はアニーリング
後のポリカーボネート基板の入射角に対する、１回通過
の複屈折によるＰ波とＳ波との遅れの関係を、基板の中
心からの距離を変えて測定した結果を示すグラフである
。 １・・・基板、 ２・・・記録膜、３・・・保護
膜、 ４・・・レンズ。
Claims (1)
- １、光磁気ディスク用に成型したポリカーボネート基板
を、ポリカーボネートのガラス転移点±７℃の温度でア
ニーリングする工程を含むことを特徴とする、光磁気デ
ィスクの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221387A JPS63220439A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 光磁気デイスクの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221387A JPS63220439A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 光磁気デイスクの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220439A true JPS63220439A (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=12908479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221387A Pending JPS63220439A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 光磁気デイスクの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63220439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159846A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | 光ディスクの製造方法 |
| JPH02101655A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2004105014A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法並びに光磁気記録装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222812A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-09-30 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光デイスク基板の製造法 |
| JPS62262248A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63184943A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP5221387A patent/JPS63220439A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS62222812A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-09-30 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光デイスク基板の製造法 |
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| WO2004105014A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法並びに光磁気記録装置 |
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