JPS6362398B2 - - Google Patents

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JPS6362398B2
JPS6362398B2 JP55027522A JP2752280A JPS6362398B2 JP S6362398 B2 JPS6362398 B2 JP S6362398B2 JP 55027522 A JP55027522 A JP 55027522A JP 2752280 A JP2752280 A JP 2752280A JP S6362398 B2 JPS6362398 B2 JP S6362398B2
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JP
Japan
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conductor
slit
conductor pattern
forming
organic film
Prior art date
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JP55027522A
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English (en)
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JPS56123879A (en
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はフアクシミリ、プリンタ等に装置さ
れる主としてサーマルヘツドに用いる厚膜回路基
板に関するものである。
第1図、第2図、第3図に従来の厚膜回路基板
の例を示す(第1図は傾視図、第2図は上から見
た図、第3図は断面図)。第1図において1はア
ルミナ基板、2はこのアルミナ基板上に熱圧着法
等で圧着される有機皮膜、3は有機皮膜2上にパ
ターン化されたスリツトである。又第2図におい
て、4はアルミナ基板1上にあらかじめ厚膜印刷
により形成された導体パターンである。
なお、同一符号は同一機能のものを示す。
次に従来の厚膜印刷法について説明する。第1
図、第2図においてアルミナ基板1上にスクリー
ンメツシユ等により所定の導体パターン4を形成
する。次に所望のパターンを作成するための選択
的にスリツト3を形成した有機皮膜2を熱圧着法
により圧着し、スリツト3に抵抗ペースト(図示
せず)をスクリーン印刷機等ですり込む。その後
有機皮膜2上の不要の抵抗ペーストを除去してス
リツト3内の抵抗ペーストを焼結し、厚膜回路を
構成する。
なお、この抵抗ペーストの焼結時に上記有機皮
膜2は焼散される。
従来の厚膜印刷法による厚膜回路基板は以上の
ような構成になつているため厚膜の導体パターン
4の厚みの影響があらわれ、第3図に示す如く、
有機皮膜2の表面に凹凸が生じる。このような凹
凸が生ずると、スリツト3に抵抗ペーストをスク
リーン印刷した際、スリツト3の付近に不要な抵
抗ペーストが残留し、燃結した後の抵抗体(図示
せず)のパターンに重大な欠陥をもたらすという
問題があつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、アルミナ基板1上
に圧着される有機皮膜2の表面を均一にするた
め、アルミナ基板1の上の有機皮膜2の凹になり
得る部分にあらかじめ凸部を導体パターンにて形
成し、スリツト3に抵抗ペーストをスクリーン印
刷する際スリツト3の付近に不要な抵抗ペースト
が残留することないようにした厚膜印刷法を堤供
することを目的としている。
以下この発明の一実施例を第4図及び第5図に
基ずいて説明する(第4図は上から見た図、第5
図は断面図)。
図に示す符号のうち、第1図、第2図、第3図
に示すものと同一符号は同一機能のものを示す。
5は導体パターン4とほゞ同じ導体厚を有するラ
ンドである。
この厚膜印刷法は、第4図に示す如くあらかじ
め形成する導体パターン4の他に、スリツト3の
予定領域外周辺にランド5を導体パターン4と同
じ材質により形成する。この上に有機皮膜2を圧
着すると、第5図に示すように、少なくともスリ
ツト3付近の有機皮膜2は従来の導体パターンピ
ツチの凹凸が緩和され、実質的に表面がフラツト
となる。このスリツト3部にスリツト3の予定埋
込幅以上のパターン幅を持つたスクリーンメツシ
ユ等をスクリーン印刷機で抵抗ペースト等を埋込
み、不要部を除去すれば有機皮膜2は従来のもの
よりも表面がフラツトであるため、スリツト3部
のエツヂ等に不要抵抗ペーストが残留するという
ことはなくなる。
この実施例では、ランド5が円形の場合を示し
たが、ランドが回路的に他と絶縁されていれば、
どのような形状で構成しても良く、又数量もいか
ほどでも良い。
以上のようにこの発明によればアルミナ基板上
に圧着する有基皮膜のスリツト部周辺の導体パタ
ーンの付近にランドを設けたのでスリツト部に形
成する抵抗ペーストの埋込みまたスリツト外の不
要部分の除去が容易であり、結果、抵抗体のフア
インパターンを形成できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図は厚膜回路基板の構造
を示す図、第4図、第5はこの発明の一実施例を
示す図である。 1……アルミナ基板、2……有機皮膜、3……
スリツト、4……導体パターン、5……ランド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 絶縁基板上に所定距離だけ隔てて対向する複
    数条からなる導体パターンを形成する工程と、上
    記導体パターンの導体間で上記導体パターンと交
    叉する予定領域の近傍に、上記導体とほぼ同じ厚
    さで、かつ同じ材料にて導体ランドを上記導体パ
    ターンと同時に形成する工程と、上記予定領域に
    対してスリツトを形成すると共に、上記導体パタ
    ーン及び上記導体ランド上に有機皮膜を圧着する
    工程と、上記スリツトに抵抗体を埋め込み、上記
    導体と接触せしめ、しかる後に上記スリツトのエ
    ツヂ部における不要抵抗体を除去する工程と、上
    記抵抗体を焼結する工程とを備えたことを特徴と
    する厚膜回路の製造方法。
JP2752280A 1980-03-04 1980-03-04 Thick film circuit substrate Granted JPS56123879A (en)

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JP2752280A JPS56123879A (en) 1980-03-04 1980-03-04 Thick film circuit substrate

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Publication Number Publication Date
JPS56123879A JPS56123879A (en) 1981-09-29
JPS6362398B2 true JPS6362398B2 (ja) 1988-12-02

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171173A (ja) * 1984-02-15 1985-09-04 Copal Co Ltd サ−マルヘツド
JPS61114862A (ja) * 1984-11-09 1986-06-02 Hitachi Ltd 感熱記録ヘツドの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5522956A (en) * 1978-08-08 1980-02-19 Toshiba Corp Heat sensitive head
JPS5513051B2 (ja) * 1974-06-05 1980-04-05

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5513051U (ja) * 1978-07-11 1980-01-28

Patent Citations (2)

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JPS56123879A (en) 1981-09-29

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