JPS63244900A - 厚膜印刷回路形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 、　　［産業上の利用分野］ この発明は厚膜印刷回路形成方法、特に絶縁基板上に均
一な膜厚の印刷回路と絶縁層を形成することのできる厚
膜印刷回路形成方法に関する。

［従来の技術］ 絶縁基板上に導体パターンを印刷形成して厚膜印刷回路
を形成するには、第６図（ａ）、（ｂ）。

（ｃ）のように、周囲を枠で固定保持されたフォトレジ
スト等の手段により穴明けされたスリット−１４を有す
るスクリーン１１にペースト１２を裁せ、このスクリー
ン１１上において、ゴム等の弾性体から成るペースト押
出し用スキージ（スキージ）１６を移動させると、アル
ミナ等の絶縁基板１８上にペースト１２が付着され所望
の導体パターン２０が形成される。

そして、第７図〜８図のように、従来、下部導体パター
ン２０−１の上に上部導体パターン２゜−２をクロスし
て形成する場合は、第８図（ａ）の絶縁基板１８上に下
部導体パターン２ｏ−１を印刷しく第８図（ｂ））　、
これを乾燥・焼成した後、下部導体パターン２０−１上
にクロスオーバーガラスペーストを印刷して絶縁層２２
を形成し（第８図（ｃ））　、更に、この絶縁層２２の
上に上部導体パターン２０−２を印刷して乾燥・焼成し
ていた（第８図（ｄ））。

［発明が解決しようとする問題点コ 従来の問題点 しかしながら、下部導体パターン２ｏ−１上にクロスオ
ーバーガラス絶縁層２２を形成する場合、下部導体パタ
ーン２０−１がペースト押出し用スキージ１６の進行方
法（第７図の矢印Ａ方向）に対して交叉していると、第
８図（Ｃ）に示されるように、下部導体パターン２０−
１に対しペースト押出し用スキージ１６が接近してくる
側の下部導体パターン２０−１のエツジ付近Ｂにて絶縁
層２２の膜厚が薄くなるという不具合が生じる。

これは、ペースト押出し用スキージ１６に、下部導体パ
ターン２０−１のエツジ部分Ｂにより急に上方向の力が
加わるためであり、従って移動方向下流側のエツジ部分
Ｃでは絶縁層２２の膜厚が薄くなることはない。

このように、エツジ部分Ｂにて絶縁層が薄くなると、絶
縁性が低くなり上部導体パターン２〇−２と下部導体パ
ターン２０−１との間でリーク電流が生じたり、マイグ
レーションが発生するという問題があった。

一方、前記エツジ部分Ｂにて絶縁層が薄くなることを考
慮し、予め膜厚を厚くして印刷することも考えられるが
、この手段によるとクロスオーバー回路形成後に行う抵
抗体ペーストの印刷やハンダペーストの印刷に対して影
響を与え、信頼性の高い抵抗体の形成やハンダ付けによ
る実装が行われにくいと言う間がかあった。

発明の目的 この発明は係る問題点を解決するためになされもので、
上部導体パターンと下部導体パターンとの間に形成され
る絶縁層の膜厚を均一にして絶縁不良の発生を防止し得
る厚膜印刷回路形成方法の提供を目的とする。

［問題点を解決するための手段及び作用］前記目的を達
成するために、本発明は、絶縁基板上に絶縁層を挟んで
その上部と下部に交叉した導体パターンを印刷形成する
厚膜印刷回路形成方法において、前記絶縁基板上に下部
導体パターンを形成するとともに該下部導体パターン近
傍でペースト押出し用スキージの移動方向上流側に前記
下部導体パターンとは電気的に非接触のダミーランドを
形成する第１の工程と、前記ペースト押出し用スキージ
を前記と同方向に移動させて下部導体パターン上に絶縁
層を形成する第２の工程と、該絶縁層上に上部導体パタ
ーンを形成する第３の工程と、を含むことを特徴とする
。

本発明はこのように構成したことにより、下部導体パタ
ーン上に絶縁層を形成する際、下部導体パターンに対し
交叉する方向から接近移動してきたペースト押出し用ス
キージは、まずダミーランドにて上方に持ち上げられ、
その高さを維持したまま進行するが、このときダミーラ
ンドと下部導体パターンとの間隙は接近しているため、
ダミーランド上を通過した後もスキージは降下すること
なくそのまま下部導体パターンに乗り移り、下部導体パ
ターン上に絶縁層が形成される。

このため、下部導体のエツジ部分における絶縁層の膜厚
が薄くなることはなく、均一な膜厚の絶縁層が形成され
る。このため、従来、上部導体と下部導体間に生じ易か
ったリーク電流やマイグレーション等の発生を防止し、
信頼性の高い厚膜印刷回路を得ることができる。

［実施例］ 以下、図面に基づき本発明の好適な実施例を説明する。

第１図には本発明に係る厚膜印刷回路形成方法の好適な
実施例が示されている。

同図において、本発明方法が適用される印刷回路は、絶
縁基板１８上に絶縁層２２を挟んでその上部と下部に導
体パターン２０−１．２０−２が印刷形成される。

本発明の特徴的なことは、絶縁基板上に下部導体パター
ンを形成するとともに該下部導体パターン近傍でペース
ト押出し用スキージの移動方向上流側に前記下部導体パ
ターンとは電気的に非接触のダミーランドを形成する第
１の工程と・前記ペースト押出し用スキージを前記と同
方向に移動させて下部導体パターン上に絶縁層を形成す
る第２の工程と、該絶縁層上に上部導体パターンを形成
する第３の工程と、を含んでいることである。

すなわち、本実施例において、導体パターンは前述した
スクリーン印刷手段により形成され、第１図（ａ）のよ
うに、まず絶縁基板１８上に下部導体パターン２０−１
が形成されるとともに、この下部導体パターン２０−１
の近傍でペースト押出し用スキージ（図示せず）の移動
方向（矢印Ａ）上流側にダミーランド２４−１．２４−
２が導体パターン２０−１と同様の高さに印刷形成され
る。

このようにして形成された下部導体パターン２０−１及
びダミーランド２４は、乾燥された後、炉中で焼成され
る。

前記ダミーランド２４は、下部導体パターン２０−１に
近接しているものの、該下部導体パターン２０−１とは
電気的には非接触状態に配置されている。そして、これ
ら下部導体パターン２０−１とダミーランド２４との間
隙は小さいほど良いが、スクリーン印刷等による場合、
その解像度の観点から２５０μｍ程度とされる。

次に、第１図（ｂ）のように、下部導体パターン２０−
１上にガラスペーストから成る絶縁層２２が印刷形成さ
れる。このとき、ペースト押出し用スキージの移動方向
は前記ダミ−ランド２４形成時と同様のＡ方向とし、本
実施例ではダミーランド２４−１と２４−２との中間に
絶縁層２２が形成され、乾燥された後焼成される。

すなわち、ペースト押出し用スキージがＡ方向に移動し
てきてダミーランド２４に接近すると、スクリーンメツ
シュは左右側に形成されたダミーランド２４−１．２４
−２の２点によって支持され、このためスキージはダミ
ーランド２４の厚みに応じて上方向に持ち上げられる。

この状態でペースト押出し用スキージが更に進行すると
、ダミーランド２４の領域が終了するが、該ダミーラン
ド２４と下部導体パターン２０−１との間隙はほぼ２５
０μｍ程度に接近しているため、スキージは降下するこ
となくそのままの高さを維持して進行し絶縁層が印刷さ
れる。

その結果、第１図（Ｃ）のように、スキージの移動方向
に対し、下部導体パターン２０−１の上流側のエツジ部
分Ｂの膜厚が薄くなることはなく、均一かつ十分な膜厚
が得られることとなる。

次に、第１図（ｄ）のように、絶縁層２２の上部に上部
導体パターン２２−２が前記と同様に印刷形成される。

第２図〜第４図にはそれぞれ他の実施例が示されており
、第２図の実施例によれば、ダミーランド２４が絶縁層
２２自身の直下に配置されている。

すなわち、この場合、ペースト押出用スキージ自身がダ
ミーランド２４を乗り越えて移動すること、となり、こ
れによって前述の実施例と同様の効果が得られる。

第３図には、上部導体パターン１２０ａ、１２０ｂが複
数本近接して形成される場合であって、これらの導体パ
ターン１２０をその両側から挟むようにしてダミーラン
ド２４が形成された実施例が示されている。すなわち、
この実施例ではダミーランド２４−１．２４−２の間隔
を大きくして絶縁１１Ｗ２２の横幅を大きく形成し、こ
れらダミーランド２４−１．２４−２の中間に２本の下
部導体パターン１２０ａ、１２０ｂが形成されている。

第４図には、ダミーランド２４が上部導体パターン２０
−２の直下に形成された実施例が示されている。この実
施例によれば、上部導体パターン２０−２直下の絶縁層
２２は下部導体パターン２０−１上流側に存在するダミ
ーランドによって少なくとも下部導体パターン２０−１
のエツジ部Ｂによってはその膜厚が薄くなることはなく
、信頼性が保障される。

以上の各実施例において、上部導体パターン及び下部導
体パターン２０はいずれも焼成後の膜厚を１０μｍ以上
とすることが好ましく、従つてダミーランド２４の膜厚
も１０μｍ以上とすることが好ましい。また、絶縁層２
２の膜厚は絶縁性確保の点から４０μｍ以上とすること
が好ましい。

以上説明したように、本発明の実施例によれば、従来、
ペースト押出用スキージの移動方向上流側の下部導体パ
ターンエツジ部分にみられたように、膜厚が部分的に薄
くなることはなく、また、信頼性を保障するに足りる十
分な膜厚を得ることが可能となる。更に、ダミーランド
は下部導体パターンとは絶縁された状態で形成されてい
るため、ダミーランドを形成したことによる新たな電気
的な不良、例えばリークやマイグレーション等の発生の
恐れがない。

これに対し、例えば第５図のように、下部導体パターン
２０−１と電気的に接触した状態のダミーランド２４−
１．２４−２を形成した場合、ダミーランド２４の上流
側の絶縁層２２が薄くなっているため、該ダミーランド
２４と上部導体２０−２間でリークやマイグレーション
等の電気的トラブルが発生しやすいことになる。

なお、本実施例では下部導体パターン２０−１とダミー
ランド２４とを同時に印刷形成する場合について述べた
が、工数の増加を無視するならばダミーランド２４と下
部導体パターン２０−１とは別々の工程で印刷形成して
もよく、またその順序はどちらが先であっても構わない
。更に、ダミーランドはその幅と長さがいずれも１ｍｍ
以上であることが望ましいがその形状は多角形や円形や
楕円形等であってもよい。

［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、下部導体パターン近傍
で、ペースト押出し用スキージの移動方向上流側に該下
部導体パターンとは電気的に非接触のダミーランドを形
成する工程を含んだことにより、中間絶縁層の膜厚を均
一にして上部及び下部導体パターン間の絶縁不良を有効
に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る厚膜印刷回路形成方法の工程説明
図、 第２図〜第５図は他の実施例を示す図、第６図はスクリ
ーン印刷手段により回路パターンを形成する場合の説明
図、 第７図〜第８図は従来の厚膜印刷回路形成方法の説明図
である。 １０　・・・　スクリーン １２　・・・　ペースト １６　・・・　ペースト押出し用スキージ１８　・・・
　絶縁基板 ２０−１　・・・　下部導体パターン ２０−２　・・・　上部導体パターン ２２　・・・　絶縁層 ２４　・・・　ダミーランド。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に絶縁層を挟んでその上部と下部に交
   叉した導体パターンを印刷形成する厚膜印刷回路形成方
   法において、前記絶縁基板上に下部導体パターンを形成
   するとともに該下部導体パターン近傍でペースト押出し
   用スキージの移動方向上流側に前記下部導体パターンと
   は電気的に非接触のダミーランドを形成する第１の工程
   と、前記ペースト押出し用スキージを前記と同方向に移
   動させて下部導体パターン上に絶縁層を形成する第２の
   工程と、該絶縁層上に上部導体パターンを形成する第３
   の工程と、を含むことを特徴とする厚膜印刷回路形成方
   法。