JPS6358901B2 - - Google Patents
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- JPS6358901B2 JPS6358901B2 JP54158654A JP15865479A JPS6358901B2 JP S6358901 B2 JPS6358901 B2 JP S6358901B2 JP 54158654 A JP54158654 A JP 54158654A JP 15865479 A JP15865479 A JP 15865479A JP S6358901 B2 JPS6358901 B2 JP S6358901B2
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- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルフアス磁性合金にかかり、特に
Co基本アモルフアス磁性合金にPd（パラジウム）
を添加含有させることにより、磁歪（λs）がほぼ
０で、飽和磁化（σs）が高くて、しかも結晶化温
度（Tx）の高い新規な高透磁率アモルフアス磁
性合金を提供しようとするものである。さらに詳
しくはCoSiRアモルフアス合金あるいは
CoFeSiBアモルフアス合金においてそのCoをMn
置換した合金に、さらにPdを含ませるとTxをあ
まり低下させないでλsを負方向にもたらす効果が
認められ、しかも前記効果を示す元素のなかでは
Pdが最もσsの低下の少ない元素であることを発
見したことにもとづいてなされたものである。
Co基本アモルフアス磁性合金にPd（パラジウム）
を添加含有させることにより、磁歪（λs）がほぼ
０で、飽和磁化（σs）が高くて、しかも結晶化温
度（Tx）の高い新規な高透磁率アモルフアス磁
性合金を提供しようとするものである。さらに詳
しくはCoSiRアモルフアス合金あるいは
CoFeSiBアモルフアス合金においてそのCoをMn
置換した合金に、さらにPdを含ませるとTxをあ
まり低下させないでλsを負方向にもたらす効果が
認められ、しかも前記効果を示す元素のなかでは
Pdが最もσsの低下の少ない元素であることを発
見したことにもとづいてなされたものである。
たとえばアモルフアス合金をヘツド磁心材料と
して応用する際、要求される主な特性は記録密度
の向上と、高い保磁力を有する記録媒体の開発に
対処してアモルフアス合金のσsを高めることであ
る。さらにはアモルフアス合金のTxが高いこと、
好ましくはTxがキユリー温度（Tc）よりも高い
こと、そしてλsがほぼ０であることの条件を満さ
なければならない。
して応用する際、要求される主な特性は記録密度
の向上と、高い保磁力を有する記録媒体の開発に
対処してアモルフアス合金のσsを高めることであ
る。さらにはアモルフアス合金のTxが高いこと、
好ましくはTxがキユリー温度（Tc）よりも高い
こと、そしてλsがほぼ０であることの条件を満さ
なければならない。
従来、超急冷アモルフアス磁性合金においては
鉄族遷移元素（Fe.Co.Ni）と半金属（B.C.Siな
ど）の比が７：３から８：２までの範囲内の組成
がアモルフアスになり得る領域とされている。例
えば（Co−Fe−Mn）100-x（Si―Ｂ）x合金系では
20≦ｘ≦30でアモルフアスとなる事が実験でわか
つた。ただしSi.B等の比率はあまり問題ではない
が安定に非晶質化するにはＢを５原子％以上とし
なけらばならない。
鉄族遷移元素（Fe.Co.Ni）と半金属（B.C.Siな
ど）の比が７：３から８：２までの範囲内の組成
がアモルフアスになり得る領域とされている。例
えば（Co−Fe−Mn）100-x（Si―Ｂ）x合金系では
20≦ｘ≦30でアモルフアスとなる事が実験でわか
つた。ただしSi.B等の比率はあまり問題ではない
が安定に非晶質化するにはＢを５原子％以上とし
なけらばならない。
このFe族遷移金属と半金属との比を高めると、
通常は磁化を高めることはできても、Txをいち
じるしく低下させるため、Tx＜Tcになる。さら
に同一比のもとでもFe族遷移金属元素のうちλs
＜０にするものはCoのみであるから、磁化は比
較的低いものである。すなわち、Coを基本にし
たものは作製が容易であるだけでなく、特にCo
―Si―Ｂ合金はλsが負であるという特徴がある。
この合金のCoの一部をFeで置換していくとλsは
正方向に変化し、ほぼFeの５原子％近傍でλsを
ほぼ０とすることができることも周知のことであ
る。またλsに関しては経験則ではあるがσsとの間
に、ほぼ λs∞σ2 s ……(1) なる関係があるとされている。前記CoFeSiBア
モルフアス合金においても定性的にその関係を満
足している。
通常は磁化を高めることはできても、Txをいち
じるしく低下させるため、Tx＜Tcになる。さら
に同一比のもとでもFe族遷移金属元素のうちλs
＜０にするものはCoのみであるから、磁化は比
較的低いものである。すなわち、Coを基本にし
たものは作製が容易であるだけでなく、特にCo
―Si―Ｂ合金はλsが負であるという特徴がある。
この合金のCoの一部をFeで置換していくとλsは
正方向に変化し、ほぼFeの５原子％近傍でλsを
ほぼ０とすることができることも周知のことであ
る。またλsに関しては経験則ではあるがσsとの間
に、ほぼ λs∞σ2 s ……(1) なる関係があるとされている。前記CoFeSiBア
モルフアス合金においても定性的にその関係を満
足している。
つまり現在のところ、λsがほぼ０である組成と
してCoのほぼ５原子％をFe置換したCoFeSiB合
金は高透磁率アモルフアス磁性合金の典型的なも
のである。しかしながら、前述したごとく高密度
記録化にともない、さらにσsの高いアモルフアス
合金が要求されているのが現状である。発明者ら
は先にCo―Si―Ｂアモルフアス合金を基本とし
てCoの一部分をMnで置換することにより、Tx
を著しく高め得る効果のあることを見出し、かつ
室温における磁化は置換量とともに増加し、極大
をつくることも見出した。これらの発明により
Mn添加量が６原子％のとき、磁化を減少させる
ことなくTxを高め、Tx＞Tcの条件をも満たす
ことができた。しかしながら、Mn置換効果はλs
をやや正方向に変化させてしまう。
してCoのほぼ５原子％をFe置換したCoFeSiB合
金は高透磁率アモルフアス磁性合金の典型的なも
のである。しかしながら、前述したごとく高密度
記録化にともない、さらにσsの高いアモルフアス
合金が要求されているのが現状である。発明者ら
は先にCo―Si―Ｂアモルフアス合金を基本とし
てCoの一部分をMnで置換することにより、Tx
を著しく高め得る効果のあることを見出し、かつ
室温における磁化は置換量とともに増加し、極大
をつくることも見出した。これらの発明により
Mn添加量が６原子％のとき、磁化を減少させる
ことなくTxを高め、Tx＞Tcの条件をも満たす
ことができた。しかしながら、Mn置換効果はλs
をやや正方向に変化させてしまう。
そこで、発明者らは前記合金を基本としてλsを
負方向へ制御できる元素について詳細に研究した
結果、PdがTxをあまり低下させずにTx＞Tcな
る関係を満たし、しかもσsをあまり減少させない
でλsを負方向へ制御することのできる元素である
ことを発見した。
負方向へ制御できる元素について詳細に研究した
結果、PdがTxをあまり低下させずにTx＞Tcな
る関係を満たし、しかもσsをあまり減少させない
でλsを負方向へ制御することのできる元素である
ことを発見した。
又前述したようにFeはλを正に変化させ、Co
―Fe―Si―Ｂ系ではFeが５原子％近傍で零とな
るが、Co―Fe―Mn―Si―Ｂ系においては上述し
たようにMnもλを正に変化させるため、本発明
の（Co1-zFez）97-xMn6-yPdy（Si−Ｂ）x系合金にお
いては０＜ｚ≦0.05とする事がλの小さい合金を
得るために必要である。
―Fe―Si―Ｂ系ではFeが５原子％近傍で零とな
るが、Co―Fe―Mn―Si―Ｂ系においては上述し
たようにMnもλを正に変化させるため、本発明
の（Co1-zFez）97-xMn6-yPdy（Si−Ｂ）x系合金にお
いては０＜ｚ≦0.05とする事がλの小さい合金を
得るために必要である。
本発明はこの結果にもとづくものであり、第１
図および第２図は（Co0.954Fe0.046）72Mn6-xPdx
Si11B11におけるPd置換効果を代表させて示して
いる。
図および第２図は（Co0.954Fe0.046）72Mn6-xPdx
Si11B11におけるPd置換効果を代表させて示して
いる。
第１図から明らかなように、Pd置換量が多く
なるにしたがつて、λsが単調に負方向へ変化す
る。一方、第２図から明らかなように、Pd置換
量が多くなると、σsとTxが低下し、逆にTcが上
昇する。これから、λsについての効果はPdが0.1
％以上のときに明らかに認められる。そして、そ
れが3.5％を越えると、σsが急激に低下し、しか
もTx＜Tcとなり、その差が大きくなるので、通
常の磁気アニーリングによつて透磁率を高めるこ
とができない。したがつて、実用という観点から
Pd量は0.1〜3.5％の範囲内であることが望まし
い。
なるにしたがつて、λsが単調に負方向へ変化す
る。一方、第２図から明らかなように、Pd置換
量が多くなると、σsとTxが低下し、逆にTcが上
昇する。これから、λsについての効果はPdが0.1
％以上のときに明らかに認められる。そして、そ
れが3.5％を越えると、σsが急激に低下し、しか
もTx＜Tcとなり、その差が大きくなるので、通
常の磁気アニーリングによつて透磁率を高めるこ
とができない。したがつて、実用という観点から
Pd量は0.1〜3.5％の範囲内であることが望まし
い。
以上の事により（Co1-ZFez）94-xMn6-yPdy（Si
−Ｂ）xある組成で望ましい特性を有するアモルフ
アス合金が得ることがわかつた。ただし 20≦ｘ≦30，0.1≦ｙ≦3.5，０＜ｚ≦0.05 でかつＢを５原子％以上含む事とする。
−Ｂ）xある組成で望ましい特性を有するアモルフ
アス合金が得ることがわかつた。ただし 20≦ｘ≦30，0.1≦ｙ≦3.5，０＜ｚ≦0.05 でかつＢを５原子％以上含む事とする。
以下、本発明の実施例およびその比較例をあげ
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
〔実施例 １〕
（Co0.54Fe0.046）72Mn5PdSi11B11なる組成の母
合金を高周波誘導加熱により原料を溶解して得
た。これをいわゆる片ロール法と呼ばれる超急冷
方式により、前記母合金の溶融体を石英ノズルか
ら直径30cmの回転体の表面へ噴出させて、20mm
幅．40μｍ厚のアモルフアスリボンを得た。なお
アモルフアス相の同定はＸ線回折によつた。Tx
はDTA（示差熱分析）で、Tcは磁気天秤で、ま
たσs（室温）は振動試料型磁力計でそれぞれ求め
た。なおλsはアモルフアスリボンから直径８mmの
円板をストレインゲージ方法で決定した。
合金を高周波誘導加熱により原料を溶解して得
た。これをいわゆる片ロール法と呼ばれる超急冷
方式により、前記母合金の溶融体を石英ノズルか
ら直径30cmの回転体の表面へ噴出させて、20mm
幅．40μｍ厚のアモルフアスリボンを得た。なお
アモルフアス相の同定はＸ線回折によつた。Tx
はDTA（示差熱分析）で、Tcは磁気天秤で、ま
たσs（室温）は振動試料型磁力計でそれぞれ求め
た。なおλsはアモルフアスリボンから直径８mmの
円板をストレインゲージ方法で決定した。
結果は次の通りである。
σs＝96.2（emu／ｇ）
Tx＝466（℃）
Tc＝430（℃）
λs＝＋1.7×10-6
〔実施例 ２〕
（Co0.954Fe0.046）72Mn4Pd2Si11B11アモルフアス
合金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性
は次の通りである。
合金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性
は次の通りである。
σs＝95.0（emu／ｇ）
Tx＝461（℃）
Tc＝438（℃）
λs＝＋1.5×10-6
〔実施例 ３〕
（Co0.954Fe0.046）72Mn3Pd3Si11B11アモルフアス
合金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性
は次のとおりである。
合金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性
は次のとおりである。
σs＝93.0（emu／ｇ）
Tx＝450（℃）
Tc＝444（℃）
λs＝＋1.4×10-6
〔比較例 １〕
（Co0.954Fe0.046）72Mn6Si11B11アモルフアス合
金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性は
次のとおりである。
金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性は
次のとおりである。
σs＝96.8（emu／ｇ）
Tx＝466（℃）
Tc＝423（℃）
λs＝＋２×10-6
〔比較例 ２〕
（Co0.954Fe0.046）72Mn2Pd4Si11B11アモルフアス
合金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性
は次のとおりである。
合金を実施例１と同じ手順で作製した。その特性
は次のとおりである。
σs＝88.0（emu／ｇ）
Tx＝429（℃）
Tc＝450（℃） 外そう値
λs＝＋1.3×10-6
以上説明したように、本発明はCo―Fe―Mn―
Si―Ｂ系アモルフアス磁性合金にPdを合計量に
対する原子百分率で0.1〜3.5％添加させたもの
で、これによりσs．Tx.Tcの緩やかに変化に対し
てλsを負方向に変化させ、より低下させることが
できる。このPdの添加効果がCo―Fe―Mn―Si
―Ｂ系アモルフアス磁性合金の特定の組成比のも
のに対してのみ認められるものでなく、他の組成
比の合金においても認められることは言うまでも
ない。
Si―Ｂ系アモルフアス磁性合金にPdを合計量に
対する原子百分率で0.1〜3.5％添加させたもの
で、これによりσs．Tx.Tcの緩やかに変化に対し
てλsを負方向に変化させ、より低下させることが
できる。このPdの添加効果がCo―Fe―Mn―Si
―Ｂ系アモルフアス磁性合金の特定の組成比のも
のに対してのみ認められるものでなく、他の組成
比の合金においても認められることは言うまでも
ない。
第１図および第２図はそれぞれ本発明にかかる
アモルフアス磁性合金のPd置換量と諸特性との
関係を示す曲線図である。
アモルフアス磁性合金のPd置換量と諸特性との
関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原子組成パーセントで （Co1-zFez）94-xMn6-yPdy（Si−Ｂ）xであらわさ
れるアモルフアス磁性合金。 （ただし20≦ｘ≦30，0.1≦ｙ≦3.5，０＜ｚ≦
0.05でかつＢを５原子％以上含む事とする。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865479A JPS5681652A (en) | 1979-12-05 | 1979-12-05 | Amorphous magnetic alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865479A JPS5681652A (en) | 1979-12-05 | 1979-12-05 | Amorphous magnetic alloy |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5681652A JPS5681652A (en) | 1981-07-03 |
| JPS6358901B2 true JPS6358901B2 (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=15676425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15865479A Granted JPS5681652A (en) | 1979-12-05 | 1979-12-05 | Amorphous magnetic alloy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5681652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03111204U (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-14 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587805A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-17 | Toshiba Corp | 磁気ヘツド用非晶質合金 |
-
1979
- 1979-12-05 JP JP15865479A patent/JPS5681652A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03111204U (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5681652A (en) | 1981-07-03 |
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