JPS6356649A - 蛍光性光硬化膜 - Google Patents
蛍光性光硬化膜Info
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- JPS6356649A JPS6356649A JP20015086A JP20015086A JPS6356649A JP S6356649 A JPS6356649 A JP S6356649A JP 20015086 A JP20015086 A JP 20015086A JP 20015086 A JP20015086 A JP 20015086A JP S6356649 A JPS6356649 A JP S6356649A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
光硬化物はレリーフ画像の作製において有用な手段を提
供している。すなわち、各種パターンマスクを通して光
を照射することにより、光硬化物は照射面が架橋反応、
重合反応等により、溶解性、密着性などが変化し、未照
射面とのこれらの差を利用して［現像Ｊが行われ、基板
上にレリーフ像を形成することができる。更に、これら
のレリーフ像を保護被膜として基板に対するエツチング
、メッキ等の処理が施される。本発明はこの現像が完全
に行われたか、否かを判定するために有用でかつ、硬化
速度が速い蛍光性光硬化膜に関するものである。
供している。すなわち、各種パターンマスクを通して光
を照射することにより、光硬化物は照射面が架橋反応、
重合反応等により、溶解性、密着性などが変化し、未照
射面とのこれらの差を利用して［現像Ｊが行われ、基板
上にレリーフ像を形成することができる。更に、これら
のレリーフ像を保護被膜として基板に対するエツチング
、メッキ等の処理が施される。本発明はこの現像が完全
に行われたか、否かを判定するために有用でかつ、硬化
速度が速い蛍光性光硬化膜に関するものである。
（先行技術）
従来、完全に現像されたか、否かは、目視検査、または
蛍光検出外観検査機によって行われている。しかし、極
めて薄い残膜は目視検査によって検出することは不可能
である。また蛍光を有する、極めて薄い残膜は蛍光検出
外観検査機によって検出できるが、蛍光剤を有する紫外
線硬化膜では硬化速度が低下し、短時間の露光でエツチ
ング、メッキに充分耐える硬化膜が得られなかった。
蛍光検出外観検査機によって行われている。しかし、極
めて薄い残膜は目視検査によって検出することは不可能
である。また蛍光を有する、極めて薄い残膜は蛍光検出
外観検査機によって検出できるが、蛍光剤を有する紫外
線硬化膜では硬化速度が低下し、短時間の露光でエツチ
ング、メッキに充分耐える硬化膜が得られなかった。
（発明の目的）
本発明は、このような現像工程の不良によって生ずる薄
い残膜を検出するために有用でかつ、硬化速度が速い蛍
光性光硬化膜を提供するものである。
い残膜を検出するために有用でかつ、硬化速度が速い蛍
光性光硬化膜を提供するものである。
（発明の構成）
すなわち本発明は、
主として、蛍光物質を含む光硬化膜に於て、光硬化膜に
含まれる蛍光物質の濃度が光硬化膜の−表面とその裏面
とで濃度差を有することを特徴とする蛍光性光硬化膜に
関するものである。
含まれる蛍光物質の濃度が光硬化膜の−表面とその裏面
とで濃度差を有することを特徴とする蛍光性光硬化膜に
関するものである。
蛍光物質を含む光硬化膜に於て、蛍光成分は光硬化に使
用される光エネルギーの一部を吸収するため硬化速度が
低下するが１．基板に接する側に蛍光物質、または蛍光
性化学構造を含有させるか、または少なくともその反対
側よりも高濃度に蛍光物質を含有させることによって、
光硬化膜に蛍光物質を均一に分散させるか、または基板
に接する側よりもその反対側に蛍光物質の濃度を高くし
たものよりも、露光時に於て活性光による硬化特性を向
上させることができ、かつ薄い残膜部分の蛍光物質の濃
度を高めることができることを見出し本発明を完成させ
た。
用される光エネルギーの一部を吸収するため硬化速度が
低下するが１．基板に接する側に蛍光物質、または蛍光
性化学構造を含有させるか、または少なくともその反対
側よりも高濃度に蛍光物質を含有させることによって、
光硬化膜に蛍光物質を均一に分散させるか、または基板
に接する側よりもその反対側に蛍光物質の濃度を高くし
たものよりも、露光時に於て活性光による硬化特性を向
上させることができ、かつ薄い残膜部分の蛍光物質の濃
度を高めることができることを見出し本発明を完成させ
た。
更に本発明の内容を詳細に説明する。
本発明に用いられる蛍光物質は、ビスオキサゾール系、
ベンズオキサゾール系、クマリン系、ピラゾリン系など
であり、Ｃ，１，Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈ
ｔｅｎｉｎｇＡｇｅｎｔ １６２．同９１．同１１２．
同１２１．同１７２゜７−アミノ−４−メチルクマリン
、７−ジメチルアミノ−４−メチルクマリン、７−ジエ
チルアミノ−４−メチルクマリン、７−アミノ−３−フ
ェニルクマリン、などを挙げることができる。これらは
、光硬化物に混合するか、または光硬化成分に化学的に
結合させることもできる。尚、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
ベンズオキサゾール系、クマリン系、ピラゾリン系など
であり、Ｃ，１，Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈ
ｔｅｎｉｎｇＡｇｅｎｔ １６２．同９１．同１１２．
同１２１．同１７２゜７−アミノ−４−メチルクマリン
、７−ジメチルアミノ−４−メチルクマリン、７−ジエ
チルアミノ−４−メチルクマリン、７−アミノ−３−フ
ェニルクマリン、などを挙げることができる。これらは
、光硬化物に混合するか、または光硬化成分に化学的に
結合させることもできる。尚、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
光硬化物は、ケイ皮酸系、スチルバゾール系、ジ。
アゾ系、光重合系などの樹脂、または組成物を挙げるこ
とができる。もちろん、これらの一部が蛍光性を有する
構造であっても良い。本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
とができる。もちろん、これらの一部が蛍光性を有する
構造であっても良い。本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
蛍光物質を含む光硬化膜は、上記に挙げた蛍光物質を溶
剤に溶かし、光硬化物に加え以下の方法によって得るこ
とができる。
剤に溶かし、光硬化物に加え以下の方法によって得るこ
とができる。
本発明の蛍光性光硬化膜は、例えば蛍光成分を含有する
、またはしない光硬化物の感光層を離型フィルム上にお
のおのキャスティングし、貼り合わせる方法によって得
ることができる。
、またはしない光硬化物の感光層を離型フィルム上にお
のおのキャスティングし、貼り合わせる方法によって得
ることができる。
あるいは、蛍光成分を含有しない光硬化物の感光層を離
型フィルム上にキャスティングし、次に蛍光成分を含有
する第２の離型フィルムを積層し、蛍光成分を感光層に
ブリードさせても良い。
型フィルム上にキャスティングし、次に蛍光成分を含有
する第２の離型フィルムを積層し、蛍光成分を感光層に
ブリードさせても良い。
本発明の光硬化膜は、製造方法によりなんら制約を受け
るものではない。
るものではない。
（発明の効果）
本発明により硬化効率を向上させると同時に、現像不良
の検査が効率よく行われ製品の歩留まり向上に寄与する
ことができる。
の検査が効率よく行われ製品の歩留まり向上に寄与する
ことができる。
（実施例）
次に本発明を実施例により、具体的に説明する。
尚、本発明は実施例になんら制約されるものではない。
実施例 Ｉ
Ａ液
ポリメタクリル酸メチル ５０ｇトリメチロ
ールプロパン トリアクリレート １５８テトラエチ
レングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇ７−シメチルアミノー４−メチ
ルクマリン ０．２ｇメチルエチルケトン
１００ｇＢ液 ポリメタクリル酸メチル ５０ｇトリメチロ
ールプロパン トリアクリレート ゛ １５ｇテトラエ
・チレングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇメチルエチルケトン
１００ｇＡｉｆｆｌ ヲ厚み２５ｐｍのポリエチ
レングリコールテレフタレート（以下、ＰＥＴと呼ぶ）
フィルム支持体上に塗布し、乾燥させ５ｐｍの感光性フ
ィルムを得た。
ールプロパン トリアクリレート １５８テトラエチ
レングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇ７−シメチルアミノー４−メチ
ルクマリン ０．２ｇメチルエチルケトン
１００ｇＢ液 ポリメタクリル酸メチル ５０ｇトリメチロ
ールプロパン トリアクリレート ゛ １５ｇテトラエ
・チレングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇメチルエチルケトン
１００ｇＡｉｆｆｌ ヲ厚み２５ｐｍのポリエチ
レングリコールテレフタレート（以下、ＰＥＴと呼ぶ）
フィルム支持体上に塗布し、乾燥させ５ｐｍの感光性フ
ィルムを得た。
Ｂ液を同様に塗布し、乾燥させ４５ｐｍの感光性フィル
ムを得た。
ムを得た。
次に、Ａ液から得た５ｐｍの感光性フィルムとＢ液がら
得た４５ｐｍの感光性フィルムをゴムローラーによって
積層し５０ｐｍの蛍光性光硬化膜を得た。
得た４５ｐｍの感光性フィルムをゴムローラーによって
積層し５０ｐｍの蛍光性光硬化膜を得た。
そして、ＡＮ側のＰＥＴフィルムを剥がし１００°Ｃに
加熱したゴムローラーによって予め研磨を施した銅張り
積層板上に積層した。次に、ライン／スペース＝ １１
００ｐ／１１００ｐのパターンマスクを重ねて超高圧水
銀灯で５０ｃｍの距離から２０秒間照射した。そして、
ＰＥＴフィルムを剥がし１，１．１−’）リクロロエタ
ンで現像したが、この時、現像途中で取り出したものと
、完全に現像を完了させた２種のサンプルを作製した。
加熱したゴムローラーによって予め研磨を施した銅張り
積層板上に積層した。次に、ライン／スペース＝ １１
００ｐ／１１００ｐのパターンマスクを重ねて超高圧水
銀灯で５０ｃｍの距離から２０秒間照射した。そして、
ＰＥＴフィルムを剥がし１，１．１−’）リクロロエタ
ンで現像したが、この時、現像途中で取り出したものと
、完全に現像を完了させた２種のサンプルを作製した。
この両者を拡大鏡により観察したが、現像不足による薄
膜を検出することができなかった。
膜を検出することができなかった。
次に薄層クロマトグラフのスポット検出用の紫外線ラン
プを用いてサンプルに紫外線を照射したところ、完全に
現像を行ったサンプルは、レリーフ像のみが蛍光を発し
たが、現像不足のサンプルではレリーフ像以外の部分も
蛍光を発し残膜が存在することが判った。
プを用いてサンプルに紫外線を照射したところ、完全に
現像を行ったサンプルは、レリーフ像のみが蛍光を発し
たが、現像不足のサンプルではレリーフ像以外の部分も
蛍光を発し残膜が存在することが判った。
次に、このサンプルをアルカリエッチャントでエツチン
グすると、レリーフ１象以外から蛍光を発した部分は、
エツチングが不完全か、または全くエツチングされてい
なかった。
グすると、レリーフ１象以外から蛍光を発した部分は、
エツチングが不完全か、または全くエツチングされてい
なかった。
実施例 ２
以下の成分を混合して蛍光性光硬化組成物と光硬化組成
物を得た。
物を得た。
Ｃ液
メクリル酸−メタクリル酸メチル
一アクリル酸ｎ−ブチル（２０／６０／２０ｗｔ％）共
重合体 ５０ｇ トリメチロールプロパン トリアクリレート１５ｇ テトラエチレングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇ７−シメチルアミンー４−メ
チルクマリン ０．２ｇメチルエチルケトン
７０ｇテトラヒドロ７ラン
３０ｇＤ液 メクリル酸−メタクリル酸メチル 一アクリル酸ｎ−ブチル（２０／６０／２０ｗｔ％）共
重合体 ５０ｇ トリメチロールプロパン トリアクリレート ／” １５ｇテトラ
エチレングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇメチルエチルケトン
７０ｇテトラヒドロフラン ３
０ｇこれを実施例 １と同様にしてＣ＞ｍよりｊプみ５
ｐｍの感光性フィルムを、ＤＩより厚み４５）１ｒｎの
感光性フィルム得た。同様にＣ液から得た５ｐｍの感光
性フィルムとＤＩから得た４５ｐｍの感光性フィルムを
ゴムローラーによって積層し５０μｍの蛍光性光硬化膜
を得た。実施例 １と同様にして銅張り積層板上に積層
し超高圧水銀灯で照射したのち、３０°Ｃの１％炭酸ナ
トリウム水溶液で現像し、現像途中で取り出したものと
、完全に現像を完了させた２種のサンプルを作製した。
重合体 ５０ｇ トリメチロールプロパン トリアクリレート１５ｇ テトラエチレングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇ７−シメチルアミンー４−メ
チルクマリン ０．２ｇメチルエチルケトン
７０ｇテトラヒドロ７ラン
３０ｇＤ液 メクリル酸−メタクリル酸メチル 一アクリル酸ｎ−ブチル（２０／６０／２０ｗｔ％）共
重合体 ５０ｇ トリメチロールプロパン トリアクリレート ／” １５ｇテトラ
エチレングリコール ジアクリレート １５ｇベンゾフェ
ノン ３ｇミヒラーケトン
０．３ｇメチルエチルケトン
７０ｇテトラヒドロフラン ３
０ｇこれを実施例 １と同様にしてＣ＞ｍよりｊプみ５
ｐｍの感光性フィルムを、ＤＩより厚み４５）１ｒｎの
感光性フィルム得た。同様にＣ液から得た５ｐｍの感光
性フィルムとＤＩから得た４５ｐｍの感光性フィルムを
ゴムローラーによって積層し５０μｍの蛍光性光硬化膜
を得た。実施例 １と同様にして銅張り積層板上に積層
し超高圧水銀灯で照射したのち、３０°Ｃの１％炭酸ナ
トリウム水溶液で現像し、現像途中で取り出したものと
、完全に現像を完了させた２種のサンプルを作製した。
この両者を拡大鏡により観察したが、現像不足による薄
膜を検出することができなかった。
膜を検出することができなかった。
次に薄層クロマトグラフの、スポット検出用の紫外線ラ
ンプを用いてサンプルに紫外線を照射したところ、完全
に現像を行ったサンプルは、レリーフ像のみが蛍光を発
したが、現像不足のサンプルではレリーフ像以外の部分
も蛍光を発し残膜が存在することが判った。
ンプを用いてサンプルに紫外線を照射したところ、完全
に現像を行ったサンプルは、レリーフ像のみが蛍光を発
したが、現像不足のサンプルではレリーフ像以外の部分
も蛍光を発し残膜が存在することが判った。
次に、このサンプルを塩化第一鉄エッチャントでエツチ
ングすると、レリーフ像以外から蛍光を発した部分は、
エツチングが不完全か、または全くエツチングされてい
なかった。
ングすると、レリーフ像以外から蛍光を発した部分は、
エツチングが不完全か、または全くエツチングされてい
なかった。
比較例 Ｉ
Ａ液を厚み２５ｐｍのＰＥＴフィルム支持体上に塗布し
、乾燥さぜ５０ｐｍＯ′）感光性フィルムを得た。
、乾燥さぜ５０ｐｍＯ′）感光性フィルムを得た。
次に、１００°Ｃに加熱したゴムローラーによって予め
研磨を施した銅張り積層板上に積層し、実施例１と同様
に２種のサンプルを作製したが、完全に１Ｊｌ（１を行
ったサンプルにおいて硬化レリーフのラインが細かく波
打ち、硬化が不充分であった。
研磨を施した銅張り積層板上に積層し、実施例１と同様
に２種のサンプルを作製したが、完全に１Ｊｌ（１を行
ったサンプルにおいて硬化レリーフのラインが細かく波
打ち、硬化が不充分であった。
比較例 ２
Ｃ液を比較例 １と同様にして厚み５０ｐｍの感光フィ
ルムを得、銅張り積層、板上に積層した。実施例 ２と
同様に２種のサンプルを作製したが、完全に現像を行っ
たサンプルにおいて硬化レリーフの。
ルムを得、銅張り積層、板上に積層した。実施例 ２と
同様に２種のサンプルを作製したが、完全に現像を行っ
たサンプルにおいて硬化レリーフの。
ラインが細かく波打ち、硬化が不充分であった。
Claims (1)
- 主として、蛍光物質を含む光硬化膜に於て、光硬化膜に
含まれる蛍光物質の濃度が光硬化膜の一表面とその裏面
とで濃度差を有することを特徴とする蛍光性光硬化膜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20015086A JPS6356649A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 蛍光性光硬化膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20015086A JPS6356649A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 蛍光性光硬化膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356649A true JPS6356649A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16419619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20015086A Pending JPS6356649A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 蛍光性光硬化膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6356649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005010612A2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Defect inspection of extreme ultraviolet lithography masks and the like |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5345180A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Hitachi Ltd | Photoetching method |
| JPS5577741A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Novel photoresist composition |
| JPS55155018A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-03 | Minnesota Mining & Mfg | Sensitized iodonium or sulfonium photoinitiator |
| JPS5628886A (en) * | 1978-03-06 | 1981-03-23 | American Optical Corp | Method of entering permanent mark to plastic article |
| JPS6327830A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Daicel Chem Ind Ltd | 蛍光性光硬化組成物 |
| JPS6353539A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 蛍光性光硬化膜積層体 |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP20015086A patent/JPS6356649A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5345180A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Hitachi Ltd | Photoetching method |
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| JPS55155018A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-03 | Minnesota Mining & Mfg | Sensitized iodonium or sulfonium photoinitiator |
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| JPS6353539A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 蛍光性光硬化膜積層体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005010612A2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Defect inspection of extreme ultraviolet lithography masks and the like |
| WO2005010612A3 (en) * | 2003-07-10 | 2005-04-21 | Wisconsin Alumni Res Found | Defect inspection of extreme ultraviolet lithography masks and the like |
| US7179568B2 (en) | 2003-07-10 | 2007-02-20 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Defect inspection of extreme ultraviolet lithography masks and the like |
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