JPS6355968A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS6355968A
JPS6355968A JP19948586A JP19948586A JPS6355968A JP S6355968 A JPS6355968 A JP S6355968A JP 19948586 A JP19948586 A JP 19948586A JP 19948586 A JP19948586 A JP 19948586A JP S6355968 A JPS6355968 A JP S6355968A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
plating
core member
decreased
amount
Prior art date
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Pending
Application number
JP19948586A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeaki Kubota
久保田 恵彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に用いるリードフレームに関
する。
〔従来の技術〕
従来より用いられているリードフレーム材としては、C
u 、 42Ni −1”e 、 :]バール等、種々
のものがあり、セラミック封止型半導体、プラスチック
封止型半導体、LED、ダイオードなど用途に応じて使
い分けられている。特に、プラスチック封止型半導体(
P−D I R)用としては、メッキ性、導電率が良好
であるQu系の材料が多く用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、Qu系の材料は高価で、また強度に欠け、熱膨
張係数がICチップ及びフィラーを多量に含んだコンパ
ウンドに比し大きく、信頼性にやや欠ける。また、リー
ドフレームを打抜き加工によって製造する場合、パリが
発生しやすいばかりか、ハンドリング時にリードが変形
しやすいという問題があった。
本発明は上記Cu系のリードフレームによる問題点を解
消することができるリードフレームを提供することを目
的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、Feを主成分としOrを4〜10wt
%含有し、少なくとも表面及び裏面にCu被覆を施して
成るリードフレームとしたことを特徴としている。
〔作用〕
安価なl”eにCrを4〜iQwt%添加することで、
Feのメッキ性及び強度を保ちつつ、防錆効果を向上さ
せることができる。また、Cu被覆を施すことで、リー
ドフレーム表面の導電性及び半田ぬれ性が確保される。
〔実施例] 以下、本発明を添付図面を参照して詳細に説明する。
図は本発明に係るリードフレームの素材の一実施例を示
す断面図である。なお、同図に示す板厚と板幅との寸法
比は実際のものとは異なっている。
このリードフレームの素材は、芯部材2と被覆部材4と
から構成されている。
芯部材2は、Feを主成分としCrを4〜10wt%含
有して成る。また、被覆部材4は、芯部材2の全面にC
uメッキを施すことにより形成されている。
FeにOrを4〜10wt%添加した理由は、Qrが4
wt%未満の場合には、Fe特有の発錆性を低下させる
ことができず、またCrが10wt%を越える場合には
、(13〜18wt%)ステンレスとなり、防錆効果は
格段に向上するものの、Crの含有によるメッキ後の4
・りれ等、メッキ性劣化を招来し、半田ぬれ性も低下す
るという理由〈基づいている。なお、FeにOrを5.
5〜8wt%添加すると、さらに良好な芯部材を得るこ
とができる。
そして、リードフレームは、上記リードフレーム材を打
抜き加工またはエツチングを行なうことによって製造さ
れる。
なお、上記リードフレーム材の代わりに、芯部材2のみ
について打抜き加工またはエツチングを行ない、その後
全面にCuメッキを施してリードフレームを製造するよ
うにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、Feを主成分とし
ているためCu系の材料に比べて安価となり、またCr
を4〜10wt%添加lることでFeのメッキ性及び強
度を保ちつつ、防錆効果を向上させることができる。さ
らに、少なくとも表面及び裏面にCuメッキを施すこと
で、リードフレーム表面の導電性を向上させ、表面の半
田ぬれ性を6確保することができる。
また、通常の半導体装置の+JM造では、リードフレー
ムのインナーリード先端及びパッドに、若しくはインナ
ーリード先端のみにAg、Au等の貴金属メッキを施し
、ダイポンド性、ワイヤボンド性の向上を図っているが
、本発明によるリードフレームを用いれば軟かいQuが
ボンディング部にあるため、貴金属なしでもQuワイヤ
ボンディングが可能となり、半導体装置の製造コストを
低減することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係るリードフレームの素材の一実施例を示
す断面図である。 2・・・芯部材、4・・・被覆部材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Feを主成分としCrを4〜10wt%含有し、少なく
    とも表面及び裏面にCu被覆を施して成るリードフレー
    ム。
JP19948586A 1986-08-26 1986-08-26 リ−ドフレ−ム Pending JPS6355968A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0210761A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Mitsui High Tec Inc リードフレーム及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5750457A (en) * 1980-09-12 1982-03-24 Hitachi Metals Ltd Ic lead frame material
JPS599149A (ja) * 1982-07-07 1984-01-18 Daido Steel Co Ltd リ−ドフレ−ム材料
JPS60103158A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Hitachi Metals Ltd Icリ−ドフレ−ム材料
JPS61119656A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Hitachi Metals Ltd Icリ−ドフレ−ム材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5750457A (en) * 1980-09-12 1982-03-24 Hitachi Metals Ltd Ic lead frame material
JPS599149A (ja) * 1982-07-07 1984-01-18 Daido Steel Co Ltd リ−ドフレ−ム材料
JPS60103158A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Hitachi Metals Ltd Icリ−ドフレ−ム材料
JPS61119656A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Hitachi Metals Ltd Icリ−ドフレ−ム材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0210761A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Mitsui High Tec Inc リードフレーム及びその製造方法

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