JPS6352447A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6352447A JPS6352447A JP19547786A JP19547786A JPS6352447A JP S6352447 A JPS6352447 A JP S6352447A JP 19547786 A JP19547786 A JP 19547786A JP 19547786 A JP19547786 A JP 19547786A JP S6352447 A JPS6352447 A JP S6352447A
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ペレット取付基板がセラミックからなる半導
体装置の信頼性向上に適用して有効な技術に関する。
体装置の信頼性向上に適用して有効な技術に関する。
半導体装置には、搭載する半導体ペレットを取付けるパ
ッケージ基板等のペレット取付基板がアルミナ(A 1
2 03 )等のセラミックで形成されているものがあ
る。この半導体装置については、たとえば昭和58年1
1月28日、株式会社サイエンスフォーラム発行、rM
LsIデバイスハンドブックJ、P221に記載がある
。
ッケージ基板等のペレット取付基板がアルミナ(A 1
2 03 )等のセラミックで形成されているものがあ
る。この半導体装置については、たとえば昭和58年1
1月28日、株式会社サイエンスフォーラム発行、rM
LsIデバイスハンドブックJ、P221に記載がある
。
ところで、上記半導体装置では、半導体ペレットをその
ペレット取付基板に、いわゆる低融点ガラスで接合する
ことが考えられる。
ペレット取付基板に、いわゆる低融点ガラスで接合する
ことが考えられる。
ところが、ペレット取付基板がアルミナ(,1203)
で形成され、半導体ペレットがンリコン(Si)単結晶
からなる場合には、該両者の有する熱膨張係数が大きく
異なっている。そして、上記半導体ペレットを接合する
ために、そのD膨張係数が、たとえばペレット取付基板
のそれと同等の低融点ガラスを用いた場合は、該低融点
ガラスと半導体ペレットとの熱膨張係数に大きな省たつ
が存在することになる。したがて、このような半導体装
着には、上記熱膨張係数の相違が起因して、低融点ガラ
スにクラックが生じ、半導体ペレットの接合が不完全に
なったり、ひいては欠けて発生したガラス粒により、半
導体ペレット等に傷が生じたりする問題のあることが、
本発明者により見出された。
で形成され、半導体ペレットがンリコン(Si)単結晶
からなる場合には、該両者の有する熱膨張係数が大きく
異なっている。そして、上記半導体ペレットを接合する
ために、そのD膨張係数が、たとえばペレット取付基板
のそれと同等の低融点ガラスを用いた場合は、該低融点
ガラスと半導体ペレットとの熱膨張係数に大きな省たつ
が存在することになる。したがて、このような半導体装
着には、上記熱膨張係数の相違が起因して、低融点ガラ
スにクラックが生じ、半導体ペレットの接合が不完全に
なったり、ひいては欠けて発生したガラス粒により、半
導体ペレット等に傷が生じたりする問題のあることが、
本発明者により見出された。
本発明の目的は、セラミックからなるペレット取付基板
にガラスを介して接合してなる半導体ペレットについて
、その接合材であるガラスにクラックが生じることを防
止できる技術を提供することにある。
にガラスを介して接合してなる半導体ペレットについて
、その接合材であるガラスにクラックが生じることを防
止できる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、セラミックからなるペレット取付基板に、そ
の熱膨張係数が上記基板表面から漸減する2以上のガラ
ス層を積層し、該ガラス層を介して上記基板に半導体ペ
レットの接合を行うものである。
の熱膨張係数が上記基板表面から漸減する2以上のガラ
ス層を積層し、該ガラス層を介して上記基板に半導体ペ
レットの接合を行うものである。
上記した手段によれば、その熱膨張係数がペレット取付
基板のそれから半導体ペレットのそれへ段階的に変化す
るガラス層を介して半導体ペレットの接合を行うことが
できるため、半導体装置が温度変化を受ける場合であっ
ても、上記ガラス層に応力が生じることを防止でき、上
記目的が達成されるものである。
基板のそれから半導体ペレットのそれへ段階的に変化す
るガラス層を介して半導体ペレットの接合を行うことが
できるため、半導体装置が温度変化を受ける場合であっ
ても、上記ガラス層に応力が生じることを防止でき、上
記目的が達成されるものである。
第1図は本発明による一実施例である半導体装置の拡大
部分断面図であり、第2図は上記半導体装置を示す概略
断面図である。
部分断面図であり、第2図は上記半導体装置を示す概略
断面図である。
本実施例の半導体装置は、いわゆるサーディツプ型半導
体装置である。すなわち、ペレット取付基板であるパッ
ケージ基板1がアルミナ(A1203)からなり、該基
板1には半導体ペレット?がガラス層3を介して接合さ
れている。また、上記基板1の周囲上端には外部端子で
ある4270イからなるリード4が通常用いられる低融
点ガラス5で取付けられており、該リード4の内端おと
上記半導体ペレット2とはアルミニウム(A1)からな
るワイヤ6で電気的に接続されている。さらに、上記パ
ッケージ基板1の周囲上端には上記リード4の一部を挟
むようにして、アルミナからなるキャップ7が取付けら
れ、パッケージ内部が気密封止されているものである。
体装置である。すなわち、ペレット取付基板であるパッ
ケージ基板1がアルミナ(A1203)からなり、該基
板1には半導体ペレット?がガラス層3を介して接合さ
れている。また、上記基板1の周囲上端には外部端子で
ある4270イからなるリード4が通常用いられる低融
点ガラス5で取付けられており、該リード4の内端おと
上記半導体ペレット2とはアルミニウム(A1)からな
るワイヤ6で電気的に接続されている。さらに、上記パ
ッケージ基板1の周囲上端には上記リード4の一部を挟
むようにして、アルミナからなるキャップ7が取付けら
れ、パッケージ内部が気密封止されているものである。
ところで、パッケージ基板1の材料であるアルミ+ (
A 1203 92%、5in2他)の熱膨張係数は、
たとえば6.0〜6.5 X 10−’/l (0〜3
00℃)であり、搭載するペレット2の材料であるシリ
コン(Sl)のそれは3.5 X 10−’/l(0〜
100℃)である。このように上記両者においては、そ
の熱膨張係数に大きな相違がある。
A 1203 92%、5in2他)の熱膨張係数は、
たとえば6.0〜6.5 X 10−’/l (0〜3
00℃)であり、搭載するペレット2の材料であるシリ
コン(Sl)のそれは3.5 X 10−’/l(0〜
100℃)である。このように上記両者においては、そ
の熱膨張係数に大きな相違がある。
本実施例では、第1図に示すように、半導体ペレット2
を接合するガラス層3が2層構造からなるものである。
を接合するガラス層3が2層構造からなるものである。
すなわち、パッケージ基板1の表面には、該基板1に近
い熱膨張係数を有する第1ガラス層8が被着され、その
上に上記第1ガラス層8よりも半導体ペレット2に近い
熱膨張係数を有する第2ガラス薯9が積石されており、
該第2層の上に上記半導体ペレット2が接合されている
ものである。
い熱膨張係数を有する第1ガラス層8が被着され、その
上に上記第1ガラス層8よりも半導体ペレット2に近い
熱膨張係数を有する第2ガラス薯9が積石されており、
該第2層の上に上記半導体ペレット2が接合されている
ものである。
上記ガラス層3は、たとえば鉛ガラスを用いて形成する
ことができる。その場合、ガラスの成分を変更すること
により、所望の熱膨張係数を有する鉛ガラスを調製する
ことができるものである。
ことができる。その場合、ガラスの成分を変更すること
により、所望の熱膨張係数を有する鉛ガラスを調製する
ことができるものである。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)、アルミナからなるパッケージ基板1に、その熱
膨張係数が該基板1のそれに近い第1ガラス層8を被着
形成し、該第1ガラス層8の上に、その熱膨張係数が上
記第1ガラス層8のそれよりも半導体ペレット2に近い
第2ガラス層9を積層し、該第2ガラス層9の上に上記
半導体ペレット2を接合することにより、ガラス層3の
熱膨張係数がパッケージ基板lのそれから半導体ペレッ
ト2のそれへ段階的に変化するガラス層3を介して半導
体ペレット2の接合を行うことができるOで、半導体装
置が温度変化を受ける場合であっても、上記ガラス層3
に応力が生じることを緩和できる。
膨張係数が該基板1のそれに近い第1ガラス層8を被着
形成し、該第1ガラス層8の上に、その熱膨張係数が上
記第1ガラス層8のそれよりも半導体ペレット2に近い
第2ガラス層9を積層し、該第2ガラス層9の上に上記
半導体ペレット2を接合することにより、ガラス層3の
熱膨張係数がパッケージ基板lのそれから半導体ペレッ
ト2のそれへ段階的に変化するガラス層3を介して半導
体ペレット2の接合を行うことができるOで、半導体装
置が温度変化を受ける場合であっても、上記ガラス層3
に応力が生じることを緩和できる。
(2)、上記(1)により、ガラス@3にクラックが生
じることを防止できるので、半導体装置の信頼性を向上
することができる。
じることを防止できるので、半導体装置の信頼性を向上
することができる。
(3)、上記(1)により、寸法の大きな半導体ペレッ
ト2のガラス層3による接合が可能になる。
ト2のガラス層3による接合が可能になる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、ガラス層3が、2層からなるものについて説
明したが、これに限るものでないことはいうまでもなく
、その熱膨張係数が漸次変化する3層以上からなるもの
であってもよい。
明したが、これに限るものでないことはいうまでもなく
、その熱膨張係数が漸次変化する3層以上からなるもの
であってもよい。
また、パッケージ基板1がアルミナからなるもを示した
が、これに限らず他のセラミックからなるものであって
もよいことはいうまでもない。さらに、ガラス層3が鉛
ガラスで形成されているものについてのみ説明したが、
これに限るものでなく同様の目的に利用できるものであ
れば他のガラスであってもよい。
が、これに限らず他のセラミックからなるものであって
もよいことはいうまでもない。さらに、ガラス層3が鉛
ガラスで形成されているものについてのみ説明したが、
これに限るものでなく同様の目的に利用できるものであ
れば他のガラスであってもよい。
以上の!!門では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるサニディップ型半
導体装置に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、たとえば、パッケージ基板がセ
ラミックで形成され、該基板に単導体ペレットをガラス
で接合するものであれば、フラットパッケージ型半導体
装置等、種々のものに適用して有効な技術である。
明をその背景となった利用分野であるサニディップ型半
導体装置に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、たとえば、パッケージ基板がセ
ラミックで形成され、該基板に単導体ペレットをガラス
で接合するものであれば、フラットパッケージ型半導体
装置等、種々のものに適用して有効な技術である。
第1図は本発明による一実施例である半導体装置の拡大
部分断面図、 第2図は上記半導体装置を示す概略断面図である。
部分断面図、 第2図は上記半導体装置を示す概略断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミックからなるペレット取付基板に、該基板に
積層され、その熱膨張係数が上記基板表面から漸減する
2以上のガラス層を介して半導体ペレットが取付けられ
てなる半導体装置。 2、ペレット取付基板がアルミナからなり、ガラス層が
鉛ガラスからなることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19547786A JPS6352447A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19547786A JPS6352447A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6352447A true JPS6352447A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16341737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19547786A Pending JPS6352447A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6352447A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297560A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | 多層プリント配線基板およびその実装構造体 |
KR20010045373A (ko) * | 1999-11-04 | 2001-06-05 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19547786A patent/JPS6352447A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297560A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | 多層プリント配線基板およびその実装構造体 |
KR20010045373A (ko) * | 1999-11-04 | 2001-06-05 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 |
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