JPS6343334A - 半導体素子の搭載方法 - Google Patents
半導体素子の搭載方法Info
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- JPS6343334A JPS6343334A JP61186336A JP18633686A JPS6343334A JP S6343334 A JPS6343334 A JP S6343334A JP 61186336 A JP61186336 A JP 61186336A JP 18633686 A JP18633686 A JP 18633686A JP S6343334 A JPS6343334 A JP S6343334A
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- glass
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低融点ガラスを用いた半導体素子の搭載方法
に関するものである。
に関するものである。
従来、この種の低融点ガラスを用いた半導体素子の搭載
方法は、一般にガラス封止型半導体装置に使用されてい
る。これは第３図の断面図に示すように、セラミック基
体１上に低融点ガラス６を介し、リードフレームが圧着
されているガラス封止型半導体装置において、半導体素
子搭載部（以下キャビィティ部と記す）２に、リードフ
レームの圧着に使用されている低融点ガラス６と同種ま
たは異種の低融点ガラス（以下キャビィティガラスと記
す）５が印刷されているパッケージ基体を、キャビィテ
ィガラス５の軟化点以上に加熱した状態で、半導体素子
７の裏面の金属膜８をキャビィティガラス５に圧接し、
半導体素子７を搭載接着する方法である。
方法は、一般にガラス封止型半導体装置に使用されてい
る。これは第３図の断面図に示すように、セラミック基
体１上に低融点ガラス６を介し、リードフレームが圧着
されているガラス封止型半導体装置において、半導体素
子搭載部（以下キャビィティ部と記す）２に、リードフ
レームの圧着に使用されている低融点ガラス６と同種ま
たは異種の低融点ガラス（以下キャビィティガラスと記
す）５が印刷されているパッケージ基体を、キャビィテ
ィガラス５の軟化点以上に加熱した状態で、半導体素子
７の裏面の金属膜８をキャビィティガラス５に圧接し、
半導体素子７を搭載接着する方法である。
上述した従来の低域点ガラスにより半導体素子を搭載す
る方法では、パッケージ基体と半導体素子の間の低融点
ガラスは一種類の低融点ガラスを一層もしくは数層印刷
することにより形成されていた。この際使用される低融
点ガラスは、その熱膨張率がパッケージ基体の熱膨張率
に近いもの、あるいは、搭載される半導体素子の熱膨張
率に近いものが広く利用されてきた。しかしながら、前
者のような熱膨張率を有する低融点ガラスを使用した場
合には、半導体素子と低融点ガラスの熱膨張率の差のた
めに応力が集中し、半導体素子あるいは低融点ガラスに
クラックが発生する場合が認められた。また、後者のよ
うな熱膨張率金有する低融点ガラスを使用した場合には
、パッケージ基体と低融点ガラスの熱膨張率の差のため
、低融点ガラスにクラックが発生する場合が認められた
。
る方法では、パッケージ基体と半導体素子の間の低融点
ガラスは一種類の低融点ガラスを一層もしくは数層印刷
することにより形成されていた。この際使用される低融
点ガラスは、その熱膨張率がパッケージ基体の熱膨張率
に近いもの、あるいは、搭載される半導体素子の熱膨張
率に近いものが広く利用されてきた。しかしながら、前
者のような熱膨張率を有する低融点ガラスを使用した場
合には、半導体素子と低融点ガラスの熱膨張率の差のた
めに応力が集中し、半導体素子あるいは低融点ガラスに
クラックが発生する場合が認められた。また、後者のよ
うな熱膨張率金有する低融点ガラスを使用した場合には
、パッケージ基体と低融点ガラスの熱膨張率の差のため
、低融点ガラスにクラックが発生する場合が認められた
。
本発明の半導体素子の搭載方法では、低融点ガラスとパ
ッケージ基体あるいは低融点ガラスと半導体素子の熱膨
張率差のために生じるクラックを防止するために、パッ
ケージ基体と半導体素子の間に、少なくとも２種の熱膨
張率の異なる低融点ガラスを用い、２層以上の低融点ガ
ラス層によりキャビィティガラスを形成し、このガラス
の浴着により半導体素子を搭載するのである。
ッケージ基体あるいは低融点ガラスと半導体素子の熱膨
張率差のために生じるクラックを防止するために、パッ
ケージ基体と半導体素子の間に、少なくとも２種の熱膨
張率の異なる低融点ガラスを用い、２層以上の低融点ガ
ラス層によりキャビィティガラスを形成し、このガラス
の浴着により半導体素子を搭載するのである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明に基づく半導体素子の搭載法を説明する
だめのガラス封止型半導体装置の断面図である。第１図
において、パンケージ基体１の半導体素子搭載部（キャ
ビティ）２に、熱膨張率の異なる低融点ガラス３ａ 、
３ｂが積層されている。
だめのガラス封止型半導体装置の断面図である。第１図
において、パンケージ基体１の半導体素子搭載部（キャ
ビティ）２に、熱膨張率の異なる低融点ガラス３ａ 、
３ｂが積層されている。
この際使用される低融点ガラス３ａ、３ｂは、その熱膨
張率がパッケージ基体１と半導体素子７の中間の値を有
し、パッケージ基体側の低融点ガラス３ａはパッケージ
基体１の熱膨張率に近いもの半導体素子側の低融点ガラ
ス３１〕は、半導体素子７の熱５膨張率に近いものが選
択されている。このような熱膨張率の異なる低融点ガラ
スを積層することにより、・パッケージ基体１と半導体
素子７との間で熱膨張の整合を取ることが可能となる。
張率がパッケージ基体１と半導体素子７の中間の値を有
し、パッケージ基体側の低融点ガラス３ａはパッケージ
基体１の熱膨張率に近いもの半導体素子側の低融点ガラ
ス３１〕は、半導体素子７の熱５膨張率に近いものが選
択されている。このような熱膨張率の異なる低融点ガラ
スを積層することにより、・パッケージ基体１と半導体
素子７との間で熱膨張の整合を取ることが可能となる。
パッケージ基体の素材としてアルミナ、半導体素子の素
材としてシリコンを用いる場合には、低融点ガラス３ｂ
としては熱膨張率が３５〜４５Ｘ１０−’／°Ｃ１低融
点ガラス３ａとしては熱膨張率が５５〜６５Ｘ１０−？
／’Ｏの低一点ガラスを用いることが望ましい。
材としてシリコンを用いる場合には、低融点ガラス３ｂ
としては熱膨張率が３５〜４５Ｘ１０−’／°Ｃ１低融
点ガラス３ａとしては熱膨張率が５５〜６５Ｘ１０−？
／’Ｏの低一点ガラスを用いることが望ましい。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための断面図で
あシ、第２図において、パッケージ基体１に接触する下
層のキャビティガラス４ａの上には、大きさの小さいキ
ャビティガラス４ｂが積層されて、半導体素子７の搭載
品との謂和を図っている。
あシ、第２図において、パッケージ基体１に接触する下
層のキャビティガラス４ａの上には、大きさの小さいキ
ャビティガラス４ｂが積層されて、半導体素子７の搭載
品との謂和を図っている。
なお、本発明に基づく、キャビィティガラスの形成は、
低融点ガラスをスクリーン印刷法によりグレージングす
ることにより容易に形成することが出来る。
低融点ガラスをスクリーン印刷法によりグレージングす
ることにより容易に形成することが出来る。
以上説明したように本発明は、パッケージ基体と半導体
素子との間にＰＡ膨張率の異なる低融点ガラスを２層以
上積層することにより、パッケージ基体と半導体素子間
の熱膨張率の整合を取り、熱膨張率の差から生じる応力
の集中をさまたげる効果がある。
素子との間にＰＡ膨張率の異なる低融点ガラスを２層以
上積層することにより、パッケージ基体と半導体素子間
の熱膨張率の整合を取り、熱膨張率の差から生じる応力
の集中をさまたげる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図、第
２図は本発明の他の実施例を説明するための断面図、第
３図は従来の半導体素子の搭載方法を説明するだめの断
面図である。 １・・・・・・パッケージ基体、２・・・・・・半導体
素子搭載部（キャビティ）、３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ、
５−低融点キャビティガラス、６・・・・・・リードフ
レーム接着低融点ガラス、７・・・・・・半導体素子、
訃・・・・・半導体素子の接着金属面。
２図は本発明の他の実施例を説明するための断面図、第
３図は従来の半導体素子の搭載方法を説明するだめの断
面図である。 １・・・・・・パッケージ基体、２・・・・・・半導体
素子搭載部（キャビティ）、３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ、
５−低融点キャビティガラス、６・・・・・・リードフ
レーム接着低融点ガラス、７・・・・・・半導体素子、
訃・・・・・半導体素子の接着金属面。
Claims (2)
- （１）パッケージ基体の半導体素子取付面上に、それぞ
れ熱膨張率の異なる２層以上の低融点ガラス層を形成し
、この低融点ガラス層上に裏面に前記低融点ガラスと密
着性が良く、かつ接合強度の大きい加工膜を設けた半導
体素子を搭載接着することを特徴とする半導体素子の搭
載方法。 - （２）上記低融点ガラス層が２層より形成され、前記低
融点ガラス層の内、前記半導体素子に近い側の低融点ガ
ラス層に熱膨張率が３５〜４５×１０＾−＾７／℃の低
融点ガラスを使用し、その下に熱膨張率が５５〜６５×
１０＾−＾７／℃の低融点ガラスを使用していることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子の搭
載方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186336A JPS6343334A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体素子の搭載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186336A JPS6343334A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体素子の搭載方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343334A true JPS6343334A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16186564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186336A Pending JPS6343334A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体素子の搭載方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343334A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916227A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-13 | ||
| JPS59116146A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Toshiba Corp | シリコン半導体素子接着用ガラス |
| JPS6014831A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | 株式会社東芝 | 調理具 |
| JPS60148131A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Nec Corp | 半導体素子取り付け方法 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186336A patent/JPS6343334A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916227A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-13 | ||
| JPS59116146A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Toshiba Corp | シリコン半導体素子接着用ガラス |
| JPS6014831A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | 株式会社東芝 | 調理具 |
| JPS60148131A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Nec Corp | 半導体素子取り付け方法 |
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