JPS6345888A

JPS6345888A - バンプ付配線板の製造方法

Info

Publication number: JPS6345888A
Application number: JP19019486A
Authority: JP
Inventors: 縄田　悟; 中野　常朝; 安野　弘; 辰男和田
Original assignee: Meiko Electronics Co Ltd; Ube Industries Ltd; Meiko Denshi Kogyo Co Ltd
Current assignee: Meiko Electronics Co Ltd; Ube Corp
Priority date: 1986-08-13
Filing date: 1986-08-13
Publication date: 1988-02-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、バンプ（突起部）付微細回路パターンを精度
良く且つ容易に形成することができる、バンプ付配線板
の製造方法に関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

ＬＳＩチップを搭載するＣＯＢ　（チップオンボード）
の分野では、実装を容易にするために、パターン部にバ
ンプを形成することが行われている。

従来、パターン部にバンプを形成する方法としては、■
エツチング法によりバンプを形成する方法、■メッキ法
によりバンプを形成する方法、■バンプ付フィルムを転
写する方法等があるが、何れも次のような問題点を有し
ている。

即ち、■の方法では、エツチング精度が良くなく不均一
で微細パターンが得られない問題がある。

また、■の方法では、レジストかけ、メッキ等、手数が
かかる問題がある。また、■の方法では、バンプの位置
ずれや密着不良等が起こり易い問題がある。

このように、パターン部にバンブを形成することは問題
が多いので、ＬＳＩチップに直接バンブに相当するもの
を形成する方法も行われている。

しかし、この方法では、ＬＳＩチップに損傷を与え、該
チップの歩留りを悪くする問題がある。

従って、本発明の目的は、バンブ付微細回路パターンを
精度良く且つ容易に形成することができる、バンブ付配
線−板の製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明は、銅板外のｉｔ性動物質らなる保持体上に、そ
の所定箇所にバンプ形成用穴を形成し、次いで、上記バ
ンブ形成用穴の形成された保持体上に、パターン形成用
レジスト層を形成し、銅メッキを施してバンブ付回路パ
ターンを形成し、次いで、上記パターン形成用レジスト
層を除去し、然る後、上記保持体上に形成された上記バ
ンプ付回路パターンを上記保持体と共に絶縁基板に転写
し、上記保持体をエツチングして除去することを特徴と
するバンブ付配線板の製造方法を提供することにより、
前記目的を達成したものである。

以下、本発明のバンプ付記′Ｉａ板の製造方法について
詳述する。

本発明で用いられる銅板外の導電性物質からなる保持体
としては、銅とは異なるエツチング性を有する金属物質
、例えばアルミニウム箔が用いられる。上記保持体の厚
みは、好ましくは１０〜５００μｍ１特に好ましくは２
０〜３００μｍである。

また、本発明でパターン形成用レジスト層の形成に用い
られるレジストとしては、熱硬化インキレジスト、光硬
化インキレジスト、感光性ドライフィルム、感光性液状
レジスト等が挙げられ、高解像度用としては感光性ドラ
イフィルム、感光性液状レジストが適している。

また、本発明で用いられる、バンプ付回路パターンが転
写される絶縁基板としては、フェノール樹脂、耐熱性エ
ポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いたプリプレグが作業
性の上から好ましいが、その他の有機（樹脂）又は無機
の絶縁材で形成したものでも良い。

而して、本発明のバンブ付配線板の製造方法の実施Ｓ様
を、図面を参照し乍ら更に詳しく説明する。

図面は、本発明のバンブ付配線板の製造方法の実施態様
の概略を模式的に示すもので、第１図は、保持体上での
バンプ付回路パターンの形成工程を示す拡大断面図、第
２図は、バンプ付回路パターンの絶縁基板への転写工程
を示す拡大断面図、第３図は、保持体上でのバンプ付回
路パターンの別の形成工程を示す拡大断面図である。

本発明においては、先ず、第１図ｉｌｌ及び（２）に示
す如く、アルミニウム箔等の銅板外の導電性物質からな
る保持体ｌ上に、その所定箇所にバンプ形成用穴２を形
成する。

即ち、第１図１１）に示す如く、上記保持体１上に、パ
ターン形成用レジスト層の形成に用いられる前記レジス
トと同様のレジストを用いて、バンプ形成用穴の形成位
置に相当する部分以外を被覆するレジスト層３１を形成
し、次いで、第１図（２）に示す如く、上記レジスト層
３１の形成されていない、バンプ形成用穴の形成位置に
相当する部分の保持体をエツチングすることにより、上
記保持体１の所定箇所にバンプ形成用穴２を形成する。

このバンプ形成用穴２の大きさは、径及び深さが１０〜
５０μｍの範囲内であるのが好ましく、またその形状は
、半円球状であることが好ましいが、角柱状、円筒状等
でも良く、特に制限はない。

次いで、第１図（３）に示す如く、上記レジスト層３１
をメンキレジストとして上記バンプ形成用穴２に銅メッ
キを施して、バンブ４ａを形成する。

次いで、第１図（４）に示す如く、上記レジスト層３１
を除去後、第１図（５）に示す如く、上記バンブ４ａの
形成された上記保持体ｌ上に、前記レジストを用いて、
パターン形成用レジスト層３を形成する。

上記パターン形成用レジスト層３の形成方法としては、
例えば、上記保持体１上に、シルクスクリーン等を重ね
合わせ、該シルクスクリーン等を通して前記レジストを
逆パターン状に印刷し、次いで該レジストを乾燥、熱硬
化、光硬化等の適当な方法で固化又は硬化して、パター
ン形成用レジスト層３を直接形成する印刷法、及び前記
レジストが感光性を有する場合には、該感光性レジスト
の溶液を、上記保持体１上に塗布し乾燥するか、ドライ
フィルムをラミネートし、それらの感光性レジストから
なる被膜を形成し、次いで逆パターンの形成されるマス
クを通して光を照射して、前記感光性レジストからなる
被膜を逆パターン状に光硬化し、未光硬化部分を除去す
る現像工程によって、パターン形成用レジスト層３を形
成する方法を挙げることができる。

次いで、第１図（６）に示す如く、上記パターン形成用
レジスト層３の形成された上記保持体１上に銅メッキを
施して、先に形成した上記バンプ４ａと一体になった回
路パターン部４ｂを形成する。

次いで、第１図（７）に示す如く、上記パターン形成用
レジスト層３を除去し、上記保持体１上に形成された、
上記バンプ４ａ及び上記回路パターン部４ｂからなるバ
ンブ付回路パターン４を得る。

上記パターン形成用レジスト層３の除去は、例えば、溶
剤現像レジストでは、トリクレン、クロロセン、シクロ
ヘキサノン等の有機溶剤、またアルカリ現像レジストで
は苛性ソーダ水溶液等の剥離液に浸漬又は該剥離液をス
プレィすることにより行うことができる。尚、上記レジ
スト層３１の除去も上記パターン形成用レジスト層３の
除去と同様に行うことができる。

然る後、上述のようにして得られた、上記保持体１上に
形成された上記バンプ付回路パターン４を、第２図＋１
１及び（２）に示す如く、上記保持体と共に、絶縁基板
６の所定箇所に転写する。

即ち、先ず、第２図１１＋に示す如く、耐熱性エポキシ
樹脂等からなる接着剤層５を存する絶縁基板６と、上記
バンプ付回路パターン４が形成された上記保持体１とを
、上記接着剤層５と上記バンプ付回路パターン４とが対
向するように位置決めし、次いで、第２図（２）に示す
如く、上記絶縁基板６と上記保持体１とを重ね合わせて
加熱加圧し、上記バンプ付回路パターン４を上記絶縁基
板６側に熱圧着することにより転写する。上記加熱加圧
の条件は、通常、温度１５０〜１８０℃、圧力４０〜７
９Ｋｇ／ｃｊ、及び処理時間３０〜９０分間とすれば良
い、尚、上記絶縁基板６として前記プリプレグを用いた
場合には、上記接着剤層５を設けることな（直接上記バ
ンプ付回路パターン４を前記プリプレグに転写させるこ
とができる。

転写後、上記保持体１のみをエツチングにより除去し、
第２図（３）に示す如き形態の本発明に係るバンプ付配
線板を得る。

上記保持体１のエツチングは、例えば、塩酸水溶液、硫
酸水溶液、リン酸水溶液、苛性ソーダ水溶液、苛性カリ
水溶液、炭酸ソーダ水溶液、炭酸カリ水溶液等のエツチ
ング液に浸漬することにより行うことができる。上記エ
ツチング液は、銅からなるバンプ付回路パターン４及び
絶縁基板６を実質的にエツチングしないものが好ましい
。

尚、上述の第１図に示す実施態様においては、バンプ４
ａの形成のための銅メッキと回路パターン部４ｂの形成
のための胴メッキを別々に行ってバンプ付回路パターン
４を得る場合の例を示したが、第３図に示す如く、バン
プ４ａの形成のための銅メッキと回路パターン部４ｂの
形成のための銅メッキを同時に行ってバンプ付回路パタ
ーン４を得ることもできる。

即ち、第３図（１）に示す如く、保持体ｌの所定箇所に
バンブ形成用穴２を形成した後、第３図（２）に示す如
（、上記バンプ形成用穴２の形成された上記保持体ｌ上
に、前記レジストを用いて、パターン形成用レジスト層
３を形成し、次いで、第３図（３）に示す如く、上記パ
ターン形成用レジスト層３の形成された上記保持体１上
に銅メッキを施して、バンプ４ａと回路パターン部４ｂ
を形成し、然る後、第３図（４）に示す如（、上記パタ
ーン形成用レジスト層３を除去し、上記保持体１上に形
成されたバンプ付回路パターン４を得る。

その後、本発明においては、上記保持体ｌ上に形成され
たバンプ付回路パターン４を使用して、第２図に示す如
く転写及びエツチングを行う。

尚、バンプ形成用穴２の形成は、前述の第１図（１）及
び（２）に示す如きエツチング方式で行っても良いが、
機械的手段によって行っても良く、またバンプの高さと
同じ厚みの保持体に機械的手段によって貫通孔をあけ、
これと貫通孔の形成されていない保持体とを張り合わせ
る方法により行うこともできる。

（実施例〕以下に、本発明の実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説
明する。

実施例１厚さ４０μｍのアルミニウム箔上に感光性ドライフィル
ム（室町化学■製、ミューロンＳ）をラミネートし、露
光・現像処理によって、該ドライフィルムの所定箇所に
２０μｍ径の円形状孔を形成した後、これを３５％塩酸
水溶液に浸漬し、上記半円球状孔におけるアルミニウム
箔の露出部分をエツチングして２０ｕｎの深さのバンブ
形成用穴を形成した０次いで、これに電解鋼メッキを施
して、上記バンブ形成用穴に銅を電着させ、高さ２０μ
ｍのバンプを形成した。

次いで、これを塩化メチレンに浸漬し、上記ドライフィ
ルムを剥離除去した後、このアルミニウム箔上に、ドラ
イフィルムを再びラミネートし、露光・現像処理によっ
てパターン形成用レジスト層を形成した０次いで、これ
に電解銅メッキを施して、回路パターン部を形成した。

次いで、これを塩化メチレンに浸漬し、上記パターン形
成用レジスト層を剥離除去し、アルミニウム箔上に形成
されたバンプ付回路パターンを得た。

然る後、このようにして得られたアルミニウム箔上のバ
ンブ付回路パターンを、アルミニウム箔ごとプリプレグ
（耐熱性エポキシ樹脂をガラス繊維に含浸させたもの）
に、温度１７０℃、圧力６０にｇ／ｃｊ、処理時間１時
間の条件下で熱圧着し、上記バンブ付回路パターンを上
記プリプレグに転写した０次いで、これを４％苛性ソー
ダ水溶液に浸漬し、アルミニウム箔をエツチングして除
去し、第２図（３）に示すような、所望のバンプ付微細
配線パターンが形成されたバンブ付配線板を得た。

〔発明の効果〕

本発明のバンプ付配線板の製造方法によれば、バンプ付
微細回路パターンを精度良く且つ容易に形成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

図面は、本発明のバンブ付配線板の製造方法の実施態様
の概略を模式的に示すもので、第１図は、保持体上での
バンブ付回路パターンの形成工程を示す拡大断面図、第
２図は、バンブ付回路パターンの絶縁基板への転写工程
を示す拡大断面図、第３図は、保持体上でのバンブ付回
路パターンの別の形成工程を示す拡大断面図である。１・・保持体、２・・バンブ形成用穴、３・・パターン
形成用レジスト層、４ａ・・バンプ、４ｂ・・回路パタ
ーン部、４・・バンブ付回路パターン、５・・接着副層
、６・・絶縁基板。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）銅以外の導電性物質からなる保持体上に、その所
定箇所にバンプ形成用穴を形成し、次いで、上記バンプ
形成用穴の形成された保持体上に、パターン形成用レジ
スト層を形成し、銅メッキを施してバンプ付回路パター
ンを形成し、次いで、上記パターン形成用レジスト層を
除去し、然る後、上記保持体上に形成された上記バンプ
付回路パターンを上記保持体と共に絶縁基板に転写し、
上記保持体をエッチングして除去することを特徴とする
バンプ付配線板の製造方法。
（２）バンプ形成用穴の形成を、保持体上に、バンプ形
成用穴の形成位置に相当する部分以外を被覆するレジス
ト層を形成し、該レジスト層の形成されていない、バン
プ形成用穴の形成位置に相当する部分の保持体をエッチ
ングすることにより行う、特許請求の範囲第（１）項記
載のバンプ付配線板の製造方法。