JPS634532B2 - - Google Patents
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
【式】
（式中Ｒは低級アルキル基またはアルアルキル
基を示す）で示すＮ―置換―４―ハイドロオキシ
インドール類およびその製造法に関するものであ
る。 ４位に水酸基を有するインドール誘導体は一般
に強い生理作用を有しているので医薬品乃至は医
薬中間体として有用な化合物である。４―ハイド
ロオキシインドール誘導体の従来公知の製造法は
１位に水酸基を有し２，３位にインドール核合成
のための置換基を有する２，３位置換フエノー
ル、例えば２―メチル―３―ニトロフエノールあ
るいは２―ホルミル―３―ニトロフエノールを原
料とし数工程を経て４―ハイドロオキシインドー
ル環を合成する方法が知られている。（J.C.S.，
19481605，Helv.Chim.Acta，381452（1955）） しかしながら公知の方法は高価な原料を使用し
工程が長く、全工程を通じた収率も低くなるため
工業的に満足すべき方法とは云えない。 本発明者等は５―アミノイソキノリンのアミノ
基を適当な保護基で保護したのち常法によりＮ―
オキサイド化して得た各種５―アミノイソキノリ
ン―２―オキサイド誘導体の光化学反応を研究中
に、５―アルキルオキシカルボニルあるいは５―
アルアルキルオキシカルボニルアミノイソキノリ
ン―２―オキサイド類のアプロチツク溶媒中での
光照射生成物である、対応する１，３―ベンツオ
キシアゼピン類をただちに酸性条件下で加水分解
すると応対するＮ―置換―４―ハイドロオキシイ
ンドールが生成することを発見し本発明を完成し
た。 これを化学反応式で示すと下記のとおりであ
る。 （式中Ｒは一般式〔〕と同様） 反応式〔〕に示す経路は本発明者等により発
見された新規な反応であり、生成するＮ―置換―
４―ハイドロオキシインドール類も新規化合物で
ある。５―アミノイソキノリン―２―オキサイド
誘導体よりＮ―置換―４―ハイドロオキシインド
ールの生成反応は複雑であり完全に解明しつくさ
れてはいないが、その反応機構の大要はアプロチ
ツク溶媒中での光照射によつて生じる６―置換ア
ミノ―１，３―ベンツオキシアゼピン体を経る下
記化学式で示す経路によつて進行するものと推定
している。 （式中Ｒは一般式〔〕と同様） 本発明によつて製造されるＮ―置換―４―ハイ
ドロオキシインドール類は興味ある薬理作用を有
し、医薬品あるいは医薬中間体として有用な物質
である。即ち、４―ハイドロオキシインドールは
極めて空気酸化を受け易い不安定な化合物である
（J.C.S.，19481609）のに対し、Ｎ―置換―４―
ハイドロオキシインドール類は何れも極めて安定
な結晶であり、４位水酸基に対し種々の化学反応
による修飾を容易に行なうことができる。 また一方、Ｎ―置換基を加水分解あるいは水素
化分解等により除去し得るごとく予め５―アミノ
イソキノリンのアミノ基の保護基を選択しておく
ことにより、本発明は医薬中間体として重要な４
―ハイドロオキシインドールの製造にも有利に応
用することができる。例えば５―ベンジルオキシ
カルボニルアミノイソキノリンを原料としてこれ
を常法によりＮ―オキサイドとしたのち、本発明
の方法により得たＮ―ベンジルオキシカルボニル
―４―ハイドロオキシインドールは水素還元によ
り容易に脱ベンジルオキシカルボニル反応が行な
われ、４―ハイドロオキシインドールを製造する
ことができる。 以上の如く本発明は新規な光照射反応の知見に
基いた新規化合物Ｎ―置換―４―ハイドロオキシ
インドール類ならびその製造法で以下更に詳細に
説明する。 本発明において原料として使用する５―アミノ
イソキノリン―２―オキサイド誘導体はイソキノ
リンのニトロ化および還元を行なう公知方法によ
り高収率で得られる５―アミノイソキノリンにカ
ルボアルキルオキシハライドあるいはカルボベン
ゾオキシハライドを適当な脱酸剤の存在下反応さ
せて５位のアミノ基を保護したのち、過酸化水素
―酢酸と加熱して高収率で得られるものである。 本発明を実施するにあたつては、上記５―アミ
ノイソキノリン―２―オキサイド誘導体をアセト
ン、二塩化メチレン、ベンゼン、ジオキサン、エ
ーテル、THF、アセトニトリル等のアプロチツ
ク溶媒に溶解し、光源としては市販の高圧水銀ラ
ンプを使用し光照射を行なう。照射光の波長は
300nm〜360nmの光が有効であり必要あればパイ
レツクスフイルターを挿入して短波長測をカツト
すれば良い。光照射反応における反応温度は室温
付近より溶媒の沸騰温度まで適宜の温度において
実施可能である。原料Ｎ―オキサイドの溶解度が
少い場合は高温度に保つて溶解度を高め濃度を高
くして反応させる方が有利である。 反応の進行は反応液中の原料の減少によつて容
易に知ることができる。即ち、シリカゲル薄層ク
ロマト上の原料スポツトの消失時点で反応終了と
し反応液を濃縮後得られる６―置換アミノ―１，
３―ベンツオキシアゼピン類をただちに塩酸また
は硫酸含有の水または各種アルコール含有溶液中
で加熱加水分解し、反応液より抽出、精製して目
的のＮ―置換―４―ハイドロオキシインドールを
得ることができる。 以上の如く本発明はイソキノリンより容易に製
造することのできる５―アミノイソキノリン―２
―オキサイド誘導体を原料とし、簡易な操作でし
かも実質的に１工程で医薬中間体として広い応用
が期待され且安定なＮ―置換―４―ハイドロオキ
シインドールを製造することのできる工業上有利
な新規化合物およびその製造法を提供するもの
で、以下参考例および実施例によつて更に詳細に
説明する。 参考例 １ ５―エトキシカルボニルアミノイソキノリン―
２―オキサイド ５−アミノイソキノリンを水に溶解し、1.5倍
モルの炭酸カリを加えて撹拌しながらエトキシカ
ルボニルクロライド1.2倍モルを滴下する。約２
時間反応させたのち二塩化メチレンで抽出する。
二塩化メチレン液を芒硝で乾燥後、溶媒を溜去
し、残渣にベンゼンを加え１時間還流加熱して抽
出、抽出液より結晶化させ５―エトキシカルボニ
ルアミノイソキノリンを収率70％で得る。m.
p128.5〜129.5℃ 次でこれを氷酢酸に溶解し、30％過酸化水素
1.5倍モルを加えて75〜80℃で７時間加熱反応し
たのち、水を加えて減圧下に濃縮する操作を繰返
して過剰の過酸化水素を分解し酢酸とともに溜去
し残渣をメタノールより再結晶し、５―エトキシ
カルボニルアミノイソキノリン―２―オキサイド
を収率75％で得る。m.p178〜179.5℃ 元素分析 C12H12O3N2 計算値 C62.06 H5.21 N12.06 実測値 61.85 5.32 12.15 実施例 １ Ｎ―エトキシカルボニル―４―ハイドロオキシ
インドール ５―エトキシカルボニルアミノイソキノリン―
２―オキサイド232mgをアセトン300mlに溶解後、
400W高圧水銀ランプ（東芝400P）を点灯しパイ
レツクスフイルターを通して照射する。反応の進
行は反応液の一部をとりTLC（シリカゲルプレー
ト展開溶媒、メタノール：酷酸エチル、５：
95v／ｖ）で検する。15分間照射するとTLC上の
原料スポツトが消失するので反応終了とし、アセ
トンを減圧下に回収し、残留物に10％塩酸3.3ml
を含むメタノール33mlの混液を加えて溶解し、水
浴上で４時間還流加熱して加水分解する。次で溶
媒を減圧留去し残留物に５％重炭酸ソーダを加え
て弱アルカリ性とし、メタノール５％を含む二塩
化メチレンで抽出する。抽出液を芒硝で乾燥後二
塩化メチレンを溜去し残留物を少量のメタノール
に溶解する。これにセライト２ｇを加えて吸収さ
せ、予め10ｇのシリカゲルを充填したカラム上に
層積させる。次でエーテル・ヘキサンの混液でク
ロマトグラフイーを行ない、Ｎ―エトキシカルボ
ニル―４―ハイドロオキシインドール71.75mgを
得る。収率35％、ヘキサン―エーテルより再結晶
m.p119〜120℃ 質量分析値ｍ／ｅ；205（M+） λMeOH naxnm；222，252，259，296，304 元素分析 C11H11O3N 計算値 C64.38 H5.40 N6.83 実測値 64.25 5.43 6.78 核磁気共鳴スペクトル（10％ CD3OD in
CDCl3） δ：1.43（ｔ，Ｊ＝7.0Hz，3H），4.40（ｑ，Ｊ＝7.0
Hz，2H），6.56（ｄ，Ｊ＝8.0Hz，1H），6.66
（ｄ，Ｊ＝4.0Hz，1H），7.13（ｔ，Ｊ＝8.0Hz，
1H），7.43（ｄ，Ｊ＝4.0Hz，1H），7.63（ｄ，
Ｊ＝8.0Hz，1H） 参考例 ２ ５―ベンジルオキシカルボニルアミノイソキノ
リン―２―オキサイド ５―アミノイソキノリンを10倍容のピリジンに
溶解し、２倍モルのベンジルオキシカルボニルク
ロライドを徐々に加える。一晩撹拌後ピリジンを
減圧下に溜去し、メタノール５％を含む二塩化メ
チレンで抽出、芒硝で乾燥したのち溶媒を溜去
し、残留物をメタノールより再結晶し、５―ベン
ジルオキシカルボニルアミノイソキノリンを得
る。 収率93％ m.p161.5〜163.5℃ 次にこれを参考例１と同様に30％過酸化水素を
反応させ、５―ベンジルオキシカルボニルイソキ
ノリン―２―オキサイドを得る。収率86％ m.
p184.5〜186.5℃ 元素分析 C17H14O3N2 計算値 C69.37 H4.79 N9.52 実測値 69.25 4.80 9.48 実施例 ２ Ｎ−ベンジルオキシカルボニル―４―ハイドロ
オキシインドール ５―ベンジルオキシカルボニルイソキノリン―
２―オキサイド326.4mgをアセトン280mlに溶解
後、400W高圧水銀ランプ（東芝400P）を点灯
し、パイレツクスフイルターを通して原料が消失
するまで照射する。15分間照射したのち溶媒を減
圧下に回収し、残留物に10％塩酸3.3mlを含むメ
タノール33mlを加えて溶解し、水浴上で７時間還
流加熱して加水分解する。次でメタノールを溜去
し５％重炭酸ソーダを加えて弱アルカリ性とし、
５％のメタノールを含有する二塩化メチレンで抽
出する。芒硝で乾燥後溶媒を溜去し、残留物を少
量のメタノールに溶解する。これにセライト２ｇ
を加えて吸収させ、予め10ｇのシリカゲルを充填
したカラム上に層積させる。次で二塩化メチレン
で展開してクロマトグラフイーを行ない、Ｎ―ベ
ンジルオキシカルボニル―４―ハイドロオキシイ
ンドール88mgを得る。エーテル―ヘキサンより再
結晶、収率30％、m.p119〜121℃ 質量分析値ｍ／ｅ；267（M+） λMeOH naxnm；222，251，259，297，305 元素分析 C16H13O3N 計算値 C71.90 H4.90 N5.24 実測値 71.65 4.92 5.26 核磁気共鳴スペクトル（10％ CD3OD in
CDCl3） δ：5.36（ｓ，2H），6.56（ｄ，Ｊ＝８Hz，1H），
6.66（ｄ，Ｊ＝４Hz，1H），7.05（ｔ，Ｊ＝8.0
Hz，1H）7.34（ｓ，5H），7.41（ｄ，Ｊ＝4.0
Hz，1H）7.61（ｄ，Ｊ＝8.0Hz，1H）。
基を示す）で示すＮ―置換―４―ハイドロオキシ
インドール類およびその製造法に関するものであ
る。 ４位に水酸基を有するインドール誘導体は一般
に強い生理作用を有しているので医薬品乃至は医
薬中間体として有用な化合物である。４―ハイド
ロオキシインドール誘導体の従来公知の製造法は
１位に水酸基を有し２，３位にインドール核合成
のための置換基を有する２，３位置換フエノー
ル、例えば２―メチル―３―ニトロフエノールあ
るいは２―ホルミル―３―ニトロフエノールを原
料とし数工程を経て４―ハイドロオキシインドー
ル環を合成する方法が知られている。（J.C.S.，
19481605，Helv.Chim.Acta，381452（1955）） しかしながら公知の方法は高価な原料を使用し
工程が長く、全工程を通じた収率も低くなるため
工業的に満足すべき方法とは云えない。 本発明者等は５―アミノイソキノリンのアミノ
基を適当な保護基で保護したのち常法によりＮ―
オキサイド化して得た各種５―アミノイソキノリ
ン―２―オキサイド誘導体の光化学反応を研究中
に、５―アルキルオキシカルボニルあるいは５―
アルアルキルオキシカルボニルアミノイソキノリ
ン―２―オキサイド類のアプロチツク溶媒中での
光照射生成物である、対応する１，３―ベンツオ
キシアゼピン類をただちに酸性条件下で加水分解
すると応対するＮ―置換―４―ハイドロオキシイ
ンドールが生成することを発見し本発明を完成し
た。 これを化学反応式で示すと下記のとおりであ
る。 （式中Ｒは一般式〔〕と同様） 反応式〔〕に示す経路は本発明者等により発
見された新規な反応であり、生成するＮ―置換―
４―ハイドロオキシインドール類も新規化合物で
ある。５―アミノイソキノリン―２―オキサイド
誘導体よりＮ―置換―４―ハイドロオキシインド
ールの生成反応は複雑であり完全に解明しつくさ
れてはいないが、その反応機構の大要はアプロチ
ツク溶媒中での光照射によつて生じる６―置換ア
ミノ―１，３―ベンツオキシアゼピン体を経る下
記化学式で示す経路によつて進行するものと推定
している。 （式中Ｒは一般式〔〕と同様） 本発明によつて製造されるＮ―置換―４―ハイ
ドロオキシインドール類は興味ある薬理作用を有
し、医薬品あるいは医薬中間体として有用な物質
である。即ち、４―ハイドロオキシインドールは
極めて空気酸化を受け易い不安定な化合物である
（J.C.S.，19481609）のに対し、Ｎ―置換―４―
ハイドロオキシインドール類は何れも極めて安定
な結晶であり、４位水酸基に対し種々の化学反応
による修飾を容易に行なうことができる。 また一方、Ｎ―置換基を加水分解あるいは水素
化分解等により除去し得るごとく予め５―アミノ
イソキノリンのアミノ基の保護基を選択しておく
ことにより、本発明は医薬中間体として重要な４
―ハイドロオキシインドールの製造にも有利に応
用することができる。例えば５―ベンジルオキシ
カルボニルアミノイソキノリンを原料としてこれ
を常法によりＮ―オキサイドとしたのち、本発明
の方法により得たＮ―ベンジルオキシカルボニル
―４―ハイドロオキシインドールは水素還元によ
り容易に脱ベンジルオキシカルボニル反応が行な
われ、４―ハイドロオキシインドールを製造する
ことができる。 以上の如く本発明は新規な光照射反応の知見に
基いた新規化合物Ｎ―置換―４―ハイドロオキシ
インドール類ならびその製造法で以下更に詳細に
説明する。 本発明において原料として使用する５―アミノ
イソキノリン―２―オキサイド誘導体はイソキノ
リンのニトロ化および還元を行なう公知方法によ
り高収率で得られる５―アミノイソキノリンにカ
ルボアルキルオキシハライドあるいはカルボベン
ゾオキシハライドを適当な脱酸剤の存在下反応さ
せて５位のアミノ基を保護したのち、過酸化水素
―酢酸と加熱して高収率で得られるものである。 本発明を実施するにあたつては、上記５―アミ
ノイソキノリン―２―オキサイド誘導体をアセト
ン、二塩化メチレン、ベンゼン、ジオキサン、エ
ーテル、THF、アセトニトリル等のアプロチツ
ク溶媒に溶解し、光源としては市販の高圧水銀ラ
ンプを使用し光照射を行なう。照射光の波長は
300nm〜360nmの光が有効であり必要あればパイ
レツクスフイルターを挿入して短波長測をカツト
すれば良い。光照射反応における反応温度は室温
付近より溶媒の沸騰温度まで適宜の温度において
実施可能である。原料Ｎ―オキサイドの溶解度が
少い場合は高温度に保つて溶解度を高め濃度を高
くして反応させる方が有利である。 反応の進行は反応液中の原料の減少によつて容
易に知ることができる。即ち、シリカゲル薄層ク
ロマト上の原料スポツトの消失時点で反応終了と
し反応液を濃縮後得られる６―置換アミノ―１，
３―ベンツオキシアゼピン類をただちに塩酸また
は硫酸含有の水または各種アルコール含有溶液中
で加熱加水分解し、反応液より抽出、精製して目
的のＮ―置換―４―ハイドロオキシインドールを
得ることができる。 以上の如く本発明はイソキノリンより容易に製
造することのできる５―アミノイソキノリン―２
―オキサイド誘導体を原料とし、簡易な操作でし
かも実質的に１工程で医薬中間体として広い応用
が期待され且安定なＮ―置換―４―ハイドロオキ
シインドールを製造することのできる工業上有利
な新規化合物およびその製造法を提供するもの
で、以下参考例および実施例によつて更に詳細に
説明する。 参考例 １ ５―エトキシカルボニルアミノイソキノリン―
２―オキサイド ５−アミノイソキノリンを水に溶解し、1.5倍
モルの炭酸カリを加えて撹拌しながらエトキシカ
ルボニルクロライド1.2倍モルを滴下する。約２
時間反応させたのち二塩化メチレンで抽出する。
二塩化メチレン液を芒硝で乾燥後、溶媒を溜去
し、残渣にベンゼンを加え１時間還流加熱して抽
出、抽出液より結晶化させ５―エトキシカルボニ
ルアミノイソキノリンを収率70％で得る。m.
p128.5〜129.5℃ 次でこれを氷酢酸に溶解し、30％過酸化水素
1.5倍モルを加えて75〜80℃で７時間加熱反応し
たのち、水を加えて減圧下に濃縮する操作を繰返
して過剰の過酸化水素を分解し酢酸とともに溜去
し残渣をメタノールより再結晶し、５―エトキシ
カルボニルアミノイソキノリン―２―オキサイド
を収率75％で得る。m.p178〜179.5℃ 元素分析 C12H12O3N2 計算値 C62.06 H5.21 N12.06 実測値 61.85 5.32 12.15 実施例 １ Ｎ―エトキシカルボニル―４―ハイドロオキシ
インドール ５―エトキシカルボニルアミノイソキノリン―
２―オキサイド232mgをアセトン300mlに溶解後、
400W高圧水銀ランプ（東芝400P）を点灯しパイ
レツクスフイルターを通して照射する。反応の進
行は反応液の一部をとりTLC（シリカゲルプレー
ト展開溶媒、メタノール：酷酸エチル、５：
95v／ｖ）で検する。15分間照射するとTLC上の
原料スポツトが消失するので反応終了とし、アセ
トンを減圧下に回収し、残留物に10％塩酸3.3ml
を含むメタノール33mlの混液を加えて溶解し、水
浴上で４時間還流加熱して加水分解する。次で溶
媒を減圧留去し残留物に５％重炭酸ソーダを加え
て弱アルカリ性とし、メタノール５％を含む二塩
化メチレンで抽出する。抽出液を芒硝で乾燥後二
塩化メチレンを溜去し残留物を少量のメタノール
に溶解する。これにセライト２ｇを加えて吸収さ
せ、予め10ｇのシリカゲルを充填したカラム上に
層積させる。次でエーテル・ヘキサンの混液でク
ロマトグラフイーを行ない、Ｎ―エトキシカルボ
ニル―４―ハイドロオキシインドール71.75mgを
得る。収率35％、ヘキサン―エーテルより再結晶
m.p119〜120℃ 質量分析値ｍ／ｅ；205（M+） λMeOH naxnm；222，252，259，296，304 元素分析 C11H11O3N 計算値 C64.38 H5.40 N6.83 実測値 64.25 5.43 6.78 核磁気共鳴スペクトル（10％ CD3OD in
CDCl3） δ：1.43（ｔ，Ｊ＝7.0Hz，3H），4.40（ｑ，Ｊ＝7.0
Hz，2H），6.56（ｄ，Ｊ＝8.0Hz，1H），6.66
（ｄ，Ｊ＝4.0Hz，1H），7.13（ｔ，Ｊ＝8.0Hz，
1H），7.43（ｄ，Ｊ＝4.0Hz，1H），7.63（ｄ，
Ｊ＝8.0Hz，1H） 参考例 ２ ５―ベンジルオキシカルボニルアミノイソキノ
リン―２―オキサイド ５―アミノイソキノリンを10倍容のピリジンに
溶解し、２倍モルのベンジルオキシカルボニルク
ロライドを徐々に加える。一晩撹拌後ピリジンを
減圧下に溜去し、メタノール５％を含む二塩化メ
チレンで抽出、芒硝で乾燥したのち溶媒を溜去
し、残留物をメタノールより再結晶し、５―ベン
ジルオキシカルボニルアミノイソキノリンを得
る。 収率93％ m.p161.5〜163.5℃ 次にこれを参考例１と同様に30％過酸化水素を
反応させ、５―ベンジルオキシカルボニルイソキ
ノリン―２―オキサイドを得る。収率86％ m.
p184.5〜186.5℃ 元素分析 C17H14O3N2 計算値 C69.37 H4.79 N9.52 実測値 69.25 4.80 9.48 実施例 ２ Ｎ−ベンジルオキシカルボニル―４―ハイドロ
オキシインドール ５―ベンジルオキシカルボニルイソキノリン―
２―オキサイド326.4mgをアセトン280mlに溶解
後、400W高圧水銀ランプ（東芝400P）を点灯
し、パイレツクスフイルターを通して原料が消失
するまで照射する。15分間照射したのち溶媒を減
圧下に回収し、残留物に10％塩酸3.3mlを含むメ
タノール33mlを加えて溶解し、水浴上で７時間還
流加熱して加水分解する。次でメタノールを溜去
し５％重炭酸ソーダを加えて弱アルカリ性とし、
５％のメタノールを含有する二塩化メチレンで抽
出する。芒硝で乾燥後溶媒を溜去し、残留物を少
量のメタノールに溶解する。これにセライト２ｇ
を加えて吸収させ、予め10ｇのシリカゲルを充填
したカラム上に層積させる。次で二塩化メチレン
で展開してクロマトグラフイーを行ない、Ｎ―ベ
ンジルオキシカルボニル―４―ハイドロオキシイ
ンドール88mgを得る。エーテル―ヘキサンより再
結晶、収率30％、m.p119〜121℃ 質量分析値ｍ／ｅ；267（M+） λMeOH naxnm；222，251，259，297，305 元素分析 C16H13O3N 計算値 C71.90 H4.90 N5.24 実測値 71.65 4.92 5.26 核磁気共鳴スペクトル（10％ CD3OD in
CDCl3） δ：5.36（ｓ，2H），6.56（ｄ，Ｊ＝８Hz，1H），
6.66（ｄ，Ｊ＝４Hz，1H），7.05（ｔ，Ｊ＝8.0
Hz，1H）7.34（ｓ，5H），7.41（ｄ，Ｊ＝4.0
Hz，1H）7.61（ｄ，Ｊ＝8.0Hz，1H）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中Ｒは低級アルキル基またはアルアルキル
基を示す）で示すＮ―置換―４―ハイドロオキシ
インドール類。 ２ 一般式 （式中Ｒは低級アルキル基またはアルアルキル
基を示す）で示す５―アミノイソキノリン―２―
オキサイド誘導体を光照射反応後加水分解するこ
とを特徴とする一般式 （式中Ｒは一般式〔〕と同様）で示すＮ―置
換―４―ハイドロオキシインドール類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2738580A JPS56123969A (en) | 1980-03-06 | 1980-03-06 | 4-hydroxyindole derivative and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2738580A JPS56123969A (en) | 1980-03-06 | 1980-03-06 | 4-hydroxyindole derivative and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56123969A JPS56123969A (en) | 1981-09-29 |
| JPS634532B2 true JPS634532B2 (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=12219577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2738580A Granted JPS56123969A (en) | 1980-03-06 | 1980-03-06 | 4-hydroxyindole derivative and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56123969A (ja) |
-
1980
- 1980-03-06 JP JP2738580A patent/JPS56123969A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56123969A (en) | 1981-09-29 |
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