JPS63318777A - ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタInfo
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- JPS63318777A JPS63318777A JP15576887A JP15576887A JPS63318777A JP S63318777 A JPS63318777 A JP S63318777A JP 15576887 A JP15576887 A JP 15576887A JP 15576887 A JP15576887 A JP 15576887A JP S63318777 A JPS63318777 A JP S63318777A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はへテロ接合バイポーラトランジスタに関する。
(従来技術)
ベース層とベース層よシ禁制帯幅の広いエミッタ層との
へテロ接層を備え九へテロ接合バイポーラトランジスタ
(以降HBTと称す)は、ベース層の不純物濃度を高く
してベース抵抗を低減しても、エミヅタ注入効果が低下
しないので二超高速・超高周波素子として有望視されて
いる。特に、近年の分子線エピタキシャル(MBg)法
あるりは。
へテロ接層を備え九へテロ接合バイポーラトランジスタ
(以降HBTと称す)は、ベース層の不純物濃度を高く
してベース抵抗を低減しても、エミヅタ注入効果が低下
しないので二超高速・超高周波素子として有望視されて
いる。特に、近年の分子線エピタキシャル(MBg)法
あるりは。
有機金属CV D (MOCVD)法等の技術の進展に
よシ、化合物半導体のHBTの研究開発活動は、急速に
拡大して―る。
よシ、化合物半導体のHBTの研究開発活動は、急速に
拡大して―る。
第7図は従来のHBTの第1の例のバンド構造図である
。
。
この例は、N−GaAs層からなるコレクタ層3′上に
P−G a A s層からなるベース層4及びN→す0
.30aO=?A8層からなるエミッタ層5′を順次設
けたシングルHBTであ〕、エミッタ層とベース層との
へテロ接合部に伝導帯の不連続ΔEc及び価電子帯の不
淳続ΔBvが生ずる。それらの大きさは、a Jo 、
s (ho 、t MとGaAsの電子親和力差がほぼ
α2eVであるため、ΔEc=α2eVで、 Ag3.
30 ! 6.7AsとGaAsの禁制帯幅の差ΔEg
は約0,3eVでるるため、Δgg=ΔEc+ΔEvか
らΔEv=0.1eVとなる。なお1通常、ベース層4
の不純物濃度は5X 10” 〜IXl O” a t
om/cm”程[で6り、エミッタ層5′の不純物濃
度(3X lo’T cm1程度)よシも高濃度でめる
九めノツチの部分δENが非常に小ざくな)ΔEC=a
Ecとなる。従って、このδEcによ)、エミッタ層5
′からベース層4にホットエレクトロンを注入すること
ができるが、280分だけ電子にとっての障壁が高くな
るので、ベース層4からエミッタ層5′にキャリヤを注
入するときのいわゆるオン電圧が大きくなってしまうと
いう欠点がある。更に、又、ΔVp/Δvf1も、δE
cが存在する分だけ小さくなシ、ベース層4からエミッ
タ層5′へ逆注入されるホール電流を抑止する効果が薄
れるという欠点もめる。実用的にはΔEcが0.1eV
を越えるとこれらの欠点が顕著になってくる。
P−G a A s層からなるベース層4及びN→す0
.30aO=?A8層からなるエミッタ層5′を順次設
けたシングルHBTであ〕、エミッタ層とベース層との
へテロ接合部に伝導帯の不連続ΔEc及び価電子帯の不
淳続ΔBvが生ずる。それらの大きさは、a Jo 、
s (ho 、t MとGaAsの電子親和力差がほぼ
α2eVであるため、ΔEc=α2eVで、 Ag3.
30 ! 6.7AsとGaAsの禁制帯幅の差ΔEg
は約0,3eVでるるため、Δgg=ΔEc+ΔEvか
らΔEv=0.1eVとなる。なお1通常、ベース層4
の不純物濃度は5X 10” 〜IXl O” a t
om/cm”程[で6り、エミッタ層5′の不純物濃
度(3X lo’T cm1程度)よシも高濃度でめる
九めノツチの部分δENが非常に小ざくな)ΔEC=a
Ecとなる。従って、このδEcによ)、エミッタ層5
′からベース層4にホットエレクトロンを注入すること
ができるが、280分だけ電子にとっての障壁が高くな
るので、ベース層4からエミッタ層5′にキャリヤを注
入するときのいわゆるオン電圧が大きくなってしまうと
いう欠点がある。更に、又、ΔVp/Δvf1も、δE
cが存在する分だけ小さくなシ、ベース層4からエミッ
タ層5′へ逆注入されるホール電流を抑止する効果が薄
れるという欠点もめる。実用的にはΔEcが0.1eV
を越えるとこれらの欠点が顕著になってくる。
第8図は従来の)IBTの第2の例のバンド構造図でる
る。
る。
この例はs−N −A l o、 s G a o 、
y A 71層からなるコレツタM3上にP−GaA
s層からなるベース層4及びN−”AIQ、3 Ga
o、7As層からなるエミッタ層5′を順次設は九ダブ
ルHBTであり、ベースのホールがコレクタ側に進出し
てしまういわゆるカーク効果を防止することができる。
y A 71層からなるコレツタM3上にP−GaA
s層からなるベース層4及びN−”AIQ、3 Ga
o、7As層からなるエミッタ層5′を順次設は九ダブ
ルHBTであり、ベースのホールがコレクタ側に進出し
てしまういわゆるカーク効果を防止することができる。
しかしながら、この例ではベース、コレクタ接合界面に
も、エミッタ、ベース接合界面と同様に、伝導帯の不連
続ΔEcが生じベース層を通過しt電子をコレクタ層に
回収する効果が低下してしまうと−う欠点がある。この
場合も実用的にはΔEcが0.1eVを越えると、この
欠点が顕著になってくる。
も、エミッタ、ベース接合界面と同様に、伝導帯の不連
続ΔEcが生じベース層を通過しt電子をコレクタ層に
回収する効果が低下してしまうと−う欠点がある。この
場合も実用的にはΔEcが0.1eVを越えると、この
欠点が顕著になってくる。
第9図は従来のHBTの第3の例のバンド構造図である
。
。
この例は、第1の例の欠点を改良し友ものでおり、N−
GaAs層からなるコレクタI@ 3 ’上のP−Ga
As層からなるベース層4とN−At Q、3Ga 0
.7As層からなるエミッタ層5′との間にN−hlx
Ga、−8As層(x:0→0.3)からなるグレーダ
ry)シ(ンドギャップ構造のエミッタ層5 a Iを
設けてiるので、このエミッタ層5 a Iによシ伝導
生の不連続ΔEct除去することができる。リドしなが
ら、このエミッタ、′・1 層5 a Iとしては厚さが3001〜5004度必要
で69、従って、この部分での電子の再結合によって電
流利得が大きく低下してしまうという断念な欠点が生ず
る。
GaAs層からなるコレクタI@ 3 ’上のP−Ga
As層からなるベース層4とN−At Q、3Ga 0
.7As層からなるエミッタ層5′との間にN−hlx
Ga、−8As層(x:0→0.3)からなるグレーダ
ry)シ(ンドギャップ構造のエミッタ層5 a Iを
設けてiるので、このエミッタ層5 a Iによシ伝導
生の不連続ΔEct除去することができる。リドしなが
ら、このエミッタ、′・1 層5 a Iとしては厚さが3001〜5004度必要
で69、従って、この部分での電子の再結合によって電
流利得が大きく低下してしまうという断念な欠点が生ず
る。
第1θ図は従来のHBTの第4の例のバンド構造図でる
る。
る。
この例は、第2の例を改良し友ものであり、NAl6.
3 Ga 0.、As層からなるコレクタ層3′と、P
−GaAs層からなるベース層4との間にN −AJx
Gas xAs層(x:α3→0)からなるグレーデ
ッドバンドギャップ構造のコレクタ層3a#並びにベー
ス層4とN−Aj□、5Gao、7A8層からなるエミ
ッタ層5′との間にN−AJxGa、−xAs層(x:
0→0.3)からなるエミッタ層5 a Iを設け、コ
レクタ層3a#及びエミッタ層5 a Iによって両刃
の伝導帯の不連続ΔEcJ−除去して−る。しかし、こ
の例も、第3の例と同様の理由で、電子の再結合確率が
増加して電流利得が低下するとiう新たな欠点が生じて
しまう。
3 Ga 0.、As層からなるコレクタ層3′と、P
−GaAs層からなるベース層4との間にN −AJx
Gas xAs層(x:α3→0)からなるグレーデ
ッドバンドギャップ構造のコレクタ層3a#並びにベー
ス層4とN−Aj□、5Gao、7A8層からなるエミ
ッタ層5′との間にN−AJxGa、−xAs層(x:
0→0.3)からなるエミッタ層5 a Iを設け、コ
レクタ層3a#及びエミッタ層5 a Iによって両刃
の伝導帯の不連続ΔEcJ−除去して−る。しかし、こ
の例も、第3の例と同様の理由で、電子の再結合確率が
増加して電流利得が低下するとiう新たな欠点が生じて
しまう。
(発明が解決しようとする問題点)
上述し九へテロ接合パイポー2トランジスタの第1及び
第2の例では、ベース・エミッタ接合めるいはコレクタ
・ベース接合のへテロ接合部に比較的大きな伝導帯の不
連続δEcが生じるので、ベース・エミッタ間のオン電
圧が増大した)、ベース層からエミッタ層へのホール電
流増加によるエミッタ注入効y4が低下し究シあるいは
ベース層を通過し良電子のコレクタ層への回収効率が低
下するという欠点がるる。
第2の例では、ベース・エミッタ接合めるいはコレクタ
・ベース接合のへテロ接合部に比較的大きな伝導帯の不
連続δEcが生じるので、ベース・エミッタ間のオン電
圧が増大した)、ベース層からエミッタ層へのホール電
流増加によるエミッタ注入効y4が低下し究シあるいは
ベース層を通過し良電子のコレクタ層への回収効率が低
下するという欠点がるる。
又、第3及び第4の例では、ベース・エミッタ接合ある
いはコレクタ・ベース接合にグレーデッドバンドギャッ
プ構造のエイツタ層あるいはコレクタ層を設けて―るの
で、第1及び第2の例の欠点を防止できるがしかし電子
の再結合m*が増加して電流利得が低下すると―う欠点
が断念に生じてしまり。
いはコレクタ・ベース接合にグレーデッドバンドギャッ
プ構造のエイツタ層あるいはコレクタ層を設けて―るの
で、第1及び第2の例の欠点を防止できるがしかし電子
の再結合m*が増加して電流利得が低下すると―う欠点
が断念に生じてしまり。
(問題を解決するための手段)
本発明のへテロ接合バイポーラトランジスタは、順次積
層したー導電型返コレクター−1反対導電型のベース層
及び一導電型のエミッタ層を含み、前記エミッタ層又は
前記コレクタ層が前記ベース層よ〕禁制帯幅が広くかつ
前記ベース層との電子親和力の差がaICv以内の半導
体層からなる。
層したー導電型返コレクター−1反対導電型のベース層
及び一導電型のエミッタ層を含み、前記エミッタ層又は
前記コレクタ層が前記ベース層よ〕禁制帯幅が広くかつ
前記ベース層との電子親和力の差がaICv以内の半導
体層からなる。
(作用)
このような本発明のへテロ接合バイポーラトランジスタ
によると、ヘテロ接合を形成する2種の化合働手導体の
電子親和力はほぼ等しく、かつ禁制帯幅が異なっている
ので、伝導帯には接合界面にろま)大きな不連続が発生
せず、価電子帯のみに不連続が生ずる。従って電子を効
率よく伝導する一万でホール上ベース層にとじ込めるこ
とが可能になシ、シかも余分なグレーデッドバンドギャ
ップ構造のエミッタあるいはコレクタ鳴が不要になシ再
結合蓚率が低下して、電流利得が上昇する。
によると、ヘテロ接合を形成する2種の化合働手導体の
電子親和力はほぼ等しく、かつ禁制帯幅が異なっている
ので、伝導帯には接合界面にろま)大きな不連続が発生
せず、価電子帯のみに不連続が生ずる。従って電子を効
率よく伝導する一万でホール上ベース層にとじ込めるこ
とが可能になシ、シかも余分なグレーデッドバンドギャ
ップ構造のエミッタあるいはコレクタ鳴が不要になシ再
結合蓚率が低下して、電流利得が上昇する。
(実施例)
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明するO
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
この実施例は、半絶縁性基板l載面にプロトンをイオン
注入して形成した絶縁領域1aによって仕切られた部分
に不純物鑓度が5X10”atorn/X I O”
a t om/cm”で厚さが4000^のN−GaA
s層からなるコレクタ層3′ 、不純物濃度がlXl0
””a t on/cm”で厚さが150OAのP−G
aAs層からなるベース層4.不純物製置が3XIOa
tom/cm”で厚さが1500AのN −GaP層か
らなるエミッタ層5及び不純物濃度が3 X I Ol
” a t o m7cm”で厚さが500^のN”−
GaP層からなる高a度層6を順次設け、ベース1g4
.高濃度層2及び6上にそれぞれAuZn Njからな
るベース電極43 b 、 AuGe−犯層からなるコ
レクタ及びエミッタ電極8C及び8e設けた構造をして
いる。
注入して形成した絶縁領域1aによって仕切られた部分
に不純物鑓度が5X10”atorn/X I O”
a t om/cm”で厚さが4000^のN−GaA
s層からなるコレクタ層3′ 、不純物濃度がlXl0
””a t on/cm”で厚さが150OAのP−G
aAs層からなるベース層4.不純物製置が3XIOa
tom/cm”で厚さが1500AのN −GaP層か
らなるエミッタ層5及び不純物濃度が3 X I Ol
” a t o m7cm”で厚さが500^のN”−
GaP層からなる高a度層6を順次設け、ベース1g4
.高濃度層2及び6上にそれぞれAuZn Njからな
るベース電極43 b 、 AuGe−犯層からなるコ
レクタ及びエミッタ電極8C及び8e設けた構造をして
いる。
第2図は本発明の第1の実施例のバンド構造図である。
この実施例では、ベース層4を構成するGaAsの電子
親和力及び禁制帯幅はそれぞれ405cV及びL42e
Vであシ、エミッタ層5t−構成するGaPの電子親和
力及び禁制帯幅はそれぞれ40eV及びZ26eVであ
るので、電子親和力の差による伝導帯の不連続ΔEcは
ほとんどなく、従って、価電子帯の不連続ΔEvは禁制
帯幅の差Δggにほぼ等しく ΔEv: ΔEg==o
、54eVとなる◎即ち、この実施例では、ベース層4
からエンツタ層5へのホールの注入を低減してエミッタ
注入効率を高めると共にΔgcが非常に小さiのでベー
ス・エミッタ間のオン電圧の増大を抑止するという効果
がある。
親和力及び禁制帯幅はそれぞれ405cV及びL42e
Vであシ、エミッタ層5t−構成するGaPの電子親和
力及び禁制帯幅はそれぞれ40eV及びZ26eVであ
るので、電子親和力の差による伝導帯の不連続ΔEcは
ほとんどなく、従って、価電子帯の不連続ΔEvは禁制
帯幅の差Δggにほぼ等しく ΔEv: ΔEg==o
、54eVとなる◎即ち、この実施例では、ベース層4
からエンツタ層5へのホールの注入を低減してエミッタ
注入効率を高めると共にΔgcが非常に小さiのでベー
ス・エミッタ間のオン電圧の増大を抑止するという効果
がある。
この実施例では、GaAsの格子定数が&65AK対し
GaPの格子定数は&45λとな〕格子不整合系となる
が、不整合層の厚嘔がHBTで実際に用いられて−る層
構造(I000A〜100OOA)の範囲では転移等の
不具合は発生せず実用上問題はない。
GaPの格子定数は&45λとな〕格子不整合系となる
が、不整合層の厚嘔がHBTで実際に用いられて−る層
構造(I000A〜100OOA)の範囲では転移等の
不具合は発生せず実用上問題はない。
第3図は本発明の第2の実施例の断面図である。
この実施例は、#−絶縁性基板1表面にプロトンをイオ
ン注入して形成した絶縁領域11によって2を設け、高
濃度層z上に不′鈍物濃度が5Xlσ・atom/cm
”で厚さが400OAのN−GaImか6なる=レクタ
層3.不鈍物?A度がlXl0’ atom7c m”
で厚さが1500AのP−GaAs層からなるベース層
4.不純物濃度が3XI O訂atom/cm”セ厚さ
が1500Ay> N=AI0.3Ga、 、、As層
カ& e 、6工ミプタ層5′及び不純物濃度が5Xl
O”atom高濃度)46’を順次設け、ベース層、高
濃度層2及び6′上にそれぞれAuZn層からなるベー
ス電極8b 、AuGe−Ni層からなるコレクタ及び
エミッタ電極8C及び8e設けた構造をしてiる。
ン注入して形成した絶縁領域11によって2を設け、高
濃度層z上に不′鈍物濃度が5Xlσ・atom/cm
”で厚さが400OAのN−GaImか6なる=レクタ
層3.不鈍物?A度がlXl0’ atom7c m”
で厚さが1500AのP−GaAs層からなるベース層
4.不純物濃度が3XI O訂atom/cm”セ厚さ
が1500Ay> N=AI0.3Ga、 、、As層
カ& e 、6工ミプタ層5′及び不純物濃度が5Xl
O”atom高濃度)46’を順次設け、ベース層、高
濃度層2及び6′上にそれぞれAuZn層からなるベー
ス電極8b 、AuGe−Ni層からなるコレクタ及び
エミッタ電極8C及び8e設けた構造をしてiる。
第4図は本発明の第2の実施例のバンド構造図である。
この実施例では、エミッタ層5′からベース層4へは伝
導帯の不連続δEcを用−てホットエレクトロンを注入
し、ベース層4から=レクタ層3ヘノホール注入はP−
GaAS/N−GaPのヘテn界面によシ阻止しカーク
効果を除去している。このときコレクタ・べ−2界面に
おいてΔE0=oであるから電子は効率よくコレクタ電
極に回収される。
導帯の不連続δEcを用−てホットエレクトロンを注入
し、ベース層4から=レクタ層3ヘノホール注入はP−
GaAS/N−GaPのヘテn界面によシ阻止しカーク
効果を除去している。このときコレクタ・べ−2界面に
おいてΔE0=oであるから電子は効率よくコレクタ電
極に回収される。
第5図は本発明の第3の実施例の断面図で6る。
この実施例は、半絶縁性基板1表面にプロトンをイオン
注入して形成し友絶縁領域1aによって仕切られ九部分
に不純物濃度が5XIO”・atom/・
◆ crn”で厚さが400OAのN −GaP層カ67!
ル高濃度層2を設け、高濃度層2上に不純物一度が5
XIO”atom/cm” で厚さが400OAのN
−G a P層からなるコレクタ層3.不純物濃度がl
Xl0”a t om/cm”で厚さが150OA+7
3P−GaAs 層カラなるベース層4.不純物濃度が
3XIO11atom/C−で厚さが150OAのN−
GaP層からなるエミッタ層5及び不純物濃度が3 X
10” a t om/cm”6を順次設け、ベース
層4.高濃度層2及び6上にそれぞれAuZn層からな
るベース電極8b、AuG e −N i層からなるコ
レクタ及びエミッタ電極8C及び8e設けた構造をして
いる。
注入して形成し友絶縁領域1aによって仕切られ九部分
に不純物濃度が5XIO”・atom/・
◆ crn”で厚さが400OAのN −GaP層カ67!
ル高濃度層2を設け、高濃度層2上に不純物一度が5
XIO”atom/cm” で厚さが400OAのN
−G a P層からなるコレクタ層3.不純物濃度がl
Xl0”a t om/cm”で厚さが150OA+7
3P−GaAs 層カラなるベース層4.不純物濃度が
3XIO11atom/C−で厚さが150OAのN−
GaP層からなるエミッタ層5及び不純物濃度が3 X
10” a t om/cm”6を順次設け、ベース
層4.高濃度層2及び6上にそれぞれAuZn層からな
るベース電極8b、AuG e −N i層からなるコ
レクタ及びエミッタ電極8C及び8e設けた構造をして
いる。
第6図は本発明の第3の実施例のバンド構造図である。
この実施例では、ベース層4t″P −G a A a
層で構成し、コレクタ及びエミッタ層2及び5を共に
N−GaP層で構成することによって、コレクタ・ベー
ス並びにベース・エミッタのへテロ界面ニおける伝導帯
の不連成ΔECがほとんどOになると共に価電子帯の不
連続ΔEvが禁制帯幅の差ΔEgにほぼ等しくΔEvユ
ΔBg==αB4eVとなる。
層で構成し、コレクタ及びエミッタ層2及び5を共に
N−GaP層で構成することによって、コレクタ・ベー
ス並びにベース・エミッタのへテロ界面ニおける伝導帯
の不連成ΔECがほとんどOになると共に価電子帯の不
連続ΔEvが禁制帯幅の差ΔEgにほぼ等しくΔEvユ
ΔBg==αB4eVとなる。
従って、この実施例では、ベース・エミッタ間のオン電
圧の増大韮びにベース層からエミッタ層へのホール電流
増加に伴うエミッタ注入効率の低下を防止すると同時に
カーク効果t−m止ししかもベース層を通過した電子の
コレクタ層への回収効率の低下も抑止することができる
と共に再結合確率の増加による電流利得の低下をもおさ
えることができる。
圧の増大韮びにベース層からエミッタ層へのホール電流
増加に伴うエミッタ注入効率の低下を防止すると同時に
カーク効果t−m止ししかもベース層を通過した電子の
コレクタ層への回収効率の低下も抑止することができる
と共に再結合確率の増加による電流利得の低下をもおさ
えることができる。
こ仁で、上記実施例では、第1及び第3の実施列のエミ
ッタ層及び第2及び第3の実施例のコレクタ層f:N−
GaPで構成しかつベース層をP −G aAsで構成
して・いるが1本発明はこれに限るものではなく1例え
ばN−GaPの代シにN−G a A sとしかりP
−G a A sの代J)P−GaSb としてもj、
IA6eの場合、勿論伝導歪の不連続ΔECゆ1ぼ0で
あるが、価電子帯の不連続ΔEマはΔEv二ΔEg=α
69造上問題はない。
ッタ層及び第2及び第3の実施例のコレクタ層f:N−
GaPで構成しかつベース層をP −G aAsで構成
して・いるが1本発明はこれに限るものではなく1例え
ばN−GaPの代シにN−G a A sとしかりP
−G a A sの代J)P−GaSb としてもj、
IA6eの場合、勿論伝導歪の不連続ΔECゆ1ぼ0で
あるが、価電子帯の不連続ΔEマはΔEv二ΔEg=α
69造上問題はない。
(発明の効果)
以上説明し友ように本発明では、ベース・エミッタ間又
ハコレクタ・ベース間のへテロm合界mにおける伝導帯
の不達θをαxeV以内にすることによって、ホール再
結合電流を低くおさえてエミッタ注入効率を向上し、か
つベース・エミッタ間のオン電圧の増大を抑止すると共
にカーク効果を阻止しかつコレクタ層へのベース層を通
過した電子の回収効率も改善されしかもグレーデッドバ
ンドギャップ構造を不要にして電子の再結合確率の増加
による電流利得の減少を防止することができて、超高速
・超高周波性能の非常に優れたヘテ日接合バイポーラト
ランジスタが実現できるという効果がめる。
ハコレクタ・ベース間のへテロm合界mにおける伝導帯
の不達θをαxeV以内にすることによって、ホール再
結合電流を低くおさえてエミッタ注入効率を向上し、か
つベース・エミッタ間のオン電圧の増大を抑止すると共
にカーク効果を阻止しかつコレクタ層へのベース層を通
過した電子の回収効率も改善されしかもグレーデッドバ
ンドギャップ構造を不要にして電子の再結合確率の増加
による電流利得の減少を防止することができて、超高速
・超高周波性能の非常に優れたヘテ日接合バイポーラト
ランジスタが実現できるという効果がめる。
接合バイポーラトランジスタの第1.第2.第3盃びに
第4の例のバンド構造図でるる。
第4の例のバンド構造図でるる。
l・・・・・・半絶縁性基板、1a−・・・・絶縁領域
、2′。
、2′。
2′・・・・・・高濃度層、3.3’、3“、3a′・
・・・・・コレクタ層、4・・・・・・ベース層、s、
s’、sa・・・・・・ニオツタ層、6・・・・・・高
濃度層、8b・・・・・・ベース電極、8C・・・・・
・コレクタ電極、8e・・・・・・エミッタ電極、9.
9’、9“、10.10’ 、10“。
・・・・・コレクタ層、4・・・・・・ベース層、s、
s’、sa・・・・・・ニオツタ層、6・・・・・・高
濃度層、8b・・・・・・ベース電極、8C・・・・・
・コレクタ電極、8e・・・・・・エミッタ電極、9.
9’、9“、10.10’ 、10“。
fIl 図
第3 図
治S図
1図
箭8 図
Claims (1)
- 順次積層した一導電型のコレクタ層、反対導電型のベー
ス層及び一導電型のエミッタ層を含み、前記エミッタ層
又は前記コレクタ層が前記ベース層より禁制帯幅が広く
かつ前記ベース層との電子親和力の差が0.1eV以内
の半導体層からなることを特徴とするヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15576887A JPS63318777A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15576887A JPS63318777A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63318777A true JPS63318777A (ja) | 1988-12-27 |
Family
ID=15612985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15576887A Pending JPS63318777A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63318777A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61203675A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15576887A patent/JPS63318777A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61203675A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
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