JPS63318054A - Epmaの測定デ−タ表示方法 - Google Patents
Epmaの測定デ−タ表示方法Info
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- JPS63318054A JPS63318054A JP62153800A JP15380087A JPS63318054A JP S63318054 A JPS63318054 A JP S63318054A JP 62153800 A JP62153800 A JP 62153800A JP 15380087 A JP15380087 A JP 15380087A JP S63318054 A JPS63318054 A JP S63318054A
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- scanning
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、EPMAで測定される特定元素のX線強度の
プロファイルを画像表示する測定データ表示方法に関す
る。
プロファイルを画像表示する測定データ表示方法に関す
る。
(ロ)従来技術とその問題点
一般に、EPMAを用いて試料に含まれる元素の分布状
態を測定するには、面分析や線分析が行われる。たとえ
ば、線分析を行うには、第6図(a)に示すように、電
子ビームを直線状に走査しつつ、試料からの特性X線を
検出し、同図(b)に示すように、X線強度を縦軸に、
分析位置を横軸としたプロファイルを描かせることで一
つの直線上に位置する元素の分布状態が測定される。ま
た、電子ビームの照射位置を1ラインずつずらせながら
試料全面に渡るプロファイルを描かせれば、いわゆるエ
アロビュー表示となる。
態を測定するには、面分析や線分析が行われる。たとえ
ば、線分析を行うには、第6図(a)に示すように、電
子ビームを直線状に走査しつつ、試料からの特性X線を
検出し、同図(b)に示すように、X線強度を縦軸に、
分析位置を横軸としたプロファイルを描かせることで一
つの直線上に位置する元素の分布状態が測定される。ま
た、電子ビームの照射位置を1ラインずつずらせながら
試料全面に渡るプロファイルを描かせれば、いわゆるエ
アロビュー表示となる。
このように、従来では、特定元素のプロファイルを得る
際には、電子ビームを直線走査することしか行われてい
ない。そのため、得られる情報も一つの直線上に存在す
る元素の分布状態か、あるいは、全面の分布状態かのい
ずれか一つであり、試料上の元素分布に関して固定的な
情報しか得られなかった。
際には、電子ビームを直線走査することしか行われてい
ない。そのため、得られる情報も一つの直線上に存在す
る元素の分布状態か、あるいは、全面の分布状態かのい
ずれか一つであり、試料上の元素分布に関して固定的な
情報しか得られなかった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、試料面」−の任意の位置および方向に関する元素の
分布状態をリアルタイツ2、て把握てきるようにするこ
とを目的とする。
て、試料面」−の任意の位置および方向に関する元素の
分布状態をリアルタイツ2、て把握てきるようにするこ
とを目的とする。
(ハ)問題点を解決するための手段
本発明は、上記の目的を達成するために、マウス、トラ
ックボール等の入力装置を適用して試料上の所望の曲線
に沿って分析位置を指定し、その指定された分析位置の
情報に従って電子ビームを走査するとともに、これに同
期してCRTディスプレイのラスターを走査して画面上
に前記電子ビーム走査に対応する軌跡とこの軌跡をベー
スラインとして試料から検出されるX線強度のプロファ
イルとを表示するようにした。
ックボール等の入力装置を適用して試料上の所望の曲線
に沿って分析位置を指定し、その指定された分析位置の
情報に従って電子ビームを走査するとともに、これに同
期してCRTディスプレイのラスターを走査して画面上
に前記電子ビーム走査に対応する軌跡とこの軌跡をベー
スラインとして試料から検出されるX線強度のプロファ
イルとを表示するようにした。
(ニ)作用
本発明の測定データ表示方法によれば、試料面上の任意
の位置および方向に関して特定元素のX線強度のプロフ
ァイルを画像表示できる。このため、試料表面上の任意
位置と方向における特定元素の濃度分布状態をリアルタ
イムで把握できるようになる。
の位置および方向に関して特定元素のX線強度のプロフ
ァイルを画像表示できる。このため、試料表面上の任意
位置と方向における特定元素の濃度分布状態をリアルタ
イムで把握できるようになる。
(ホ)実施例
第1図は本発明を適用するための装置を示す構成図であ
る。同図において、符号lはEPMA本体、2は試料、
4は電子銃、6は集束レンズ、8は電子ビームを走査す
る走査用コイル、IOは試料2に含まれる元素から発生
ずる特性X線を検出するX線検出器、12は走査用コイ
ル8に走査電流を供給するスイープ用電源、14はCR
Tディスプレイ、16はCRTディスプレイ14に画像
を表示するための表示信号を発生する表示用回路、18
は試料2上の所望の曲線に沿って分析位置を指定すると
ともに、表示モードの切り換え等の指令信号を入力する
入力装置としてのマウスである。
る。同図において、符号lはEPMA本体、2は試料、
4は電子銃、6は集束レンズ、8は電子ビームを走査す
る走査用コイル、IOは試料2に含まれる元素から発生
ずる特性X線を検出するX線検出器、12は走査用コイ
ル8に走査電流を供給するスイープ用電源、14はCR
Tディスプレイ、16はCRTディスプレイ14に画像
を表示するための表示信号を発生する表示用回路、18
は試料2上の所望の曲線に沿って分析位置を指定すると
ともに、表示モードの切り換え等の指令信号を入力する
入力装置としてのマウスである。
20はマウス18で指定された分析位置の情報を記憶す
る分析位置メモリ、22は分析位置メモリ20に記憶さ
れた分析位置の情報に基づいて電子ビーム走査を制御す
るためのスイープ制御信号を出力するとともに、表示用
回路16の表示動作を制御すコントローラ、24はコン
トローラ22の動作制御用の情報が記憶されているRO
Mである。
る分析位置メモリ、22は分析位置メモリ20に記憶さ
れた分析位置の情報に基づいて電子ビーム走査を制御す
るためのスイープ制御信号を出力するとともに、表示用
回路16の表示動作を制御すコントローラ、24はコン
トローラ22の動作制御用の情報が記憶されているRO
Mである。
次に、上記構成の装置を適用した本発明の測定データ表
示方法について第2図に示すフローチャ一トを参照して
説明する。
示方法について第2図に示すフローチャ一トを参照して
説明する。
所望の曲線に沿った特定元素のX線強度のプロファイル
を描かせるには、試料2上の分析位置を確認してから指
定する必要があるので、たとえば、予めSEM像(二次
電子像)を表示しておき(ステップ■)、この状態で必
要に応じて写真撮影を行う(ステップ■)。次に、マウ
ス18を操作して表示モードの切り換え信号をコントロ
ーラ22に入力し、SEM像の表示モードからX線強度
のプロファイル表示モードに切り換える(ステップ■)
。これにより、CRTディスプレイ14には分析位置指
定用のカーソルが表示されるので(ステップ■)、続い
て、マウス18を操作してカーソルを移動させつつ試料
2上の所望の分析位置を指定する(ステップ■)。たと
えば、第3図(a)〜第5図(a)に示すような曲線状
の分析位置を指定する。この指定された分析位置の情報
を一旦分析位置メモリ20に記憶する(ステップ■)。
を描かせるには、試料2上の分析位置を確認してから指
定する必要があるので、たとえば、予めSEM像(二次
電子像)を表示しておき(ステップ■)、この状態で必
要に応じて写真撮影を行う(ステップ■)。次に、マウ
ス18を操作して表示モードの切り換え信号をコントロ
ーラ22に入力し、SEM像の表示モードからX線強度
のプロファイル表示モードに切り換える(ステップ■)
。これにより、CRTディスプレイ14には分析位置指
定用のカーソルが表示されるので(ステップ■)、続い
て、マウス18を操作してカーソルを移動させつつ試料
2上の所望の分析位置を指定する(ステップ■)。たと
えば、第3図(a)〜第5図(a)に示すような曲線状
の分析位置を指定する。この指定された分析位置の情報
を一旦分析位置メモリ20に記憶する(ステップ■)。
次に、コントローラ22は、上記のようにして指定され
た分析位置の情報を分析位置メモリ20から読み出し、
この情報に従って電子ビームの走査を制御するスイープ
制御信号を出力する。このスイープ制御信号は、スイー
プ用電源12と表示用回路16に共通に与えられる。こ
れにより、走査用コイル8に供給される電流が変化され
るので、電子銃4から照射される電子ビームが試料2面
上の予め指定された分析位置に沿って走査される(ステ
ップ■)。この走査に伴って試料2から特性X線が発生
するので、これをX線検出器IOで検出し、その検出信
号を表示用回路16に与える。表示用回路16では、コ
ントローラ22から与えられたスイープ制御信号にX線
検出器10で得られた検出信号を重畳し、この信号に基
づいてラスター走査を制御する。また、コントローラ2
2は、表示用回路16を制御して一定周期ごとにスープ
制御信号のみでラスクー走査を制御するようにする。こ
れにより、CRTディスプレイ14の画面上には、第3
図(b)〜第5図(b)に示すように、試料2表面を走
査される電子ビームの位置に対応する軌跡とこの軌跡を
ベースラインとしたX線強度のプロファイルが表示され
る(ステップ■)。そして、必要に応じてステップで撮
影したSEM像に対して多重露光により写真撮影を行え
ば、SEM像を背景とした特定元素のプロファイルが得
られることになる(ステップ■)。
た分析位置の情報を分析位置メモリ20から読み出し、
この情報に従って電子ビームの走査を制御するスイープ
制御信号を出力する。このスイープ制御信号は、スイー
プ用電源12と表示用回路16に共通に与えられる。こ
れにより、走査用コイル8に供給される電流が変化され
るので、電子銃4から照射される電子ビームが試料2面
上の予め指定された分析位置に沿って走査される(ステ
ップ■)。この走査に伴って試料2から特性X線が発生
するので、これをX線検出器IOで検出し、その検出信
号を表示用回路16に与える。表示用回路16では、コ
ントローラ22から与えられたスイープ制御信号にX線
検出器10で得られた検出信号を重畳し、この信号に基
づいてラスター走査を制御する。また、コントローラ2
2は、表示用回路16を制御して一定周期ごとにスープ
制御信号のみでラスクー走査を制御するようにする。こ
れにより、CRTディスプレイ14の画面上には、第3
図(b)〜第5図(b)に示すように、試料2表面を走
査される電子ビームの位置に対応する軌跡とこの軌跡を
ベースラインとしたX線強度のプロファイルが表示され
る(ステップ■)。そして、必要に応じてステップで撮
影したSEM像に対して多重露光により写真撮影を行え
ば、SEM像を背景とした特定元素のプロファイルが得
られることになる(ステップ■)。
このように、マウス18により試料上の所望の曲線に沿
って分析位置を指定し、その指定した分析位置の情報に
従って電子ビームを走査してCRTディスプレイの画面
上に電子ビーム走査に対応する軌跡とこの軌跡をベース
ラインとしたX線強度のプロファイルとをリアルタイム
で表示することにより、試料面上の任意の位置および方
向に関して特定元素の分布状態を把握することができる
。
って分析位置を指定し、その指定した分析位置の情報に
従って電子ビームを走査してCRTディスプレイの画面
上に電子ビーム走査に対応する軌跡とこの軌跡をベース
ラインとしたX線強度のプロファイルとをリアルタイム
で表示することにより、試料面上の任意の位置および方
向に関して特定元素の分布状態を把握することができる
。
(へ)効果
以上のように本発明によれば、特定元素の任意位置での
分布状態をリアルタイムで把握できるようになる等の優
れた効果が発揮される。
分布状態をリアルタイムで把握できるようになる等の優
れた効果が発揮される。
第1図は本発明を適用するための装置を示す構成図、第
2図は本発明の方法の操作手順を示すファー ローチャート、第3図ないし第5図は分析位置の指定と
指定位置から得られる特性X線強度のプロファイルを示
す説明図、第6図は従来の試料に対する電子ビームの走
査とこれに基づくX線強度のプロファイルを示す説明図
である。 l・・・EPMA本体、14・・・CRTディスプレイ
、18・・・マウス、20・・・分析位置メモリ、22
・・・コントローラ。
2図は本発明の方法の操作手順を示すファー ローチャート、第3図ないし第5図は分析位置の指定と
指定位置から得られる特性X線強度のプロファイルを示
す説明図、第6図は従来の試料に対する電子ビームの走
査とこれに基づくX線強度のプロファイルを示す説明図
である。 l・・・EPMA本体、14・・・CRTディスプレイ
、18・・・マウス、20・・・分析位置メモリ、22
・・・コントローラ。
Claims (1)
- (1)マウス、トラックボール等の入力装置を適用して
試料上の所望の曲線に沿って分析位置を指定し、その指
定された分析位置の情報に従って電子ビームを走査する
とともに、これに同期してCRTディスプレイのラスタ
ーを走査して画面上に前記電子ビーム走査に対応する軌
跡とこの軌跡をベースラインとして試料から検出される
X線強度のプロファイルとを表示することを特徴とする
EPMAの測定データ表示方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62153800A JP2830875B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Epmaの測定データ表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62153800A JP2830875B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Epmaの測定データ表示方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63318054A true JPS63318054A (ja) | 1988-12-26 |
JP2830875B2 JP2830875B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15570402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62153800A Expired - Lifetime JP2830875B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Epmaの測定データ表示方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2830875B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487148A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-19 | Shimadzu Corp | 試料移動経路指定自動分析装置 |
US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53112486U (ja) * | 1977-02-16 | 1978-09-07 | ||
JPS5596560U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | ||
JPS6271864U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP62153800A patent/JP2830875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53112486U (ja) * | 1977-02-16 | 1978-09-07 | ||
JPS5596560U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | ||
JPS6271864U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487148A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-19 | Shimadzu Corp | 試料移動経路指定自動分析装置 |
US5192866A (en) * | 1990-07-26 | 1993-03-09 | Shimadzu Corporation | Sample-moving automatic analyzing apparatus |
US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2830875B2 (ja) | 1998-12-02 |
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