JPS6331081B2 - - Google Patents
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- JPS6331081B2 JPS6331081B2 JP56200116A JP20011681A JPS6331081B2 JP S6331081 B2 JPS6331081 B2 JP S6331081B2 JP 56200116 A JP56200116 A JP 56200116A JP 20011681 A JP20011681 A JP 20011681A JP S6331081 B2 JPS6331081 B2 JP S6331081B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属酸化物半導体を使用して湿度を電
気抵抗の変化として検出する厚膜型湿度センサの
製造法に関するものである。 〔従来技術とその問題点〕 一般に、ある種の金属酸化物半導体は水の分子
が金属酸化物半導体に吸脱着することにより、そ
の金属酸化物半導体の抵抗値が変化する性質が知
られている。 この性質を利用して湿度センサを作ることがで
きるが、既存の湿度センサは再現性が悪い、経時
変化が大きい、感応速度が遅い、電気的に高精度
に検出することのできる体積抵抗率を備えていな
いなどの欠点がある。 そこで、本発明者は、TiO2を主体とする各種
金属酸化物半導体焼結体の湿度センサへの応用に
ついて鋭意研究してきたが、これまでに、特開昭
55−163801号公報に示されるTiO2にV2O2を0.1〜
1.0モル%含む半導体焼結体、さらには特願昭55
−115905(特開昭57−40901号)によつて提示した
ごとくTiO2に、3価の金属酸化物と5価の金属
酸化物のそれぞれ1種以上を0.1〜5モル%含有
する組成において、感湿特性の優れたセンサとな
ることを見出した。 しかるに、近年のセンサデバイスへのニーズは
用途の多様化と相俟つて、湿度センサの性能及び
形状に対する要求も高まつており、応答特性、耐
候性とともに、小型化に対応できるような低比抵
抗素材の開発が急務となつている。つまり、デバ
イスの小型化として厚膜、薄膜の利用が試みられ
ているが、実用抵抗値範囲となるような、感湿素
材が望まれている。また各種工業での乾燥工程の
制御を湿度によつて行なうことが、品質管理、さ
らには省エネルギーの観点より、注目されてお
り、高温、低湿雰囲気において、使用可能な湿度
センサの開発が待たれている。 〔問題点を解決するための手段〕 このような現状に鑑み、発明者等はさらに鋭意
検討の結果、TiO2を主体とする厚膜素子を用い
ることにより、新規な極めて応答性に優れた低抵
抗センサが得られることを見出したものである。 即ち、第1の発明は、TiO2に、5価の金属酸
化物のうちで低融点物質を少なくとも1種以上
0.1〜5モル%と、1価の金属酸化物のうちで低
融点物質を少なくとも1種以上0.1〜5モル%を
同時に混合した原料を、電極を印刷焼付けした基
板上に厚膜成形し、電極焼付け温度以下にて焼成
することを特徴とする厚膜型湿度センサの製造法
であり、第2の発明はTiO2に、先ず5価の金属
酸化物のうち1種以上0.1〜5モル%添加し、500
℃以上の温度にて仮焼した後、1価の金属酸化物
のうちで低融点物質のうち少なくとも1種以上
0.1〜5モル%を添加した原料を電極を印刷焼付
けした基板上に厚膜成形し、電極焼付け温度以下
にて焼成することを特徴とする厚膜型湿度センサ
の製造法であり、今後、高性能な湿度センサとし
て多方面への応用が期待されるものと確信するも
のである。 本発明において、添加mol%を上記のように特
定したのは、0.1mol%添加によつて効果が明白
になり、5mol%以上添加した場合は、550℃以上
における焼成において、溶融してしまい焼成体が
つくれないためである。 また、本発明に係る湿度センサ素子は200℃以
上において、水蒸気に対する感度がなくなつてし
まう性質があるので、使用条件としては200℃以
下の温度に維持して使用する必要がある。 〔実施例〕 以下に実施例をもつて本発明を詳細に説明す
る。 次の4種類の酸化物原料を調整した。 実施例 1 原料A:TiO2のみ 原料B:TiO298モル%、V2O51モル%、Li2CO31
モル%の混合原料 原料C:TiO298モル%とV2O51モル%を混合し、
800℃にて仮焼した後、さらにLi2CO31モル%
を混合した原料 原料D:TiO298モル%、Li2CO31モル%を混合
し、800℃にて仮焼した後、さらにV2O51モル
%を混合した原料 以上の原料粉末をそれぞれ有機バインダと混練
し、予め電極を印刷焼付けたアルミナ基板に厚さ
約250μに厚膜成形する。そして100〜200℃にて
有機バインダを飛散させた後、500℃にて焼成す
る。この時焼成した膜厚は約50μになつていた。
これら4種の厚膜型湿度センサの湿度特性を第1
図に示す。TiO2単独の場合は極めて高抵抗であ
るが、B、C、Dの順で抵抗値が下がり、実用計
測可能範囲となることがわかる。 第2図は前記B、C、Dの湿度センサについて
湿度を75%から33%に変化させた時の応答特性で
ある。いずれの試料においても数秒で安定するこ
とがわかる。従来の湿度センサでは1分位の時間
を要することが多く、この性質は本発明により得
られた湿度センサの特長である。 実施例 2 厚膜素子の特性に大きく影響する因子のひとつ
に焼成温度が考えられる。本発明は基板への接着
強度をガラスを使用せずに焼成できる組成と、そ
のための焼成条件を見出したものである。第3図
は試料Dについて焼成温度を変化させて得た厚膜
素子の湿度特性である。この図から、電極焼付け
温度(実施例では800℃)以上の温度で焼成した
素子および300℃以下で焼成した素子はいずれも、
高抵抗であることがわかる。しかし、300〜600℃
にて焼成した素子は湿度全域にわたり、実測抵抗
範囲にある。本発明の組成はこのように比較的低
温において基板との接着力が優れ、かつ低抵抗と
なるものである。 本発明におけるV2O5、Li2CO3の同時添加の効
果については以下のように考えられる。V2O5、
Li2CO3は共に融点が低く(それぞれ658℃、618
℃)、またこれらが同時に存在する場合はさらに
融点は低下するため、本発明における素子は、焼
成時に生成した液相により強固に結び合つてい
る。このためTiO2粒同志の電気伝導が容易に起
こり、低抵抗化すると考えられる。また、液相量
がすくないため、感湿特性の強いTiO2表面が外
界に露出しておりこれが湿度に対して優れた反応
を示す原因と考えられる。 特に、試料DのようにLi2CO3を先に添加する
場合は、Li2Oの液相の存在によりTiO2の焼結が
促進され、TiO2粒同志が強固に結びつけられ、
さらにV2O5の添加によりTiO2粒自体が低抵抗化
されると考えられる。このような現像は、成形体
にはない厚膜型構造に特有なものである。 本発明において、実施例では5価の低融点金属
酸化物としてV2O5を、また、1価の低融点金属
酸化物としてLi2O(Li2CO3)を用いた例について
説明したが、前質についてはP2O5、I2O5後者に
ついてはK2O、In2O、Ag2O、Rb2Oを用いても
同様の効果が期待されるものであり、それぞれの
組合せによるデータを示すと、第1表〜第8表に
示す通りである。 なお試料の作製法B、C、Dは実施例1におけ
る原料B、C、Dの作製法と同一である。
気抵抗の変化として検出する厚膜型湿度センサの
製造法に関するものである。 〔従来技術とその問題点〕 一般に、ある種の金属酸化物半導体は水の分子
が金属酸化物半導体に吸脱着することにより、そ
の金属酸化物半導体の抵抗値が変化する性質が知
られている。 この性質を利用して湿度センサを作ることがで
きるが、既存の湿度センサは再現性が悪い、経時
変化が大きい、感応速度が遅い、電気的に高精度
に検出することのできる体積抵抗率を備えていな
いなどの欠点がある。 そこで、本発明者は、TiO2を主体とする各種
金属酸化物半導体焼結体の湿度センサへの応用に
ついて鋭意研究してきたが、これまでに、特開昭
55−163801号公報に示されるTiO2にV2O2を0.1〜
1.0モル%含む半導体焼結体、さらには特願昭55
−115905(特開昭57−40901号)によつて提示した
ごとくTiO2に、3価の金属酸化物と5価の金属
酸化物のそれぞれ1種以上を0.1〜5モル%含有
する組成において、感湿特性の優れたセンサとな
ることを見出した。 しかるに、近年のセンサデバイスへのニーズは
用途の多様化と相俟つて、湿度センサの性能及び
形状に対する要求も高まつており、応答特性、耐
候性とともに、小型化に対応できるような低比抵
抗素材の開発が急務となつている。つまり、デバ
イスの小型化として厚膜、薄膜の利用が試みられ
ているが、実用抵抗値範囲となるような、感湿素
材が望まれている。また各種工業での乾燥工程の
制御を湿度によつて行なうことが、品質管理、さ
らには省エネルギーの観点より、注目されてお
り、高温、低湿雰囲気において、使用可能な湿度
センサの開発が待たれている。 〔問題点を解決するための手段〕 このような現状に鑑み、発明者等はさらに鋭意
検討の結果、TiO2を主体とする厚膜素子を用い
ることにより、新規な極めて応答性に優れた低抵
抗センサが得られることを見出したものである。 即ち、第1の発明は、TiO2に、5価の金属酸
化物のうちで低融点物質を少なくとも1種以上
0.1〜5モル%と、1価の金属酸化物のうちで低
融点物質を少なくとも1種以上0.1〜5モル%を
同時に混合した原料を、電極を印刷焼付けした基
板上に厚膜成形し、電極焼付け温度以下にて焼成
することを特徴とする厚膜型湿度センサの製造法
であり、第2の発明はTiO2に、先ず5価の金属
酸化物のうち1種以上0.1〜5モル%添加し、500
℃以上の温度にて仮焼した後、1価の金属酸化物
のうちで低融点物質のうち少なくとも1種以上
0.1〜5モル%を添加した原料を電極を印刷焼付
けした基板上に厚膜成形し、電極焼付け温度以下
にて焼成することを特徴とする厚膜型湿度センサ
の製造法であり、今後、高性能な湿度センサとし
て多方面への応用が期待されるものと確信するも
のである。 本発明において、添加mol%を上記のように特
定したのは、0.1mol%添加によつて効果が明白
になり、5mol%以上添加した場合は、550℃以上
における焼成において、溶融してしまい焼成体が
つくれないためである。 また、本発明に係る湿度センサ素子は200℃以
上において、水蒸気に対する感度がなくなつてし
まう性質があるので、使用条件としては200℃以
下の温度に維持して使用する必要がある。 〔実施例〕 以下に実施例をもつて本発明を詳細に説明す
る。 次の4種類の酸化物原料を調整した。 実施例 1 原料A:TiO2のみ 原料B:TiO298モル%、V2O51モル%、Li2CO31
モル%の混合原料 原料C:TiO298モル%とV2O51モル%を混合し、
800℃にて仮焼した後、さらにLi2CO31モル%
を混合した原料 原料D:TiO298モル%、Li2CO31モル%を混合
し、800℃にて仮焼した後、さらにV2O51モル
%を混合した原料 以上の原料粉末をそれぞれ有機バインダと混練
し、予め電極を印刷焼付けたアルミナ基板に厚さ
約250μに厚膜成形する。そして100〜200℃にて
有機バインダを飛散させた後、500℃にて焼成す
る。この時焼成した膜厚は約50μになつていた。
これら4種の厚膜型湿度センサの湿度特性を第1
図に示す。TiO2単独の場合は極めて高抵抗であ
るが、B、C、Dの順で抵抗値が下がり、実用計
測可能範囲となることがわかる。 第2図は前記B、C、Dの湿度センサについて
湿度を75%から33%に変化させた時の応答特性で
ある。いずれの試料においても数秒で安定するこ
とがわかる。従来の湿度センサでは1分位の時間
を要することが多く、この性質は本発明により得
られた湿度センサの特長である。 実施例 2 厚膜素子の特性に大きく影響する因子のひとつ
に焼成温度が考えられる。本発明は基板への接着
強度をガラスを使用せずに焼成できる組成と、そ
のための焼成条件を見出したものである。第3図
は試料Dについて焼成温度を変化させて得た厚膜
素子の湿度特性である。この図から、電極焼付け
温度(実施例では800℃)以上の温度で焼成した
素子および300℃以下で焼成した素子はいずれも、
高抵抗であることがわかる。しかし、300〜600℃
にて焼成した素子は湿度全域にわたり、実測抵抗
範囲にある。本発明の組成はこのように比較的低
温において基板との接着力が優れ、かつ低抵抗と
なるものである。 本発明におけるV2O5、Li2CO3の同時添加の効
果については以下のように考えられる。V2O5、
Li2CO3は共に融点が低く(それぞれ658℃、618
℃)、またこれらが同時に存在する場合はさらに
融点は低下するため、本発明における素子は、焼
成時に生成した液相により強固に結び合つてい
る。このためTiO2粒同志の電気伝導が容易に起
こり、低抵抗化すると考えられる。また、液相量
がすくないため、感湿特性の強いTiO2表面が外
界に露出しておりこれが湿度に対して優れた反応
を示す原因と考えられる。 特に、試料DのようにLi2CO3を先に添加する
場合は、Li2Oの液相の存在によりTiO2の焼結が
促進され、TiO2粒同志が強固に結びつけられ、
さらにV2O5の添加によりTiO2粒自体が低抵抗化
されると考えられる。このような現像は、成形体
にはない厚膜型構造に特有なものである。 本発明において、実施例では5価の低融点金属
酸化物としてV2O5を、また、1価の低融点金属
酸化物としてLi2O(Li2CO3)を用いた例について
説明したが、前質についてはP2O5、I2O5後者に
ついてはK2O、In2O、Ag2O、Rb2Oを用いても
同様の効果が期待されるものであり、それぞれの
組合せによるデータを示すと、第1表〜第8表に
示す通りである。 なお試料の作製法B、C、Dは実施例1におけ
る原料B、C、Dの作製法と同一である。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
以上述べたとおり、本発明はTiO2を主体とし
た酸化物半導体厚膜素子を用いることにより新規
な低抵抗湿度センサが得られることを見出したも
のであり、十分評価されるものと確信する。
た酸化物半導体厚膜素子を用いることにより新規
な低抵抗湿度センサが得られることを見出したも
のであり、十分評価されるものと確信する。
第1図は実施例の湿度特性図、第2図は同応答
特性図、第3図は異なる実施例の湿度特性図であ
る。
特性図、第3図は異なる実施例の湿度特性図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 TiO2に、5価の金属酸化物のうちで低融点
物質を少なくとも1種以上0.1〜5モル%と、1
価の金属酸化物のうちで低融点物質を少なくとも
1種以上0.1〜5モル%を同時に混合した原料を、
電極を印刷焼付けした基板上に厚膜成形し、電極
焼付け温度以下にて焼成することを特徴とする厚
膜型湿度センサの製造法。 2 TiO2に、先ず5価の金属酸化物のうち1種
以上0.1〜5モル%添加し、500℃以上の温度にて
仮焼した後、1価の金属酸化物のうちで低融点物
質のうち少なくとも1種以上0.1〜5モル%を添
加した原料を電極を印刷焼付けした基板上に厚膜
成形し、電極焼付け温度以下にて焼成することを
特徴とする厚膜型湿度センサの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56200116A JPS58101402A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 厚膜型湿度センサの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56200116A JPS58101402A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 厚膜型湿度センサの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58101402A JPS58101402A (ja) | 1983-06-16 |
JPS6331081B2 true JPS6331081B2 (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=16419088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56200116A Granted JPS58101402A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 厚膜型湿度センサの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58101402A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61115301A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-02 | 秩父セメント株式会社 | 厚膜型湿度センサ |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56200116A patent/JPS58101402A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58101402A (ja) | 1983-06-16 |
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