JPS63302308A - 半導体装置のリ−ド検査装置 - Google Patents
半導体装置のリ−ド検査装置Info
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- JPS63302308A JPS63302308A JP13923087A JP13923087A JPS63302308A JP S63302308 A JPS63302308 A JP S63302308A JP 13923087 A JP13923087 A JP 13923087A JP 13923087 A JP13923087 A JP 13923087A JP S63302308 A JPS63302308 A JP S63302308A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ccd camera
- lead
- inspection
- semiconductor device
- sample
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置のリード曲がり等を検査するリード
検査装置に関するものである。
検査装置に関するものである。
従来の技術
従来半導体装置のリード曲がりを認識する場合第３図に
示すような検査装置が用いられていた。
示すような検査装置が用いられていた。
以下、第３図の外観図を参照して従来用いられていたリ
ード検査装置を説明する。
ード検査装置を説明する。
これは、支持台１の中央に半導体装置の試料２を載せる
検査台３が取り付けられ、支持台１の両側に、試料２の
側面を写し出す低歪の画像反射板４およびこれを支える
保持台５が一体となって係留ビン６で回転自在に取り付
けられ、支持台１の斜め上には、高周波蛍光灯の光源７
および試料２方向に光が放射されるようにしたカバー８
が設けられ、試料の真上にはＣＣＤカメラ９が備えられ
た構造である。
検査台３が取り付けられ、支持台１の両側に、試料２の
側面を写し出す低歪の画像反射板４およびこれを支える
保持台５が一体となって係留ビン６で回転自在に取り付
けられ、支持台１の斜め上には、高周波蛍光灯の光源７
および試料２方向に光が放射されるようにしたカバー８
が設けられ、試料の真上にはＣＣＤカメラ９が備えられ
た構造である。
まず、光源７によって半導体装置の試料２のリード１０
を照射し、その反射光を回転可能な画像反射板４を調整
して試料２の側面の像がＣＣＤカメラ９に写るようにす
る。このようにしてＣＣＤカメラ９はリード１０の上面
および側面の像を検出する。この検出された像に基づい
てリード１０の曲がりや本数の欠けを認識する。
を照射し、その反射光を回転可能な画像反射板４を調整
して試料２の側面の像がＣＣＤカメラ９に写るようにす
る。このようにしてＣＣＤカメラ９はリード１０の上面
および側面の像を検出する。この検出された像に基づい
てリード１０の曲がりや本数の欠けを認識する。
発明が解決しようとする問題点
このような従来のリード検査装置の構成ではリード表面
の光沢状態や、リードビンのエツジによる照明光の乱反
射、および外乱光の影響等によりＣＣＤカメラから写し
出される像の白黒の２値化レベルが変動して正確な像の
認識ができず、評価をあやまることがよくあった。
の光沢状態や、リードビンのエツジによる照明光の乱反
射、および外乱光の影響等によりＣＣＤカメラから写し
出される像の白黒の２値化レベルが変動して正確な像の
認識ができず、評価をあやまることがよくあった。
問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置のリード検査装置は、リードを撮影
する撮像装置と半導体装置を載せる光散乱透過物質から
なる検査台と、同検査台に対して前記撮像装置とは反対
に位置する照明装置とを備えたものである。
する撮像装置と半導体装置を載せる光散乱透過物質から
なる検査台と、同検査台に対して前記撮像装置とは反対
に位置する照明装置とを備えたものである。
作用
本発明のリード検査装置によれば、試料を載せる検査台
に対して撮像装置と照明装置とが互いに反対に位置して
いるため、試料がシルエットとして撮像装置により写し
出されるため像の２値化レベルが変動せず正確な像の認
識ができる。
に対して撮像装置と照明装置とが互いに反対に位置して
いるため、試料がシルエットとして撮像装置により写し
出されるため像の２値化レベルが変動せず正確な像の認
識ができる。
実施例
本発明のリード検査装置の一実施例を第１図に示した斜
視図を参照して説明する。このリード検査装置は光を散
乱させ透過するスリガラスまたはそれに相当する高分子
材料からなる検査台１１の上に半導体装置の試料２が載
せられ、検査台１１の下に照明装置１２が配置され、検
査台１１に対して照明装置１２とは反対側にＣＣＤカメ
ラ９゜９１．９２が備えられた構造である。
視図を参照して説明する。このリード検査装置は光を散
乱させ透過するスリガラスまたはそれに相当する高分子
材料からなる検査台１１の上に半導体装置の試料２が載
せられ、検査台１１の下に照明装置１２が配置され、検
査台１１に対して照明装置１２とは反対側にＣＣＤカメ
ラ９゜９１．９２が備えられた構造である。
半導体装置の試料２は検査台１０の上に置かれてＣＣＤ
カメラ９．９１．９２とは反対側に位置する照明装置１
１により照射されるため、ＣＣＤカメラの方向からはリ
ード１０を含めて半導体装置は黒、他は白というシルエ
ットとして認識される。そこでこの像を斜め方向からＣ
ＣＤカメラ９で、垂直上方よりＣＣＤカメラ９１で、上
方から見てＣＣＤカメラ９とは直角をなす方向で、かつ
、斜め方向からＣＣＤカメラ９２で撮影する。
カメラ９．９１．９２とは反対側に位置する照明装置１
１により照射されるため、ＣＣＤカメラの方向からはリ
ード１０を含めて半導体装置は黒、他は白というシルエ
ットとして認識される。そこでこの像を斜め方向からＣ
ＣＤカメラ９で、垂直上方よりＣＣＤカメラ９１で、上
方から見てＣＣＤカメラ９とは直角をなす方向で、かつ
、斜め方向からＣＣＤカメラ９２で撮影する。
試料２に対して斜め方向に位置するＣＣＤカメラ９と９
２での認識画像を第２図ａに、試料２に対して垂直方向
に位置するＣＣＤカメラ９１での認識画像を第２図すに
示す。第２図のａとｂとに示された白黒の２値レベルが
明確にされた認識画像よりリードのピッチおよびリード
の先端の長さの差が正常な半導体装置と比べて誤差範囲
内であるかどうかを認識判断させて検査を行う。
２での認識画像を第２図ａに、試料２に対して垂直方向
に位置するＣＣＤカメラ９１での認識画像を第２図すに
示す。第２図のａとｂとに示された白黒の２値レベルが
明確にされた認識画像よりリードのピッチおよびリード
の先端の長さの差が正常な半導体装置と比べて誤差範囲
内であるかどうかを認識判断させて検査を行う。
なお、第２図ａのように斜めの像を撮影すると前後の距
離差が生じて像の手前側と奥のピントがぼける現像が生
じるが、照明の光量を増してレンズの絞りを絞り込んで
ピントの合う範囲を広げることによって解決できる。
離差が生じて像の手前側と奥のピントがぼける現像が生
じるが、照明の光量を増してレンズの絞りを絞り込んで
ピントの合う範囲を広げることによって解決できる。
また、ＣＣＤカメラを３台設置してもよいし、１台のＣ
ＣＤカメラを３Ｗ所移動させて撮影してもよい。さらに
ＣＣＤカメラでな（他の撮像装置であってもよい。
ＣＤカメラを３Ｗ所移動させて撮影してもよい。さらに
ＣＣＤカメラでな（他の撮像装置であってもよい。
発明の効果
本発明半導体装置のリード検査装置によれば、光散乱透
過物質からなる検査台の上に半導体装置の試料を載せ、
下からの光源により試料をシルエットになるように検査
台の上方から撮像装置で試料を撮影するため、像の２値
化レベルが変動せず正確な像の認識ができ、評価をあや
まることがなくなり、実用的にきわめて有用な効果があ
る。
過物質からなる検査台の上に半導体装置の試料を載せ、
下からの光源により試料をシルエットになるように検査
台の上方から撮像装置で試料を撮影するため、像の２値
化レベルが変動せず正確な像の認識ができ、評価をあや
まることがなくなり、実用的にきわめて有用な効果があ
る。
第１図は本発明の半導体装置のリード検査装置検査装置
の外観図である。 ２・・・・・・半導体装置の試料、１０・・・・・・検
査台、９．９１．９２・・・・・・ＣＣＤカメラ、１１
・・・・・・照明装置。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名？−−−手
１４木沢置が試製 ９．’／／９２−ＣＣＤ７１ズラ ／θ−−−リード ／／−一一橙蚤右 第１図 ７２−照ＴＡ骸壇 第２図 （ａ） （ｂλ
の外観図である。 ２・・・・・・半導体装置の試料、１０・・・・・・検
査台、９．９１．９２・・・・・・ＣＣＤカメラ、１１
・・・・・・照明装置。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名？−−−手
１４木沢置が試製 ９．’／／９２−ＣＣＤ７１ズラ ／θ−−−リード ／／−一一橙蚤右 第１図 ７２−照ＴＡ骸壇 第２図 （ａ） （ｂλ
Claims (1)
- 半導体装置のリードを撮影する撮像装置と前記半導体装
置を載せる光散乱透過物質からなる検査台と、同検査台
に対して前記撮像装置とは反対に位置する照明装置を備
えたことを特徴とする半導体装置のリード検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13923087A JPS63302308A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 半導体装置のリ−ド検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13923087A JPS63302308A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 半導体装置のリ−ド検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302308A true JPS63302308A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15240511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13923087A Pending JPS63302308A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 半導体装置のリ−ド検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63302308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203251A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 電子部品のリード線曲がり検出装置 |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP13923087A patent/JPS63302308A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203251A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 電子部品のリード線曲がり検出装置 |
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