JPS63283145A - 耐放射線強化用ｉｃパッケ−ジ - Google Patents
耐放射線強化用ｉｃパッケ−ジInfo
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- JPS63283145A JPS63283145A JP11840687A JP11840687A JPS63283145A JP S63283145 A JPS63283145 A JP S63283145A JP 11840687 A JP11840687 A JP 11840687A JP 11840687 A JP11840687 A JP 11840687A JP S63283145 A JPS63283145 A JP S63283145A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は耐放射線強化用ＩＣパッケージに関し、特にＩ
Ｃチップを放射線から保護するための放射線シールド部
に特徴のある耐放射線強化用ＩＣパッケージに関する。
Ｃチップを放射線から保護するための放射線シールド部
に特徴のある耐放射線強化用ＩＣパッケージに関する。
［従来の技術］
従来、この種の耐放射線強化用ＩＣパッケージは、宇宙
あるいは原子炉等に使用されるもので、ＩＣチップと、
このＩＣチップを内蔵するセラミックパッケージと、上
記ＩＣチップを放射線から保護するための放射線シール
ド部とを備えている。
あるいは原子炉等に使用されるもので、ＩＣチップと、
このＩＣチップを内蔵するセラミックパッケージと、上
記ＩＣチップを放射線から保護するための放射線シール
ド部とを備えている。
この放射線シールド部は、放射線からＩＣチップを保護
するために、機器の全体あるいはＩＣパッケージの外側
からアルミニウム（Ａ２）等で覆うようになっていた。
するために、機器の全体あるいはＩＣパッケージの外側
からアルミニウム（Ａ２）等で覆うようになっていた。
［解決すべき問題点コ
上記従来の耐放射線強化用ＩＣパッケージにあっては、
放射線シールド部が放射線からＩＣチップを保護するた
めに、機器全体あるいはＩＣパッケージを外側からアル
ミニウム（八１）等で覆うこととしていたため、被覆面
積が太きく、機器の形状及び重量も大になってしまうと
いう欠点があった。
放射線シールド部が放射線からＩＣチップを保護するた
めに、機器全体あるいはＩＣパッケージを外側からアル
ミニウム（八１）等で覆うこととしていたため、被覆面
積が太きく、機器の形状及び重量も大になってしまうと
いう欠点があった。
［問題点の解決手段］
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになしたも
ので、その解決手段として本発明は、ＩＣチップと、該
ＩＣチップを内蔵するセラミックパッケージと、上記Ｉ
Ｃチップを放射線から保護するための放射線シールド部
とを備える耐放射線強化用ＩＣパッケージにおいて、上
記放射線シールド部は、上記セラミックパッケージ内の
ＩＣチップを囲う位置に、チタンあるいはモリブデン・
マンガン等セラミックになじみ易い性質の金属蒸着層を
形成した構成としている。
ので、その解決手段として本発明は、ＩＣチップと、該
ＩＣチップを内蔵するセラミックパッケージと、上記Ｉ
Ｃチップを放射線から保護するための放射線シールド部
とを備える耐放射線強化用ＩＣパッケージにおいて、上
記放射線シールド部は、上記セラミックパッケージ内の
ＩＣチップを囲う位置に、チタンあるいはモリブデン・
マンガン等セラミックになじみ易い性質の金属蒸着層を
形成した構成としている。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は、本発明の一実施例に係る耐放射線
強化用ＩＣパッケージを示す図である。
強化用ＩＣパッケージを示す図である。
図中３はＩＣチップで、このＩＣチップ３はセラミック
パッケージ２に内蔵される。
パッケージ２に内蔵される。
セラミックパッケージ２は中央部にＩＣチップ３収納用
の凹部を有する上下部２つのものを組合せるようになフ
ている。
の凹部を有する上下部２つのものを組合せるようになフ
ている。
そして、このセラミックパッケージ２に放射線シールド
部１を形成するようにしている。この放射線シールド部
↓はセラミックパッケージ２の上下部内に各々設けであ
る。即ち、セラミックパッケージ２内のＩＣチップ３を
囲う位置、具体的にはＩＣチップ３の収納用の凹部を囲
むようにしている。
部１を形成するようにしている。この放射線シールド部
↓はセラミックパッケージ２の上下部内に各々設けであ
る。即ち、セラミックパッケージ２内のＩＣチップ３を
囲う位置、具体的にはＩＣチップ３の収納用の凹部を囲
むようにしている。
また、上記放射線シールド部１は、チタンあるいはモリ
ブデン・マンガン等のセラミックパッケージ２の材質で
あるセラミックになじみ易い性質の金属を用い、この金
属をセラミックパッケージ２内に蒸着してチタンあるい
はモリブデン・マンガン等の金属蒸着層を形成してなる
。
ブデン・マンガン等のセラミックパッケージ２の材質で
あるセラミックになじみ易い性質の金属を用い、この金
属をセラミックパッケージ２内に蒸着してチタンあるい
はモリブデン・マンガン等の金属蒸着層を形成してなる
。
従って、機器あるいはＩＣパッケージ全体を外側から覆
う場合に比し、被覆面積が小さく、小型化、軽量化に役
立つ。また、材料にアルミニウム（Ａ２）を用いる場合
に比し、チタンやモリブデン・マンガンは比重が大きく
放射線に対するシールド性も高まる。
う場合に比し、被覆面積が小さく、小型化、軽量化に役
立つ。また、材料にアルミニウム（Ａ２）を用いる場合
に比し、チタンやモリブデン・マンガンは比重が大きく
放射線に対するシールド性も高まる。
更に、ＩＣパッケージの形成に際しては、セラミックパ
ッケージ２内にＩＣチップ３を収納した状態において、
セラミックパッケージ２の上下部間を低融点ガラス４で
封止するようにしている。
ッケージ２内にＩＣチップ３を収納した状態において、
セラミックパッケージ２の上下部間を低融点ガラス４で
封止するようにしている。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、セラミックパッケージ内
部に放射線シールド部としての金属蒸着層を有しており
、ＩＣチップそのものを囲う形で放射線シールドがなさ
れているため、従来の機器全体あるいはＩＣパッケージ
の外側を囲う放射線シールド対策に比較し、本発明のＩ
Ｃパッケージを使用することにより機器を小型、軽量化
できるという効果がある。
部に放射線シールド部としての金属蒸着層を有しており
、ＩＣチップそのものを囲う形で放射線シールドがなさ
れているため、従来の機器全体あるいはＩＣパッケージ
の外側を囲う放射線シールド対策に比較し、本発明のＩ
Ｃパッケージを使用することにより機器を小型、軽量化
できるという効果がある。
また、金属蒸着層に使用されるチタンあるいはモリブデ
ン・マンガンは、従来の放射線シールド材に使用されて
いるアルミニウムより比重が大きいため放射線に対する
シールド効果が大きい（ｌ／２〜１７１０程度）という
効果がある。
ン・マンガンは、従来の放射線シールド材に使用されて
いるアルミニウムより比重が大きいため放射線に対する
シールド効果が大きい（ｌ／２〜１７１０程度）という
効果がある。
更に、副次的にはＩＣチップが金属層で覆わわているた
め電磁シールドの効果もある。
め電磁シールドの効果もある。
第１図は本発明の一実施例に係る耐放射線強化用ＩＣパ
ッケージを示す部分破断側面図、第２図は第１図の縦断
面図である。 １：放射線シールド部 ２：セラミックパッケージ ３：ＩＣチップ ４：低融点ガラス
ッケージを示す部分破断側面図、第２図は第１図の縦断
面図である。 １：放射線シールド部 ２：セラミックパッケージ ３：ＩＣチップ ４：低融点ガラス
Claims (1)
- ＩＣチップと、該ＩＣチップを内蔵するセラミックパッ
ケージと、上記ＩＣチップを放射線から保護するための
放射線シールド部とを備える耐放射線強化用ＩＣパッケ
ージにおいて、上記放射線シールド部は、上記セラミッ
クパッケージ内のＩＣチップを囲う位置に、チタンある
いはモリブデン・マンガン等セラミックになじみ易い性
質の金属蒸着層を形成したことを特徴とする耐放射線強
化用ＩＣパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11840687A JPS63283145A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 耐放射線強化用ｉｃパッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11840687A JPS63283145A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 耐放射線強化用ｉｃパッケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283145A true JPS63283145A (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14735858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11840687A Pending JPS63283145A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 耐放射線強化用ｉｃパッケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283145A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1696486A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Integrated circuit and wireless ic tag |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11840687A patent/JPS63283145A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1696486A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Integrated circuit and wireless ic tag |
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