JPS63282269A - 物体上に金属コーティングを堆積させる方法 - Google Patents

物体上に金属コーティングを堆積させる方法

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JPS63282269A
JPS63282269A JP63100438A JP10043888A JPS63282269A JP S63282269 A JPS63282269 A JP S63282269A JP 63100438 A JP63100438 A JP 63100438A JP 10043888 A JP10043888 A JP 10043888A JP S63282269 A JPS63282269 A JP S63282269A
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chamber
panel
coating
coated
cooling
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キャロル　エイチ　ジョージ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の背景） ［発明の属する技術分野］ 本発明は、物体を制御雰囲気を有する低圧室内を貫通し
て搬送し、物体が室内にある間に物体をクリーニングし
て次に物体に所定材料のコーティングを施工する方法に
関する。特に、各々が連続コーティング工程に結合され
たクリーニング設備を含む複数の隣接通路を介して物体
を連続的に搬送する装置とその方法とに関する。この工
程において物体はクリーニングされ、物体がそれに沿っ
て連続的に搬送される隣接の物体搬送路にサービスをな
す二方向源により特定材料がコーティングされる。
［従来技術の説明］ 集積回路、ハイブリッド部品およびプリント基板のよう
な電気または電子部品を含む物体は、それらの製造工程
のある時点で金属薄膜の堆積すなわち表面コーティング
を必要とする。現在プリント基板への金属コーティング
の施工は、通常湿式化学法により行われている。この方
法は連続法であるが、通常毒性化学物質を取扱う。最近
、スパッタリング、蒸着およびイオン・ブレーティング
などの乾式メタライゼーション技術がコーティング付着
仕様を満足することか示され、従って実際の商業用途に
利用可能ある。
集積回路およびハイブリッド回路産業において、金、パ
ラジウム、銅、アルミニウム、タンタルまたは窒化タン
タル等の種々の材料がスパッタリング法によりセラミッ
ク基板またはシリコン基板上に堆積可能である。プリン
ト基板産業においては、銅が代表的な金属薄膜である。
薄膜が堆積されたあと、薄膜は厚さが増加され、エツチ
ングされ、または、その他の工程を経て回路および／ま
たは部品が製造される。
スパッタリング法においては、スパッタされるべき材料
からなるターゲットは陰極面に装着される。このターゲ
ット材料には低圧のアルゴンなどの不活性ガス雰囲気内
で高圧の陰極電圧が印加されるが、このとき気体はイオ
ン化されて露出金属面に衝突し、原子又は原子の集団を
追い出し９次に基板上に堆積される。
基板上に金属の薄膜を堆積させるために多くの乾式メタ
ライゼーション製造設備が開発されてきた。ある形式の
連続単一ライン開放端装置においては、基板は順次に圧
力が低くなって行（一連の個別ポンプを吸引室を通過し
て基板は最終的に真空室に入り、ここでスパッタリング
が行われる。
他の形式の連続スバッリング装置においては、一群の基
板は順次に真空されていく一連のロック（封印部）を通
過して送られ、次に基板は真空工程室に入ってここでス
パッタリング堆積を受ける。
比較的薄い薄膜のスパッタリングであっても、スパッタ
リングはかなりの時間を要するので、これらの形式の一
次元線形設備では一時に極めて僅かの基板しかスパッタ
リングできないので、処理能力は遅くならざるを得ない
。
バッチ・ベル・ジａｒ　−（ｂａｔｃｈ　ｂｅｉｌ　ｊ
ａｒ）法においては、同時処理される基板数を増加する
ために基板の円筒状配置が使用された。この配置におい
ては、全ての基板が同時に処理可能なように、ベル・ジ
ャー内で中央に設けられた陰極のまわりに基板は円筒状
配列に配置される。この方法では、処理される基板のバ
ッチごとにベルφジャーは順次に排気されポンプで低圧
にされなければならないので、それ自身では連続作業は
できない。さらにこの方法では、基板は十分に大きく　
（プリント基板に使用される基板は１８’　Ｘ２４’以
上である）かつ平坦構造でなければならない。さらにこ
れらの基板では中央に設けられた陰極に対して基板の中
央部がより近いことから、各基板の中央部により多くの
堆積が行われるので、これらの基板は不均一な金属堆積
を受けることになる。
処理能力および堆積薄膜の純度において前記２つの装置
より優れた装置は、米国特許第３，８５８，６５４号の
連続円筒状スパッタリング装置である。この構成におい
ては、基板はバッチ式に供給され、次に中央に設けられ
た陰極のまわりの連続単一円形ライン内に送られる。コ
ーティング作業中制御雰囲気コーテイング室は決して大
気に露出されることなく、これにより高純度の堆積が得
られる。
装置の処理能力は前記のいずれの装置よりも大きいけれ
ども、この装置もやはり、陰極を通過する基板が単一ラ
インを移動するという一次元をベースに運転される。
乾式メタライゼーション法は毒性物質の問題は回避でき
たけれども、これらも連続式処理能力には制限があり、
大抵はバッチ式処理設備で実現されている。基板の両側
を処理するとき、連続式またはバッチ式のいずれの方法
で運転されようとも、単一処理室はせいぜい単一の処理
ラインを収容するのみである。
（発明の概要） 金属コーティングを有するプリント基板のような物体を
クリーニングして次にコーティングする方法および装置
は、制御された低圧気体処理雰囲気を有する密閉真空室
を含む。クリーニングされ、次に金属被膜でコーティン
グされる物体は、真空室を所定の圧力およびガス組成に
維持させるエア・ロック（ａｉｒ　１ｏｃｋ）機構を通
過して密閉室内に連続的に送り込まれる。室内には複数
の搬送路またはパネル搬送トラックが含まれる。クリー
ニングされ次にコーティングされる物体は、コーティン
グされる間、種々のトラックに沿って連続的に搬送され
る。
複数のトラックは相互にほぼ平行に配置され、各トラッ
ク上の物体は方向が類似しかつ相互にほぼ等距離にある
通路を通る。各物体搬送トラックの両側に複数の二方向
コーティング源が順次に配置され、これによりパネルの
両側がコーティングされる。
内側トラックの場合、２つの隣接トラックの中間ｊこ配
置された単一列の二方向コーチインク源は、両隣接トラ
ック上の物体の対向パネル面に対するコーティング源と
して働く。必要な場合は、コーティングされる物体の温
度を制限するために、個々のコーティング源は各々冷却
吸熱器と組にされて個々のステーションを形成し、この
ステーションは全て物体搬送トラックの両側に順次に配
置される。各ステーションに付属の磁界発生装置は金属
ターゲットに衝突するイオンを発生する電子の軌道を制
御する。磁界発生装置は、その磁束線がコーティングさ
れる物体の表面のほぼその領域で、その表面にほぼ平行
にある磁束を発生する。これは表面に衝突する高エネル
ギ電子の数を減少し、従って処理される物体の表面で発
生される熱を減少するのに有利である。ターゲットから
放出されるスパッタ金属原子の大部分は、その軌道が搬
送トラック上を通過される物体の隣接側面と交差するよ
うに最適化される。もし必要ならば冷却源が設けられて
これがコーティングされる物体の不当な温度上昇を防止
する。コーティングされた物体は、終端エアロツク機構
を介して搬送トラックから連続的に取出される。
（実施例の説明） 回路パネルのような物体をコーティングするための処理
系統装置を第１図に示す。室全体は、制御気体雰囲気を
有する処理室内でパネル内の貫通孔の表面を含めて回路
パネルを金属コーティングするためにスパッタリング技
術を用いた処理系統を支持する。このコーティング工程
は、コーティングされるパネルが処理室を貫通して連続
的に搬送される連続工程として実行される。
第１図に示すように、系は、コーティングされるパネル
を５個の平行なパネル入力ドラック１１１のいずれかの
上で受入れる第１の動的エアロツク１１０を含む。この
入口エアロツク１１０は駆動ローラ１０９を含み、入力
ドラック１１１上でパネルを、金属材料のスパッタ堆積
に適切な制御雰囲気を有する処理室１２５内へ送る。エ
アロツクは、制御雰囲気を著しく劣化することなくパネ
ルが連続的に通過可能なように設けられているので好ま
しい。
適用例に設けられた適切な連続エアロツクを第１６図に
略図で示す。
当業者には他の適切な気体および圧力が想定されようが
、処理室の例示制御雰囲気としては圧力５ｍＴ（ミリ・
トル）のアルゴンガスが適切であろう。この制御雰囲気
は処理室全体にわたり均等である。
第１図に示す処理室１２５は二方向マグネトロン・コー
ティング源と、室内で各パネル搬送トラッりの最初にあ
るエツチング・スクリーンと、からなるスパッタ・クリ
ーニング部を含む。各スパッタ・クリーニング部は同時
に、パネルが搬送トラック上を通過するときに、パネル
表面をスパッタ・クリーニングするために中和原子を発
生し、さらにパネル上に金属コーティングを堆積させる
。
一連の順次堆積部は各々、搬送トラック１１１上で処理
室１２５を通過して連続的に供給される回路パネルの両
側に金属コーティング（図示の実施例では銅）を堆積さ
せるための二方向マグネトロン・コーティング源を含む
。コーティングされたパネルは、後続の動的エアロツク
１４０を通過して処理室１２５から取出される。
処理系統全体はエアロツク１１０．１４０を含み、処理
室１２５は支持部材１５０上に装着され、支持部材１５
０は処理系統の構造的装着部を提供すると共に、制御回
路、排気管、水マニフォールド、および処理室１２５お
よびエアロツク１１０．１４０内の雰囲気を制御するた
めの真空ポンプ装置、とをもまた含む。処理室１２５の
頂面には空冷ファン１１５が配置され、空冷ファン１１
５は室の表面を冷却する押込空気を供給するのに使用さ
れる。空気は、第１図に示すように、室の外部と室の外
側カバーパネルの内部との間の冷却ダクト内を流れる。
第１図の処理系統の部分破断図を第２図に示し、第２図
では、処理室内においてパネルは搬送トラックの内の第
１のトラックに付属の処理部がみえている。回路パネル
２０１が、動的エアロツク２１０への入口において、上
部および下部搬送トラックガイド２０２．２０３上に配
置され保持されている様子がここに図示されている。搬
送トラック・ガイド２０２．２０３はパネル２０１の頂
部および底部端縁と係合し、パネル２０１を動的エアロ
ツク２１０内へ案内する。
パネルは、パネル２０１の両面と物理的に結合するロー
ラ２０９により駆動される。動的エアロツク２１０のと
ころにある入口リップ・シール２１１は、パネルがエア
ロツク内に入る時にパネルの側面および端縁のまわりに
気密シールを形成する。入口リップシール２１１は断面
がほぼ円形であり、パネルノ側面に対しシール圧力を加
えるように設ケラれ、さらにパネルがエアロツク内に入
り込むときにパネルに引戻し力が殆どまたは全くかから
ないようにシール自体を回転可能にする機構を含む。
リップシールの先には、さらにシールを形成して気体圧
力を低下するために、エアロツク２１０内に空気ポンプ
が設けられる。エアロツク２１０内にはさらに山形シー
ル・フラッパが含められ、山形シール・フラッパは差圧
ポンプ・ステーションの入口と出口との間の差圧の維持
を補助する。
エアロツク２１０にすぐ続いて処理室内にマグネトロン
作動エツチングまたはクリーニング・ステーション（第
２図では図示なし）があり、このステーションは放出イ
オンを中和するための中和スクリーンを含み、次にイオ
ンは通過するパネルに衝突して粒子衝撃によりパネルを
クリーニングする。このエツチング・ステーションは以
下に第７図により詳細に説明する。これらのエツチング
・ステーションはパネル搬送トラックの最初の位置でそ
の両側に配置される。マグネトロン・コーティング装置
２３０の後続部は、破断回内で単一パネル搬送トラック
の両側にみえる。
パネル搬送トラックの両側に沿ってマグネトロン装置２
３０の間に分散して、冷却ステーション（第２図では図
示なし）が配置される。冷却ステーションは、水冷却板
と、回路パネルが通過するときに回路パネルの面上に乗
換えるようにバネ荷重が与えられる可撓性伝熱面とを含
む。この冷却ステ７シヨンの詳細は以下に第８図により
詳細に説明する。
真空化処理室を有する処理装置の水平断面部分平面図を
第３図に示す。図示の処理室の３つの室壁３０１．３０
２．３０３　　（第４の壁は図示なし）は２個のパネル
搬送トラック３０４．３０５をほぼ包囲するが、これは
第１図に示す５個のトラックの内の２個を示したもので
ある。これらのトラックは第３図では図示されていない
エアロツク（第２図に示す２１０）を出た後に端部壁内
に侵入し、壁３０３を通過した後にエアロツク（第２図
に示す２４ｏ）に入る。
マグネトロン装置３１０と冷却ステーション装置３１１
とは、搬送トラック３０４の両側で、相互に交互に反対
側の位置に配置される。任意の搬送トラックのいずれの
側においても、マグネトロン・コーティング装置３１０
と冷却ステーション装置３１１とは相互に交換で配置さ
れる。各冷却ステーションはそれに付属の１つの磁束源
３４０を有し、磁束源３４０はマグネトロン・コーティ
ング装置３１０により発生される磁束と組合わされたと
きに作動して、パネル表面にすぐ隣接した領域において
コーティングされるパネルの表面に平行な複合磁束を維
持する。このコーティング装置および冷却装置のパター
ンは真空化処理室の全処理領域内で一定間隔で反復され
るが、各搬送トラックに沿ったマグネトロン装置を有す
る第１のステーションはスクリーン・グリッド３０９を
含むこ゛とを特徴とするマグネトロン・クリーニングお
よびエツチング・ステーションであることだけは例外で
ある。このようなスクリーン・グリッド装置を第８図お
よび第９図に詳細に示す。
処理装置の詳細を示す処理室成分構造のさらに詳細な部
分平面図を第４図に示す。２個の搬送トラック４０１　
、４０２が示されているが、トラック４０１にはパネル
がなく、トラック４０２は処理されるパネル４０３を含
んでいるところが示されている。
図の中央にマグネトロン装置４０５が配置され、マグネ
トロン装置４０５はマグネトロン装置の内部に配置され
た複数の永久磁石４０６を含む。所定のコーティング材
料からなる２枚のターゲツト板４０７．４０８が磁石４
０６の両側に配置される。構造を強固にしかつ磁石によ
り発生された磁界を一部制御するために、軟鉄からなる
端部クランプ４１０　、４１１が配置される。冷却ステ
ーションの後方でマグネトロン磁石４０６と一直線上に
設けられたダミー磁石４３５は、隣接マグネトロン４０
５の磁界と対向するように配置される。第４図に示すよ
うに、ダミー磁石４３５の極性はマグネトロン装置４０
５の磁石４０Ｂに対向する方向にある。これらの存在に
より、その結果として、その磁束線がコーティングされ
るパネルの面にすぐ隣接してそれに平行であるような磁
束が発生される。この特殊な配置により物体の表面に衝
突する高速度の電子の数は制限され、従ってパネル内に
おいて発生される熱は減少する。
各マグネトロンにすぐ隣接して組合せスパッタ遮蔽体／
陽極４１５が配置され、組合せスパッタ遮蔽体／陽極４
１５は接地されて、ターゲット４０７．４０８の負の電
位に対し正の電位にある。スパッタ遮蔽体／陽極４１５
のリップ４１６は物理的にマグネトロン４０５に近接し
て配置されて（寸法ｒａＪは約１／８′である）その端
部クランプ／保持器４１０１４１１をスパッタリング・
イオンから遮蔽し、かつ電子軌道を制御して、このよう
な方法で通常得られる作業部材温度をより低く維持する
。その電位（接地されてはいるがターゲットに対し正で
ある）もまたターゲットに衝突する電子の所定の軌道を
制御するのに有効である。
遮蔽体内およびターゲット４０７．４０８とトラック４
０１．４０２とのそれぞれの間に、入口エアロツクに最
も接近して、スパッタ・クリーニングおよびエツチング
のために使用される最初のマグネトロン装置内に含まれ
るスパッタ・エツチング・スクリーン・グリッド４２０
が配置される。これらのスクリーン・グリッド４２０に
はイオンを引付けるために負の電荷が与えられ、イオン
がスクリーンを通過して次にトラック４０１．４０２を
通過するパネル４０３の隣接面に衝突するときに電荷イ
オンを中和するように作動する。これらの原子はパネル
に衝突することによりパネル面のクリーニング作用を行
ない、不純物をパネルから引離す。
トラック４０１　、４０２に隣接しかつマグネトロン４
０５の反対側に冷却面４２５が設けられ、冷却面４２５
は冷却板４２７に装着されている。黄銅ウールの細繊維
マット４２８が冷却板４２７と冷却面４２５との間の伝
熱接触を形成し、かつ弾性力を与えてトラック４０１．
４０２上を通過するパネルに対する冷却面の接触を容易
にもしている。図示のトラック４０１にはパネルが挿入
されていないので、隣接冷却面４２５はゆるんだ準放物
線形状をなしている。トラック４０２上にパネル４０３
を有するところの冷却面４２５は平坦な輪郭を有するよ
うに図示され、この輪郭は冷却面４２５のパネル４０３
と実質的に広い面積で接触をなすのを容易にしている。
冷却板４２７に対する冷却作用は水管４３０により提供
され、水管は４３０は、冷却板４２７と、処理室の屋根
を支持するのに利用される隣接支持コラム４２９との中
に共通に切込まれた窪みの中に配置される。冷却管４３
０は個々のコラム４２９ごとにそれぞれ設けてもよいし
、あるいは室の全体に伸長し、順次の各コラム４２９の
窪みを順次に通過する単一の多ループ管であってもよい
。
支持コラム４２９の後方には前記のように別の磁界形成
磁石すなわちダミー制御磁石４３５が設けられ、ダミー
制御磁石４３５は、マグネトロンの磁石４０６と組合わ
されて、磁束を、トラック４０１．４０２上で搬送され
るパネル４０３の隣接領域においてパネル４０３の両隣
接面に平行になるように制御するのに利用される。この
磁束制御はパネル４０３の加熱を最小化するように作動
し、第４図に示すように一直線上に並ぶ対向磁極を含む
。支持コラムの端部にアルミニウムスペーサ４３７が設
けられ、これは制御磁石４３５の装着支持体となる。
個々のマグネトロン装置５０１を第５図に示すが、マグ
ネトロン装２５０１は第１のターゲット５０２と、第１
のターゲットの反対側の面上の第２のターゲット５０３
（このターゲツト面は図では見えない）とを含む。２枚
のターゲット５０２°、５０３の間には磁石と冷却管と
が設けられ、これらは全て底部の端部ターゲツト面５０
４と頂部の端部ターゲツト面５０７（図示なし）との間
に配置される。冷却用気体または液体、水でもよい、の
流れを導く冷却管５０Ｇは装置の頂部から突出するよう
に図示されているが、冷却管５０６はここで外部の冷却
用液体源または水源に接続される。
３枚のターゲット並びに端部ターゲット５０４の反対側
の図示されていないターゲット５０７とを含むこの組立
体はまとめて端部クランプ５１０．５１１によりクラン
プされる。これらのクランプは、ターゲットの側面に磁
界を保持するように軟鉄で製作される。
内部組立体を第６図に示すが、ここでクランプ板６１Ｂ
により保持されたクランプ保持磁石６１５の両側に内部
で配置された冷却管６０６が図示されている。第７図に
は、クランプ板７１Ｇ　、７１７の間に固定されたクラ
ンプ保持磁石７１５がさらに詳細に図示されている。
エツチング・スクリーン・グリッドを含むマグネトロン
遮蔽体の斜視図が第８図に示される。マグネトロン陽極
遮蔽体装置８０３はマグネトロン・コーティング源を含
む全ての装置の一構成部分であり、第４図に陽極遮蔽体
４１５として断面図で示されている。代表的なコーティ
ング装置の場合における陽極遮蔽体は、スパッタリング
構造の大部分をスパッタリング堆積から保護するように
作動する。マグネトロン・ターゲツト面は開口８０２の
後方に配置される。図示の遮蔽体内の開口は、電気励磁
スクリーン８１９を支持するスクリーン・グリッド・フ
レーム８１４により遮蔽体装置の片側に制限される、搬
送トラックに沿ったそれ以後の陽極遮蔽体の大部分はス
クリーン・グリッドを含まない。
陽極遮蔽体装置８０３は第４図に断面輪郭で示されてい
る側面８０７．８０８からなり、側面ｇｏ：　、　ｇ。
８はマグネトロンの正面ターゲット構造以外の処理装置
上へのスパッタ・コーティング材料の堆積を防止するよ
うに機能する。頂部および底部遮蔽体８０５．８０Ｂは
処理構造の頂部および底部に対する同様な保護を形成す
る。遮蔽体装置全体は接地電位に置かれ、この電位によ
り、遮蔽体装置は冷却ステーション支持系統と共に、ス
パッタ系統における陽極として機能可能である。
ターゲット開口８０２の正面でその全体高さとその露出
幅の一部分とを被覆する大きさで、個々のワイヤが水平
に対し４５＠の角をなして織られた織上げワイヤからな
るスクリーン・グリッドが配置される。これらのワイヤ
は、接続部８１５を介してそれ自身負の電圧源として作
動するマグネトロンにより、遮蔽体に対し電気的に負の
電位に荷電される。遮蔽体に装着されかつスクリーンの
フレーム８１４を所定位置に保持する支持具８１１．８
１２．８１３は電気的に絶縁されている。スクリーンに
は支持具８１３の内部導体を介して負の電位８１５が印
加される。この荷電されたスクリーン・グリッドはイオ
ンを中和するように作動し、搬送トラック上のパネルの
表面に衝突して２通過するパネルの表面をクリーニング
しかつその面上に材料を堆積するための電気的に中性の
原子の源を提供する。
スクリーン・グリッドの個々のワイヤは各々、パネルが
マグネトロン・エツチング装置を通過する時にパネル表
面上にシャドー・グリッド・パターンを形成しないよう
に、水平に対し４５°の傾斜をなして配置される。陽極
遮蔽体の側面に直交するワイヤは、ワイヤ方向がパネル
の進行方向と平行であることにより、パネルの表面上に
、同様なエツチング直交パターンを形成可能である。
第９図にスクリーン・グリッドおよび陽極／遮蔽体の下
部部分の部分通視図を示す。陽極／遮蔽体９０３はリッ
プ９１Ｂ（第４図におけるリップ４１Ｂ）を含み、リッ
プ９１６は、電子軌道を制御しかつコーティングされる
基板の冷却操作を確実に行なうためにタープ、ット表面
に接近して配置される。図示の陽極遮蔽体を使用する電
子軌道の制御は、マグネトロン装置の端部部分に衝突す
る高エネルギ電子の数、並びにマグネトロンの側部に衝
突してそれ自身で余分の熱を発生する好ましくない軌道
を有するスパッタリング・イオンの数とを制限する。ト
ラック・リップ９１７は、トラック機構を不当なスパッ
タ堆積から遮蔽するために、搬送トラックに隣接して配
置される。図示のスクリーン・グリッドは水平方向でマ
グネトロン表面の放射領域の半分を被覆し、かつ前記の
ように、フレーム９１４と、水平に対し４５６の織り角
をなして織られたワイヤからなるグリッド９０９とを含
む。絶縁体９１５はこのグリッドを遮蔽体から絶縁する
。
第１０図に示す冷却ステーション支持機構は、支持コラ
ム１０２５と、この支持コラム１０２５上にボルト締め
される冷却板１０２３とを含む。Ｕ字状水管１０３０は
、支持コラム１０２５の表面上で取付は用に設けられた
溝内に装着されるように図示されている。水管を収容す
るために、冷却板１０２３の後側に対応の溝（図示なし
）が切込まれている。冷却板は支持コラム１０２５の底
部付近に装着された支持部材１０２２内にはめ込まれ、
かつ冷却板の頂部において支持コラム１０２５に直接ボ
ルト締めされる。冷却板は、板１０２３の横側に固定さ
れかつ第４図に示すように黄銅ウール１０２８により板
１０２３に弾力的に装着された黄銅シート冷却面１０２
９を含む。この黄銅ウールは、冷却面が外側に湾曲しか
つ搬送トラックに沿ったパネルの通路に乗りかかるよう
に、冷却面に対し力を加える。冷却面は通過するパネル
の表面に沿って平坦になりその上に乗りかかる。黄銅ウ
ールは冷却面を湾曲させるように必要なバネ力を与え、
かつ冷却面１０２９と冷却板１０２３との間の伝熱路と
なる。上部および下部パネル搬送トラック１０２Ｂ、１
０２７はスペーサ１０２２．１０２４に当接して支持コ
ラム１０２５にボルト締めされる。
支持冷却構造物の三面図を第１１図、第１２図および第
１３図に示すが、これらの図は、支持構造物に一固定さ
れた搬送トラック１０２６．１０２７と、板１０２３（
７）正面に固定されて搬送トラックの通路上に伸長する
黄銅シート冷却面１０２９とを示す。冷却管１０３０は
支持コラム１０２５の面から外側に曲げられてここで方
向を反転するか、または支持コラム１０２５と冷却板１
０２３とにより形成された溝内にはめ込まれるかのいず
れかである。
コーティング系装置を適切に機能させるための重要な要
素は、処理室内の気体雰囲気を適切に維持することであ
る。室はスラブ状の側壁から構成されるので、種々の壁
が接合する接合点は完全に気密でなければならない。
側壁が支持床壁と接合するコーナー接合点を第１４図に
示す。ベース中スラブ１４０１は、ゴム・シール繊維１
４０３を受入れるためにその中に切込まれた溝１４０２
を有する。スラブ１４０１の壁外側部分１４０２は、点
１４０４における溝壁が繊維１４０３の半径に等しい高
さに切断される。側壁１４０６は、切下げ側部１４０４
と接合する伸長部１４０７を形成するように切込まれた
端部を有する。密閉溝の高さおよび幅は、圧縮されない
状態のゴム繊維１４０３の外径よりやや小さくなるよう
に寸法が選定される。
コーナー以外の接合部を第１５図に示すが、図示のよう
に２つの接合スラブ１５０１．１５０２内に深い溝が形
成され、その中にゴム繊維１５０３が挿入される。
挿入繊維１５０３を含む溝は、ゴム繊維１５０３を圧縮
するように支持部材１５０７のプラグが差込まれて真空
気密を形成する。
前記の処理系統内の適用に適切な入口動的エアロツクを
第１６図に断面平面図で示す。駆動ローラ１６０９は処
理されるパネル１６０１と物理的に接触をなシ、パネル
１６０１を搬送トラックに沿ってエアロツクの入口１６
０５へ駆動する。パネルは搬送トラック上で相互に隣接
しているので、パネルは処理系統内でトラックに沿って
連続的に押し込まれて行く。
入口部分領域１６０５に近接して図示のようにゴム製で
断面が円形の入口ころがりシール１６１１が設けられる
。シールがはめ込まれている溝１６１２はＶ字形溝を有
する一方の壁を有し、これによりこれらのころがりシー
ル１６１１はパネルが通過するときに両方が回転可能で
あり、また溝１６１２と面接触を維持しかつパネルに引
戻し力をほとんど与えることなく良好なガスシールを維
持する。
コレラのりツブシール１６１１に続いて可撓性の山形シ
ール１６１５が設けられ、山形シール１８１５はパネル
の表面に沿って乗りかかり、入口ポート１１３０５と処
理室１６２０との間に追加シール絶縁を形成する。
搬送路に沿ってこれらの山形シール１６１５の付近に間
隔をなして真空ボート１６１７が設けられ、真空ポート
１６１７は搬送路の部分から連続的に吸引してその部分
における気圧を低下させる。
このエアロツク配置は、動的エアロツクが得られる多く
の配置の（ハ）の１つにすぎない。これはここに記載の
本発明の範囲を限定するこを意図してはいない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の原理を態様化した物体コーティング
系統の斜視図； 第２図は、特に処理室内の物体処理搬送路の１つの一部
を示す、第１図の物体コーティング系統の部分破断斜視
図； 第３図は、処理室内の種々の物体搬送路と、付属のクリ
ーニング、コーティングおよび冷却ステーションとを示
す部分平面図： 第４図は、第３図の略平面図の部分拡大図；第５図は、
コーティング系統の処理室内に含まれる二方向コーティ
ング源の斜視図； 第６図は、コーティング源から熱を除去するための冷却
構成を示す、コーティング源の内部を示す斜視図； 第７図は、特に所定の磁界を発生するための磁気挿入体
を示す、コーティング源の内部を示す斜視図： 第８図は、装着されたスクリーン・グリッドを有するコ
ーティング源遮蔽体の斜視図；第９図は、反対側からみ
た第８図のコーティング源遮蔽体の部分図； 第１Ｏ図は、冷却ステーションの展開斜視図；第１１図
、第１２図および第１３図は、第１Ｏ図の三面図： 第１４図および第１５図は、処理室を外側大気から遮断
するためのシール構造の詳細を示す二面図；および 第１６図は、本発明と共に使用するのに適した動的エア
ロツク機構の断面図である。 １２５　、１６２０・・・処理室 ２０１　、４０３　、１６０１・・・物体３０４　；　
４０１　、４０２・・・搬送路３０９　　、４２０　　
、８１９　　、９０９・・・ワイヤ・スクリーン４０７
．４０８　　、５０２．５０３・・・ターゲット（コー
ティング？Ｈ，）

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）密閉室を真空化しかつ密閉室内に低圧の制御気体
    雰囲気を形成するステップと； 密閉室内に複数の直列配列二方向ターゲットを配置しか
    つ直列配列は相互にほぼ平行であるようにするステップ
    と； 金属コーティングされる物体を複数の形成された搬送路
    に沿って選択的に搬送し、各搬送路は隣接する２つの直
    列配列二方向ターゲットに対しほぼ等距離の中間に配置
    されるようにしたステップと； 物体の加熱を最小にしかつ二方向ターゲットのスパッタ
    収率を向上するために、密閉室内において物体の表面に
    隣接しかつ物体の表面にほぼ平行な磁束線を有する磁界
    を形成するステップと；とが特徴である物体上に金属コ
    ーティングを堆積させる方法。
  2. （２）密閉室内の気体雰囲気の圧力または組成を変える
    ことなく、物体を通路上で密閉室内に連続的に挿入し、
    コーティングされた物体を密閉室から連続的に取出す追
    加ステップを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
    物体上に金属コーティングを堆積させる方法。
  3. （３）スクリーンを通過するイオンを電気的に中和して
    中和されたスパッタ原子が物体の表面でクリーニング作
    用を行なうようにさせるために、形成された搬送路ごと
    に２つの対向する指向コーティング源の少なくとも一部
    の間に織上げワイヤ・スクリーンを挿入する追加ステッ
    プを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の物体上に
    金属コーティングを堆積させる方法。
  4. （４）物体を所望制限温度以下に維持するために、各搬
    送路内の物体の面が冷却面と直接接触をなすように配置
    を行なう追加ステップを特徴とする特許請求の範囲第１
    項に記載の物体上に金属コーティングを被着させる方法
    。
JP63100438A 1987-04-27 1988-04-25 物体上に金属コーティングを堆積させる方法 Pending JPS63282269A (ja)

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