JPS63277519A - ＴｍＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63277519A JPS63277519A JP62111405A JP11140587A JPS63277519A JP S63277519 A JPS63277519 A JP S63277519A JP 62111405 A JP62111405 A JP 62111405A JP 11140587 A JP11140587 A JP 11140587A JP S63277519 A JPS63277519 A JP S63277519A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Catalysts (AREA)
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等として有用
な新規化合物であるＴａ＋ＦｅＺｎｇＯ，、で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
な新規化合物であるＴａ＋ＦｅＺｎｇＯ，、で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来（Ｙｂ”Ｆｅ”０ｓ）ｎ Ｆｅ”Ｏ（ｎは整数を示
す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｔ４０ａ 、 ＹｂｔＦｅｓ（ｌｒ、 Ｙｂ３Ｆ
ｅｇｏｒｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ ３の六方晶系として
の格子定数、ｙｂｏ、、、層、 ＦｅＯ，，５層、 Ｆ
ｅｚＯｚ、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−
１の通りである。
ｅｇｏｒｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ ３の六方晶系として
の格子定数、ｙｂｏ、、、層、 ＦｅＯ，，５層、 Ｆ
ｅｚＯｚ、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−
１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１．２．３−）の割合で化
合していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１．２．３−）の割合で化
合していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｓ） １ＩＦｅＯの化学式におい
て、ｎ＝１／９に相当し、ｙｂ”の代わりにＴｍ”を、
Ｆｅ”の代わりにＺｎ”＋を置きかえて得られた新規な
化合物を提供するにある。
て、ｎ＝１／９に相当し、ｙｂ”の代わりにＴｍ”を、
Ｆｅ”の代わりにＺｎ”＋を置きかえて得られた新規な
化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＴｍＦｅＺｎｗＯ＋ｚで示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Ｔｍ”（Ｆｅ３°、Ｚｎ”）Ｚｎ
ａ”０．．２−とじて記載され、その構造はＴｌｌ１Ｏ
１，６層＋ （Ｆｅ。
オン結晶モデルでは、Ｔｍ”（Ｆｅ３°、Ｚｎ”）Ｚｎ
ａ”０．．２−とじて記載され、その構造はＴｌｌ１Ｏ
１，６層＋ （Ｆｅ。
Ｚｎ）Ｏｚ、 ｓ層およびＺｎＯ層の積層によって形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。ｚｎ ｔ ＋″イオン１／９はＦｅ”と共
に（Ｆｅ”、 Ｚｎ”）Ｏｚ、ｓ層を作り、残りの８７
９はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。ｚｎ ｔ ＋″イオン１／９はＦｅ”と共
に（Ｆｅ”、 Ｚｎ”）Ｏｚ、ｓ層を作り、残りの８７
９はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
ａ ＝３．３２９ ±０．００１ （人）ｃ ＝８７
．７７ ±ｏ、ｏｉ ｃ人）この化合物の面指数（ｈｋ
β）９面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値１ ｄｃは計
算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（Ｉ（％
））を示すと、表−２の通りである。
．７７ ±ｏ、ｏｉ ｃ人）この化合物の面指数（ｈｋ
β）９面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値１ ｄｃは計
算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（Ｉ（％
））を示すと、表−２の通りである。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである０例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである０例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱により
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属鉄あるいは酸
化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物とを、ＴＯＩ、 Ｆ１３およびＺｎ
の割合が原子比で１対１対９の割合で混合し、該混合物
を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中ある
いはＴｍおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価
イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱するこ
とによって製造し得られる。
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属鉄あるいは酸
化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物とを、ＴＯＩ、 Ｆ１３およびＺｎ
の割合が原子比で１対１対９の割合で混合し、該混合物
を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中ある
いはＴｍおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価
イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱するこ
とによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１Ｏｐ−以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１Ｏｐ−以下であることが好
ましい。
また、磁性材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｔｍ＋ Ｆｅ、およびＺｎの割合が
原子比で１対１対９の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で１対１対９の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＴＩｌお
よびＦｅが各々３価イオン状＆、 Ｚｎが２価イオン状
態から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。
よびＦｅが各々３価イオン状＆、 Ｚｎが２価イオン状
態から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られたＴｓ＋ＦｅＺｎｗＯ□化合物の粉末は褐色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＴｍＯ＋、ｓ
層、 （Ｆｅ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＴｍＯ＋、ｓ
層、 （Ｆｅ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化ツリウム（Ｔ町０３）粉末
。
。
純度９９．９％以上の酸化鉄（Ｆｅｚｅｓ）粉末、およ
び試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で１対１
対１８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノールを加
えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉状混合
物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０℃に
設定された管状シリコニット炉内に入れ２日間加熱し、
その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した
。
び試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で１対１
対１８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノールを加
えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉状混合
物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０℃に
設定された管状シリコニット炉内に入れ２日間加熱し、
その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した
。
得られた試料はＴｓｉＦｅＺｎｖＯ＋ｚの単−相であり
、粉末Ｘ線回折法によって各面指数（ｈｋＮ）、面間隔
（ｄｏ）及び相対反射強度を測定した結果は表−２の通
りであった。
、粉末Ｘ線回折法によって各面指数（ｈｋＮ）、面間隔
（ｄｏ）及び相対反射強度を測定した結果は表−２の通
りであった。
六方晶系としての格子定数は、
ａ ＝３．２９４ ±０．００１ （人）ｃ ＝８７
．７７ ±０．０１ （人）であった。
．７７ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈｋβ）より算
出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
（人））と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料、半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＴｍＦｅＺｎ＿９Ｏ＿１＿２で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物。 - （２）金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱
により酸化ツリウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Ｔｍ、ＦｅおよびＺｎ
の割合が原子比で１対１対９の割合で混合し、該混合物
を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中ある
いはＴｍおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価
イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱するこ
とを特徴とするＴｍＦｅＺｎ＿９Ｏ＿１＿２で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111405A JPS63277519A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | ＴｍＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111405A JPS63277519A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | ＴｍＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277519A true JPS63277519A (ja) | 1988-11-15 |
| JPH0435416B2 JPH0435416B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14560320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111405A Granted JPS63277519A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | ＴｍＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63277519A (ja) |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111405A patent/JPS63277519A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435416B2 (ja) | 1992-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |