JPS6327166A - ゲインコントロ−ルアンプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ１従来技術［第５図］ Ｄ１発明が解決し・ようとする問題点［第６図］Ｅ１問
題点を解決するための手段 Ｆ１作用 Ｇ、実施例［第１図乃至第４図］ Ｈ０発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はゲインコントロールアンプ、特にゲインコント
ロール部と少なくとも１つのクランプ回路とを有するゲ
インコントロールアンプに関するう （Ｂ、発明の概要） 本発明は、ゲインコントロール部と少なくとも１つのク
ランプ回路とを有するゲインコントロールアンプにおい
て、 人力信号に存在しているノイズあるいはゲインコントロ
ールアンプ内で発生するノイズにまで応答して直流レベ
ル変動を起してしまうことを防止するため、 ゲインコントロール部に対するゲイン制御信号によって
クランプ回路のクランプ追従速度を制御するようにした
ものてあり、 従って、本発明ゲインコントロールアンプによれば、ゲ
インコントロール部のゲインの高いときはクランプ回路
のクランプ追従速度が遅くなりノイズに応答して直流レ
ベル変動を起すことを抑制することができる。また、ゲ
インコントロール部のゲインの低いときはクランプ回路
のクランプ追従速度が速くなりゲインコントロールアン
プに期待されるクランプ機能を充分に発揮させることが
できる。

（Ｃ，従来技術）［第５図］ テレビジョン受像機、ビデオテープレコーダ等には受信
する電波の強弱や受信機の感度差あるいはフェージング
などによって生ずる画面のコントラストの変化を軽減す
るために自動利得制御（ＡＧＣ）機能を有するゲインコ
ントロールアンプが内蔵されている。第５図はそのよう
なゲインコントロールアンプの一例を示すものであり、
同図において１は前段クランプ回路、２は該前段クラン
プ回路１の出力化−号を増ｉ幅１−るゲインコントロー
ル可能な増幅回路、３は後段クランプ回路、４は該後段
クランプ回路３の出力信号のピークを検出するデテクタ
、５は該デテクタ４において検出されたピーク値を所定
の設定基準値と比較するコンパレータであり、該コンパ
レータ５の出力信号が上記増幅回路２にゲイン制御信号
として入力される。上記前段クランプ回路１及び後段ク
ランプ回路３は共にＤＣシフト回路６．９、コンパレー
タ７．１０、メモリコンデンサ８．１１からなる。即ち
、ＤＣシフト回路６．９を通った信号はコンパレータ７
．１０においてリファレンス電圧Ｖｒｅｆと比較され、
コンパレータ７．１０に人力された信号がリファレンス
電圧Ｖｒｅｆよりも高いときメモリコンデンサ８．１１
が充電され、低いときは逆に放電され、そのメモリコン
デンサ８．１１の端子電圧がＤＣシフト回路６．９ヘレ
ベルシフト制御信号として帰還され、信号の直流レベル
がリファレンス電圧Ｖｒｅｆと等しくなるように制御さ
れる。即ち、直流レベルの再生が為される。

第５図に示すゲインコントロールアンプによれば、ゲイ
ンコントロール可能な増幅回路２によりＡＧＣをかける
前に前段クランプ回路１でビデオ信号の例えばペデスタ
ルレベルをリファレンス電圧Ｖｒｅｆにクランプし、Ａ
ＧＣをかけた後においても後段クランプ回路３で同様に
クランプすることができる。

尚、ゲインコントロールアンプには同期式と非同期式と
がある。同期式は一水平周期における特定タイミングの
時にレベルをサンプリングしそれを所定の電圧にクラン
プするものであり、そのサンプリングタイミングとして
は水平帰線消去期間の中のある特定時点（例えばペデス
タルレベルになる時点）が選ばれる。非同期式はビデオ
１２号の最も低いレベルを検出し、そのレベルを所定の
レベルにクランプするようにしたものである。

そして、第５図に示した従来のゲインコントロールアン
プはクランプ追従速度が固定され、ゲインによってクラ
ンプ追従速度を変化するようにはされていなかった。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第６図コ ところで、第５図に示した従来のゲインコントロールア
ンプはクランプ回路１、クランプ回路３のクランプ追従
速度が固定されていたので次のような問題があった。そ
れは、クランプ回路１．３のクランプ追従速度が若し速
すぎるとクランプ回路１．３がゲインコントロールアン
プに入力されたビデオ信号にもともと入り込んでいるノ
イズ、あるいはゲインコントロールアンプ内部で発生し
たノイズに対しても敏感に応答し、出力側にノイズに起
因した直流レベル変動が生してしまい、画質が悪くなる
という問題である。

この問題について具体的に詳細に説明すると、ゲインコ
ントロールアンプに人力されるビデオ信号には１ｍＶ程
度のノイズが入っているのが普通であり、若し、前段ク
ランプ回路１のクランプ追従速度が速すぎるとコンパレ
ータ７の出力はサンプリング期間中そのノイズによって
レベル変動し、ＤＣシフト回路６へ帰還するクランプレ
ベルが確定するのがサンプリング期間の終了時点となり
、従って、クランプレベルはそのサンプリング期間の終
了時点のコンパレータ７の人カレへルによって左右され
る。そして、その入力レベルというのはノイズによって
例えば１ｍＶ程度の範囲でランダムに変動するからクラ
ンプレベルは各サンプリング毎に変動することになり、
結局クランプ回路１から出力されるビデオ信号の直流レ
ベルはノイズによって変動することとなる。そして、ゲ
インコントロール可能な増幅回路２によってビデオ信号
が増幅されるのでその際に直流レベルの変動分も増幅さ
れる。例えば、増幅回路２の増幅度が現在３０倍である
とするとクランプ回路工での直流レベルの変動分子ｍＶ
が増幅回路２の出力された段階では３　ｍ　Ｖに増幅さ
れることになる。この３０　ｍ　Ｖの直流レベル変動は
ビデオ信号のピーク・ピーク間電圧が例えば１■程度で
あるに過ぎないので無視できない程大きく、画質を大き
く低下させる。そして、その直流レベル変動は後段クラ
ンプ回路３にも持ち込まれ、そこで更に大きな直流レベ
ル変動をもたらす。ノイズによる態形りは非同期式のも
のにおいても同じように起きる。

そこで、クランプ回路のクランプ追従速度を遅くするよ
うにすることが為された。しかし、クランプ回路を常に
遅くする−と電波の強弱等に対応して画面のコントラス
トが変化してしまうことを防止するゲインコントロール
アンプのＡＧＣＲ能が損なわれてしまい、ゲインコント
ロールアンプにＡＧＣを行わせる意義の大半が失われる
ことになる。即ち、クランプ追従速度が速くて困るのは
ゲインが高いときであり、ゲインか低いときにはクラン
プ回路１、クランプ回路３はクランプ追従速度が速くな
ければならない。従って、従来のようにクランプ戯従速
度をゲインの変化に無関係の一定の値に保つようにする
ことは好ましいことではなかった。

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、ゲインの高いときはクランプ追従速度が遅くなり
ゲインが低いときはクランプ追従速度が速くなるように
クランプ追従速度がゲインの変化に応じて変化する新規
なゲインコントロールアンプを提供することを目的とす
るものであ（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明ゲインコントロールアンプは上記問題点を解決す
るため、ゲインコントロール部と少なくとも１つのクラ
ンプ回路とを有するゲインコントロールアンプにおいて
、上記ゲインコントロール部に対するゲイン制御信号に
よって上記クランプ回路のクランプ追従速度を変化させ
ることを特徴とするものである。

（Ｆ、作用） 本発明ゲインコントロールアンプによれば、ゲインコン
トロール部に対するゲイン−制御信号によってクランプ
回路のクランプ追従速度を変化させるので、ゲインの大
きいときはゲインコントロール部のゲインを小さくする
と同時に追従性を遅くしてクランプノイズの発生を防止
し、ゲインの小さいときはゲインコントロール部のゲイ
ンを大きくすると同時に追従性を速くしてＡＧＣ機能を
充分に発揮させることができる。

（Ｇ、実施イテト）［第１図乃至第３図］以下、本発明
ゲインコントロールアンプを図示実施例に従って詳細に
説明する。

第１図は本発明ゲインコントロールアンプの一つの実施
例を示す回路ブロック図である。同図において１は前段
クランプ回路、２は該前段クランプ回路１の出力信号を
増幅するゲインコントロール可能な増幅回路、３は後段
クランプ回路、４は該後段クランプ回路３の出力信号の
ピークを検出するデテクタ、５は５亥デデクタ４におい
て検出されたピークを所定の設定基準値と比較するコン
パレータてあり、該コンパレータ５の出力信号が上記増
幅回路２にゲイン制御信号として人力される。上記前段
クランプ回路１及び後段クランプ回路３は共にＤＣシフ
ト回路６．９、コンパレータ７．１０、メモリコンデン
サ８．１１からなる。

即ち、ＤＣシフト回路６．９を通った信号はコンパレー
タ７．１０においてリファレンス電圧Ｖｒｅｆと比較さ
れ、コンパレータ７．１０に人力された信号がリファレ
ンス電圧Ｖｒｅｆよりも高いときメモリコンデンサ８．
１１が充電され、低いときは逆に放電され、そのメモリ
コンデンサ８．１１の端子電圧がＤＣシフト回路６．９
ヘシフト制御信号として帰還され、信号の直流レベルが
リファレンス電圧Ｖｒｅｆと等しくなるように制御され
る。即ち、直流レベルの再生が為される。

そして、このゲインコントロールアンプはコンパレータ
５から出力された信号がゲインコントロール可能な増幅
回路２ヘゲイン制御信号として送出されるだけでなく前
段クランプ回路１のコンパレータ７及び後段クランプ回
路３のコンパレータ１０へ追従性制御信号として送出さ
れるようになっており、その点て第５図に示した従来の
ゲインコントロールアンプと大きく異なっている。即ち
、ゲインコントロール可能な増幅回路２のゲインが大き
過ぎ従ってビデオ信号のレベルが大きいときは増幅回路
２のゲインが小さくされると共にコンパレータ７及び１
０の追従性か低くなり、逆に増幅回路２のゲインが小さ
いときはコンパレータ７及び１０の追従性が高くなるよ
うになっている。

ｉ２図（Ａ）、（Ｂ）は第１図に示したゲインコントロ
ールアンプのＤＣシフト回路の各別の回路例を示す回路
図である。先ず、同図（Ａ）に示す回路を説明する。Ｑ
ｌはＮＰＮトランジスタで、ベースにビデオ信号を受け
、コレクタは電源端子（＋Ｖｃｃ）に接続され、エミッ
タは抵抗Ｒ１を介してＮＰＮトランジスタＱ２のコレク
タに接続されている。該トランジスタＱ２はベースにコ
ンパレータ７の出力信号（シフト制御信号）を受け、そ
のエミッタは抵抗Ｒ２を介して接地されている。トラン
ジスタＱ２のコレクタと抵抗Ｒ１との接続点がＤＣシフ
ト回路の出力端子になる。

このＤＣシフト回路６はトランジスタＱ２に人力される
シフト制御信号が０のときは入力ビデオ信号の直流レベ
ルが低下しない（但し、トランジスタＱ１のベース・エ
ミッタ間電圧分のレベルシフトは無視する。）。そして
、シフト制御信号のレベルが上る程トランジスタＱ２、
抵抗Ｒ１を流れる電流が大きくなり、抵抗Ｒ１での電圧
降下が大きくなる。その結果、抵抗Ｒ１での電圧降下分
ビデオ信号の直流レベルが低下する。尚、このシフト制
御信号はコンパレータ７からの信号であることはいうま
でもない。

第２図（Ｂ）はＤＣシフト回路の別の例を示すものであ
る。同図において、Ｑ３はＮＰＮＩ−ランジスタで、ベ
ースにビデオ信号を受け、コレクタが電源端子（十Ｖｃ
ｃ）に接続され、エミッタが抵抗Ｒ３を介して定電流回
路１１の電流流入端に接続されている。Ｑ４はＮＰＮＩ
−ランジスタで、そのコレクタは抵抗Ｒ５を介して電Ｒ
端子（＋Ｖｃｃ）に接続され、ベースにシフト制御信号
を受け、エミッタが抵抗Ｒ４を介して上記定電流回路１
１の電流流入端に接続されている。そして、該定電流回
路■１の電流流出端は接地されている。このＤＣシフト
回路はトランジスタＱ４と抵抗Ｒ５との接続点が出力端
子であり、この出力から出力されるビデオ信号の直流レ
ベルはトランジスタＱ４に入力されるシフト制御信号に
よってコントロールされる。というのは、シフト制御信
号のレベルが高くなるとトランジスタＱ４に流れる電流
が増え、その電流の増加分に抵抗Ｒ５の抵抗値を乗算し
た分ビデオ信号の直流レベルが低ドし、逆にシフト制御
信号のレベルが低くなるとビデオ信号の直流レベルが高
くなるからである。

尚、第２図（Ａ）、（Ｂ）のどの回路も前段クランプ回
路１のＤＣシフト回路６と後段クランプ回路３のＤＣシ
フト回路９のいずれにも使用できる。

第３図（Ａ）、（Ｂ）は追従性制御可能なコンパレータ
の各別の回路例を示すものである。先ず、同図（Ａ）に
示す同期型のコンパレータ回路について説明する。

同図において、Ｑ５はＮＰＮトランジスタで、ベースに
ＤＣシフト回路からビデオ信号を受け、コレクタはダイ
オードＤ１のカンードに接続され、エミッタはＮＰＮＩ
−ランジスタＱ６のエミッタに接続されている。上記ダ
イオードＤ１のアノードは電源端子（＋Ｖｃｃ）に接続
されている。上記トランジスタＱ６はベースにリファレ
ンス電圧Ｖｒｅｆを受け、そのコレクタはＰＮＰトラン
ジスタＱ７のコレクタに接続されている。そのコレクタ
と接地との間にメモリコンデンサ８（１１）が接続され
ている。そして、トランジスタＱ７のベースはトランジ
スタＱ５のコレクタに接続され、エミッタは電源端子（
＋Ｖｃｃ）に接続されている。

トランジスタＱ５とＱ６の互いに接続されたエミッタは
ＮＰＮトランジスタＱ８のコレクタに接続されており、
該トランジスタＱ８のベースは所定の電位Ｖａに保たれ
ている。そして、トランジスタＱ８のエミッタはＮＰＮ
トランジスタＱ９のエミッタ及びＮＰＮトランジスタＱ
ＩＯのコレクタに接続されている。上記トランジスタＱ
９はコレクタか電源端子（＋Ｖｃｃ）に接続され、へ−
スにクランプパルスを受ける。該クランプパルスはビデ
オ信号がサンプリング期間（例えばペデスタルレベルを
保つある期間）のみレベルが低くなり（「ロウ」レベル
になり）、それ以外のときは高いレベル（「ハイ」レベ
ル）を保つパルスである。上記トランジスタＱＩＯはベ
ースに前記コンパレータ５から出力された信号を追従性
制御信号として受け、エミッタは抵抗Ｒ６を介して接地
されている。

この回路は、サンプリング期間中、即ち、クランプパル
スが「ロウ」のときのみトランジスタＱ８がオンしてそ
れに電流が流れるようになっている。このトランジスタ
Ｑ８に電流が流れているときにおいて、若しビデオ信号
、具体的にはこの例ではペデスタルレベル（同期パルス
をサンプリングする例だと同期パルスのレベル）がリフ
ァレンス電圧Ｖｒｅｆよりも高いときにはトランジスタ
Ｑ５にトランジスタＱ６よりも大きな電流が流れる。す
ると、トランジスタＱ７にもトランジスタＱ５に流れた
電流と同じ大きな電流が流れる。

しかし、トランジスタＱ６に流れる電流が少ないからト
ランジスタＱ７に流れる電流からトランジスタＱ６に流
れる電流を差し引いた分メモリコンデンサ８（１１）に
流れ、メモリコンデンサ８（１１）が充電される。そし
て、クランクパルスが「ハイ」になフてトランジスタＱ
８がオフしたときのメモリコンデンサ８（１１）の端子
電圧が次のサンプリングが始まるまで保持され、且つ上
記ＤＣシフト回路６（９）にシフト制御信号として帰還
される。その結果、ビデオ信号の直流レベルが低くされ
る。

逆に、ビデオ信号のペデスタルレベルがリファレンス電
圧Ｖｒｅｆより低いときにはトランジスタＱ５に流れる
電流がトランジスタＱ６に流れる電流よりも少なくなり
、従って、トランジスタＱ７に流れる電流よりトランジ
スタＱ６に流れる電流が大きくなりメモリコンデンサ８
（１１）がトランジスタＱ６によって放電される。その
結果、シフト制御信号のレベルか低くなってビデオ信号
の直流レベルが上昇せしめられる。

ところで、この第３図（Ａ）に示す回路のトランジスタ
Ｑ５とＱ６に流れる電流の総和はトランジスタＱＩＯを
制御する追従性制御信号によって決定され、追従性制御
信号のレベルが高くなると上記電流の総和が大きくなり
、コンパレータの追従性が高くなる。逆に、追従性制御
信号のレベルが低くなると上記電流の総和が小さくなり
、コンパレータの動作が緩慢になり追従性が低くなる。

即ち、コンパレータ７．１０は追従性制御信号によって
制御されるトランジスタ１０を有し、追従性制御信号に
よってクランプ追従速度が制御されるようになっている
。この追従性制御信号はコンパレータ５の出力信号（も
ともとはゲインコントロール信号）であることはいうま
でもない。

尚、本発明ゲインコントロールアンプはクランプ回路が
非同期式のものにも適用できるのて、非同期式クランプ
回路のコンパレータの一例を第３図（Ｂ）に示す。

同図において、ＱｌｌはＮＰＮ）ランジスタで、コンデ
ンサＣを介してビデオ信号をベースに受け、そのコレク
タは抵抗Ｒ７を介して電源端子（＋Ｖｃｃ）に接続され
ており、エミッタはベースにリファレンス電圧Ｖｒｅｆ
を受けるＮＰＮトランジスタＱ１２のエミッタに１妾続
されてしする。

そして、トランジスタＱｌｌ、Ｑ１２のエミッタはＮ　
Ｐ　Ｎ　トランジスタＱ１４のコレクタに接続されてお
り、該トランジスタＱ１４はベースに追従性制御信号を
受け、エミッタが抵抗８を介して接地されている。上記
トランジスタＱ１２のコレクタはＰＮＰトランジスタＱ
１３のコレクタに接続され、該トランジスタＱ１３のエ
ミッタは電源端子（＋Ｖｃｃ）に接続され、そしてトラ
ンジスタＱ１３のベースは抵抗Ｒ７とトランジスタＱｌ
ｌとの接続点に接続されている。Ｑ１５はベースがトラ
ンジスタＱ１３とＱ１２との接続点に接続されたＰＮＰ
トランジスタで、そのエミッタは抵抗Ｒ９を介して電源
端、子（＋Ｖｃｃ）に接続さｉ、コレクタかコンデンサ
ＣとトランジスタＱｌｌとの接続点に接続されている。

Ｄ２はカソードがトランジスタＱ１５のベースに接続さ
れ、アノードが抵抗ＲＩＯを介して電源端子（＋Ｖｃｃ
）に接続されている。

この回路はビデオ信号の最も低いレベル（つまり同期信
号のレベル）を探しそれをリファレンス電圧Ｖｒｅｆに
なるようにするものである。即ち、トランジスタＱｌｌ
の入力電圧とトランジスタＱ１２の入力端子であるリフ
ァレンス電圧Ｖｒｅｆとを比較し、入力電圧がリフアン
ス電圧Ｖｒｅｆよりも低いときにはトランジスタＱ１５
によってコンデンサＣのトランジスタＱｌｌの（ベース
側）を充電して、ビデオ信号の直流レベルをアップする
。従って、ビデオ信号の最低レベルがリファレンス電圧
Ｖｒｅｆになるように制御される。

そして、トランジスタＱｌｌとＱ１２に流れる電流の和
はトランジスタＱ１４に入力される追従性制御信号によ
り決定され、追従性制御信号が高くなる程その電流の総
和が大きくなり、クランプ追従速度が高くなり、クラン
プ追従速度を追従性制御信号により制御できることは第
３図（Ａ）に示す場合と同じである。

第４図はトランジスタＱＩＯ１Ｑ１４に追従性制御信号
として供給するクランプ電流がゲインコントロール可変
な増幅回路２のゲインに応じてどのように変化すると良
いかを示すゲイン・クランプ電流関係図であり、この図
のようにゲインとクランプ電流とがきれいに反比例する
のが最も好ましい。しかし、ゲインが大きくなるとクラ
ンプ電流が小さくなり、ゲインが小さくなるとクランプ
電流が大きくなるという傾向さえあれば本発明の効果を
奏することができるものであり、必ずしもきれいに反比
例する必要はない。

（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明ゲインコントロールアンプ
は、ゲインコントロール部と少なくとも１つのクランプ
回路とを有するゲインコントロールアンプにおいて、上
記ゲインコントロール部に対するゲイン制御信号によっ
て上記クランプ回路のクランプ追従速度を変化させるこ
とを特徴とする。

従って、本発明ゲインコントロールアンプによれば、ゲ
インコントロール部に対するゲイン制御信号によってク
ランプ回路のクランプ追従速度を変化させるので、ゲイ
ンの大きいときはゲインコントロール部のゲインを小さ
くすると同時に追従性を遅くしてクランプノイズの発生
を防止し、ゲインの小さいときはゲインコントロール部
のゲインを大きくすると同時に追従性を速くしてＡＧＣ
機能を充分に発揮させるようにすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明ゲインコントロールアンプの一つの実施
例を示す回路ブロック図、第２図（Ａ）、（Ｂ）はクラ
ンプ回路を構成するＤＣシフト回路の各別の具体的回路
例を示す回路図、３図（Ａ）、（Ｂ）はクランプ回路を
構成するンバレータの各別の具体的回路例を示す回路図
第４図は最も好ましいゲインとクランプ電流（従性制御
信号）との関係を示す関係図、第５図従来例を示す回路
ブロック図、第６図は問題点説明図である。 符合の説明 １．３・・・クランプ回路、 ２・・・ゲインコントロール部。 出　願　人　　ソニー株式会社 代理人弁理士　　　尾　　川　　秀　　昭（，４） コントロ−ルの回Ｖ＆−図 第３図 一ケ゛４ン γ゛イン７ラン７°ｔシえＪｊイｆ、ン］第４図 ＋＋、−〇 へ」 手続ネ市正書（自発） 昭和６２年　３月１３日 特許庁長官　　黒　１）明　雄　殿 昭和６１年特許願第１７０３３０号 ２、発明の名称 ゲインコントロールアンプ ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称　（２
１８）　　　ソニー株式会社４、イふ埋入 住所　東京都世田谷区豪徳寺１丁目３５番１号明細書の
発明の詳細な説明の欄及び図面６、補正の内容 （１）明細書第４頁最下目、「ピーク」と「を」との間
に「（又は平均値）」を挿入する。 （２）明細書第４頁最下行、「直流レベル」を図のゲー
トパルス時の電位又は５ＹＮＣレベル」に訂正する。 （３）明細書第７頁１０行目、「ゲインコントロールア
ンプ」を「クランプ」に訂正する。 （４）明細書第７頁下か６３３行目ｒ３ｍＶ」をｒ３０
ｍＶ」に訂正する。 （５）明細書第４頁最下目、「コントラスト」を「明る
さ」に訂正する。 （６）明細書第７頁１行目、ｒケインの大きい」を「人
力の小さい」に訂正する。 （７）明細書第７頁２行目、「小さく」をく」に訂正す
る。 ）明細書第７頁３行目から４行目にかけゲインの小さい
」を「人力の大きい」に訂正する。 （９）明細書第７頁５行目、「大きく」を「小さく」に
訂正する。 （１０）明細書第１６頁５行目、ｒＡＧＣＪと「機能」
との間に「のクランプ」を挿入下る。 （１１）明細書第１６頁１１行目、「直流レベル」を「
ケートパルス時の電位又は５ＹＮＣレベル」に訂正する
。 （１２）明細書第１６頁３行目から４行目にかけての「
のゲイン」を「への入力」に訂正する。 （１３）明細書第１６頁６行目、「低く」を「高く」に
訂正する。 （１４）明細書第１６頁７行目、「小さい」を「大きい
」に訂正する。 （１５）明細書第１６頁８行目、「高く」を「低く」に
訂正する。 （１６）明細書第１６頁下から２行目、「同期パルスを
」を「同期パルスで」に訂正する。 （１７）明細書第１６頁５行目、「抵抗Ｒ７Ｊを［ダイ
オードＤ３Ｊに訂正する。 （１８）明細書第１９頁下から４行目、「抵抗Ｒ７Ｊを
「ダイオードＤ３Ｊに訂正する。 （１９）明細書筒２２頁９行目、「ゲインの大きい」を
「人力の小さい」に訂正する。 （２０）明細書第１６頁１０行目、「小ざ〈」を「犬き
く」に訂正する。 （２１）明細書第１６頁１１行目から１２行目にかけて
の「ゲインの小さい」を「人力の大きい」に訂正する。 （２２）明細書第２２頁１３行目、「大きく」を「小さ
く」に訂正する。 （２３）明細書第２２頁１３行目、ｒＡＧｃＪと１４行
目、「機能」との間に「クランプ」を挿入する。 （２４）図面第３図（Ｂ）を別添訂正図面［第３図（Ｂ
）］のとおり訂正する。 ７、添付書類の目録

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ゲインコントロール部と少なくとも１つのクラン
   プ回路とを有するゲインコントロールアンプにおいて、 上記ゲインコントロール部に対するゲイン制御信号によ
   って上記クランプ回路のクランプ追従速度を変化させる
   ことを特徴とするゲインコントロールアンプ