JPS63266902A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPS63266902A JPS63266902A JP10026587A JP10026587A JPS63266902A JP S63266902 A JPS63266902 A JP S63266902A JP 10026587 A JP10026587 A JP 10026587A JP 10026587 A JP10026587 A JP 10026587A JP S63266902 A JPS63266902 A JP S63266902A
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明は誘電体共振器に関し、特に金属ケース内に柱
状の内部誘電体が配置されたＴＭモードを用いた誘電体
共振器に関する。
状の内部誘電体が配置されたＴＭモードを用いた誘電体
共振器に関する。
（ｂ）従来の技術
従来のＴＭモードを用いた誘電体共振器の例を第７図（
Ａ）、 （Ｂ）に示す。この例は複数の誘電体共振器
を用いたフィルタにおいてその一部の誘電体共振器部分
について表すもので、同図（Ａ）はその平面断面図、（
Ｂ）は正面断面図である。図において６．７は金属ケー
スの天板および底板を表し、８．９．１０ａ、１０ｂお
よびｌｌａ、ｌｌｂはそれぞれ金属ケースの側板を構成
している。このような金属ケースの中央で且つ天板６と
底板７との間に円柱状の内部誘電体１が配置され°ζい
る。内部誘電体ｌは酸化チタン系などの誘電体セラミク
スから構成され、その両端面１２゜１３は有機系の４電
性ペーストや半田などによって接合されている。このよ
うにしてＴ Ｍ ａ ｒ。モードを利用した誘電体共振
器が構成されている。
Ａ）、 （Ｂ）に示す。この例は複数の誘電体共振器
を用いたフィルタにおいてその一部の誘電体共振器部分
について表すもので、同図（Ａ）はその平面断面図、（
Ｂ）は正面断面図である。図において６．７は金属ケー
スの天板および底板を表し、８．９．１０ａ、１０ｂお
よびｌｌａ、ｌｌｂはそれぞれ金属ケースの側板を構成
している。このような金属ケースの中央で且つ天板６と
底板７との間に円柱状の内部誘電体１が配置され°ζい
る。内部誘電体ｌは酸化チタン系などの誘電体セラミク
スから構成され、その両端面１２゜１３は有機系の４電
性ペーストや半田などによって接合されている。このよ
うにしてＴ Ｍ ａ ｒ。モードを利用した誘電体共振
器が構成されている。
（０）発明が解決しようとする問題点
このような金属ケースを用いた従来のＴＭモードの誘電
体共振器においては、内部誘電体に変位電流が流れ、ケ
ースに実電流が流れるため、内部誘電体の端面とケース
内壁面との接合部分に電流が集中する。ところが、上述
のように内部誘電体の端面とケース内壁面との接合部分
は導電性ペーストや半田などの固有抵抗の高い導電材料
で接続されているため、接合部におけるジュール損が増
大し、共振器のＱが低下するという問題がある。
体共振器においては、内部誘電体に変位電流が流れ、ケ
ースに実電流が流れるため、内部誘電体の端面とケース
内壁面との接合部分に電流が集中する。ところが、上述
のように内部誘電体の端面とケース内壁面との接合部分
は導電性ペーストや半田などの固有抵抗の高い導電材料
で接続されているため、接合部におけるジュール損が増
大し、共振器のＱが低下するという問題がある。
そこでセラミクス材料からなるケースの内壁面に電極膜
を形成したケースを用い、このケースの内壁面と内部誘
電体の端面とを固有抵抗の低い銀ペーストを用いて焼付
接続することにより上述の問題が解消される。ところが
、この場合ケース全体がセラミクス材料であるため、耐
衝撃性が低（、これを解消するためにはケース全体を分
厚くしなければならない。また作業性の低下および製造
コストのアップなどが問題となる。
を形成したケースを用い、このケースの内壁面と内部誘
電体の端面とを固有抵抗の低い銀ペーストを用いて焼付
接続することにより上述の問題が解消される。ところが
、この場合ケース全体がセラミクス材料であるため、耐
衝撃性が低（、これを解消するためにはケース全体を分
厚くしなければならない。また作業性の低下および製造
コストのアップなどが問題となる。
この発明の目的は、金属ケースを用いることにより耐衝
撃性９作業性および製造コストの問題を解消し、しかも
ジュール損の増大によるＱの低下を防止した誘電体共振
器を提供することにある。
撃性９作業性および製造コストの問題を解消し、しかも
ジュール損の増大によるＱの低下を防止した誘電体共振
器を提供することにある。
（ｄ）問題点を解決するための手段
この発明の誘電体共振器は、金属ケース内に柱状の内部
誘電体が配置されたＴＭモードの誘電体共振器において
、 内部誘電体の端面より大面積であって、少なくとも何れ
か一方の主表面に導体膜が被覆された平板状セラミクス
体を柱状内部誘電体の端面とケース内壁面との間に介在
させるとともに、上記平板状セラミクス体の導体膜とケ
ース内壁面とを導体により接続したことを特徴としてい
る。
誘電体が配置されたＴＭモードの誘電体共振器において
、 内部誘電体の端面より大面積であって、少なくとも何れ
か一方の主表面に導体膜が被覆された平板状セラミクス
体を柱状内部誘電体の端面とケース内壁面との間に介在
させるとともに、上記平板状セラミクス体の導体膜とケ
ース内壁面とを導体により接続したことを特徴としてい
る。
（ｅ）作用
この発明の誘電体共振器においては、内部誘電体の端面
より大面積であって少なくとも何れか一方の主表面に導
体膜が被覆された平板状セラミクス体を柱状内部誘電体
の端面とケース内壁面との間に介在させたことにより、
電流は大面積の導体膜に拡がり、電流密度が低減される
。したがって平板状セラミクス体の導体膜とケース内壁
面との導通は、固有抵抗の大きな導電性ペーストや半田
、あるいは板バネなどを用いて導通させることができる
。一方、平板状セラミクス体と内部誘電体端面との接合
部分に導体膜を形成した場合、接合部分に電流が集中す
るが、この接合部はセラミクス材料同士の接合部である
ため、固有抵抗の低い銀ペーストを用いることができる
ため、ジュール損が少なく、共振器のＱの低下を防ぐこ
とができる（ｆｌ実施例 第１図はこの発明の実施例である誘電体共振器の構造を
表す正面断面図、第２図はその一部の構造を表す斜視図
である。両図において１は円柱状の内部誘電体を表し、
この内部誘電体の１の両端部に平板状セラミクス体２．
３が接合されている、この平板状セラミクス体２．３の
外表面には銀ペーストの塗布および焼き付けにより、導
体膜２ａ、３ａが被覆されていて、第１図に示すように
内部誘電体１の両端面Ｂｌ、Ｂ２との接合も銀ペースト
により行われている。第１図において６゜７はアルミ合
金や黄銅などからなる金属ケースの天板および底板を表
し、平板状セラミクス板２と天板６との間に板バネ４が
挿入され、底板７と平板状セラミクス体３との間に板バ
ネ５が挿入されている。このように構成されたため、内
部誘電体１の両端面と平板状セラミクズ体２．３との接
合部分に電流が集中するが、固有抵抗の低い無機系の銀
ペーストの焼き付けにより接合されているため、この部
分におけるジュール損は少ない。また、平板状セラミク
ス体２，３の表面に形成されている導体膜に電流が拡散
することによりその周辺部分では電流密度が小さい、し
たがって板バネ４．５などの点接触により金属ケースの
内壁と導通をとっても、接触部分におけるジュール損は
少ない。その結果Ｑの高い誘電体共振器が構成される上
記の例は平板状セラミクス体と金属ケースの内壁との間
を板バネを介して接続した例であったが、第３図に示す
ように半田を用いて接続することも可能である。同図に
おいて１４は平板状セラミクス体２の周縁部と天板６の
内壁面との間を接合する半田、１５は平板状セラミクス
体３の周縁部と底板７の内壁面との間を接合する半田を
それぞれ表している。平板状セラミクス体の周縁部分で
は電流密度が低くなっているため、このような比較的固
有抵抗の高い半田などの導電材料を用いて接合してもジ
ュール損が大きくなることはない第４図、第５図および
第６図はさらに他の実施例を表す図であり、特に内部誘
電体とその両端面に形成された平板状セラミクス体につ
いて表している。第４図に示した例はケース内壁面と対
向する面にのみ導体膜が形成された平板状セラミクス体
を用いた例を表している。内部誘電体１の両端面と平板
状セラミクス体２．３との接合面Ｂｌ。
より大面積であって少なくとも何れか一方の主表面に導
体膜が被覆された平板状セラミクス体を柱状内部誘電体
の端面とケース内壁面との間に介在させたことにより、
電流は大面積の導体膜に拡がり、電流密度が低減される
。したがって平板状セラミクス体の導体膜とケース内壁
面との導通は、固有抵抗の大きな導電性ペーストや半田
、あるいは板バネなどを用いて導通させることができる
。一方、平板状セラミクス体と内部誘電体端面との接合
部分に導体膜を形成した場合、接合部分に電流が集中す
るが、この接合部はセラミクス材料同士の接合部である
ため、固有抵抗の低い銀ペーストを用いることができる
ため、ジュール損が少なく、共振器のＱの低下を防ぐこ
とができる（ｆｌ実施例 第１図はこの発明の実施例である誘電体共振器の構造を
表す正面断面図、第２図はその一部の構造を表す斜視図
である。両図において１は円柱状の内部誘電体を表し、
この内部誘電体の１の両端部に平板状セラミクス体２．
３が接合されている、この平板状セラミクス体２．３の
外表面には銀ペーストの塗布および焼き付けにより、導
体膜２ａ、３ａが被覆されていて、第１図に示すように
内部誘電体１の両端面Ｂｌ、Ｂ２との接合も銀ペースト
により行われている。第１図において６゜７はアルミ合
金や黄銅などからなる金属ケースの天板および底板を表
し、平板状セラミクス板２と天板６との間に板バネ４が
挿入され、底板７と平板状セラミクス体３との間に板バ
ネ５が挿入されている。このように構成されたため、内
部誘電体１の両端面と平板状セラミクズ体２．３との接
合部分に電流が集中するが、固有抵抗の低い無機系の銀
ペーストの焼き付けにより接合されているため、この部
分におけるジュール損は少ない。また、平板状セラミク
ス体２，３の表面に形成されている導体膜に電流が拡散
することによりその周辺部分では電流密度が小さい、し
たがって板バネ４．５などの点接触により金属ケースの
内壁と導通をとっても、接触部分におけるジュール損は
少ない。その結果Ｑの高い誘電体共振器が構成される上
記の例は平板状セラミクス体と金属ケースの内壁との間
を板バネを介して接続した例であったが、第３図に示す
ように半田を用いて接続することも可能である。同図に
おいて１４は平板状セラミクス体２の周縁部と天板６の
内壁面との間を接合する半田、１５は平板状セラミクス
体３の周縁部と底板７の内壁面との間を接合する半田を
それぞれ表している。平板状セラミクス体の周縁部分で
は電流密度が低くなっているため、このような比較的固
有抵抗の高い半田などの導電材料を用いて接合してもジ
ュール損が大きくなることはない第４図、第５図および
第６図はさらに他の実施例を表す図であり、特に内部誘
電体とその両端面に形成された平板状セラミクス体につ
いて表している。第４図に示した例はケース内壁面と対
向する面にのみ導体膜が形成された平板状セラミクス体
を用いた例を表している。内部誘電体１の両端面と平板
状セラミクス体２．３との接合面Ｂｌ。
Ｂ２はガラスグレーズなどの塗布および焼結により接合
されている。この場合、平板状セラミクス体２．３の片
面に形成された大面積の導体膜２ａ、３ａに電流が拡散
してケースに流れるため電流が集中することがなく、し
たがって板バネや半田などによってケース内に容易に組
み込むことができる。第５図は平板状セラミクス体部分
を内部誘電体１の両端部分に一体成形した例であり、ケ
ース内壁面と接する面にのみ導体膜２ａ、３ａが形成さ
れている。この場合も第４図に示した例と同様に電流の
集中が緩和され、ジュール損を低（押さえることができ
る。第６図に示した例は直方体の前壁と後壁が欠如した
ような、言い変えると天板、底板およびこれに連続する
２つの側板からなるセラミクスの枠体が用いられ、この
枠体の露出面の全てに銀ペーストの塗布および焼き付け
からなる導体膜が形成されている。このような枠体の天
板と底板との間に内部誘電体１が恨ペーストにより接合
されている。この構成体を金属ケース内に組み込み、板
バネや半田などによって金属ケースの内壁面と接続する
ことにより誘電体共振器が構成される。この場合、内部
誘電体１の両端面と枠体１６との接合部分に電流が集中
するが、銀ペーストにより接合されているためジュール
損は少な（、また金属ケースと枠体との接合部分は電流
密度が低いため、板バネや半田などを用いて接合した場
合でもジュール損が問題とはならない。
されている。この場合、平板状セラミクス体２．３の片
面に形成された大面積の導体膜２ａ、３ａに電流が拡散
してケースに流れるため電流が集中することがなく、し
たがって板バネや半田などによってケース内に容易に組
み込むことができる。第５図は平板状セラミクス体部分
を内部誘電体１の両端部分に一体成形した例であり、ケ
ース内壁面と接する面にのみ導体膜２ａ、３ａが形成さ
れている。この場合も第４図に示した例と同様に電流の
集中が緩和され、ジュール損を低（押さえることができ
る。第６図に示した例は直方体の前壁と後壁が欠如した
ような、言い変えると天板、底板およびこれに連続する
２つの側板からなるセラミクスの枠体が用いられ、この
枠体の露出面の全てに銀ペーストの塗布および焼き付け
からなる導体膜が形成されている。このような枠体の天
板と底板との間に内部誘電体１が恨ペーストにより接合
されている。この構成体を金属ケース内に組み込み、板
バネや半田などによって金属ケースの内壁面と接続する
ことにより誘電体共振器が構成される。この場合、内部
誘電体１の両端面と枠体１６との接合部分に電流が集中
するが、銀ペーストにより接合されているためジュール
損は少な（、また金属ケースと枠体との接合部分は電流
密度が低いため、板バネや半田などを用いて接合した場
合でもジュール損が問題とはならない。
（ｇ）廃明の効果
以上のようにこの発明によれば、内部誘電体の端面と金
属ケース内壁面との間に、少なくとも何れか一方の主表
面に導体膜が被覆された平板状セラミクス体を介在させ
たとにより、平板状セラミクス体の導体膜により電流が
拡散され、ケース内壁との接合部におけるジュール損が
低減され、共振器のＱが低下することがない。しかも耐
衝撃性、作業性および製造コストの面で優れた金属材料
からなるケースを用いることができるため、低価格で且
つ信軌性の高い誘電体共振器を構成することができる。
属ケース内壁面との間に、少なくとも何れか一方の主表
面に導体膜が被覆された平板状セラミクス体を介在させ
たとにより、平板状セラミクス体の導体膜により電流が
拡散され、ケース内壁との接合部におけるジュール損が
低減され、共振器のＱが低下することがない。しかも耐
衝撃性、作業性および製造コストの面で優れた金属材料
からなるケースを用いることができるため、低価格で且
つ信軌性の高い誘電体共振器を構成することができる。
第１図はこの発明の実施例である誘電体共振器の構造を
表す正面断面図、第２図は内部誘電体と平板状セラミク
ス体との接合状態を表す斜視図、第３図〜第６図は他の
実施例に係る誘電体共振器およびその一部を表す図、第
７図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の誘電体共振器の一例を
表す平面断面図および正面断面図である。 １−内部誘電体、 ２．３−平板状セラミクス体、 ２ａ、３ａ−導体膜、 ４．５−板バネ、 ６．７−金属ケース。
表す正面断面図、第２図は内部誘電体と平板状セラミク
ス体との接合状態を表す斜視図、第３図〜第６図は他の
実施例に係る誘電体共振器およびその一部を表す図、第
７図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の誘電体共振器の一例を
表す平面断面図および正面断面図である。 １−内部誘電体、 ２．３−平板状セラミクス体、 ２ａ、３ａ−導体膜、 ４．５−板バネ、 ６．７−金属ケース。
Claims (1)
- （１）金属ケース内に柱状の内部誘電体が配置されたＴ
Ｍモードの誘電体共振器において、 内部誘電体の端面より大面積であって、少なくとも何れ
か一方の主表面に導体膜が被覆された平板状セラミクス
体を柱状内部誘電体の端面とケース内壁面との間に介在
させるとともに、上記平板状セラミクス体の導体膜とケ
ース内壁面とを導体により接続したことを特徴とする誘
電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026587A JPS63266902A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026587A JPS63266902A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266902A true JPS63266902A (ja) | 1988-11-04 |
| JPH0564882B2 JPH0564882B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=14269372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026587A Granted JPS63266902A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266902A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136270A (en) * | 1989-05-22 | 1992-08-04 | Nihon Dengyo Kosaku Co., Ltd. | Dielectric resonator device |
| US5324713A (en) * | 1991-11-05 | 1994-06-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High temperature superconductor support structures for dielectric resonator |
| EP1148574A2 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, filter, duplexer, and communication device |
| US6320484B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-11-20 | Nec Corporation | High frequency dielectric filter |
| EP1300907A1 (en) * | 2000-07-10 | 2003-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator device, filter, duplexer, and communication device |
| EP2538487A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | CommScope Italy S.r.l. | Temperature-independent dielectric resonator |
| CN104282977A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-14 | 张家港保税区灿勤科技有限公司 | 高q值ku波段介质谐振器 |
| WO2015076255A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体共振器，誘電体フィルタおよび通信装置 |
| WO2020158793A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 共振器、フィルタおよび通信装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2505873B (en) * | 2012-08-07 | 2019-10-02 | Filtronic Wireless Ltd | A microwave TM mode resonator and an electrical filter including such a resonator |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10026587A patent/JPS63266902A/ja active Granted
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1148574A3 (en) * | 2000-03-30 | 2003-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, filter, duplexer, and communication device |
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| EP1300907A4 (en) * | 2000-07-10 | 2004-06-16 | Murata Manufacturing Co | DIELECTRIC RESONATOR, FILTER, DUPLEXER, AND COMMUNICATION DEVICE |
| EP1300907A1 (en) * | 2000-07-10 | 2003-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator device, filter, duplexer, and communication device |
| EP2538487A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | CommScope Italy S.r.l. | Temperature-independent dielectric resonator |
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| JP6063583B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-01-18 | 京セラ株式会社 | 誘電体共振器，誘電体フィルタおよび通信装置 |
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