JPS63257198A - エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法Info
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- JPS63257198A JPS63257198A JP62089675A JP8967587A JPS63257198A JP S63257198 A JPS63257198 A JP S63257198A JP 62089675 A JP62089675 A JP 62089675A JP 8967587 A JP8967587 A JP 8967587A JP S63257198 A JPS63257198 A JP S63257198A
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- insulating layer
- electrode
- alumina substrate
- electroluminescent display
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- Pending
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コンピュータの端末機器等の如き各種ａ′Ｊ
Ａのディスプレイに用いられるエレクトロルミネセンス
表示素子の製造方法の改良に関するものである。
Ａのディスプレイに用いられるエレクトロルミネセンス
表示素子の製造方法の改良に関するものである。
（従来技術）
一般に、エレクトロルミネセンス表示素子は、アルミナ
基板とこのアルミナ基板の上に順次形成された電極、絶
縁層、電極、絶縁層９発光層、電極とから成っている。
基板とこのアルミナ基板の上に順次形成された電極、絶
縁層、電極、絶縁層９発光層、電極とから成っている。
従来技術では、このエレクトロルミネセンス表示素子は
、アルミナ基板の上に導電性ペーストを印刷して電極を
形成し、この上にチタン酸バリウム、チタン酸鉛の如き
誘電率が大きい強誘電体を主成分とするグリーンシート
を積層した後焼成し、この上に発光層、絶縁層及び電極
を順次形成して製造されていた。チタン酸バリウム、チ
タン酸鉛の如き強誘電体材料は、それ自体比誘電率か大
きく安定しているか、焼成時にアルミナ基板と反応した
り、゛上極材料か拡散したりして話′屯体本来の、誘’
；Ｉｌｊ ４４を喪失し、良質のエレクトロルミネサン
ス表示、に子を１１することかできなかった。
、アルミナ基板の上に導電性ペーストを印刷して電極を
形成し、この上にチタン酸バリウム、チタン酸鉛の如き
誘電率が大きい強誘電体を主成分とするグリーンシート
を積層した後焼成し、この上に発光層、絶縁層及び電極
を順次形成して製造されていた。チタン酸バリウム、チ
タン酸鉛の如き強誘電体材料は、それ自体比誘電率か大
きく安定しているか、焼成時にアルミナ基板と反応した
り、゛上極材料か拡散したりして話′屯体本来の、誘’
；Ｉｌｊ ４４を喪失し、良質のエレクトロルミネサン
ス表示、に子を１１することかできなかった。
（発明のＩＪ的）
本発明の目的は１強誘電体の誘電率を喪失することなく
、従って良質のエレクトロルミネセンス表示素子を製造
する方法を提供することにある。
、従って良質のエレクトロルミネセンス表示素子を製造
する方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発す１の方法によってＳＪ造されるエレクトロルミネ
センス表示素子は、アルミナ基板とこのアルミナ基板の
上に順次形成された°ｉｌｊ極、絶縁層、電極、絶縁層
９発光層、電極とから成っているか９未発ＩＩの方法は
、先ずアルミナ基板を用意し、またこのアルミナ基板と
は別個に絶縁層を構成するチタン酸バリウム、チタン酸
鉛等を主成分とし誘電率が１００００程度の強誘電体板
を焼成してこの絶縁層を形成し、その後アルミナ基板と
絶縁層の上にそれぞれ導電性ペーストを印刷して電極を
形成し２次いでこのアルミナノ、（板と絶縁層とをその
にの電極か対向するようにセラミック接着剤を介して玉
ね合せ、この屯ね合せ体を焼成した後絶縁層のしに順次
発光層及び電極を形成することを特徴としているこのよ
うにすると、絶縁層を構成する強誘電体はアルミナ基板
とは別個に独立して焼成されるので強請”＋ｊ１体がア
ルミナ基板と反応することがなく、従ってその誘電特性
を喪失することがないから良質のエレクトロルミネセン
ス表示素子をＩＩ）ることかできる。
センス表示素子は、アルミナ基板とこのアルミナ基板の
上に順次形成された°ｉｌｊ極、絶縁層、電極、絶縁層
９発光層、電極とから成っているか９未発ＩＩの方法は
、先ずアルミナ基板を用意し、またこのアルミナ基板と
は別個に絶縁層を構成するチタン酸バリウム、チタン酸
鉛等を主成分とし誘電率が１００００程度の強誘電体板
を焼成してこの絶縁層を形成し、その後アルミナ基板と
絶縁層の上にそれぞれ導電性ペーストを印刷して電極を
形成し２次いでこのアルミナノ、（板と絶縁層とをその
にの電極か対向するようにセラミック接着剤を介して玉
ね合せ、この屯ね合せ体を焼成した後絶縁層のしに順次
発光層及び電極を形成することを特徴としているこのよ
うにすると、絶縁層を構成する強誘電体はアルミナ基板
とは別個に独立して焼成されるので強請”＋ｊ１体がア
ルミナ基板と反応することがなく、従ってその誘電特性
を喪失することがないから良質のエレクトロルミネセン
ス表示素子をＩＩ）ることかできる。
（実施例）
第１ＵＡは本発明に係るエレクトロルミネセンス表示素
子の製造方法を順次示し、先ず第１図（Ａ）に示すよう
に、純度９９，６％のアルミナから成るアルミナ基板ｌ
Ｏを用意し、同図（Ｂ）に示すようにこのアルミナ基板
ｌＯの上にＡｇＰｄの導電性ペーストを所定の電極パタ
ーンでスクリーン印刷してリード電極１２を形成する。
子の製造方法を順次示し、先ず第１図（Ａ）に示すよう
に、純度９９，６％のアルミナから成るアルミナ基板ｌ
Ｏを用意し、同図（Ｂ）に示すようにこのアルミナ基板
ｌＯの上にＡｇＰｄの導電性ペーストを所定の電極パタ
ーンでスクリーン印刷してリード電極１２を形成する。
一方、第２図（Ａ）に示すように、アルミナ基板ｉｏと
は別個に絶縁層を構成するチタン酸バリウム（Ｂ ａ
Ｔ ｓ Ｏ：＋ ） 、チタン酸鉛（ＰｂＴｉｏ、）等
を主成分とし誘電率が１００００程度で厚さがｌＯ〜ｌ
ｏＯＩＬｍの強誘電体板を６００〜１６００℃て焼成し
て絶縁層となる板１４を形成する。その後同図（Ｂ）に
示すようにこの絶縁層となる板１４の−ＬにＡｇＰｄの
導電性ペーストをスクリーン印刷して電極１６を形成す
る。
は別個に絶縁層を構成するチタン酸バリウム（Ｂ ａ
Ｔ ｓ Ｏ：＋ ） 、チタン酸鉛（ＰｂＴｉｏ、）等
を主成分とし誘電率が１００００程度で厚さがｌＯ〜ｌ
ｏＯＩＬｍの強誘電体板を６００〜１６００℃て焼成し
て絶縁層となる板１４を形成する。その後同図（Ｂ）に
示すようにこの絶縁層となる板１４の−ＬにＡｇＰｄの
導電性ペーストをスクリーン印刷して電極１６を形成す
る。
次いで、第１図（Ｃ）、 ｆｊＳＺ図（Ｃ）に示すよう
に、アルミナ基板ｌＯと絶縁層となる板１４の上の電極
１２．１６にそれぞれこれらの電極をスルーホール接合
することかできるようにガラスペーストの如きセラミッ
ク接着剤１８゜２０？：％布し、これらの板１０．１４
をその電極１２．１６が対向するようにセラミック接着
剤１８．２０を介して重ね合せ、この毛ね合せ体を８４
０℃で焼成して第１図（Ｄ）に示すように電極１２．１
６をスルホール接合した組合せ体２２を形成する。：ｊ
Ｓ１図（Ｄ）から解るようにセラミック接着剤１８．２
０は一体化して絶縁物２１となるか、゛上極１２．１６
はこの絶縁物２１を通して接続されている。
に、アルミナ基板ｌＯと絶縁層となる板１４の上の電極
１２．１６にそれぞれこれらの電極をスルーホール接合
することかできるようにガラスペーストの如きセラミッ
ク接着剤１８゜２０？：％布し、これらの板１０．１４
をその電極１２．１６が対向するようにセラミック接着
剤１８．２０を介して重ね合せ、この毛ね合せ体を８４
０℃で焼成して第１図（Ｄ）に示すように電極１２．１
６をスルホール接合した組合せ体２２を形成する。：ｊ
Ｓ１図（Ｄ）から解るようにセラミック接着剤１８．２
０は一体化して絶縁物２１となるか、゛上極１２．１６
はこの絶縁物２１を通して接続されている。
その後、第１図（Ｅ）に示すように、この組合体２２の
絶縁層１４の上に順次発光層２４及び電極２６を形成し
てエレクトロルミネセンス表示素子２日を完成する０発
光層２４は通常のようにＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ％ｒのＩＩ−
ＶＩ材料をＩＪ材とし発光中心としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｍ
、ＥＵ笠の稀土類または遷移金属またはこれらの弗化物
を０．２〜４重量％混入したものをＥＢ蒸着、スパッタ
リング法で成膜して形成され、また電極２６はＩＴＯ（
Ｉｎ２０．．５ｎｕ２’）を２００ＯＡの厚みでスバ・
ンタリング法で成膜して形成される。
絶縁層１４の上に順次発光層２４及び電極２６を形成し
てエレクトロルミネセンス表示素子２日を完成する０発
光層２４は通常のようにＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ％ｒのＩＩ−
ＶＩ材料をＩＪ材とし発光中心としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｍ
、ＥＵ笠の稀土類または遷移金属またはこれらの弗化物
を０．２〜４重量％混入したものをＥＢ蒸着、スパッタ
リング法で成膜して形成され、また電極２６はＩＴＯ（
Ｉｎ２０．．５ｎｕ２’）を２００ＯＡの厚みでスバ・
ンタリング法で成膜して形成される。
尚、上記実施例では組合体２２を形成する際に電極１２
．１６をスルホール接合したか、これは必ずしも必要で
はなく、特にｘＹマトリックスの場合にはマトリックス
電極を絶縁層の端部で接合してもよい。また、ＢａＴｉ
０．、は比較的安定な誘電体材料であるか９発光層２４
との間に安定性の高いＳ ｉＯ２、Ｓ ｔ ＯＮ 、
Ｔ ａ２０５等の中間膜（２０００八程度）を介在させ
ることによって発光の安定性を高めることかできる。
．１６をスルホール接合したか、これは必ずしも必要で
はなく、特にｘＹマトリックスの場合にはマトリックス
電極を絶縁層の端部で接合してもよい。また、ＢａＴｉ
０．、は比較的安定な誘電体材料であるか９発光層２４
との間に安定性の高いＳ ｉＯ２、Ｓ ｔ ＯＮ 、
Ｔ ａ２０５等の中間膜（２０００八程度）を介在させ
ることによって発光の安定性を高めることかできる。
（９，１ＪＪの効果）
未発ＩＪ１によれば、上記のように、絶縁層を構成する
強誘電体はアルミナ基板とは別個に独立して焼成される
ので強誘電体がアルミナ基板と反応することがなく、従
ってその誘電特性を喪失することがないから良質のエレ
クトロルミネセンス表示素子を得ることができる。
強誘電体はアルミナ基板とは別個に独立して焼成される
ので強誘電体がアルミナ基板と反応することがなく、従
ってその誘電特性を喪失することがないから良質のエレ
クトロルミネセンス表示素子を得ることができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）及び第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は
本発明に係るエレクトロルミネセンス表示素子の製造方
法を順次示す概略図である１ ０−−−−−アルミナ基
板、１４−−−一−強請電体板、１２．１６−−−−−
電極、１８．２０−−一−−セラミック接若剤、２２−
−−−−Ａｌ１合体、２４−−一〜−発光層、２６−−
−−−電極。
本発明に係るエレクトロルミネセンス表示素子の製造方
法を順次示す概略図である１ ０−−−−−アルミナ基
板、１４−−−一−強請電体板、１２．１６−−−−−
電極、１８．２０−−一−−セラミック接若剤、２２−
−−−−Ａｌ１合体、２４−−一〜−発光層、２６−−
−−−電極。
Claims (1)
- アルミナ基板と前記アルミナ基板の上に順次形成され
た電極，絶縁層，電極，絶縁層，発光層，電極とから成
っているエレクトロルミネセンス表示素子を製造する方
法において，前記アルミナ基板を用意し，また前記アル
ミナ基板とは別個に前記絶縁層を構成するチタン酸バリ
ウム，チタン酸鉛等を主成分とし誘電率が１００００程
度の強誘電体板を焼成して前記絶縁層を形成し，その後
前記アルミナ基板と絶縁層の上にそれぞれ導電性ペース
トをそれぞれ印刷して電極を形成し，次いで前記アルミ
ナ基板と前記絶縁層とをその上の電極が対向するように
セラミック接着剤を介して重ね合せ，この重ね合せ体を
を焼成した後前記絶縁層の上に順次発光層及び電極を形
成することをを特徴とするエレクトロルミネセンス表示
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089675A JPS63257198A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089675A JPS63257198A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257198A true JPS63257198A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=13977326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089675A Pending JPS63257198A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63257198A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03118593U (ja) * | 1989-10-12 | 1991-12-06 | ||
| JP2001143872A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Tdk Corp | 複合基板およびそれを用いたエレクトロルミネセンス素子 |
| EP1222737A1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-07-17 | Honeywell Inc. | High speed latch and flip-flop |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62089675A patent/JPS63257198A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03118593U (ja) * | 1989-10-12 | 1991-12-06 | ||
| EP1222737A1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-07-17 | Honeywell Inc. | High speed latch and flip-flop |
| JP2001143872A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Tdk Corp | 複合基板およびそれを用いたエレクトロルミネセンス素子 |
| JP4705212B2 (ja) * | 1999-11-11 | 2011-06-22 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | 複合基板およびそれを用いたエレクトロルミネセンス素子 |
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