JPS58180093A - 多層回路板の製造方法 - Google Patents
多層回路板の製造方法Info
- Publication number
- JPS58180093A JPS58180093A JP57062396A JP6239682A JPS58180093A JP S58180093 A JPS58180093 A JP S58180093A JP 57062396 A JP57062396 A JP 57062396A JP 6239682 A JP6239682 A JP 6239682A JP S58180093 A JPS58180093 A JP S58180093A
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- JP
- Japan
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- layer
- capacitor
- resistor
- conductor
- electrode
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- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、配線導体のみならず抵抗体・コンデンサを多
層化した多層回路板の製造方法に係り、特に、コンデン
サの電極の形成力法に関する。
層化した多層回路板の製造方法に係り、特に、コンデン
サの電極の形成力法に関する。
高脣度に実装した犀躾ハイブリクドI t’あるいは厚
膜モジーールを製作するためK、導体配縁の多層化のみ
ならず、抵抗体やコンデンサの多層化か行なわれ、諏1
図に従来の方法で線作した多層回路板の模式断面な示す
。この多層回路板は次のよ5Kして作成される。即ち、
セラミックスの絶縁性印刷用基体1上に導体ペーストを
用いて下層配線導体2、下層抵抗体用′#L1/に3、
そして下層コンデンサ用下部電極4および上部電極用端
子5を形成し、抵抗体ベース)Y用いて下層抵抗体6、
訪電体ペース)l用いて下層コンデンサ層7を形成し、
導体ペーストな用いて下層コンデンサ用上部電極8を形
成して下層回路を形成する。次いで、上層回路への接続
部を除いて下層回路の全面にわたって、結晶化ガラス等
の絶縁ペース)Y印刷して層間絶縁層9V形成し、導体
ペーストを印刷してスルーホール10により下層回路と
の導通をとるとともに、上層配線導体11、上層紙抗体
用電極12を形成し、抵抗ペーストラ印刷して上層抵抗
体コ3を形成する。
膜モジーールを製作するためK、導体配縁の多層化のみ
ならず、抵抗体やコンデンサの多層化か行なわれ、諏1
図に従来の方法で線作した多層回路板の模式断面な示す
。この多層回路板は次のよ5Kして作成される。即ち、
セラミックスの絶縁性印刷用基体1上に導体ペーストを
用いて下層配線導体2、下層抵抗体用′#L1/に3、
そして下層コンデンサ用下部電極4および上部電極用端
子5を形成し、抵抗体ベース)Y用いて下層抵抗体6、
訪電体ペース)l用いて下層コンデンサ層7を形成し、
導体ペーストな用いて下層コンデンサ用上部電極8を形
成して下層回路を形成する。次いで、上層回路への接続
部を除いて下層回路の全面にわたって、結晶化ガラス等
の絶縁ペース)Y印刷して層間絶縁層9V形成し、導体
ペーストを印刷してスルーホール10により下層回路と
の導通をとるとともに、上層配線導体11、上層紙抗体
用電極12を形成し、抵抗ペーストラ印刷して上層抵抗
体コ3を形成する。
しかし、このようにして形成する多層回路物では、厚膜
コンデ/すの短Imをなくし、また、高耐電圧を得るた
めに通常50〜4(lII+ljLのm厚な要すること
から、コンデンサを扱う絶縁層部分が凸状となって平坦
な絶縁層面が得られない。
コンデ/すの短Imをなくし、また、高耐電圧を得るた
めに通常50〜4(lII+ljLのm厚な要すること
から、コンデンサを扱う絶縁層部分が凸状となって平坦
な絶縁層面が得られない。
このため、凸状の絶縁層部分圧かかる配線導体の印刷か
すれ、抵抗体抵抗値のばらつきの増大。
すれ、抵抗体抵抗値のばらつきの増大。
搭載部品(図示せず)の接続不良、あるいは、凸状部に
回路を形成しないようにするための回路設計の制限があ
る等の問題があった。
回路を形成しないようにするための回路設計の制限があ
る等の問題があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を無くし、コンデ
ンサ上に形成する層間絶縁層の表面を平坦化するだめの
多層回路板の製造方法を提供するにある。
ンサ上に形成する層間絶縁層の表面を平坦化するだめの
多層回路板の製造方法を提供するにある。
本発明は、上記目的l達成するため、第2図に示すよう
な多層回路板とすることにある。即ち、本発明の特徴は
、下層の抵抗体6およびコンデンサ/117Y形成した
後、上層回路への接続部以外にコンデンサ層7ならびに
コンデンサ用上部を極8への接続部l除いて層間絶縁層
9′をコンデンサ層の高さと同一となるような厚さに形
成し、その後コンデンサ用上S電極を形成することにあ
る。
な多層回路板とすることにある。即ち、本発明の特徴は
、下層の抵抗体6およびコンデンサ/117Y形成した
後、上層回路への接続部以外にコンデンサ層7ならびに
コンデンサ用上部を極8への接続部l除いて層間絶縁層
9′をコンデンサ層の高さと同一となるような厚さに形
成し、その後コンデンサ用上S電極を形成することにあ
る。
実施例1
96チAt、U□焼結基板を用い、第2図に示す多層回
路板を次に示すようにして作成した。y14ち、At、
U、基′J#i1上にAy−Pd系導体ペーストを印刷
し、850℃で10分間焼成して下膚配廚導体2゜下層
抵抗体用電極6.下層コンデンサ用下部電極4を形成し
た。次にRu(7g−ガラス系抵抗ペースト、およびB
aTt(J□−ガラス系誘電体ペーストを印刷し、90
0℃で10分間焼成して下層抵抗体6、下層コンデンサ
層71形成した。その後、コンデンサ層、上層回路およ
びコンデンサ用上部電極との接続部を除い℃層間絶縁層
9′がコンデンサ層の高さと同一となるよう結晶化ガラ
スペーストラ印刷し、150℃で10分間乾燥後1.4
y−Pd系導体ペーストを印刷し、850℃で10分間
焼成して下層コンデンサ用上部電極8、中間層配線導体
14およびスルーホール10内への導体の形成を行な(
つた。さらに、上層回路との接続sを除いて前記結晶化
ガラスペース)Y印刷し、15C1℃で10分間乾乾燥
後Alぜd糸導体ペース)Y印刷し、850℃で10分
間焼成して層間絶縁Nkg’、上層配線導体11、上層
抵抗体用電極12およびスルーホール10内への導体の
形成を行なった。次いで、Ru5t−ガラス系抵抗ペー
ストを印刷し、850℃で10分間焼成して上層抵抗体
15’g形成−した。
路板を次に示すようにして作成した。y14ち、At、
U、基′J#i1上にAy−Pd系導体ペーストを印刷
し、850℃で10分間焼成して下膚配廚導体2゜下層
抵抗体用電極6.下層コンデンサ用下部電極4を形成し
た。次にRu(7g−ガラス系抵抗ペースト、およびB
aTt(J□−ガラス系誘電体ペーストを印刷し、90
0℃で10分間焼成して下層抵抗体6、下層コンデンサ
層71形成した。その後、コンデンサ層、上層回路およ
びコンデンサ用上部電極との接続部を除い℃層間絶縁層
9′がコンデンサ層の高さと同一となるよう結晶化ガラ
スペーストラ印刷し、150℃で10分間乾燥後1.4
y−Pd系導体ペーストを印刷し、850℃で10分間
焼成して下層コンデンサ用上部電極8、中間層配線導体
14およびスルーホール10内への導体の形成を行な(
つた。さらに、上層回路との接続sを除いて前記結晶化
ガラスペース)Y印刷し、15C1℃で10分間乾乾燥
後Alぜd糸導体ペース)Y印刷し、850℃で10分
間焼成して層間絶縁Nkg’、上層配線導体11、上層
抵抗体用電極12およびスルーホール10内への導体の
形成を行なった。次いで、Ru5t−ガラス系抵抗ペー
ストを印刷し、850℃で10分間焼成して上層抵抗体
15’g形成−した。
この時、下層にコンデンサが形成された絶縁層は平坦化
され、この絶縁層上の抵抗体の抵抗値のばらつき(58
7X X 100 )は±8%であり。
され、この絶縁層上の抵抗体の抵抗値のばらつき(58
7X X 100 )は±8%であり。
At、U、基板上に形成した抵抗体のばらつきと同郷の
小さなばらつきであった。一方、従来の方法で形成した
抵抗体では、抵抗体の形状が崩れ。
小さなばらつきであった。一方、従来の方法で形成した
抵抗体では、抵抗体の形状が崩れ。
抵抗値のばらつきも士so%と極めて太きいものであっ
た。また、従来方法では、絶縁層の凸状部の裾部に導体
の細りゃ断線がみられたが、本発明ではこtらの欠陥の
ない良好な微細な配線が形成できた〇 さらに、%に図示しないが、層間絶縁層が平坦化される
ため、IC“、トランジスタ・ダイオード等の搭載部品
の接続も断4!!なく良好にできた。
た。また、従来方法では、絶縁層の凸状部の裾部に導体
の細りゃ断線がみられたが、本発明ではこtらの欠陥の
ない良好な微細な配線が形成できた〇 さらに、%に図示しないが、層間絶縁層が平坦化される
ため、IC“、トランジスタ・ダイオード等の搭載部品
の接続も断4!!なく良好にできた。
実施例2
絶縁性印刷基体としてグリーンシートな用い、第2図に
示す多層回路板を次に示すよ5にして作成した。平均粒
径が2〜5μm以下のアルミナ、マグネシアスピネル、
ジルコン酸カルシウムの微粉末と、S tUt−pbU
−Al2O,−CaU −HaO系ガツガラス微粉末
なる混合粉末に有機高分子、可塑剤および有機溶剤を加
えて泥しよう化し、シート化して1.0■厚のグリーン
シート(未焼成蓼)l形成してこれを印刷基体1とした
。この上に。
示す多層回路板を次に示すよ5にして作成した。平均粒
径が2〜5μm以下のアルミナ、マグネシアスピネル、
ジルコン酸カルシウムの微粉末と、S tUt−pbU
−Al2O,−CaU −HaO系ガツガラス微粉末
なる混合粉末に有機高分子、可塑剤および有機溶剤を加
えて泥しよう化し、シート化して1.0■厚のグリーン
シート(未焼成蓼)l形成してこれを印刷基体1とした
。この上に。
Al−1’d系8体ベース)Y印刷し、上層配線導体2
、下層抵抗体用電極5.下層コンデンサ用下部電極4の
乾燥膜を形成した。次にRuO2−ガラス系抵抗ペース
トおよびHaT i C/、−ガラス糸酵電体ペースト
’&印刷し、下層抵抗体6.下層コンデンサ層7の乾燥
膜を形成した。その後コンデンサ層、上層回路およびコ
ンデンサ用上部電極との接続Sを除いて、乾燥後の層間
絶縁層ν′がコンデンサ層の高さと同一となるようグリ
ーンソートの混合粉末の絶縁ペーストを印刷する。
、下層抵抗体用電極5.下層コンデンサ用下部電極4の
乾燥膜を形成した。次にRuO2−ガラス系抵抗ペース
トおよびHaT i C/、−ガラス糸酵電体ペースト
’&印刷し、下層抵抗体6.下層コンデンサ層7の乾燥
膜を形成した。その後コンデンサ層、上層回路およびコ
ンデンサ用上部電極との接続Sを除いて、乾燥後の層間
絶縁層ν′がコンデンサ層の高さと同一となるようグリ
ーンソートの混合粉末の絶縁ペーストを印刷する。
風礼後、Δ9−Pd糸導体ペーストを印刷し下層コンデ
ンサ用上部電極8、中間配線得体14およびスルーホー
ル10内への導体の充填を行なった。
ンサ用上部電極8、中間配線得体14およびスルーホー
ル10内への導体の充填を行なった。
さらに、上層回路との接続部を除いて前記絶縁ペースト
ラ印刷し、風乾後Ag−pd系導体ペーストの印刷、R
ub、−ガラス系抵抗ペーストの印刷により層間絶縁層
9″、上層配線導体11、上層抵抗体用電極12乾燥膜
の形成、スルーホール10内への導体の充填、および上
層抵抗体の乾燥膜の形成を行なった。そして、グリーン
シート士に多層化した導体・抵抗体・コンデンサおよび
絶縁層の乾燥膜を一括して850℃を10分間保持する
空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理した。
ラ印刷し、風乾後Ag−pd系導体ペーストの印刷、R
ub、−ガラス系抵抗ペーストの印刷により層間絶縁層
9″、上層配線導体11、上層抵抗体用電極12乾燥膜
の形成、スルーホール10内への導体の充填、および上
層抵抗体の乾燥膜の形成を行なった。そして、グリーン
シート士に多層化した導体・抵抗体・コンデンサおよび
絶縁層の乾燥膜を一括して850℃を10分間保持する
空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理した。
本実り例におい又も、コンデンサン下層に有する絶縁層
表面は平坦化され、抵抗体の抵抗値ばらつきを小さくし
、良好な微細配線も形成できた。
表面は平坦化され、抵抗体の抵抗値ばらつきを小さくし
、良好な微細配線も形成できた。
本発明によれば、下層回路の特に浮腺コンデンサの厚さ
による層間絶縁層の凸状部がなくなって絶縁層面は平坦
化され、上層回路を絶縁層全面にわたって形成でき、配
線導体の印刷が丁れによる配線の細りゃIIFl線がな
く、抵抗体抵抗値ばらつきは通常のJl!jL膜技術に
おいて得られるものと同程度になる。また、搭載部品の
接続も良好に行なわれるようになる。
による層間絶縁層の凸状部がなくなって絶縁層面は平坦
化され、上層回路を絶縁層全面にわたって形成でき、配
線導体の印刷が丁れによる配線の細りゃIIFl線がな
く、抵抗体抵抗値ばらつきは通常のJl!jL膜技術に
おいて得られるものと同程度になる。また、搭載部品の
接続も良好に行なわれるようになる。
第1囚は、従来方法による多層回路後の一例奢示す断面
図、第2図は本発明の実施例を示す断面図である。 1:絶縁性印刷用基体 2:下層配線導体5:下層抵抗
体用電極 4:下層コンデンサ用下部電極 5:下層コンテンサル上部電極端子 6:下層抵抗体 7:下層コンデンサ層8:下層コン
デンサ用上部電極 9二層間絶縁層 10ニスルーホール11:上層
配li!iI磯体 12:上層抵抗体用電極13:上
層抵抗体 14:中間層配lI!番体代坤人弁坤士
薄 日 利 吟
図、第2図は本発明の実施例を示す断面図である。 1:絶縁性印刷用基体 2:下層配線導体5:下層抵抗
体用電極 4:下層コンデンサ用下部電極 5:下層コンテンサル上部電極端子 6:下層抵抗体 7:下層コンデンサ層8:下層コン
デンサ用上部電極 9二層間絶縁層 10ニスルーホール11:上層
配li!iI磯体 12:上層抵抗体用電極13:上
層抵抗体 14:中間層配lI!番体代坤人弁坤士
薄 日 利 吟
Claims (1)
- コンデ/すl内装する混成集積回路の多層基板の製造方
法に′Mいて、絶縁性印刷基体上にコンデンサ用電極を
含む配線導体を形成し、当該電&を扱って鋳電体を配設
し、NX体ならびに上層回路への接続用導体部を除いて
絶縁層を形成して銹電体との高さを等しくした後、コン
デンサ用対向電極を形成することを特徴とする多層(ロ
)踏板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57062396A JPS58180093A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 多層回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57062396A JPS58180093A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 多層回路板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58180093A true JPS58180093A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13198928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57062396A Pending JPS58180093A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 多層回路板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58180093A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5374903A (en) * | 1976-12-13 | 1978-07-03 | Nippon Steel Corp | Device for marking type during movement |
JPS60177695A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日本電気株式会社 | 複合セラミツク基板 |
JPS6313397A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ内蔵厚膜回路基板 |
JPS6464394A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Fujitsu Ltd | Hybrid integrated circuit substrate |
-
1982
- 1982-04-16 JP JP57062396A patent/JPS58180093A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5374903A (en) * | 1976-12-13 | 1978-07-03 | Nippon Steel Corp | Device for marking type during movement |
JPS60177695A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日本電気株式会社 | 複合セラミツク基板 |
JPS6313397A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ内蔵厚膜回路基板 |
JPS6464394A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Fujitsu Ltd | Hybrid integrated circuit substrate |
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