JPS6325658B2

JPS6325658B2 -

Info

Publication number: JPS6325658B2
Application number: JP4924785A
Authority: JP
Inventors: Tsumoru Kuwabara; Yasunori Fukumitsu
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1985-03-14
Filing date: 1985-03-14
Publication date: 1988-05-26
Also published as: JPS61209449A

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野）本発明はフオトマスク・レチクルの防塵カバー
であるペリクル体にあつて、特定の光の透過率を
高めた非反射性のペリクル体に関する。（従来技術とその問題点）近年の半導体集積回路の高密度化により、その
回路の画線巾も１〜3μmと極めて微細となつてお
り、この画像をウエハ上に形成するリソグラフイ
技術も、プロジエクシヨン方式からステツパー方
式へと移行しつつある。このリソグラフイ工程において、フオトマス
ク・レチクル上にゴミが存在するとゴミも同時に
結像されるため、回路の短絡・欠損となりLSIの
収率を低下させる。特にステツパーの場合には、
レチクル上の数個の画像をウエハ上に順次縮小投
影させるため、レチクル上の１つのゴミが全ての
LSIを不良とすることもあり、ゴミをゼロとする
ことが極めて重要となつてきている。そこでフオトマスク・レチクル（以下、マスク
と略すことあり。）の片面、または両面に透明な
膜をある空間をとつて配置させることにより、マ
スク上へのゴミを防止する方法が提案されている
（特公昭54−28716号公報）。この方法によれば、
ゴミはこの透明な膜の上にしか付着しないので、
投影の際に、マスク上の画像にピントを合わせる
ことにより、ゴミはアウト・オブ・フオーカスと
なりウエハ上に結像されず、ゴミによる不良を防
止することができる。このゴミ除けのカバー体は
通常ペリクル体と呼ばれている。このペリクル体
を使用することにより、クリーン度を上げること
なく高収率でLSIを製造することが可能なことか
ら、ステツパー方式のみならず、プロジエクシヨ
ン方式にも利用されるようになつてきている。ペリクル体はマスクに貼られ、露光機に装着さ
れる。ペリクル体の要部をなす膜は、露光光路中
に配置される。その為、膜は画像を歪み、乱れなく透過させる
必要があり、膜厚みの均一性、ゴミ・キズのない
こと、内部歪みのないことが要求される。又、膜の露光光線透過性も重要である。即ち、
光の透過性が低ければ、その分露光時間を長くす
る必要があるため、スループツトが低下する。
LSI製造は極めて多量生産を行なうことが多いの
で、スループツトの向上は極めて重要なことであ
る。特にステツパーの場合には、１ウエハ当たり
数百回もの露光を行なう場合があるため、ペリク
ル体の膜の光線透過性の向上はスループツトの向
上に大きく寄与する。かかるペリクル体の膜としてはニトロセルロー
スの膜が通常使用されている。薄膜の強度が強
く、極めて均一性の高い薄膜を作成できることか
ら使用されているものの、その膜の光線透過率は
現在使用されている露光光線の350〜450nmの波
長に於いて92％程度であり、そのままでは光線透
過率が低くペリクル体の膜としては不十分であ
る。その為、１つの方法として該膜の表裏面での
反射光の干渉現象を利用して、使用する光の波長
に於いて表と裏面での反射波が相殺されるように
膜厚みを設定する方法が提案されている（特開昭
58−196501号公報）。この方法によれば、光線透
過率は99％となるものの、膜厚みが0.865μmと極
めて薄くなる為、かかるペリクル体を取り扱うに
あたり十分な注意を必要とする欠点を有してい
る。また、膜厚みを厚くすることは、例えば98％
以上の光線透過率を得るための膜厚みの許容範囲
が極めて狭くなり、その製造は極めて難しくな
る。また、膜厚みを6μm以上に厚くすると、膜表
面の微小な荒れによつて、その光線透過率は低下
してしまう。もう１つの方法としては、ニトロセルロースの
膜の両面に無機化合物を蒸着等により形成させ反
射防止をおこなうものがある。この方法は光学レ
ンズ、メガネ等に用いられている方式を適用した
ものであり、反射防止層の厚みを変えることによ
り、任意の波長の光に対し反射防止をすることが
出来、又膜厚みの比較的厚いものに対しても、98
％以上の光線透過率を得ることが可能である。しかしながら、かかる膜を作成するには真空蒸
着装置等の高価な装置を必要とするとともに、蒸
着に際しては、ニトロセルロースの膜を損傷しな
いように低温で蒸着しなければならないが、低温
で蒸着を行なうとコートする無機化合物がち蜜に
蒸着されず温度条件により屈折率が変化してしま
うため、目標とする反射防止性能を示さないこと
がある。更には蒸着物質によつては、蒸着後、空
気により酸化されることがあり屈折率が変化して
しまうこともあり、ペリクル体としての性能が安
定しないという欠点を有している。一方、LSIの高密度化によりサブミクロンオー
ダーの画線巾が要求されるようになつてきてお
り、かかる要求に対しては、現在使われている
350〜450nmの波長の光の露光では十分なる解像
力がなく、より短波長の光である遠紫外線が必要
となるが、ニトロセルロースの膜では350nm以下
の波長域では光線透過率が低下するとともに遠紫
外線による膜の劣化が著しくもはや使用すること
が出来ない。かかる目的に対して、ポリビニルブ
チラールを主成分とする薄膜を使つたペリクル体
が提案されている（特開昭59−206406号公報）。
このペリクル体は遠紫外線領域まで、吸収は少な
いものの、膜表面での反射のため、光線透過率を
上げるには、ニトロセルロース薄膜と同様に、
1μm程度の薄膜とする必要がある。（問題点を解決するための手段）本発明は、支持枠と、その端面に接着された薄膜とより本
質的になり、当該薄膜は五層以上のポリマー多層
構造を有し、少なくとも両外側層が1.42以下の屈
折率と、240〜500nmの範囲の反射防止すべき波
長の光に対し吸収・散乱のない弗素系ポリマーよ
りなる非反射性ペリクル体であり、詳しくは、上記薄膜が、芯部と、その両面に配置された中
間層と、両外側層とよりなる五層構造を有し、芯
部は２〜15μmの厚さと、1.53以下の屈折率と、
240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に
対する吸収・散乱が２％以下であるポリマー薄膜
であり、中間層は、芯部をなすポリマーの屈折率
より0.05以上高い屈折率を有し、240〜500nmの
範囲の反射防止すべき波長の光に対する吸収・散
乱のないポリマー層である非反射性ペリクル体で
あり、更には、上記薄膜が、芯部と、その両面に配置された第
一中間層と、更にその両面に配置された第二中間
層と、両外側層とよりなる七層構造を有し、芯部
は２〜15μmの厚さと、1.47〜1.53の屈折率と、
240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に
対する吸収・散乱が２％以下であるポリマー薄膜
であり、第一中間層は、1.42以下の屈折率と、
240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に
対する吸収・散乱のないポリマー層であり、第二
中間層は、1.47以上の屈折率と、240〜500nmの
範囲の反射防止すべき波長の光に対する吸収・散
乱のないポリマー層である非反射性ペリクル体で
ある。次に図面により本発明を説明する。第１図にお
いて、屈折率1.42以下で240〜500nmの範囲の反
射防止すべき波長の光を吸収散乱しない弗素系ポ
リマーが両外側層１に配置され、２〜15μmの厚
さと、1.53以下の屈折率と、240〜500nmの範囲
の反射防止すべき波長の光に対する吸収・散乱が
２％以下であるポリマー薄膜が芯部２を形成し、
芯部２と最外側層１との間に、芯部２の屈折率よ
り0.05以上大きい屈折率を有し、240〜500nmの
範囲の反射防止すべき波長の光に対する吸収・散
乱のないポリマーを中間層３として配置せしめた
五層構造を有するポリマー多層膜６を構成する。
両外側層１の弗素系ポリマーは、その低い屈折率
によつて多層膜の反射率を低下せしめ、反射防止
の効果を発現させるとともに、その低い表面エネ
ルギーにより、多層膜表面へ付着したゴミの除去
を容易にする。両外側層１の弗素系ポリマーは、屈折率を1.42
以下としないと反射防止の効果が不十分となる。また、該弗素系ポリマーは、240〜500nmの反
射防止すべき光に対する吸収・散乱が１％以下で
ないと、反射防止を行つても高い光線透過のペリ
クル体は得られない。また、その厚みは、反射防止すべき光の波長を
λ、屈折率をｎとするとき、１／４nλ（2M＋１）〔Ｍは０，１，２〕の厚みとすることが必要であ
る。この厚みの精度は、±10％以内程度のズレは
反射防止効果を減少させないがそれ以上にズレる
と反射防止効果は少なくなるか、逆に反射率が高
くなつてしまうので、精度よく厚みをコントロー
ルする必要がある。両外側層１の弗素系ポリマーを精度よく形成さ
せる方法としては、当該弗素系ポリマーを溶剤に
溶解せしめ、回転塗布法によりコートする方法が
適する。かかる弗素系ポリマーとしては、テトラフロロ
エチレンと弗化ビニリデンとのコポリマー、テト
ラフロロエチレンとヘキサフロロプロピレンと弗
化ビニリデンとのターポリマー、含弗素アクリレ
ート、含弗素メアクリレート等が挙げられる。芯部２をなす膜は、２〜15μmの膜厚みで、240
〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に対す
る吸収・散乱が２％以下であり、屈折率が1.53以
下のポリマーを選定する必要がある。膜厚みは、
2μm以下では膜強度が弱く、取り扱い上好ましく
ない。また、15μm以上の膜は、キズ・ゴミ等が
なく、均一な厚みの膜を作成するのが困難であ
り、膜強度上もその必要はない。特に、膜厚みが
６〜12μmの膜は、膜厚みの均一性と、膜強度の
バランス上好ましい範囲である。又、屈折率は
1.53以下としないと、中間層、最外側層との反射
防止作用を効果的に発現させることが出来ないの
で、1.53以上とすることは好ましくない。一方当
該膜は240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長
の光に対する吸収・散乱が２％以下であるポリマ
ーを選定する必要がある。これ以上の吸収・散乱
があるポリマーでは本発明の反射防止をおこなつ
てもその光線透過率は低いものになり、本発明の
目的とする高い光線透過性ペリクル体とはならな
い。芯部２の薄膜を製造する方法としては、２〜
15μmの膜厚みの薄膜を厚みムラ±１％以下で製
造できれば、いかなる方法でも構わないが、ゴ
ミ・キズ等のない薄膜を製造し易い点から、当該
ポリマーを溶媒に溶解させ、平滑な基板上に回転
塗布法により形成する方法が推奨される。かかる芯部の薄膜２に用いられるポリマーとし
ては、エチルセルロース、ニトロセルロース、ア
セチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリビ
ニルブチラール、及び、含弗素アクリレート、含
弗素メタクリレート、テトラフロロエチレンと弗
化ビニリデンのコポリマー、テトラフロロエチレ
ンと弗化ビニリデンとヘキサフロロプロピレンと
のターポリマー等の弗素系ポリマーなどが挙げら
れる。中間層３は最外側層１との共同作用によつて、
芯部２の薄膜の反射を効果的に防止するものであ
り、中間層３のない場合にはその反射防止性能は
不十分となる。中間層３はその反射防止性能を効
果的に発現させる為、芯部２の屈折率よりも0.05
以上大きい屈折率を有することが必要である。こ
れ以下ではその反射防止性能は不十分となる。
又、中間層３の膜厚みも、最外側層１の場合と同
様に反射防止すべき光の波長をλとし、中間層３
のポリマーの屈折率をｎとするとき、１／４nλ（2M ＋１）〔Ｍは０，１，２〕の厚みとすることが必
要であり、その膜厚みの精度は±10％以内にコン
トロールする必要がある。中間層３を形成する方
法も、最外側層１の場合と同様に、回転塗布法が
適する。かかる中間層３のポリマーとしては、ポ
リスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリスルホ
ン、ポリフエニレンエーテル、芳香族ポリエステ
ル等が挙げられる。又、当該膜の別の態様として、第２図に示す通
り、当該弗素系ポリマーが最外側層１に配置さ
れ、芯部２の両面に第一中間層４、及び、第二中
間層５が配置された七層構造の多層膜６を構成す
る。かかる七層構造の反射防止多層膜６は、上記
五層構造の反射防止多層膜とその反射防止作用は
同じであるが、反射防止する光の波長をより短波
長まで行なうことが出来る。即ち、五層構造の反
射防止多層膜にあつては、中間層のポリマーの屈
折率を比較的高いものとする必要があるが、高い
屈折率のポリマーは遠紫外線の透過性が悪化する
ため、遠紫外線の反射防止用には使用することが
出来ない。これに対して、七層構造の反射防止多
層膜の場合には、全ての層を比較的低い屈折率に
することが可能となるため、遠紫外線の光まで十
分なる反射防止の効果を発揮させることが可能と
なる。七層構造の反射防止多層膜の構成は、芯部２を
なす膜は２〜15μmの厚さと、1.47〜1.53の屈折率
と、240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の
光に対する吸収・散乱が２％以下であるポリマー
薄膜である。屈折率は、1.47以下では反射防止性
能が不十分となり、また1.53以上では遠紫外線の
透過性が悪くなり、七層構造とする必要がなくな
る。かゝる芯部２をなすポリマーとしては、エチ
ルセルロース、アセチルセルロース、ポリビニル
ブチラール等が挙げられる。第一中間層４は、1.42以下の屈折率と、240〜
500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に対する
吸収・散乱のないポリマー層であり、屈折率は
1.42以下としないと反射防止効果は不十分とな
る。第二中間層５は、1.47以上の屈折率と、240〜
500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に対する
吸収・散乱のないポリマー層であり、屈折率は
1.47以上としないと反射防止効果は不十分となる
が、屈折率1.6以上のポリマーは遠紫外線の透過
性が悪いので、用いることが出来ない。第一中間層４及び第二中間層５の厚みは、最外
側層１の厚みと同様に、反射防止すべき光の波長
をλとし、ポリマーの屈折率をｎとするとき、
１／４nλ（2M＋１）〔Ｍは０，１，２〕とする必要がある。かかる第一中間層ポリマーとしては最外側層の
ポリマーと同様のものが用いられる。又、第二中
間層のポリマーとしてはエチルセルロース、アセ
チルセルロース、ポリビニルブチラール、ポリス
チレン等が挙げられる。第一中間層及び第二中間層の形成方法も、最外
側層と同様に、ポリマーを溶媒に溶解し、回転塗
布法により形成させる方法が適する。膜以外のペリクル体の構成は、第３図に示す通
り、基本的に従来のものと同じである。ペリクル
体は支持枠７に膜６を接着層８によりシワ・タル
ミなく固着させ、支持枠７の他の端面に粘着層９
を有し、その粘着層９の上に保護フイルム１０を
配置した構造となつている。支持枠７の材質は、
通常アルミニユウム合金、プラスチツク等を用
い、その大きさはマスクの大きさに対応して１〜
６インチ径、または１〜６インチ角程度であり、
その高さは２〜10mm程度である。ペリクル体は使用に供されるまで、清浄なケー
スに収納され、ゴミの付着を防止する。使用に際
しては、第３図の保護フイルム１０を剥離し、第
４図のようにマスク１１の画像１２をカバーすべ
く当該ペリクル体を装着する。保管も、第４図の
形態で行なうことにより画像１２部分へのゴミ付
着が防止され、再度の使用に際し、マスクの洗浄
が不要となる。（実施例）以下実施例にて本発明を更に詳細に説明する。尚、実施例及び比較例に於いて、膜の厚みの測
定は以下の方法によつた。膜の分光光度計（島津製作所(株)製、UV−240）
による分光測定から、下記式にてその厚みを計算
した。ｄ＝kλ₁λ₂／2n（λ₁−λ₂）ｄ：膜厚み（nm） λ₁：Ｄ線付近（587.6nm）の干渉波の
ピーク波長（nm） λ₂：λ₁よりｋ番目のピーク波長（nm）ｎ：芯部をなす膜の屈折率実施例１ニトロセルロース（旭化成工業(株)製、HIG−
１／４，n_D＝1.51，436nmの光に対する吸収・散乱
＝0.1％）を酢酸ｎ−ブチルに溶解させ、27重量
％の溶液を調製した。又、ポリエーテルスルホン
（ICI製、Ｐ−200，n_D＝1.59）を１，１，２，２、
−テトラクロルエタンに溶解させ、0.7重量％の
溶液を調製した。又、テトラフロロエチレン
（TFE）／ヘキサフロロプロピレン（HFP）／弗
化ビニリデン（VdF）のターポリマー（TFE＝
44.2モル％、HFP＝20.7モル％、VdF＝35.1モル
％、n_D＝1.37，436nmの光に対する吸収・散乱＝
0.1％）をパーフロロ−２−メチル−１−オキシ
−３−チアシクロヘキサン−３，３−ジオキシド

【式】に溶解させ、0.7重量％の溶液を調製した。スピンコーター（回転塗布機）にシリコンウエ
ハーをセツトして、ニトロセルロース溶液を20c.c.
滴下し、その後、シリコンウエハーを1800rpmで
20秒間回転させることにより、シリコンウエハー
上にニトロセルロース薄膜を形成せしめ、赤外ラ
ンプにより溶媒を蒸発せしめた。次いで、この上
にポリエーテルスルホン溶液を３c.c.滴下し、
350rpmで20秒間回転させ、乾燥させた。更に、
このポリエーテルスルホン薄膜の上に、TFE／
HFP／VdFターポリマー溶液を３c.c.滴下し、
350rpmで20秒間回転させ、乾燥させることによ
り、三層構造の塗膜を形成させた。一方、アルミフレーム（外径100mm角、内径95
mm角、高さ５mm）の端面に、エポキシ接着剤を塗
布し、これを上記ターポリマー膜面と重ね合せ、
エポキシを硬化させることにより、フレームと膜
を接着させた。このものを、水の中に浸し、30分
間放置後ウエハーと膜を分離し、膜付フレームを
水中から取出し、風乾させ、再度スピンコーター
に、膜面が上になる様セツトし、ポリエーテルス
ルホン、TFE／HFP／VdFターポリマーの塗膜
を形成させることにより、目的とする五層構造の
多層膜を有する非反射性ペリクル体を得た。このペリクル体の膜厚みは、分光々度計の干渉
波から、7.3μmと計算された（平均屈折率を1.5と
した）。又、第５図に示す如く436nmでの光線透
過率は99.7％と非常に高いものであつた。比較例１実施例１のニトロセルロース溶液のみからなる
ペリクル体を実施例１と同様な条件で作成した。
このペリクル体の膜は、分光々度計の測定から厚
み7.0μmと計算された。又、光線透過率は第６図
に示す通り、大きな干渉波の為、84〜99％と一定
にならず、平均透過率も92％と低いものであつ
た。比較例２実施例１のニトロセルロース溶液からなる膜を
芯部とし、その両外層にTFE／HEP／VdFター
ポリマーの層を実施例１と同様な方法にて形成せ
しめ、三層反射防止膜を作成した。この膜は、そ
の分光光度計の測定から、干渉波は減少したもの
の、その透過率は、96〜99.5％と振れ、その平均
光線透過率も97.5％と不充分なものであつた。実施例２実施例１のニトロセルロースに代えてエチルセ
ルロース（エトキシル基含量＝49％、n_D＝1.48，
436nmの光に対する吸収・散乱に0.2％）を酢酸
ｎ−ブチルに溶解させ、15重量％の溶液を調製し
た。又、実施例１のポリエーテルスルホンに代え
てポリスチレン（旭化成工業(株)製、GP−683，n_D
＝1.59）を１，１，２，２−テトラクロルエタン
に溶解させ、0.7重量％の溶液とした以外は、実
施例１と同様にペリクル体を作成した。得られた
ペリクル体の膜はその分光特性から膜厚み6.1μm
と計算され、436nmでの光線透過率も99.3％と高
いものであつた。実施例３実施例２のエチルセルロースに代えて、
TFE／HFP／VdFターポリマー（TFE＝31.5モ
ル％、HFP＝8.6モル％、VdF＝59.9モル％、n_D
＝1.37，436nmの光に対する吸収・散乱＝0.3％）
をメチルイソブチルケトンに溶解させ、20重量％
の溶液を調合した。これ以外は、実施例２と同じ
溶液を使い、実施例１と同様にペリクル体を作成
した。得られたペリクル体の膜の分光特性から、
膜厚み6.5μmと計算され、436nmの光線透過率は
99.5％と高いものであつた。実施例４アセチルセルロース（酢化度＝55％，n_D＝
1.47，260nmの光に対する吸収・散乱＝1.1％）を
酢酸ｎ−ブチルに溶解させ、10重量％の溶液とし
た。又、TFE／HFP／VdFターポリマー（TFE
＝31.5モル％、HFP＝8.6モル％、VdF＝59.9モ
ル％、n_D＝1.37）をメチルイソブチルケトンに溶
解させ、0.5重量％の溶液とした。更に、ポリビ
ニルブチラール（積水化学工業(株)製、BM−２，
n_D＝1.49）をブタノールに溶解させ、0.7重量％の
溶液とした。実施例１と同様に、スピンコーター
にシリコンウエハーをセツトし、アセチルセルロ
ース溶液を滴下し、回転させることにより、シリ
コンウエハー上にアセチルセルロース薄膜を形成
せしめ、その上に、順次、上記TFE／HFP／
VdFターポリマー、ポリビニルブチラール、実
施例１のTFE／HFP／VdFターポリマー
（TFE／HFP／VdF＝44.2／20.7／35.1モル％）
の薄膜を形成させ、アルミフレームと接着剤にて
接着後、水中に浸漬し、ウエハーを分離後膜付き
のフレームを水中より回収し風乾させた。このも
のをアセチルセルロース膜面が上となる様スピン
コーターに再度セツトし、同様にTFE／HFP／
VdFターポリマー（TFE／HPF／VdF＝31.5／
8.6／59.9モル％）、ポリビニルブチラール、
TFE／HFP／VdFターポリマー（TFE／HFP／
VdF＝44.2／20.7／35.1モル％）の順に形成させ
ることにより、七層構造の多層膜を有するペリク
ル体を得た。得られたペリクル体の膜は、第７図
に示す。このものは、分光特性から膜厚み3.4μm
と計算され、260nmの遠紫外線に於いても98％の
光線透過性を示した。（効果）特定の最外側反射防止層を有する五層又は七層
構造の本発明のペリクル体は、特定の光を反射・
吸収・散乱することなく高く透過せしめ、しかも
その性能が安定して維持される。又、七層構造の場合には、より短波長の光まで
反射防止することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の要部である多層膜の一例を示
す拡大断面図、第２図は本発明の要部である多層
膜の他の例を示す拡大断面図、第３図は本発明の
ペリクル体の断面図、第４図は本発明のペリクル
体を使用する態様の模式断面図、第５図は実施例
１で製造した多層膜の波長と光線透過率の関係を
示すグラフ、第６図は比較例１で製造した膜の波
長と光線透過率との関係を示すグラフ、第７図は
実施例４で製造した膜の波長と光線透過率との関
係を示すグラフである。図中；１は最外側層、２は芯部をなす層、３は
中間層、４は第一中間層、５は第二中間層、６は
多層膜、７は支持枠、８は接着層、９は粘着層、
１０は保護膜、１１はフオトマスク又はレチク
ル、１２は画像を示す。

Claims

【特許請求の範囲】１支持枠と、その端面に接着された薄膜とより
本質的になり、当該薄膜は五層以上のポリマー多
層構造を有し、少なくとも両外側層が1.42以下の
屈折率と、240〜500nmの範囲の反射防止すべき
波長の光に対し吸収・散乱のない弗素系ポリマー
よりなる非反射性ペリクル体。２薄膜が、芯部と、その両面に配置された中間
層と、両外側層とよりなる五層構造を有し、芯部
は２〜15μmの厚さと、1.53以下の屈折率と、 240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に
対する吸収・散乱が２％以下であるポリマー薄膜
であり、中間層は、芯部をなすポリマーの屈折率
より0.05以上高い屈折率を有し、240〜500nmの
範囲の反射防止すべき波長の光に対する吸収・散
乱のないポリマー層である特許請求の範囲第１項
記載の非反射性ペリクル体。３薄膜が、芯部と、その両面に配置された第一
中間層と、更にその両面に配置された第二中間層
と、両外側層とよりなる七層構造を有し、芯部は
２〜15μmの厚さと、1.47〜1.53の屈折率と、 240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に
対する吸収・散乱が２％以下であるポリマー薄膜
であり、第一中間層は、1.42以下の屈折率と、
240〜500nmの範囲の反射防止すべき波長の光に
対する吸収・散乱のないポリマー層であり、第二
中間層は、1.47以上の屈折率と、240〜500nmの
範囲の反射防止すべき波長の光に対する吸収・散
乱のないポリマー層である特許請求の範囲第１項
記載の非反射性ペリクル体。