JPS63244865A - 薄膜ハイブリツドｉｃ用基板 - Google Patents
薄膜ハイブリツドｉｃ用基板Info
- Publication number
- JPS63244865A JPS63244865A JP62079254A JP7925487A JPS63244865A JP S63244865 A JPS63244865 A JP S63244865A JP 62079254 A JP62079254 A JP 62079254A JP 7925487 A JP7925487 A JP 7925487A JP S63244865 A JPS63244865 A JP S63244865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- low
- resistance
- substrate
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は同一基板上に、高抵抗薄膜と低抵抗薄膜を形成
してなる薄膜ハイブリッドＩＣ用基板に関するものであ
る。
してなる薄膜ハイブリッドＩＣ用基板に関するものであ
る。
「従来の技術」
従来のハイブリッドＩＣに用いられる抵抗体としての薄
膜は、１枚の基板上には単一の比抵抗のものが形成され
ていた０例えば高抵抗薄膜で高抵抗体を得るには第２図
（ａ）のように電極（１）（２）間に、細い高抵抗薄膜
（３ａ）を介在させ、同じく高抵抗薄膜で低抵抗体を得
るには第２図（ｂ）のように幅広の電極（１） （２）
間に、同様に幅の広い高抵抗薄膜（３ｂ）を介在させ、
また、低抵抗薄膜で低抵抗体を得るには第３図（ａ）に
示すように電極（１）（２）間に短かい低抵抗薄膜（４
ａ）を介在させ、同じく低抵抗薄膜で高抵抗体を得るに
は第３図（ｂ）に示すように細長い低抵抗薄膜（４ｂ）
を屈曲して介在させていた。
膜は、１枚の基板上には単一の比抵抗のものが形成され
ていた０例えば高抵抗薄膜で高抵抗体を得るには第２図
（ａ）のように電極（１）（２）間に、細い高抵抗薄膜
（３ａ）を介在させ、同じく高抵抗薄膜で低抵抗体を得
るには第２図（ｂ）のように幅広の電極（１） （２）
間に、同様に幅の広い高抵抗薄膜（３ｂ）を介在させ、
また、低抵抗薄膜で低抵抗体を得るには第３図（ａ）に
示すように電極（１）（２）間に短かい低抵抗薄膜（４
ａ）を介在させ、同じく低抵抗薄膜で高抵抗体を得るに
は第３図（ｂ）に示すように細長い低抵抗薄膜（４ｂ）
を屈曲して介在させていた。
「発明が解決しようとする問題点」
しかるに、従来のように単一の比抵抗のものを用いる方
法では、高抵抗薄膜を用いた場合には高抵抗体を得るの
はよいが、低抵抗体を得るには第２図（ｂ）のように全
体の面積を大きくしなければならず、逆に低抵抗薄膜を
用いた場合には低抵抗体を得るにはよいが、高抵抗体を
得るには第３図（ｂ）のように屈曲しているためやはり
全体として大きな面積を必要とするという問題があった
。
法では、高抵抗薄膜を用いた場合には高抵抗体を得るの
はよいが、低抵抗体を得るには第２図（ｂ）のように全
体の面積を大きくしなければならず、逆に低抵抗薄膜を
用いた場合には低抵抗体を得るにはよいが、高抵抗体を
得るには第３図（ｂ）のように屈曲しているためやはり
全体として大きな面積を必要とするという問題があった
。
「問題点を解決するための手段」
本発明は上述のような問題点を解決するためになされた
もので、１枚の基板上の異なる位置にそれぞれ比抵抗の
異なる少なくとも２種の薄膜を形成してなるものである
。
もので、１枚の基板上の異なる位置にそれぞれ比抵抗の
異なる少なくとも２種の薄膜を形成してなるものである
。
「実施例」
以下、本発明の一実施例を第１図に基づき説明する。
第１図（ａ）に示すように、１枚の基板（５）の上面で
あって、比抵抗の低い薄膜を形成する位置にマスク（６
ａ）を形成し、このマスク（６ａ）で被覆されていない
部分に比抵抗の高いＺｒＮなどの高抵抗薄膜（７）をス
パッタリング等で成膜する。
あって、比抵抗の低い薄膜を形成する位置にマスク（６
ａ）を形成し、このマスク（６ａ）で被覆されていない
部分に比抵抗の高いＺｒＮなどの高抵抗薄膜（７）をス
パッタリング等で成膜する。
つぎに、第１図（ｂ）に示すように、最初のマスク（６
ａ）を取除き、成膜した前記高抵抗薄膜（７）をマスク
（６ｂ）で被覆し、この状態で比抵抗の低いＴａ２Ｎな
どの低抵抗薄膜（８）をスパッタリング等で成膜する。
ａ）を取除き、成膜した前記高抵抗薄膜（７）をマスク
（６ｂ）で被覆し、この状態で比抵抗の低いＴａ２Ｎな
どの低抵抗薄膜（８）をスパッタリング等で成膜する。
この低抵抗薄膜（８）の成膜後マスク（６ｂ）を取除く
と、第１図（ｃ）に示すように１枚の基板（５）上の異
なる位置に高抵抗薄膜（７）と低抵抗薄膜（８）が成膜
される。
と、第１図（ｃ）に示すように１枚の基板（５）上の異
なる位置に高抵抗薄膜（７）と低抵抗薄膜（８）が成膜
される。
なお、成膜の順序は、最初に低抵抗薄膜（８）を形成し
、ついで高抵抗薄膜（７）を形成してもよい。
、ついで高抵抗薄膜（７）を形成してもよい。
「発明の効果」
本発明は上述のように、１枚の基板上に、高抵抗薄膜と
低抵抗薄膜とを形成したので、ハイブリッドＩＣで高抵
抗が必要な部分には高抵抗薄膜を、低抵抗が必要な部分
には低抵抗薄膜を使うことができ、したがって、薄膜抵
抗の占める面積は単一比抵抗の場合より小さくできる。
低抵抗薄膜とを形成したので、ハイブリッドＩＣで高抵
抗が必要な部分には高抵抗薄膜を、低抵抗が必要な部分
には低抵抗薄膜を使うことができ、したがって、薄膜抵
抗の占める面積は単一比抵抗の場合より小さくできる。
また、このように、高抵抗から低抵抗までを必要とする
ような薄膜ハイブリッドＩＣにおいて、抵抗薄膜の占め
る部分を小さくできるので、ハイブリッドＩＣ全体も小
型化でき、さらに、ハイブリッドＩＣ上の所望の位置に
所定の抵抗値を持つ抵抗体を設計する場合、従来の寸法
に比し自由度が高いというすぐれた効果を有する。
ような薄膜ハイブリッドＩＣにおいて、抵抗薄膜の占め
る部分を小さくできるので、ハイブリッドＩＣ全体も小
型化でき、さらに、ハイブリッドＩＣ上の所望の位置に
所定の抵抗値を持つ抵抗体を設計する場合、従来の寸法
に比し自由度が高いというすぐれた効果を有する。
第１図は本発明による薄膜ハイブリッドＩＣ用基板の成
膜順序を説明するための断面図、第２図および第３図は
従来の薄膜抵抗体の使用状態を示す平面図である。 （１） （２） ・・・電極、（３ａ） （３ｂ） （
７）−高抵抗薄膜、（４ａ）（４ｂ） （８） ”・低
抵抗薄膜、（５）・・・基板、（６ａ） （６ｂ）−・
・マスク。 出願人 株式会社富士通ゼネラル 図面の１１１ 第 １ 因 （ｂ） 忙） び（内容１こ変更なし） 第 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（自発） 昭和６２年０６月Ｑ？日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ■、事件の表示 昭和６２年特許願第０７９２５４号 ２、発明の名称 薄膜ハイブリッドＩＣ用基板 ３、補正をする者 事件との関係□特許出願人 住 所 神奈川県用崎市高津区末長１１１６番地名
称 （６６１）株式会社富士通ゼネラル代表者吉川志
部 ４、代理人
膜順序を説明するための断面図、第２図および第３図は
従来の薄膜抵抗体の使用状態を示す平面図である。 （１） （２） ・・・電極、（３ａ） （３ｂ） （
７）−高抵抗薄膜、（４ａ）（４ｂ） （８） ”・低
抵抗薄膜、（５）・・・基板、（６ａ） （６ｂ）−・
・マスク。 出願人 株式会社富士通ゼネラル 図面の１１１ 第 １ 因 （ｂ） 忙） び（内容１こ変更なし） 第 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（自発） 昭和６２年０６月Ｑ？日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ■、事件の表示 昭和６２年特許願第０７９２５４号 ２、発明の名称 薄膜ハイブリッドＩＣ用基板 ３、補正をする者 事件との関係□特許出願人 住 所 神奈川県用崎市高津区末長１１１６番地名
称 （６６１）株式会社富士通ゼネラル代表者吉川志
部 ４、代理人
Claims (2)
- （１）１枚の基板上の異なる位置にそれぞれ比抵抗の異
なる少なくとも２種の薄膜を形成してなることを特徴と
する薄膜ハイブリッドＩＣ用基板。 - （２）高抵抗薄膜はＺｒＮからなり、低抵抗薄膜はＴａ
＿２Ｎからなる特許請求の範囲第１項記載の薄膜ハイブ
リッドＩＣ用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079254A JPS63244865A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜ハイブリツドｉｃ用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079254A JPS63244865A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜ハイブリツドｉｃ用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244865A true JPS63244865A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13684716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62079254A Pending JPS63244865A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜ハイブリツドｉｃ用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244865A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998035385A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-13 | Harris Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
| US6441447B1 (en) | 1998-02-12 | 2002-08-27 | Intersil Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559301A (en) * | 1978-07-01 | 1980-01-23 | Nissan Motor | Connector for igniter |
| JPS5631722A (en) * | 1979-08-27 | 1981-03-31 | Hitachi Ltd | Portable cleaner |
| JPS58135661A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 集積回路の製造方法 |
| JPS61148859A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Hitachi Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62079254A patent/JPS63244865A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559301A (en) * | 1978-07-01 | 1980-01-23 | Nissan Motor | Connector for igniter |
| JPS5631722A (en) * | 1979-08-27 | 1981-03-31 | Hitachi Ltd | Portable cleaner |
| JPS58135661A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 集積回路の製造方法 |
| JPS61148859A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Hitachi Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998035385A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-13 | Harris Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
| US6441447B1 (en) | 1998-02-12 | 2002-08-27 | Intersil Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
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