JPH03214701A - 膜抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 膜抵抗素子の構成、特に低抵抗の膜抵抗素子と同一面に
形成される高抵抗の膜抵抗素子に関し、抵抗値の高精度
化を目的とし、 高シート抵抗膜より形成された高抵抗体ノ禮ターンの一
端に、低シート抵抗膜より形成された低抵抗体パターン
の一端を接続せしめてなることを特徴とし、 さらに、前記低抵抗体パターンに抵抗値調整用トリミン
グが形成されてなることを特徴とし構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は膜抵抗素子、特に低抵抗の膜抵抗素子と同一基
仮面に形成される高抵抗膜抵抗素子の構成に関する。

〔従来の技術］ 絶縁基板に形成される膜抵抗素子の抵抗値は、抵抗体パ
ターンのシー１・抵抗．断面積，長さによって決定され
、同一面に形成される複数の従来の膜抵抗素子は、各抵
抗値を勘案して適当なシート抵抗の抵抗膜を被着し、そ
れぞれが所望抵抗値となるパターンに該抵抗ｌ漠より形
成される。

従って、高抵抗素子の抵抗体パターンは低抵抗素子の抵
抗体パターンより狭幅で細長いものニナ第５図Ｃイ）　
，　（０）は従来の膜抵抗素子の平面図である。

第５図（イ）において、絶縁基板に形成された低抵抗の
膜抵抗素子１は、短冊形をした抵抗体パターン２の端部
に電極３を形成してなる。

膜抵抗素子１の抵抗値は、抵抗体パターン２の形成時に
±ｌＯ％程度にすることが可能であり、さらに高精度を
必要とするときはトリミング等によって±５％以下にす
ることができる。

第５図（Ｉｌｌ）において、絶縁基板に形成された高抵
抗の膜抵抗素子４は、抵抗体パターン５の端部に電極６
を形成してなり、抵抗体パターン２と同一抵抗膜より形
成された抵抗体パターン５は、抵抗体パターン２より狭
幅で長い帯状である。

抵抗体パターン５が抵抗体パターン２と同時に形成され
た膜抵抗素子４の抵抗値は、当然のことながら、膜抵抗
素子１のそれより誤差が大きくなる。

３ 〔発明が解決しようとする課題］ 同一の抵抗膜より抵抗体パターンが形成された従来の膜
抵抗素子１と４にあいて、抵抗値の差が１０倍〜数１０
倍程度であれば、膜抵抗素子１，４の抵抗値は、従来技
術によって±５％程度の精度が確保される。

しかしながら、例えば膜抵抗素子１に対し膜抵抗素子４
が１００倍〜１０００倍程度の高抵抗であるとき、膜抵
抗素子４の抵抗体パターン５の抵抗値は、パターニング
形状のばらつきによる影響が大きくなり、抵抗値調整を
行っても±５％以下の精度にすることが困難である。

〔課題を解決するための手段〕

低抵抗の膜抵抗素子と同一面に形成される高抵抗膜抵抗
素子の高精度化を目的とした本発明は、その実施例を示
す第１図によれば、 高シート抵抗膜より形成された高抵抗体パターン１２の
一端に、低シート抵抗膜より形成された低抵抗体パター
ン１３の一端を重ね（接続せしめ）て４ なることを特徴ケし、 さらに、低抵抗体パターン１３に抵抗値調整用１・リミ
ング１５が形成されてなることを特徴とし構成した膜抵
抗素子１１である。

〔作用〕

上記手段によれば、低抵抗の膜抵抗素子と同一面に形成
される高抵抗膜抵抗素子が、高シート抵抗膜より形成さ
れた高抵抗体パターンと、低シート抵抗膜より形成し該
高抵抗体パターンが直列に接続された低抵抗体パターン
とを具えた構成とし、そのことによって微細な抵抗値調
整は該低抵抗体パターンにて、例えばその一部分を除去
するトリミングを施すことによって可能となり、抵抗値
のばらつきが±５％以下の高精度素子が容易に得られる
ようになる。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて本発明による膜抵抗素子を説明す
る。

第１図は本発明の一実施例による膜抵抗素子の平面図（
イ）とその側面図（口）、第２図は本発明の他の実施例
による膜抵抗素子の平面図（イ）とその側面図（Ｄ）、
第３図は本発明のさらに他の実施例による膜抵抗素子の
平面図（イ）とその側面図（１、第４図（イ）〜（ヘ）
は第２図に示す膜抵抗素子の製造工程の説明図である。

第１図において、図示しない低抵抗の膜抵抗素子と共に
絶縁基板１０の表面に形成された高抵抗の膜抵抗素子１
１は、例えば１００Ω／ｃｍ２程度の高シート抵抗膜よ
り形成された高抵抗体バクーン１２の一端に、例えば数
Ω／ｃｍ”程度の低シート抵抗膜より形成された低抵抗
体パターン１３の一端を重ねて形成し、高抵抗体パター
ン１２の他端および低抵抗体パターン１３の他端に電極
１４を形成してなる。

なお、前記高シート抵抗膜，低シート抵抗膜はタンタル
のスバッタ膜であり、それらのシート抵抗は、アルゴン
ガスと窒素ガスの分圧を替えることによって、前記数値
にすることができる。

膜抵抗素子１１の抵抗値Ｒは、高抵抗体パターン１２の
抵抗値をＲｌ＋とし低抵抗体パターン１３の抵抗値をＲ
Ｌ，としたとき、 Ｒ＝ＲＨ　＋ＲＬ である。

かかる膜抵抗素子１１において、高抵抗体パターン１２
の断面積と長さが低抵抗体パターン１３のそれらと同じ
とき、高抵抗体パターン１２の抵抗値Ｒ．は低抵抗体パ
ターン１３の抵抗値ＲＬの数１０倍となり、さらに高抵
抗体パターン１２の断面積を低抵抗体パターン１３のそ
れより小さくするまたは、高抵抗体パターン１２の長さ
を低抵抗体パターン１３のそれより長くすることによっ
て、高抵抗体パターン１２の抵抗値を低抵抗体パターン
１３の１００倍以上にすることが可能である。

そして、膜抵抗素子１１の抵抗値調整は低抵抗体パター
ン１３に１・リミング１５を形成することによって、±
５％以下にすることが容易である。

第１図と共通部分に同一符号を使用した第２図において
、図示しない低抵抗の膜抵抗素子と共に絶縁基板１０の
表面に形成された高抵抗の膜抵抗素７ 子２１は、それぞれに電極ｌ４を有する高抵抗体パター
ン１２と低抵抗体パターン１３の重なり部に中間電極２
２を形成し、高抵抗体パターン１２および低抵抗体パタ
ーン１３の表呈部に、抵抗体パターン１２．　１３の保
護兼抵抗値調整用の化成膜１２ａ．１３ａを形成したも
のであり、中間電極２２は、特に抵抗体パターン１３の
抵抗値を調整しようとするとき有用である。

第３図において、図示しない低抵抗の膜抵抗素子と共に
絶縁基板１０の表面に形成された高抵抗の膜抵抗素子３
１は、例えば数Ω／ｃｍ２程度の低シート抵抗膜より形
成された低抵抗体パターン３２と、例えば１００Ω／ｃ
ｍ２程度の高シート抵抗膜より形成された高抵抗体パタ
ーン３３と、低抵抗体パターン３２の一端と高抵抗体パ
ターン３３の一端を接続する導体パターン３４と、低抵
抗体パターン３２の他端および高抵抗体パターン３３の
他端に形成せしめた電極３５にてなり、低抵抗体パター
ン３２には膜抵抗素子３１の抵抗値調整用のトリミング
１５が形成されてなる。

低抵抗体パターン３２と高抵抗体パターン３３が離８一 れた構成の膜抵抗素子３１は、そのことによって抵抗体
パターン３２．３３の同時形成が可能になる。

第４図（イ）において、絶縁基板１０の表面に高シート
抵抗のタンタル膜（抵抗膜）４１を被着し、第４図（Ｔ
＋）においては、抵抗膜４１の不要部をエッチングにて
除去し高抵抗体パターン１２を形成し高抵抗体パターン
１２の表面に化成膜１２ａを生成させる。

次いで、第４図（ハ）に示す如《低シート抵抗のタンタ
ル膜（抵抗膜）４２を被着したのち、第４図（二）に示
す如く、抵抗膜４２の不要部をエッチングにて除去し低
抵抗体パターンｌ３を形成し低抵抗体パターン１３の表
面に化成膜１３ａを生成させる。

次いで，第４図（＊）に示す如く金属導体膜４３を被着
したのち、金属導体膜４３の不要部をエッチングにて除
去して第４図（ヘ）に示す如く、電極１４，２２を形成
し、膜抵抗素子２１が完成される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、低抵抗の膜抵抗素
子と同一面に形成される高抵抗膜抵抗素子が、抵抗値の
ばらつきを±５％以下に形成させることが容易であり、
混成集積回路の高精度，安定化に寄与した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による膜抵抗素子、第２図は
本発明の他の実施例による膜抵抗素子、第３図は本発明
のさらに他の実施例による膜抵抗素子、 第４図は第２図に示す膜抵抗素子の製造工程の説明図、 第５図は従来の膜抵抗素子、 である。 図中において、 １１．２１．３１は膜抵抗素子、 １２．３３は高抵抗体パターン、 １３．３２は低抵抗体パターン、 １４，２２．３５は電極、 １５はトリミング、 ４１は高シート抵抗膜、 ４２は低シート抵抗膜、 を示す。 １ １ １膳抵抗料 ５ （イ） ４膜堺抗素子 揶λ図に示す腰柩抗米子の製造工程の説明図第 ４ 囚 従来の堰抵抗素子 揶５図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）高シート抵抗膜より形成された高抵抗体パターン
   （１２，３３）の一端に、低シート抵抗膜より形成され
   た低抵抗体パターン（１３，３２）の一端を接続せしめ
   てなることを特徴とする膜抵抗素子。
2. （２）前記低抵抗体パターン（１３）に抵抗値調整用ト
   リミング（１５）が形成されてなることを特徴とする前
   記請求項１に記載の膜抵抗素子。