JPS63244653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63244653A JPS63244653A JP7616687A JP7616687A JPS63244653A JP S63244653 A JPS63244653 A JP S63244653A JP 7616687 A JP7616687 A JP 7616687A JP 7616687 A JP7616687 A JP 7616687A JP S63244653 A JPS63244653 A JP S63244653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- nitride substrate
- thermal expansion
- substrate
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 20
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910017489 Cu I Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は窒化アルミニウム基板に金属リードを接合して
なる半導体装置に関する。
なる半導体装置に関する。
（従来の技術）
従来、例えばオーバレイ・トランジスタなどの高周波高
出力トランジスタを備えた高周波半導体装置においては
、半導体からの発熱が大きく、この熱を放散させる必要
があり、セラミックス基板として放熱性および電気絶縁
性に優れたベリリア（ＢｅＯ）ｌ板を使用し、このベリ
リア基板に高周波用の半導体チップを装着したものがあ
る。
出力トランジスタを備えた高周波半導体装置においては
、半導体からの発熱が大きく、この熱を放散させる必要
があり、セラミックス基板として放熱性および電気絶縁
性に優れたベリリア（ＢｅＯ）ｌ板を使用し、このベリ
リア基板に高周波用の半導体チップを装着したものがあ
る。
ベリリア基板に電気入出力用のリードを設ける場合には
、熱膨脹係数がベリリアとアルミナは近似しているので
、汎用のアルミナ基板と同様にＦｅ−Ｎｉ系合金からな
るリードをＡａ−Ｃｕ系のろう材を用いてベリリア基板
に接合している。
、熱膨脹係数がベリリアとアルミナは近似しているので
、汎用のアルミナ基板と同様にＦｅ−Ｎｉ系合金からな
るリードをＡａ−Ｃｕ系のろう材を用いてベリリア基板
に接合している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このようなベリリア基板を用いた従来の
高周波半導体装置には次の様な問題がある。なお、高周
波高出力半導体装置にかぎらず、高集積化され発熱密度
の高いＬＳＩ、ＶＬＳＩなどの高出力半導体装置におい
ても全く同様の問題がある。
高周波半導体装置には次の様な問題がある。なお、高周
波高出力半導体装置にかぎらず、高集積化され発熱密度
の高いＬＳＩ、ＶＬＳＩなどの高出力半導体装置におい
ても全く同様の問題がある。
すなわち、ベリリアは優れた放熱性と電気絶縁性を有す
るものであるが、熱膨脹係数が７．５×１０””／’Ｃ
で、半導体チップ例えばＳｉチップの熱膨脹係数３．５
〜４．０Ｘ１０’−８／”Ｃと大きく異なっている。こ
のため、半導体チップをベリリア基板に直接ｖ１．ｌシ
てハンダ付けにより基板に装着する場合には、半導体チ
ップが大型であるとへりリア基板と半導体チップとの熱
膨張の差が大きくなり、ハンダ付は時の熱応力により半
導体チップが破損する恐れがある。従って、大型の半導
体チップをベリリア基板に直接装着することができず、
半導体の高出力化を図る上で限界がある。
るものであるが、熱膨脹係数が７．５×１０””／’Ｃ
で、半導体チップ例えばＳｉチップの熱膨脹係数３．５
〜４．０Ｘ１０’−８／”Ｃと大きく異なっている。こ
のため、半導体チップをベリリア基板に直接ｖ１．ｌシ
てハンダ付けにより基板に装着する場合には、半導体チ
ップが大型であるとへりリア基板と半導体チップとの熱
膨張の差が大きくなり、ハンダ付は時の熱応力により半
導体チップが破損する恐れがある。従って、大型の半導
体チップをベリリア基板に直接装着することができず、
半導体の高出力化を図る上で限界がある。
なお、半導体チップとベリリア基板との間にスペーサを
介在させて半導体チップに対する熱応力を緩和させる方
法もあるが、この場合には半導体チップの装着が非常に
面倒になる。また、ベリリア基板は高価で、且つ毒性を
有するので取扱に注意を要し作業が面倒であるため、用
途が限定されている。
介在させて半導体チップに対する熱応力を緩和させる方
法もあるが、この場合には半導体チップの装着が非常に
面倒になる。また、ベリリア基板は高価で、且つ毒性を
有するので取扱に注意を要し作業が面倒であるため、用
途が限定されている。
本発明は前記事情に基づいてなされたもので、大型の半
導体チップを基板に直接装着でき、且つリードを基板を
劣化させることなく接合することができる高い信頼性と
寿命を有する高出力および高周波用として最適な半導体
装置を安価に提供することを目的とする。
導体チップを基板に直接装着でき、且つリードを基板を
劣化させることなく接合することができる高い信頼性と
寿命を有する高出力および高周波用として最適な半導体
装置を安価に提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段と作用）前記目的を達成
するために本発明の半導体装置は、窒化アルミニウム基
板と、この窒化アルミニウム基板にろう付けにより接合
された金属リードとを具備することを特徴とするもので
ある。
するために本発明の半導体装置は、窒化アルミニウム基
板と、この窒化アルミニウム基板にろう付けにより接合
された金属リードとを具備することを特徴とするもので
ある。
（実施例）
本発明の半導体装置の実施例について説明する。
（１） 本発明を適用したピングリットアレイ（Ｐ、
Ｇ、Ａ）タイプの半導体装置の構成の例を第１図および
第２図について説明する。
Ｇ、Ａ）タイプの半導体装置の構成の例を第１図および
第２図について説明する。
図中１は窒化アルミニウムの焼結体からなる窒化アルミ
ニウム基板である。窒化アルミニウムは、電気絶縁性に
優れていることに加えて、熱伝導率が７０〜２６０ｗ／
ｍｋと非常に大きく高い放熱性を有している。本発明の
半導体装置では、Ｙ２０３３ｗｔ％を含む窒化アルミニ
ウム粉末をシート成形し、ＭＯ又はＷ導体を印刷の上、
積層し１７５０℃にて焼成して得られた高い熱伝導率を
有する窒化アルミニウム基板１を用いる。図中３は電気
入出力用ビン形をなすリードで、このリード３は熱膨脹
係数５．５〜８．５Ｘ１０−８ ／℃の材料から選ばれ
、Ｆｅ−Ｎｉ系合金例えば４２７０イ、コバールからな
るもの、あるいは熱膨脹係数４．０〜５．５ｘ１０−
’ ／’Ｃの材料で、ＭＯｌＷなどの金属からなるもの
を用いる。前者の材料は一般に使用されており安価であ
るが、熱膨脹係数が窒化アルミニウム基板１のそれに比
較して大きいのでより低温で接合が可能なＡｇ−Ｃｕ−
Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材を使用スることが必要
である。後者の材料は熱膨脹係数が窒化アルミニウム基
板１のそれと近似するので、リード３の接合面積が大き
い場合においても、前述のろう材おうおびＡｇ−Ｃｕろ
う材を用いてもろう付けによる熱応力を確実に緩和でき
る。リード材質とろう材のいずれかの組合わせで信頼性
の高い装置が実現できる。そしてリード３は窒化アルミ
ニウム基板１凹部を囲む表面の所定の位置に所定数並べ
て配置される。窒化アルミニウム基板１とリード３との
接合構造について補足説明する。
ニウム基板である。窒化アルミニウムは、電気絶縁性に
優れていることに加えて、熱伝導率が７０〜２６０ｗ／
ｍｋと非常に大きく高い放熱性を有している。本発明の
半導体装置では、Ｙ２０３３ｗｔ％を含む窒化アルミニ
ウム粉末をシート成形し、ＭＯ又はＷ導体を印刷の上、
積層し１７５０℃にて焼成して得られた高い熱伝導率を
有する窒化アルミニウム基板１を用いる。図中３は電気
入出力用ビン形をなすリードで、このリード３は熱膨脹
係数５．５〜８．５Ｘ１０−８ ／℃の材料から選ばれ
、Ｆｅ−Ｎｉ系合金例えば４２７０イ、コバールからな
るもの、あるいは熱膨脹係数４．０〜５．５ｘ１０−
’ ／’Ｃの材料で、ＭＯｌＷなどの金属からなるもの
を用いる。前者の材料は一般に使用されており安価であ
るが、熱膨脹係数が窒化アルミニウム基板１のそれに比
較して大きいのでより低温で接合が可能なＡｇ−Ｃｕ−
Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材を使用スることが必要
である。後者の材料は熱膨脹係数が窒化アルミニウム基
板１のそれと近似するので、リード３の接合面積が大き
い場合においても、前述のろう材おうおびＡｇ−Ｃｕろ
う材を用いてもろう付けによる熱応力を確実に緩和でき
る。リード材質とろう材のいずれかの組合わせで信頼性
の高い装置が実現できる。そしてリード３は窒化アルミ
ニウム基板１凹部を囲む表面の所定の位置に所定数並べ
て配置される。窒化アルミニウム基板１とリード３との
接合構造について補足説明する。
窒化アルミニウム基板１の表面にはＭＯ又はＷのメタラ
イズ層４が形成され、このメタライズ層４の上にはＮｉ
めりき５を施す。このメタライズ層４．５は窒化アルミ
ニウム基板１の表面に形成する導体配線リード３接合部
および３ｉチップ２マウント部を構成する。またリード
３の表面にもＮｉめりき６を施し、ろう材７との濡れを
良好とする。リード材が４２７０イの場合には、接合部
ｒ！１６００〜６３０℃の低温ろうＡｇ−ＣＵ−８ｎ。
イズ層４が形成され、このメタライズ層４の上にはＮｉ
めりき５を施す。このメタライズ層４．５は窒化アルミ
ニウム基板１の表面に形成する導体配線リード３接合部
および３ｉチップ２マウント部を構成する。またリード
３の表面にもＮｉめりき６を施し、ろう材７との濡れを
良好とする。リード材が４２７０イの場合には、接合部
ｒ！１６００〜６３０℃の低温ろうＡｇ−ＣＵ−８ｎ。
ＡＣＩ−Ｃｕ−Ｉｎなどのろう材を使用する。リード材
がＭＯの場合には、接合温度７９０℃のＡｇ−Ｃｕろう
材および上記のＡｇ−Ｃｕ−８ｎ。
がＭＯの場合には、接合温度７９０℃のＡｇ−Ｃｕろう
材および上記のＡｇ−Ｃｕ−８ｎ。
Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材のいずれを使用してもよい。
そして、このろう付けは中性または還元雰囲気中で６０
０〜８００℃の温度で行われる。リード接合強度はいず
れの場合にも、３に’ｊ／ａｉ以上のももが得られる。
０〜８００℃の温度で行われる。リード接合強度はいず
れの場合にも、３に’ｊ／ａｉ以上のももが得られる。
窒化アルミニウム基板の熱膨脹係数は約４．５Ｘ１０”
” ／’Ｃである。窒化アルミニウム基板１の中央部に
形成した凹部には１５Ｘ１５＃Ｉｍの大形５ｚＬｓ１＞
チップが載置され、この半導体チップ２はボンディング
ワイヤ２ａで窒化アルミニウム基板１の表面に形成した
導体配線と電気的に接続される。このＳｉチップの熱膨
脹係数は約３．７ｘ１０− ’ ／℃で、窒化アルミニ
ウム基板の熱膨脹係数と近似しており、ハンダ付けは熱
処理および信頼性テスト（熱衝撃試験）においても両者
に熱応力による破損は生じなかった。ベリリア基板の場
合には３ｉチップ７×７Ｍ以上でチップにクラックを生
じた。
” ／’Ｃである。窒化アルミニウム基板１の中央部に
形成した凹部には１５Ｘ１５＃Ｉｍの大形５ｚＬｓ１＞
チップが載置され、この半導体チップ２はボンディング
ワイヤ２ａで窒化アルミニウム基板１の表面に形成した
導体配線と電気的に接続される。このＳｉチップの熱膨
脹係数は約３．７ｘ１０− ’ ／℃で、窒化アルミニ
ウム基板の熱膨脹係数と近似しており、ハンダ付けは熱
処理および信頼性テスト（熱衝撃試験）においても両者
に熱応力による破損は生じなかった。ベリリア基板の場
合には３ｉチップ７×７Ｍ以上でチップにクラックを生
じた。
なお、窒化アルミニウム基板１の凹部は蓋材（図示せず
）で封止される。
）で封止される。
このように構成された半導体装置において、基板１を形
成する窒化アルミニウムは優れた電気絶縁性に加えて、
高い放熱性を有している。また、窒化アルミニウムの熱
膨脹係数は半導体チップ２具体的には３ｔチツプの熱膨
脹係数と近似している。このため、半導体チップ２を窒
化アルミニウム基板１にスペーサを介さず直接載置して
ハンダ付けして装着する場合に、半導体チップ２が大き
な熱応力を受けて破損することがない。半導体チップ２
が大きさの制限を受けることがない。従って、高出力の
大型の半導体チップ２を窒化アルミニウム基板１に直接
載置してハンダ付けにより装着することが可能となる。
成する窒化アルミニウムは優れた電気絶縁性に加えて、
高い放熱性を有している。また、窒化アルミニウムの熱
膨脹係数は半導体チップ２具体的には３ｔチツプの熱膨
脹係数と近似している。このため、半導体チップ２を窒
化アルミニウム基板１にスペーサを介さず直接載置して
ハンダ付けして装着する場合に、半導体チップ２が大き
な熱応力を受けて破損することがない。半導体チップ２
が大きさの制限を受けることがない。従って、高出力の
大型の半導体チップ２を窒化アルミニウム基板１に直接
載置してハンダ付けにより装着することが可能となる。
窒化アルミニウム基板を用いた半導体装置の信頼性が轟
く且つ耐久性も向上する。さらに窒化アルミニウム基板
１はベリリアに比して安価であり、且つ毒性がないので
取り扱いが容易である。
く且つ耐久性も向上する。さらに窒化アルミニウム基板
１はベリリアに比して安価であり、且つ毒性がないので
取り扱いが容易である。
（２）第３図および第４図は本発明を適用したオーバレ
イ・トランジスタ用の半導体装置の構成を示している。
イ・トランジスタ用の半導体装置の構成を示している。
図中１１は窒化アルミニウム基板、１２は窒化アルミニ
ウム基板１１の表面に形成されたＭｏメタライズ層、１
３はＭＯメタライズ層１２の表面に施されたＮｉめっき
層である。なお、Ｎｉめっきを施されたＭＯメタライズ
層１２，１３′″＆１導体配線部とリード１４，１５，
１６．のろう付は接合部および３ｉチツプ１７のハンダ
接合部を構成している。これらリード１４．１５．ｉｅ
は４２７０イ、コバールなど熱膨脹係数５．５〜８．５
Ｘ１０−”／’Ｃの材質からなる場合には、Ａｇ−Ｃｕ
−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材１８を用いて接合す
る。リード１４．１５．１６が熱膨脹係数４．０〜５゜
５Ｘ１０−”／’ＣのＷ、ＭＯなどの場合には、Ａａ−
Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕ−３ｎ。
ウム基板１１の表面に形成されたＭｏメタライズ層、１
３はＭＯメタライズ層１２の表面に施されたＮｉめっき
層である。なお、Ｎｉめっきを施されたＭＯメタライズ
層１２，１３′″＆１導体配線部とリード１４，１５，
１６．のろう付は接合部および３ｉチツプ１７のハンダ
接合部を構成している。これらリード１４．１５．ｉｅ
は４２７０イ、コバールなど熱膨脹係数５．５〜８．５
Ｘ１０−”／’Ｃの材質からなる場合には、Ａｇ−Ｃｕ
−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材１８を用いて接合す
る。リード１４．１５．１６が熱膨脹係数４．０〜５゜
５Ｘ１０−”／’ＣのＷ、ＭＯなどの場合には、Ａａ−
Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕ−３ｎ。
Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎなどいずれのろう材１８を用いて接合
してもよい。いずれもリードのろう付は接合強度は３
Ｋｙ ／ ｃｄ以上で高い。
してもよい。いずれもリードのろう付は接合強度は３
Ｋｙ ／ ｃｄ以上で高い。
なお、全体をＡｕめっきした窒化アルミニウム基板１１
には半導体チップ１７がＡｕ−８ｔハンダで装着され、
ワイヤボレディングされケースに取付けられる。
には半導体チップ１７がＡｕ−８ｔハンダで装着され、
ワイヤボレディングされケースに取付けられる。
この構成の半導体装置においても前記した例の半導体装
置と同様の効果が得られる。
置と同様の効果が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、窒化アルミニウム
基板を用いることにより、大型の半導体チップを直接基
板に装着することが可能となり、半導体の高出力化を達
成できる。また、リードはその材質に応じてろう材を選
択し、窒化アルミニウム基板に接合するので基板の破損
を防止して高信頼性および高寿命化を達成した汎用性を
有する高出力および高周波用の半導体装置を安価に得る
ことができる。
基板を用いることにより、大型の半導体チップを直接基
板に装着することが可能となり、半導体の高出力化を達
成できる。また、リードはその材質に応じてろう材を選
択し、窒化アルミニウム基板に接合するので基板の破損
を防止して高信頼性および高寿命化を達成した汎用性を
有する高出力および高周波用の半導体装置を安価に得る
ことができる。
第１図は本発明の半導体装置の一例を示す断面図、第２
図は第１図で示す半導体装置のリード接合部を拡大して
示す断面図、第３図は本発明の半導体装置の他の例を示
す平面図、第４図は同断面図である。 １・・・窒化アルミニウム基板、２・・・半導体チップ
、２ａ・・・ボンディングワイヤ、３・・・リード、４
・・・メタライズ層、５・・・Ｎｉメッキ、６・・・Ｎ
ｉメッキ、′７・・・ろう、１１・・・窒化アルミニウ
ム基板、１２・・・メタライズ層、１３・・・Ｎｉメッ
キ、１４．１５゜１６・・・リード、１７・・・半導体
チップ、１８・・・ろう。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
図は第１図で示す半導体装置のリード接合部を拡大して
示す断面図、第３図は本発明の半導体装置の他の例を示
す平面図、第４図は同断面図である。 １・・・窒化アルミニウム基板、２・・・半導体チップ
、２ａ・・・ボンディングワイヤ、３・・・リード、４
・・・メタライズ層、５・・・Ｎｉメッキ、６・・・Ｎ
ｉメッキ、′７・・・ろう、１１・・・窒化アルミニウ
ム基板、１２・・・メタライズ層、１３・・・Ｎｉメッ
キ、１４．１５゜１６・・・リード、１７・・・半導体
チップ、１８・・・ろう。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム
基板にろう付けにより接合された金属リードとを具備し
てなることを特徴とする半導体装置。 - （２）金属リードはＭｏ、Ｗなどの熱膨脹係数が４．０
〜５．５×１０＾−＾６−／℃の材料からなり、Ａｇ−
Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材に
て接合されたものである特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。 - （３）金属リードはＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合
金などの熱膨脹係数が５．５〜８．５×１０＾−＾６／
℃の材料からなり、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系ろう材にて接合されたものである特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7616687A JPS63244653A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7616687A JPS63244653A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244653A true JPS63244653A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13597490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7616687A Pending JPS63244653A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264388A (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Sintered body of aluminum nitride |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178647A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6135539A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7616687A patent/JPS63244653A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178647A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6135539A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264388A (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Sintered body of aluminum nitride |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5602059A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| US4809135A (en) | Chip carrier and method of fabrication | |
| JP5091459B2 (ja) | 高放熱型電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
| JP3816821B2 (ja) | 高周波用パワーモジュール基板及びその製造方法 | |
| JP2001035968A (ja) | ボールグリッドアレイを具えるパワー半導体実装パッケージ | |
| US11640925B2 (en) | System and method for a device package | |
| JPS6318648A (ja) | 窒化アルミニウム回路基板 | |
| JPH0752759B2 (ja) | パツケ−ジ | |
| KR20040063784A (ko) | 반도체장치 | |
| JPS63244653A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3426827B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05291425A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JP3984107B2 (ja) | 高周波用半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPS63173348A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0677361A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JP2005252121A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2007088190A (ja) | 高放熱型電子部品収納用パッケージ | |
| JPH0763080B2 (ja) | 半導体パツケ−ジ構造体 | |
| JP2006041231A (ja) | セラミック回路基板および電気装置 | |
| JP2017126648A (ja) | 電子モジュール | |
| JPH1167841A (ja) | 出力半導体チップの実装方法及び半導体チップ用パッケージ | |
| JP2003282752A (ja) | 高周波用パッケージ及び高周波用パワーモジュール基板 | |
| JPH06140527A (ja) | 半導体用封止装置部品 | |
| JPH0236553A (ja) | 半導体装置用部品間の接続構造 | |
| JPS6334962A (ja) | パツケ−ジ構造体 |